Гермогенов, Валерий Петрович — различия между версиями

Материал из НБ ТГУ
Перейти к: навигация, поиск
(→‎Биографическая справка)
 
(не показано 10 промежуточных версий 2 участников)
Строка 11: Строка 11:
 
|Гражданство          =  
 
|Гражданство          =  
 
|Научная сфера        =  
 
|Научная сфера        =  
−
|Место работы          = Томский государственный университет, Радиофизический факультет, кафедра полупроводниковой электроники, заведующий кафедрой
+
|Место работы          = Томский государственный университет, Радиофизический факультет, кафедра полупроводниковой электроники, профессор
 
|Учёная степень        = доктор физико-математических наук
 
|Учёная степень        = доктор физико-математических наук
 
|Учёное звание        = профессор
 
|Учёное звание        = профессор
Строка 26: Строка 26:
  
 
=<span style="color:#0000FF">Биографическая справка</span>=
 
=<span style="color:#0000FF">Биографическая справка</span>=
 +
 +
[http://wiki.tsu.ru/wiki/index.php/%D0%93%D0%B5%D1%80%D0%BC%D0%BE%D0%B3%D0%B5%D0%BD%D0%BE%D0%B2,_%D0%92%D0%B0%D0%BB%D0%B5%D1%80%D0%B8%D0%B9_%D0%9F%D0%B5%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%B8%D1%87 Полная биографическая справка в Электронной энциклопедии ТГУ]
  
