Просмотр исходного текста страницы Филимонов, Сергей Николаевич

{{ШЛюди
|Имя                   = Филимонов Сергей Николаевич
|Оригинал имени        = 
|Фото                  = 

|Ширина                = 
|Подпись               = 
|Дата рождения         = 
|Место рождения        = 
|Дата смерти           = 
|Место смерти          = 
|Гражданство           = 
|Научная сфера         = 
|Место работы          = Томский государственный университет. Физический факультет, декан
|Учёная степень        = кандидат физико-математических наук 
|Учёное звание         = Доцент
|Альма-матер           = Томский государственный университет
|Образование           = 
|Научный руководитель  = 
|Знаменитые ученики    = 
|Известные ученики     = 
|Известен как          = 
|Известна как          = 
|Награды и премии      = 
|Сайт                  = 
}}

=<span style="color:#0000FF">Биографическая справка</span>=
=<span style="color:#0000FF">Хронологический список работ</span>=
'''1994'''

•	Филимонов С. Н. Исследование начальных стадий формирования тонких пленок при кристаллизации из молекулярного пучка // Естественные науки: региональная научно-практическая конференция : тезисы докладов, Томск, декабрь 1994 г. Томск, 1994. С. 134.

'''1996'''

•	Рузайкин М. П. Разработка теории дельта-легирования при кристаллизации из молекулярного пучка / М. П. Рузайкин, С. Н. Филимонов, Ю. Ю.Эрвье // Информационный бюллетень РФФИ. Физика, Астрономия. 1996. № 4. 

'''1997'''

•	Рузайкин М. П. Имитационное моделирование эволюции структуры поверхности при росте кристаллов из молекулярного пучка / М. П. Рузайкин, С. Н. Филимонов, Ю. Ю. Эрвье // Известия высших учебных заведений. Физика. 1997. № 8. С. 103-109.

•	Ruzaikin M. P. Imitative modeling of the evolution of surface structures during crystal growth from a molecular beam / M. P. Ruzaikin, S. N. Filimonov, Yu. Yu. Érve // Russian Physics Journal. 1997. Vol. 40, № 8. P. 804-809.

'''1998'''

•	Filimonov S. N. The dopant incorporation and surface segregation during 2d islands growth in MBE: a computer simulation study / S. N Filimonov, Yu.Yu. Hervieu // Physics of Low-Dimensional Structures (PLDS). 1998. Vol. 1998, № 9-10. P. 141-152.
 
•	Filimonov S. N. On the kinetics of δ-doping during MBE / S. N. Filimonov, Yu.Yu. Heryieu // Physics of Low-Dimensional Structures (PLDS). 1998. Vol.1998,  № 7-8. P. 91-100.

'''1999'''

•	Филимонов С. H. О влиянии плотности зародышей на развитие микрорельефа поверхности при кристаллизации из молекулярного пучка // Известия высших учебных заведений. Физика. 1999. № 3. С. 27-32.
 
•	Filimonov S. N. Effect of island number density on the surface evolution during molecular beam epitaxy // Russian Physics Journal. 1999. Vol. 42, № 3. P. 264-268.

'''2000'''

•	Филимонов С. Н. Компьютерное моделирование эволюции поверхности и захвата примеси при кристаллизации из молекулярного пучка : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10. - Томск, 2000. - 18 с.: ил.

•	Филимонов С. Н. Компьютерное моделирование эволюции поверхности и захвата примеси при кристаллизации из молекулярного пучка : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10 / С. Н. Филимонов; науч. рук. Ю. Ю. Эрвье; Томск. гос. ун-т; Сибирский физико-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова. - Томск, 2000. - 119 с.: рис.

•	Филимонов С. Н. О статистике зародышеобразования при кристаллизации из молекулярных пучков // Современные проблемы физики и технологии : сборник статей молодых ученых. Томск, 2000. С. 56-57.

•	Filimonov S. N. Growth kinetics in surfactant mediated MBE: effects of blocking of kinks // S. N. Filimonov, Yu. Yu. Hervieu // Physics of Low-Dimensional Structures (PLDS). 2000. Vol. 2000, № 1-2. P. 81-92. 

'''2001'''

•	Filimonov S. N.  On the Statistics of Nucleation of 3D Coherent Islands in Heteroepitaxy from a Molecular Beam / S. N. Filimonov , Yu. Yu. Érv'e // Russian Physics Journal. 2001. Vol. 44, № 4.  P. 370-375.

'''2002'''

•	Filimonov S. N. Influence of strain on binding energies of si atoms at ge(111) surfaces / S. N. Filimonov, B. Voigtlander // Surface Science. 2002. Vol. 512, № 1-2. P. L335-L340. 

