Вилисова, Мария Дмитриевна — различия между версиями
(→Хронологический список работ) |
(→Ссылки) |
||
| (не показана 1 промежуточная версия этого же участника) | |||
| Строка 26: | Строка 26: | ||
=<span style="color:#0000FF">Биографическая справка</span>= | =<span style="color:#0000FF">Биографическая справка</span>= | ||
=<span style="color:#0000FF">Хронологический список работ</span>= | =<span style="color:#0000FF">Хронологический список работ</span>= | ||
| + | |||
| + | '''1978''' | ||
| + | |||
| + | Локальные примесные неоднородности в автоэпитаксиальных слоях арсенида галлия / М. Д. Вилисова, Л. Г. Лаврентьева, Л. П. Пороховниченко, А. Н. Дорохов, А. И. Сапрыкин // V Симпозиум по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок, г. Новосибирск, 6-8 июня 1978 года : тезисы докладов / Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние Акад. наук СССР, Ин-т неогран. химии, Ин-т физики полупроводников [и др. ; отв. за вып. Ф. А. Кузнецов]. Новосибирск, 1978. С. 201. | ||
'''1982''' | '''1982''' | ||
| Строка 45: | Строка 49: | ||
[http://chamo.lib.tsu.ru/search/query?match_1=MUST&field_1=a&term_1=%D0%92%D0%B8%D0%BB%D0%B8%D1%81%D0%BE%D0%B2%D0%B0%2C%20%D0%9C%D0%B0%D1%80%D0%B8%D1%8F%20%D0%94%D0%BC%D0%B8%D1%82%D1%80%D0%B8%D0%B5%D0%B2%D0%BD%D0%B0 Электронный каталог НБ ТГУ] | [http://chamo.lib.tsu.ru/search/query?match_1=MUST&field_1=a&term_1=%D0%92%D0%B8%D0%BB%D0%B8%D1%81%D0%BE%D0%B2%D0%B0%2C%20%D0%9C%D0%B0%D1%80%D0%B8%D1%8F%20%D0%94%D0%BC%D0%B8%D1%82%D1%80%D0%B8%D0%B5%D0%B2%D0%BD%D0%B0 Электронный каталог НБ ТГУ] | ||
| − | |||
Текущая версия на 10:25, 9 апреля 2020
| Вилисова Мария Дмитриевна | |
| Место работы: |
Томский государственный университет. Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", лаборатория физики полупроводников, старший научный сотрудник. |
|---|---|
Содержание
Биографическая справка
Хронологический список работ
1978
Локальные примесные неоднородности в автоэпитаксиальных слоях арсенида галлия / М. Д. Вилисова, Л. Г. Лаврентьева, Л. П. Пороховниченко, А. Н. Дорохов, А. И. Сапрыкин // V Симпозиум по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок, г. Новосибирск, 6-8 июня 1978 года : тезисы докладов / Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние Акад. наук СССР, Ин-т неогран. химии, Ин-т физики полупроводников [и др. ; отв. за вып. Ф. А. Кузнецов]. Новосибирск, 1978. С. 201.
1982
• Исследование S - диодов на основе эпитаксиальных структур GaAs:Fe / О. П. Толбанов, С. С. Хлудков, М. Д. Вилисова, Г. М. Иконникова // Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Гаман В. И.]. Томск, 1982. С. 150-151.
• Лаврентьева Л. Г. Физико-химические закономерности легирования арсенида галлия при газофазовой эпитаксии / Л. Г. Лаврентьева, М. Д. Вилисова // Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Гаман В. И.]. Томск, 1982. С. 81.
• Определение положения π -ν перехода в эпитаксиальных структурах арсенида галлия, легированных железом / Н. А. Чернов, М. Д. Вилисова, Н. Н. Бакин, О. М. Асанов // Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Гаман В. И.]. Томск, 1982. С. 91-92. Библиогр.: 3 назв.
• Электрофизические свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия, легированных железом / М. Д. Вилисова, Г. М. Иконникова, Л. Г. Лаврентьева, В. А. Московкин, А. К. Серикова, В. Б. Ябжанов // Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Гаман В. И.]. Томск, 1982. С. 83-84.
• Ябжанов В. Б. Термодинамический анализ переноса хрома при легировании из Cr (CO)6 эпитаксиальных слоев GaAs в системе Ga-AsCl3-H2 / В. Б. Ябжанов, М. Д. Вилисова, М. П. Рузайкин // Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Гаман В. И.]. Томск, 1982. С. 90-91.