 
=<span style="color:#0000FF">Хронологический список работ</span>=
 
=<span style="color:#0000FF">Хронологический список работ</span>=
 +
 +
'''1973'''
 +
 +
•   Гермогенов В. П. Изучение диаграммы состояний системы Ga-Al-Sb // Доклады юбилейной научно-технической конференции Радиофизического факультета. Томск, 1973. Ч. 1. Секция физики полупроводников и диэлектриков. С. 73-77.
 +
 +
•   Гермогенов В. П. О скорости роста слоев при жидкостной эпитаксии арсенида галлия // Доклады юбилейной научно-технической конференции Радиофизического факультета. Томск, 1973. Ч. 1. Секция физики полупроводников и диэлектриков. С. 68-72.
 +
 +
'''1975'''
 +
 +
•   Гермогенов В. П. Исследование эпитаксиальных слоев твердых растворов антимонида галлия-алюминия и структур с p-n переходами на их основе //Материалы научно-практической конференции «Молодые ученые и специалисты Томской области в девятой пятилетке» (секция физики твердого тела). Томск, 1975. С. 193-196
 +
 +
•   Гермогенов В. П. Получение и исследование структур с p-n переходами на основе твердых растворов AlxGa1-xSb / В. П. Гермогенов, А. А. Вилисов, А. П. Вяткин // Известия высших учебных заведений. Физика. 1975. № 9. С. 63-69.
 +
 +
•   *Легирование слоев твердых растворов AlxGa1-xSb при жидкофазовой эпитаксии / А. А. Вилисов, А. П. Вяткин, В. П. Гермогенов, Л. Е. Эпиктетова // Третья Всесоюзная конференция по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов, Москва, 20-22 окт. 1975 г. : тезисы докл. М., 1975. С. 103.
 +
 +
•   Germogenov V. P. Preparation and study of p-n junction structures based on solid solutions AlxGa1-xSb / V. P. Germogenov, A. A. Vilisov, A. P. Vyatkin // Soviet Physics Journal. 1975. Vol. 18, № 9. P. 1265–1269.
 +
 +
'''1976'''
 +
 +
•   Вилисов А. А. Выращивание из жидкой фазы эпитаксиальных слоев твердых растворов AlxGa1−xSb / А. А. Вилисов, А. П. Вяткин, В. П. Гермогенов // Известия Академии Наук СССР. Неорганические материалы. 1976. Т. 12, № 9. С. 1528-1532.
 +
 +
•   Возникновение несовершенств в слоях твердых растворов AlxGa1−xSb при выращивании методом жидкофазовой эпитаксии / А. А. Вилисов, В. П. Гермогенов, Ф. С. Ким, Л. Е. Эпиктетова // Известия высших учебных заведений. Физика. 1976. № 6. С. 75-80.
 +
 +
•   Исследование катодолюминисценции эпитаксиальных слоев p-Alx Ga1−xSb / А. А. Вилисов, В. Г. Воеводин, В. П. Гермогенов, Ф. С. Ким, В. С. Морозов // Известия высших учебных заведений. Физика. 1976. № 11. С. 40-46.
 +
 +
•   Appearance of flaws in layers of AlxGa1−xSb solid solutions during epitaxial growth from the liquid phase / A. A. Vilisov, V. P. Germogenov, F. S. Kim, L. E. Épiktetova // Soviet Physics Journal. 1976. Vol.  19, № 6. P. 745–750.
 +
 +
•   Cathodoluminescence from epitaxial layers of p-Alx Ga1−xSb / A. A. Vilisov, V. G. Voevodin, V. P. Germogenov, F. S. Kim, V. S. Morozov // Soviet Physics Journal. 1976. Vol. 19, № 11. P. 1419–1423.
 +
 +
'''1977'''
 +
 +
•   Вилисов А. А. Легирование твердых растворов при жидкофазовой эпитаксии. I. Зависимость коэффициента распределения примеси от состава твердого раствора / А. А. Вилисов, В. П. Гермогенов // Известия высших учебных заведений. Физика. 1977. № 7. С. 10-14.
 +
 +
•   Влияние условий выращивания на свойства эпитаксиальных слоев твердых растворов Alx Ga1−xSb / А. А. Вилисов, А. П. Вяткин, В. П. Гермогенов, Л. Е. Эпиктетова // Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск, 1977. Ч. 1. С. 128-131.
 +
 +
•   Легирование твердых растворов при жидкофазовой эпитаксии. II. Антимонид галлия-алюминия / А. А. Вилисов, В. П. Гермогенов, Ф. С. Ким, Л. Е. Эпиктетова // Известия высших учебных заведений. Физика. 1977. № 7. С. 15-21.
 +
 +