•	Filimonov S. N. Statistics of second layer nucleation in heteroepitaxial growth / S. N. Filimonov, Yu. Yu. Hervieu // Surface Science. 2002. Vol. 507-510. P. 270-275. 

'''2004'''

•	Filimonov S. N. Terrace-edge-kink model of atomic processes at the permeable steps / S. N. Filimonov, Yu. Yu. Hervieu // Surface Science. 2004. Vol. 553, № 1-3. P. 133-144.

•	Filimonov S. N. "Rotating" steps in SI (0 0 1) homoepitaxy / S. N. Filimonov, B. Voigtländer // Surface Science. 2004. Vol. 549, № 1. P. 31-36.

•	Scaling of submonolayer island sizes in surfactant-mediated epitaxy of semiconductors  /  V. Cherepanov, S. Filimonov, J. Mysliveček, B. Voigtländer // Physical Review B. 2004. Vol.70, № 8. P.085401-1-085401-6.  https://doi.org/10.1103/physrevb.70.085401

'''2005'''

•	Dislocation networks in conventional and surfactant-mediated Ge/Si (1 1 1) epitaxy / SN Filimonov, V Cherepanov, N Paul, H Asaoka, J Brona, B Voigtländer // Surface Science   2005, Vol. 599, Issues 1–3, 30 December. P. 76-84. https://doi.org/10.1016/j.susc.2005.09.039
   
•	Filimonov S. N. Step permeability effect and interlayer mass-transport in the Ge/Si (1 1 1) MBE / S. N. Filimonov, Y. Y. Hervieu // Materials Science in Semiconductor Processing. 2005.  Vol. 8, Is. 1–3. P. 31-34. https://doi.org/10.1016/j.mssp.2004.09.046

'''2007'''

•	Identification of ge/si intermixing processes at the BI/GE/SI(111) surface / N. Paul, S. Filimonov, V. Cherepanov, B. Voigtländer,  M. Çakmak // Physical Review Letters. 2007. Vol. 98, № 16. P. 166104. 

•	Filimonov S. N. Adatom incorporation and step crossing at the edges of 2D nanoislands / S. N. Filimonov, Y. Y. Hervieu // International Journal of Nanoscience. 2007. Vol. 6, № 3-4. P. 237-240.
 
•	Multistage nucleation of two-dimensional SI ISLANDS ON SI (111) -7×7 during MBE growth: STM experiments and extended rate-equation model / S. Filimonov, Y. Hervieu, V. Cherepanov, B. Voigtländer // Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics. 2007. Vol. 76, № 3. P. 035428.  https://doi.org/10.1103/PhysRevB.76.035428

•	SI nucleation on SI(1 1 1)-7 × 7: from cluster pairs to 2D islands // S. N. Filimonov, Yu. Yu. Hervieu, V. Cherepanov, B. Voigtländer // Surface Science. 2007. Vol. 601, № 18. P. 3876-3880. 

'''2009'''

•	Filimonov S. N. Kink-formation kinetics and submonolayer density of magic two-dimensional islands in molecular beam epitaxy / S. Filimonov, Y. Hervieu // 
Physical Review E - Statistical, Nonlinear, and Soft Matter Physics. 2009. Vol. 80, № 5. P. 051603.

•	Surface stress relief in Bi-mediated Ge growth on Si / H. Asaoka, T. Yamazaki, S. Shamoto, S. Filimonov, M. Suemitsu // Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference. 2009. № 2. P. 66.

'''2010'''

•	Филимонов С. Н. Влияние проницаемости края 2d-островка на переход от 2D- К 3D-росту / С. Н. Филимонов, Ю. Ю. Эрвье // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2010. № 3. С. 52-59.

•	Филимонов С. Н. Зарождение и рост "магических" наноостровков при кристаллизации из молекулярного пучка / С. Н. Филимонов,  Ю. Ю. Эрвье  // Uzbek Journal of Physics. 2010. Vol. 12, № 1-2. С. 18-25.

•	Филимонов С. Н. Эффекты реконструкции поверхности в кинетике образования и роста двумерных островков при молекулярно-пучковой эпитаксии кремния / С. Н. Филимонов, Ю. Ю. Эрвье // Кремний – 2010 : тезисы докладов 7 Международной конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, Нижний Новгород, 6-9 июля, 2010. Нижний Новгород, 2010. С. 94.

