Гриняев, Сергей Николаевич — различия между версиями
(→Ссылки) |
(→Хронологический список работ) |
||
| (не показаны 4 промежуточные версии этого же участника) | |||
| Строка 26: | Строка 26: | ||
=<span style="color:#0000FF">Биографическая справка</span>= | =<span style="color:#0000FF">Биографическая справка</span>= | ||
=<span style="color:#0000FF">Хронологический список работ</span>= | =<span style="color:#0000FF">Хронологический список работ</span>= | ||
| + | |||
| + | '''1978''' | ||
| + | |||
| + | • Влияние электрон-фононного взаимодействия на фотоэмиссионные характеристики арсенида галлия / А. А. Чалдышев, С. Н. Гриняев, С. Н. Киселев, В. В. Конев // Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 года : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева, Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Э. Н. Мельченко]. Томск : [б. и.], 1978. С. 66. | ||
| + | |||
| + | '''1982''' | ||
| + | |||
| + | • Гриняев С. Н. Оптические и акустические деформационные потенциалы арсенида галлия и твердых растворов на его основе / С. Н. Гриняев, С. Г. Катаев, В. А. Чалдышев // Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Гаман В. И.]. Томск, 1982. С. 42-43. | ||
| + | |||
| + | • Использование модели псевдоатома для анализа электронной структуры арсенида галлия / В. А. Чалдышев, С. Н. Гриняев, А. В. Нявро, С. Г. Катаев // Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Гаман В. И.]. Томск, 1982. С. 41-42 | ||
| + | |||
| + | '''2004''' | ||
| + | |||
| + | • Брудный В. Н. Глубокие уровни комплексов вакансий в GaAs / В. Н. Брудный С. Н. Гриняев // Физико-химические процессы в неорганических материалах (ФХП-9) : доклады международной конференции, посвященной 50-летию Кемеровского государственного университета, 22-25 сентября 2004 г. Кемерово, 2004. Т. 1. С. 499-500. | ||
| + | |||
| + | • Брудный В. Н. Электронная структура и оптические спектры Si с квантовыми точками Ge / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев // Физико-химические процессы в неорганических материалах (ФХП-9) : доклады международной конференции, посвященной 50-летию Кемеровского государственного университета, 22-25 сентября 2004 г. Кемерово, 2004. Т. 1. С. 337-341 | ||
| + | |||
| + | • Гриняев С. Н. Электронная структура и оптические свойства ультратонких сверхрешеток (GaAs)n(AlAs)m с гетерограницами (100), (110), (111) и (311) // Физико-химические процессы в неорганических материалах (ФХП-9) : доклады международной конференции, посвященной 50-летию Кемеровского государственного университета, 22-25 сентября 2004 г. Кемерово, 2004. Т. 1. С. 359-361. | ||
| + | |||
=<span style="color:#0000FF">Литература о трудах и деятельности</span>= | =<span style="color:#0000FF">Литература о трудах и деятельности</span>= | ||
=<span style="color:#0000FF">Ссылки</span>= | =<span style="color:#0000FF">Ссылки</span>= | ||
Текущая версия на 15:40, 10 июня 2019
| Гриняев Сергей Николаевич | |
| Место работы: |
Томский государственный университет. Физический факультет, кафедра физики полупроводников, Доцент. |
|---|---|
Содержание
Биографическая справка
Хронологический список работ
1978
• Влияние электрон-фононного взаимодействия на фотоэмиссионные характеристики арсенида галлия / А. А. Чалдышев, С. Н. Гриняев, С. Н. Киселев, В. В. Конев // Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 года : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева, Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Э. Н. Мельченко]. Томск : [б. и.], 1978. С. 66.
1982
• Гриняев С. Н. Оптические и акустические деформационные потенциалы арсенида галлия и твердых растворов на его основе / С. Н. Гриняев, С. Г. Катаев, В. А. Чалдышев // Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Гаман В. И.]. Томск, 1982. С. 42-43.
• Использование модели псевдоатома для анализа электронной структуры арсенида галлия / В. А. Чалдышев, С. Н. Гриняев, А. В. Нявро, С. Г. Катаев // Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Гаман В. И.]. Томск, 1982. С. 41-42
2004
• Брудный В. Н. Глубокие уровни комплексов вакансий в GaAs / В. Н. Брудный С. Н. Гриняев // Физико-химические процессы в неорганических материалах (ФХП-9) : доклады международной конференции, посвященной 50-летию Кемеровского государственного университета, 22-25 сентября 2004 г. Кемерово, 2004. Т. 1. С. 499-500.
• Брудный В. Н. Электронная структура и оптические спектры Si с квантовыми точками Ge / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев // Физико-химические процессы в неорганических материалах (ФХП-9) : доклады международной конференции, посвященной 50-летию Кемеровского государственного университета, 22-25 сентября 2004 г. Кемерово, 2004. Т. 1. С. 337-341
• Гриняев С. Н. Электронная структура и оптические свойства ультратонких сверхрешеток (GaAs)n(AlAs)m с гетерограницами (100), (110), (111) и (311) // Физико-химические процессы в неорганических материалах (ФХП-9) : доклады международной конференции, посвященной 50-летию Кемеровского государственного университета, 22-25 сентября 2004 г. Кемерово, 2004. Т. 1. С. 359-361.