•   Alloying of solid solutions during liquid-phase epitaxy. II. Gallium aluminum antimonide / A. A. Vilisov, V. P. Germogenov, F. S. Kim, L. E. Épiktetova // Soviet Physics Journal. 1977. Vol. 20, № 7. P. 841–847.
 +
 +
•   Vilisov A. A. Alloying of solid solutions during liquid-phase epitaxy. I. Dependence of admixture distribution coefficient on composition of the solid solution / A. A. Vilisov, V. P. Germogenov // Soviet Physics Journal. 1977. Vol. 20, № 7. P. 836–840.
 +
 +
'''1978'''
 +
 +
•   *A.c. 700966 СССР, МКИ В 01 J 17/06, Н 01 L 21/208. Способ жидкостной эпитаксии антимонида галлия и твердых растворов на его основе/ Вилисов A.A., Гермогенов В.П., Морозов B.C. ; заявл.24.01.78.
 +
 +
•   Батутин А. Н. Фотоэлектрические характеристики гетероструктур на основе AlxGa1−xSb / А. Н. Батутин, А. А. Вилисов, В. П. Гермогенов // II Всесоюзная конференция по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах, 18-20 окт. 1978 г. : тез. докл. Ашхабад : Ылым, 1978. Т. 1. С. 140-142.
 +
 +
•   Вилисов А. А. Изучение ранних стадий роста эпитаксильного GaJb / А. А. Вилисов, В. П. Гермогенов, Л. Е. Эпиктетова // V Симпозиум по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок, г. Новосибирск, 6-8 июня 1978 года : тезисы докладов / Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние Акад. наук СССР, Ин-т неогран. химии, Ин-т физики полупроводников [и др. ; отв. за вып. Ф. А. Кузнецов]. Новосибирск, 1978. С. 84.
 +
 +
•   Вилисов А. А. Формирование ростовых дефектов в эпитаксиальных слоях GaSb и  AlxGa1−xSb / А. А. Вилисов, В. П. Гермогенов, Л. Е. Эпиктетова // III Всесоюзное совещание «Дефекты структуры в полупроводниках» : тез. докл. Новосибирск, 1978. Ч. 2. С. 215.
 +
 +
•   Люминесценция гетероструктур на основе Alx Ga1−xSb / А. Н. Батутин, А. А. Вилисов, В. П. Гермогенов, В. С. Морозов // II Всесоюзная конференция по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах, 18-20 окт. 1978 г. : тез. докл. Ашхабад : Ылым, 1978. Т. 1. С. 71-73.
 +
 +
'''1979'''
 +
 +
•   *A.c. 835274 СССР, МКИ Н 01 L 29/84, G 01 L 9/06. Полупроводниковый датчик давления / Арбузова Г.К., Вилисов A.A., Гермогенов В.П., Максимова Н.К., Сафронов А. И., Филонов Н.Г. ; заявл. 19.12.79.
 +
 +
•   Балюба В. И. О диффузии цинка в AlxGa1−xSb / В. И. Балюба, А. А. Вилисов, В. П. Гермогенов // Известия высших учебных заведений. Физика. 1979. № 2. С. 106-107.
 +
 +
•   Поверхностно-барьерные структуры на основе AlxGa1−xSb. I. Методика изготовления. Исследование физической модели контакта / Г. К. Арбузова, А. А. Вилисов, В. П. Гермогенов, Н. К. Максимова, Н. Г. Филонов // Известия высших учебных заведений. Физика. 1979. № 6. С. 21-25.
 +
 +
•   Поверхностно-барьерные структуры на основе AlxGa1−xSb. II. Зависимость высоты барьера от ширины запрещенной зоны твердого раствора / Г. К. Арбузова, А. А. Вилисов, В. П. Гермогенов, Н. К. Максимова // Известия высших учебных заведений. Физика. 1979. № 6. С. 26-31.
 +
 +
•   Balyuba V. I. Diffusion of zinc in AlxGa1−xSb / V. I. Balyuba, A. A. Vilisov, V. P. Germogenov // Soviet Physics Journal. 1979. Vol. 22, № 2. P. 198–200.
 +
 +
•   Surface-barrier structures on AlxGa1−xSb. I. Preparation and physical model of the contact / G. K. Arbuzova, A. A. Vilisov, V. P. Germogenov, N. K. Maksimova, N. G. Filonov  // Soviet Physics Journal. 1979. Vol. 22, № 6. P. 585–589.
 +
 +
•   Surface-barrier structures on AlxGa1−xSb. II. Band gap dependence of barrier height / G. K. Arbuzova, A. A. Vilisov, V. P. Germogenov, N. K. Maksimova // Soviet Physics Journal. 1979. Vol. 22, № 6. P. 589–593.
 +
 +
'''1980'''
 +
 +
•   Вилисов A.A. Влияние рельефа поверхности роста на однородность состава эпитаксиальных слоев GaSb и AlxGa1−xSb / А. А. Вилисов, В. П. Гермогенов, Л. Е. Эпиктетова // 6 Международная конференция по росту кристаллов : расширенные тезисы. М., 1980. Т. З. С. 367-368.