•	Saito E. Low-temperature, low-pressure and ultrahigh-rate growth of single-crystalline 3C-SIC on SI substrate by ULP-CVD using organosilane / E. Saito, S. Filimonov, M. Suemitsu // 
Materials Science Forum. 2010. Vol. 645-648. P. 147-150.
 
'''2011'''

•	Alguno A. Step bunching and step "rotation" in homoepitaxial growth of SI ON SI(110)-16 × 2 / A. Alguno, S. N. Filimonov, M. Suemitsu // Surface Science. 2011. Vol. 605, № 7-8. P. 838-843.
 
•	Filimonov S. N.  How the edge permeability of a 2D island influences the transition from 2D to 3D growth  / S. N. Filimonov, Yu. Yu. Hervieu // Russian Microelectronics. 2011. Vol. 40, № 8. P. 602-609. 

•	Saito E. Growth rate anomaly in ultralow-pressure chemical vapor deposition of 3C-SIC ON SI(001) using monomethylsilane / E. Saito, S. N. Filimonov, M. Suemitsu // Japanese Journal of Applied Physics. 2011. Vol. 50, № 1. P. 010203. 

•	Suemitsu M. Understanding crystal growth mechanisms in silicon-germanium (sige) nanostructures / M. Suemitsu, S. N. Filimonov // Silicon-Germanium (SiGe) Nanostructures. Cambridge, 2011. Chapter 3. P. 45-71.  DOI: 10.1533/9780857091420.2.45

'''2012'''

•	Filimonov S. N. Kinetics of two-dimensional island nucleation on reconstructed surfaces / S. N. Filimonov, Y. Y. Hervieu // Physical Review B. 2012. Vol. 85, № 4. P. 045423-1-045423-7. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000431706

•	Selective Adsorption of C60 on Ge/Si Nanostructures / S. Korte, K. Romanyuk, B. Schnitzler, V. Cherepanov, B. Voigtländer, S. N. Filimonov // Physical Review Letters. 2012. Vol. 108, № 11. P. 116101-1-116101-5. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000431655

'''2013'''

•	Безродный Д. А. Компьютерное моделирование послойного роста грани 3D-островка / Д. А. Безродный,  С. Н. Филимонов // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 8-3. С. 156-158. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000468362

•	Карбид кремния на кремнии (110): структура поверхности и механизмы эпитаксиального роста / S. Sambonsuge, Л. Н. Никитина, Ю. Ю. Эрвье, M. Suemitsu, С. Н. Филимонов // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 12. С. 106-111. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000470578
   
•	Филимонов С. Н. Краевая задача поверхностной диффузии адатомов в кинетике роста 3D-отсровков и нитевидных нанокристаллов / С. Н. Филимонов, Ю. Ю. Эрвье // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 8-3. С. 141-143. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000468358

•	Direct measurement of surface stress during Bi-mediated Ge growth on Si / H. Asaoka, T. Yamazaki, K Yamaguchi [et.al.] // Surface science. 2013. Vol. 609. P. 157-160. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000452825
 
•	High-rate rotated epitaxy of 3C-SIC(111) on SI(110) substrate for qualified epitaxial graphene on silicon / M. Suemitsu, S. Sanbonsuge, E. Saito, M.-H. Jung, H. Fukidome, S. Filimonov  // Materials Science Forum. 2013. Vol. 740-742. P. 327-330. 

•	Molecular switches from benzene derivatives adsorbed on metal surfaces / W. Liu, S. N. Filimonov, J. Carrasco, A. Tkatchenko // Nature communications. 2013. Vol. 4, Art. № 2569. P. 1-6. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000467289 

•	Reliable Modeling of Complex Organic/Metal Interfaces / W. Liu, S. Filimonov, V. G. Ruiz, M. Scheffler, A. Tkatchenko // Bulletin of the American Physical Society.  2013. Vol.58, № 1 :  Session M5: Focus Session: Computational Discovery and Design of New Materials: Semiconductors, Molecular Systems and Interfaces. M5.00002 

•	Rotated epitaxy of 3C-SiC (111) on Si (110) substrate using monomethylsilane-based gas-source molecular-beam epitaxy / S. Sambonsuge, E. Saito, M. H. Jung, H. Fukidome, S. Filimonov, M. Suemitsu // Materials Science Forum. 2013. Vol.740. P. 339-343.

'''2014'''

•	Filimonov S. N. Kinetics of step propagation at the sidewalls of 3D islands and nanowires / S. N. Filimonov, Y. Yu. Hervieu // e-Journal of Surface Science and Nanotechnology. 2014. Vol. 12. P. 68-74. 