 +
 +
•   Гермогенов В. П. Изучение процесса выращивания и характеристик эпитаксиальных структур на основе AlxGa1-xSb : автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / В. П. Гермогенов. – Томск, 1980. – 18 с.
 +
 +
•   Гермогенов В. П. Изучение процесса выращивания и характеристик эпитаксиальных структур на основе AlxGa1-xSb : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.07 / Гермогенов В. П. ; науч. рук. А. А. Вилисов, А. П. Вяткин ; Сибирский физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова при Томском гос. ун-те им. В. В. Куйбышева. - Томск : [б. и.], 1980. - 245 л.: ил.
 +
 +
•   Легирование твердых растворов при жидкофазовой эпитаксии. III. Теллур в AlxGa1−xSb / А. А. Вилисов, В. П. Гермогенов, Н. К. Максимова, Л. Е. Эпиктетова // Известия высших учебных заведений. Физика. 1980. Т. 23, № 4. С. 19-25.
 +
 +
•   О стабильности межфазной границу при жидкофазовой эпитаксии AlxGa1-xSb / A.A. Вилисов, В. П. Гермогенов, Н. А. Позолотин, Л. Е. Эпиктетова // 6 Международная конференция по росту кристаллов : расширенные тезисы. М., 1980. Т. З. С. 365-366.
 +
 +
•   Doping of solid solutions in liquid epitaxy. III. Tellurium in AlxGa1−xSb / A. A. Vilisov, V. P. Germogenov, N. K. Maksimova, L. E. Épiktetova // Soviet Physics Journal. 1980. Vol. 23, № 4. P. 284–289.
 +
 +
'''1981'''
 +
 +
•   Вилисов A.A. Изучение ранних стадий роста эпитаксиального GaSb / А. А. Вилисов, В. П. Гермогенов, Л. Е. Эпиктетова // Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск: Наука, 1981. С. 83-87.
 +
 +
'''1984'''
 +
 +
•   Гермогенов В.П. Определение критического начального переохлаждения расплава для гетероэпитаксии AlxGa1-xSb на GaSb / В. П. Гермогенов, В. А. Позолотин, Л. Е. Эпиктетова // Известия Академии Наук СССР. Неорганические материалы. 1984. Т.20, № 9. С. 1584-1585.
 +
 +
•   Гермогенов В.П. Изучение химического травления антимонида галлия и твердого раствора AlxGa1-xSb (As)/ В. П. Гермогенов, З. В. Коротченко, Я. И. Отман // Электронная техника. Сер. 6: Материалы. 1984. № 7(192). С. 71-72.
 +
 +
•   Образование p−n –переходов в слоях твердого раствора AlxGa1-xSb(As) (x=0,15-0,20), легированных теллуром / А. П. Вяткин, В. П. Гермогенов, Я. И. Отман, Л. С. Хлудкова // Известия высших учебных заведений. Физика. 1984. Т. 27, № 11. С. 82-86.
 +
 +
•   Фотодиоды с барьером Шотки на длину волны 1,3 мкм / Г.К. Арбузова, А.П. Вяткин, В.П. Гермогенов, З.В. Коротченко, Я. И. Отман, В. А. Позолотин // Электронная техника. Сер. 11. Лазерная техника и оптоэлектроника. 1984. № 3(29). С. 100-103.
 +
 +
•   Formation of p-n junctions in tellurium-doped AlxGa1−xSb(As) (x = 0.15–0.20) solid solution layers / A. P. Vyatkin, V. P. Germogenov, Ya. I. Otman, L. S. Khludkova // Soviet Physics Journal. 1984. Vol. 27, № 11. P. 985–988.
 +
 +
'''1985'''
 +
 +
•   Вяткин А. П. Генерационный ток с учетом туннелирования в  p−n -переходе при небольших обратных смещениях / А. П. Вяткин, В. П. Гермогенов, В. А. Позолотин // Физика и техника полупроводников. 1985. Т. 19, № 12. С. 2191–2193.
 +
 +
'''1986'''
 +
 +
•   Гермогенов В.П. Влияние состава твердого раствора в области пространственного заряда на электрические характеристики р-п-структуры из AlxGa1−xSb / В. П. Гермогенов, В. А. Позолотин ; ред. журн."Изв. вузов. Физика". - Томск, 1986. - 19 с. – Деп. в ВИНИТИ 25.12.86, № 8894-В86.
 +
 +
'''1987'''
 +
 +
•   *A.c. 1454156 СССР. Способ получения автоэпитаксиальных слоев антимонида галлия/ Вирюлин Ю.Ф., Чалдышев В.В., Шмарцев Ю.И., Гермогенов В.П., Отман Я.И., Эпиктетова Л.Е. (СССР) ; заявл. 16.04.87.
 +
 +
•   Влияние изовалентного легирования индием на «природные акцепторы» в антимониде галлия / Ю. Ф. Бирюлин, В. П. Гермогенов, Я. И. Отман, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, Л. Е. Эпиктетова // Физика и техника полупроводников. 1987. Т. 21, № 6. С. 1118-1124.
 +
 +
'''1988'''
 +
 +
•   Влияние всестороннего давления и температуры на сопротивление n- AlxGa1−xSb / А. П. Вяткин, В. П. Гермогенов, В. М. Диамант, З. В. Коротченко, Н. П. Криворотов, Я. И. Отман, В. А.  Позолотин // Полупроводниковая тензометрия : межвуз. сб. науч. тр. Новосибирск, 1988. С. 42-48.
 +
 +
•   Влияние гидростатического давления на удельное сопротивление твердого раствора  n -AlxGa1−xSb / В. П. Гермогенов, В. М. Диамант, З. В. Коротченко, Н. П. Криворотов, В. А. Позолотин // Физика и техника полупроводников. 1988. Т. 22, №4. С.  623–627.
 +
 +
•   Гермогенов В. П. Механизм прохождения тока в p−n-структурах из AlxGa1−xSb(As) при небольших смещениях / В. П. Гермогенов, В. А. Позолотин, Л. С. Хлудкова // Физика и техника полупроводников. 1988. Т. 22, № 5. С.  849–854.
 +
 +
•   Гермогенов В. П. Расчет критического переохлаждения расплава для гетероэпитаксии AlxGa1−xSb на GaSb / В. П. Гермогенов, В. А. Позолотин // Известия высших учебных заведений. Физика. 1988. Т. 31, № 2. С. 47-51.
 +
 +
•   Исследование совершенства слоев твердого раствора AlGaSb(AS) / В. П. Гермогенов, О. М. Ивлева, Я. И. Отман, Л. Е. Эпиктетова // Известия высших учебных заведений. Физика. 1988. Т. 31, № 1. С. 84-89.
 +
 +
•   Твердые растворы в системе Ga − Sb – Bi / Ю. Ф. Бирюлин, В. П. Гермогенов, О. М. Ивлева, С. Г. Конников, Я. И. Отман, В. В. Третьяков, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, В. А. Шульбах, Л. Е. Эпиктетова // Письма в Журнал технической физики. 1988. Т. 14, № 18. С. 1651–1655.
 +
 +
•   Электрические и фотоэлектрические характеристики поверхностно-барьерной структуры на основе полупроводника с приповерхностным изгибом зон, близким к ширине запрещенной зоны (на примере Pd/n-AlxGa1-xSb(As)) / Вяткин А.П., Гермогенов В.П., Позолотин В.А., Садыкова С.К. ; ред. журн "Изв.вузов. Физика". - Томск, 1988. - 28 с.- Деп. в ВИНИТИ 27.12.88, № 9046-В88.
 +
 +
•   Germogenov V. P. Analysis of critical melt supercooling for heteroepitaxy of AlxGa1−xSb by GaSb / V. P. Germogenov, V. A. Pozolotin // Soviet Physics Journal. 1988. Vol. 31, № 2. P. 123–127.
 +
 +
•   Study of perfection of layers of AlGaSb(AS) solid solution / V. P. Germogenov, O. M. Ivleva, Ya. I. Otman, L. E. Épiktetova // Soviet Physics Journal. 1988. Vol. 31, № 1. P. 73–77.
 +
 +
'''1989'''
 +
 +
•   А. с. 1522056 СССР МКИ G 01 L 9/04. Датчик давления / В. П. Гермогенов, В. М. Диамант, Н. П. Криворотов, Я. И. Отман, В. А. Позолотин. – Заявка № 4382167/24-10 ; заявлено 22.02.1988, опубл. 15.11.1989, Бюл. № 42. – 3 с.
 +
 +
•   Ширина запрещенной зоны в твердом растворе GaSb1-xBix / В. И. Гермогенов, Я.И. Отман, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев // Физика и техника полупроводников. 1989. Т. 23, № 8. С. 1517-1518.
 +
 +
•   Width of the band gap of the GaSb1-xBix solid solution / V.P. Germogenov, Y.I. Otman, V.V. Chaldyshev, Y.V. Shmartsev // Soviet physics. Semiconductors. 1989. Vol. 23, № 8. P. 942-943.
 +
 +
'''1990'''
 +
 +
•   Влияние поверхности на темновой ток фотодиодов на основе AlGaSb(As)/ В. П. Гермогенов, З. В. Коротченко, Я. И. Отман, В. А. Позолотин, Л. С. Хлудкова, Л. Е. Эпиктетова // Электронная техника. Сер. 2: Полупроводниковые приборы. 1990. № 2(205). С. 13-16.
 +
 +
 +
•   Подавление «природных» акцепторов в GaSb путем изовалентного легирования висмутом / В. П. Гермогенов, Я. И. Отман, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, Л. Е. Эпиктетова // Физика и техника полупроводников. 1990. Т. 24, № 6. С. 1095–1100.
 +
 +
•   Appearance of the 'natural' acceptors in GaSb due to isovalent doping with bismuth // Germogenov V.P., Otman Y.I., Chaldyshev V.V., Shmartsev Y.V., Épiktetova L.E. // Soviet physics. Semiconductors. 1990. Vol. 24, № 6. P. 689-693.