•	Silicon Carbide on Silicon (110): Surface Structure and Mechanisms of Epitaxial Growth /  S. Sambonsuge, L. N. Nikitina, Yu. Yu. Hervieu, M. Suemitsu, S. N. Filimonov // Russian Physics Journal. 2014. Vol. 56, № 12. P. 1439-1444.

'''2015'''

•	Безродный Д. А. Влияние проницаемости ступеней на кинетику послойного роста грани 3D-островка / Д. А. Безродный, С. Н. Филимонов, Ю. Ю. Эрвье // 
Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8-2. С. 144-146.

•	Никитина Л. Н. Влияние дисперсионных сил на энергию межмолекулярного взаимодействия бензола и его галогенпроизводных / Л. Н. Никитина, М. Б. Пидченко, С. Н. Филимонов // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8-3. С. 147-149.

•	Филимонов С. Н. Монте-Карло-моделирование адсорбции анизотропных невзаимодействующих молекул на поверхность (111) ГЦК-кристалла // С. Н. Филимонов, Ю. Ю Эрвье // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 12. С. 9-12.

•	In situ SR-XPS observation of Ni-assisted low-temperature formation of epitaxial graphene on 3C-SiC/Si / М. Hasegawa, K. Sugawara, R. Suto, S. Sambonsuge, Y. Teraoka, Akitaka Yoshigoe, S. N. Filimonov, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu // Nanoscale research letters. 2015. Vol. 10. P. 421 (1-6). URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000552751

•	Filimonov S. N. Ab initio calculations of absolute surface energies of clean and hydrogen covered 3C-SiC(001), (110) and (111) surfaces / S. N. Filimonov // Materials science forum. 2015. Vol. 821/823. P. 363-366. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000578005

•	Filimonov S. N. Model of step propagation and step bunching at the sidewalls of nanowires / S. N. Filimonov, Y. Y. Hervieu // Journal of crystal growth. 2015. Vol. 427. P. 60-66. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000581434

'''2016'''

•	Безродный Д. А. Численное моделирование движения ступеней на боковых гранях 3D островков / Д. А. Безродный, С. Н. Филимонов // Кремний 2016 : XI конференция и X школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, 12-15 сентября 2016 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2016. С. 41.

•	Филимонов С. Н. Модель латерального роста и развития формы нитевидных нанокристаллов за счет образования и движения ступеней по боковым граням / С. Н. Филимонов, Ю. Ю. Эрвье // Кремний 2016 : XI конференция и X школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, 12-15 сентября 2016 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2016. С. 38.

•	Филимонов С. Н. Модель ступенчато-слоевого роста боковых граней и развития формы полупроводниковых нитевидных нанокристаллов / С. Н. Филимонов, Ю. Ю. Эрвье // Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59, № 8/2. С. 73-78.

•	Филимонов С. Н. О влиянии переходов между различными адсорбционными состояниями на кинетику десорбции молекул / С. Н. Филимонов, Ю. Ю. Эрвье // Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59, № 6. С. 7-12.

•	Evaluations of crystal defects of 3C-SiCinline image film on Si(110) substrate / S. Sambonsuge, Ito Shun, Sai Jiao, Nagasawa Hiroyuki, Hirokazu Fukidome, S. Filimonov, M. Suemitsu // Physica status solidi (a). 2016. Vol. 213, № 5. P. 1125-1129.

•	Filimonov S. N. Monte carlo simulations of the adsorption of anisotropic noninteracting molecules on the (111) surface of a FCC crystal / S. N. Filimonov, Y. Y. Hervieu // Russian Physics Journal. 2016. Vol.58, № 12. P. 1676-1680. 

•	Filimonov S. N. On the influence of transitions between distinct adsorption states on the desorption kinetics of molecules / S. N. Filimonov, Y. Y. Hervieu  // Russian Physics Journal. 2016. Vol.59, № 6. P 762-767.  

•	Filimonov S. N. Step flow model of radial growth and shape evolution of semiconductor nanowires / S. N. Filimonov, Y. Y. Hervieu // Russian Physics Journal. 2016. Vol. 59, № 8. P. 1206-1212.  

•	Formation of qualified epitaxial graphene on si substrates using two-step heteroexpitaxy of C-terminated 3C-SIC(-1-1-1) on SI(110) / S. Sambonsuge, S. Jiao, H. Nagasawa, H. Fukidome, M. Suemitsu, S. N. Filimonov // Diamond and Related Materials. 2016. Vol. 67. P. 51-53. 