 +
 +
'''1991'''
 +
 +
•   Фотоэлектрические характеристики контакта твердый раствор AlxGa1-xSb(As)-электролит / В. П. Гермогенов, З. В. Коротченко, Я. И. Отман, В. А. Позолотин, Л. С. Хлудкова // Электронная техника. Сер.6: Материалы. 1991. № 1(255). С. 29-31.
 +
 +
'''1992'''
 +
 +
•   Легирование слоев In1−xGaxAsyP1-y марганцем при жидкофазной эпитаксии / В. П. Гермогенов, О. М. Ивлева, С. В. Пономарев, Л. С. Хлудкова, Л. Е. Эпиктетова // Известия высших учебных заведений. Физика. 1992. Т. 35, № 1. С. 26-34.
 +
 +
•   Manganese doping of In1−xGaxAsyP1-y films in liquid-phase epitaxy / V. P. Germogenov, O. M. Ivleva, S. V. Ponomarev, L. S. Khludkova, L. E. Épiktetova // Russian Physics Journal. 1992. Vol. 35, № 1. P. 20–26.
 +
 +
•   Photoluminescence of bismuth doped GaSb / V.V. Chaldyshev, V.P. Germogenov, Y.V. Shmartsev // Key Engineering Materials. 1992. Vol. 65. P. 109-116
 +
 +
'''1997'''
 +
 +
•   Гермогенов В. П. Эпитаксиальные структуры на основе твердого раствора AlxGa1-x Sb (физические основы технологии, свойства, применение) : автореф. дис. … д-ра физ.-мат. наук / В. П. Гермогенов. - Томск, 1997. - 39 с.
 +
 +
•   Гермогенов В. П. Эпитаксиальные структуры на основе твердого раствора AlxGa1-xSb : (физические основы технологии, свойства, применение) : дис. … д-ра физ.-мат. наук / В. П. Гермогенов. - Томск, 1997. - 442 с.
 +
 +
'''1998'''
 +
 +
•   Анисимов О. В. Обратный ток в поверхностно-барьерной структуре металл/ n-Al x Ga1−x Sb / О. В. Анисимов, В. П. Гермогенов, В. А. Позолотин // Известия высших учебных заведений. Физика. 1998. Т. 41, № 12. С. 46-51.
 +
 +
•   Гермогенов В. П. Изучение характеристик инверсного слоя у поверхности твердого раствора n-AlxGa1−xSb / В. П. Гермогенов, О. Е. Калымбетов, В. А. Позолотов // Известия высших учебных заведений. Физика. 1998. Т. 41, № 7. С. 108-113.
 +
 +
•   Излучающие диоды : методические указания / сост. В. П. Гермогенов; Томск. гос. ун-т. - Томск, 1998. - 27 с.: ил.
 +
 +
•   Anisimov O. V. everse current in metal/n-Al x Ga1−x Sb surface-barrier structures / O. V. Anisimov, V. P. Germogenov, V. A. Pozolotin // Russian Physics Journal. 1998. Vol.  41, № 12. P. 1215–1221
 +
 +
•   Germogenov V. P. Inverse layer at the surface of n-AlxGa1−xSb solid solution / V. P. Germogenov, O. E. Kalymbetov, V. A. Pozolotin // Russian Physics Journal. 1998. Vol. 41, № 7. P. 710–714.
 +
 +
'''1999'''
 +
 +
•   Влияние поверхности на обратный ток p−n-структуры из Al x Ga1−x Sb / О. В. Анисимов, В. П. Гермогенов, Л. С. Хлудкова, О. В. Юрковский // Известия высших учебных заведений. Физика. 1999. Т. 42, № 1. С. 34-39.
 +
 +
•   Уравнение электронейтральности в полупроводнике : методическое пособие / Сост. В. П. Гермогенов; Томский государственный университет. - Томск : Издательство Томского университета, 1999. - 27 с.
 +
 +
•   Эпитаксиальные структуры из арсенида галлия для детекторов ионизирующих излучений / Д. Л. Будницкий, В. П. Гермогенов, А. А. Ларионов [и др.] // Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП. Томск, 1999. С. 125-127.
 +
 +
•   Surface effect on the reverse current of Al x Ga1−x Sb p−n structures / O. V. Anisimov, V. P. Germogenov, L. S. Khludkova, O. V. Yurkovskii // Russian Physics Journal. 1999. Vol.  42, № 1. P. 38–46.
 +
 +
'''2001'''
 +
 +
• GaAs structures for X-ray imaging detectors / G.I. Ayzenshtat, N.N. Bakin, E.P. Drugova, L.P. Porokhovnichenko, D.L. Budnitsky, S.S. Khludkov, O.B. Koretskaya, A.I. Potapov, O.P. Tolbanov, A.V. Tyazhev, M.D. Vilisova, V.P. Germogenov, L.S. Okaevich, K.M. Smith, A.P. Vorobiev // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 2001. Vol.  466, № 1. P. 25-32.