'''2017'''

•	Пидченко М. Б. Расчет поверхностной энергии низкоиндексных граней кремния с учетом сил Ван-дер-Ваальса / М. Б. Пидченко, С. Н. Филимонов // Актуальные проблемы радиофизики : cборник трудов VII Международной научно-практической конференции Томск, 18-22 сентября 2017 г. Томск, 2017. С. 266-268.

•	Филимонов С. Н. Кинетическая модель начальной стадии роста нитевидных нанокристаллов / С. Н. Филимонов, Ю. Ю. Эрвье //  Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 11. С. 171-173.

•	Filimonov S. N. Molecular seesaw: Intricate dynamics and versatile chemistry of heteroaromatics on metal surfaces / S. N. Filimonov, W. Liu, A. Tkatchenko // The journal of physical chemistry letters. 2017. Vol. 8, № 6. P. 1235-1240. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000577235

'''2018'''
 
•	Filimonov S. N. Kinetic model of the initial stage of the nanowire growth / S. N. Filimonov, Y. Y. Hervieu //  Russian Physics Journal. 2018. Vol.60, № 11. P. 2040-2043. 

•	Principles of Design for Substrate-Supported Molecular Switches Based on Physisorbed and Chemisorbed States / S. Yang, S. Li, S. Filimonov, M. Fuentes-Cabrera, W. Liu // ACS Appl. Mater. Interfaces. 2018. Vol. 10, № 31. P. 26772-26780.

'''2019'''

•	Пидченко М. Б. Влияние дисперсионных сил на структурные и энергетические характеристики упруго-напряженных поверхностей кремния / М. Б. Пидченко, С. Н. Филимонов // Актуальные проблемы радиофизики АПР 2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, 1-4 октября 2019 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2019. С. 277-280. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000709237

•	Филимонов С. Н. Динамика ступеней при росте кристалла из газовой фазы и молекулярного пучка : учебно-методическое пособие : для студентов бакалавриата и магистратуры, обучающихся по направлениям подготовки 03.03.02 Физика, 03.04.02 Физика и 03.03.01 Прикладные математика и физика / С. Н. Филимонов, Ю. Ю. Эрвье ; Нац. исслед. Том. гос. ун-т, Физ. фак. – Томск : [б. и.], 2019. – 54 с.: ил. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000674484

•	Switchable Schottky contacts: simultaneously enhanced output current and reduced leakage current / G. Su, S. Yang, S. Li [et al.] // Journal of the American Chemical Society. 2019. Vol. 141, № 4. P. 1628-1635. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000660263

'''2020'''

•	Surface Strain Induced Collective Switching of Ensembles of Molecules on Metal Surfaces / S. Yang, S. Li, G. X. Zhang, S. N. Filimonov, C. J. Butch, J. C. Ren, W. Liu // The Journal of Physical Chemistry Letters. 2020. Vol. 11, № 6. P.2277-2283.  https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.jpclett.0c00162

=<span style="color:#0000FF">Литература о трудах и деятельности</span>=

Сергей Филимонов, декан ФФ: «Ценность фундаментального образования с каждым годом будет только возрастать» / интервью записала Н. Шарапова // Alma Mater / ТГУ. 2017. 15 дек.: фото

=<span style="color:#0000FF">Ссылки</span>=

==[https://elibrary.ru/author_profile.asp?id=34977 Анализ публикационной активности (РИНЦ)]==

==[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/Person/%D0%A4%D0%B8%D0%BB%D0%B8%D0%BC%D0%BE%D0%BD%D0%BE%D0%B2%2C%20%D0%A1%D0%B5%D1%80%D0%B3%D0%B5%D0%B9%20%D0%9D%D0%B8%D0%BA%D0%BE%D0%BB%D0%B0%D0%B5%D0%B2%D0%B8%D1%87 Электронная библиотека НБ ТГУ]==

==[http://chamo.lib.tsu.ru/search/query?match_1=MUST&field_1=a&term_1=%D0%A4%D0%B8%D0%BB%D0%B8%D0%BC%D0%BE%D0%BD%D0%BE%D0%B2%2C%20%D0%A1%D0%B5%D1%80%D0%B3%D0%B5%D0%B9%20%D0%9D%D0%B8%D0%BA%D0%BE%D0%BB%D0%B0%D0%B5%D0%B2%D0%B8%D1%87 Электронный каталог НБ ТГУ]==

==[https://publons.com/researcher/1585487/sergey-filimonov/metrics/ Публикации с Web of Science]==

==[https://www2-scopus-com.ez.lib.tsu.ru/authid/detail.uri?authorId=7005206511 Цитирование в Scopus]==

[[Категория:Физический факультет]]
[[Категория:кафедра физики полупроводников]]

[[Категория:Персоналии ученых ТГУ]]