 +
 +
• Epitaxial structures based on compensated GaAs for γ- and X-ray detectors / D.L. Budnitsky, A.I. Potapov, O.P. Tolbanov, V.P. Germogenov, S.M. Guschin, A.A. Larionov, L.P. Porokhovnichenko, A.P.  Vorobiev // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 2001. Vol. 466, № 1. P. 33-38.
 +
 +
'''2002'''
 +
 +
• Гермогенов В. П. Исследование спектров оптического поглощения эпитаксиальных слоев твердого раствора In0,53GaO,47As / В. П. Гермогенов, Л. С. Хлудкова // Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V (GaAs-2002) : материалы восьмой российской конференции, Томск, 01-04 октября 2002 г. Томск, 2002. С. 94-95.
 +
 +
• Детекторные структуры на основе арсенида галлия, выращенного методом жидкофазной эпитаксии / И. Ю. Байко, А. П. Воробьев, В. П. Гермогенов, С. М. Гущин, А. А. Ларионов, А. И. Потапов, О. П. Толбанов, О. Г. Шмаков // Электронная промышленность. 2002. № 2-3. С. 46-53.
 +
 +
• Детекторы ионизирующих излучений на основе эпитаксиальных структур из арсенида галлия / Г. И. Айзенштат, В. П. Гермогенов, С. М. Гущин, А. И. Потапов, О. П. Толбанов, А. В. Тяжев, О. Г. Шмаков // Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V (GaAs-2002) : материалы восьмой российской конференции, Томск, 01-04 октября 2002 г. Томск, 2002. С. 278-280.
 +
 +
• Задачи по физической химии : (методические указания) / Том. гос. ун-т, Радиофиз. фак. ; сост. : В. П. Гермогенов, Н. Н. Иванова. - Томск : [б. и.], 2002. - 25 с.
 +
 +
'''2003'''
 +
 +
• Айзенштат Г. И. Детекторы рентгеновского и g-излучений на основе эпитаксиальных структур из арсенида галлия / Г. И. Айзенштат, В. П. Гермогенов, С. М. Гущин, О. П. Толбанов, О. Г. Шмаков // Вестник Томского государственного университета . 2003. № 278. С. 81-86.
 +
 +
• Гермогенов В. П. Кафедра полупроводниковой электроники // Вестник Томского государственного университета. 2003. № 278. С. 28-31.
 +
 +
• Гущин С. М. Эпитаксиальные структуры для детекторов ионизирующих излучений на основе слоев GaAs:Sn,Cr / Гущин С. М., Пороховниченко Л. П., Гермогенов В. П., Шмаков О. Г. // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2003. № 5. С. 32-37.
 +
 +
'''2004'''
 +
 +
•   X-ray and γ-ray detectors based on GaAs epitaxial structures / G. I. Ayzenshtat, S. M. Guschin, V. P. Germogenov, O. G. Shmakov, L. S. Okaevich, O. P. Tolbanov, A. P. Vorobiev // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 2004. Vol. 531, № 1-2. P. 97-102.
 +
 +
'''2005'''
 +
 +
•   Воробьев А. П. GAAS детекторы для медицинской рентгенографии / А. П. Воробьев, С. Н. Головня, С. А. Горохов, В. В. Парахин, Ю. В. Роднов, Г. И. Айзенштат, В. П. Гермогенов, О. Б. Корецкая, О. П. Толбанов, А. В. Тяжев // Спектрометрический анализ. Аппаратура и обработка данных на ПЭВМ : сборник материалов 11 Ежегодного семинара в Государственном образовательном учреждении "Государственный центральный институт повышения квалификации руководящих работников и специалистов Минатома России ", Обнинск, 22-26 нояб., 2004. Обнинск, 2005. Ч. 2. С. 100-112
 +
 +
•   Гермогенов В. П. От сплавных контактов к эпитаксиальным гетероструктурам // Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285 : Серия "Физика". С. 103-111. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000328935
 +
 +
•   Подготовка специалистов в области физики и техники полупроводников в Томском университете / А. В. Войцеховский, В. И. Гаман, В. П. Гермогенов, И.В. Ивонин, Л.Г. Лаврентьева, Г.М. Мокроусов // Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285 : Серия "Физика". С. 47-52. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000328929
 +
 +
'''2006'''
 +
 +
•   Фотовольтаические детекторы ионизирующих излучений на основе эпитаксиального GaAs, компенсированного хромом / М. Д. Вилисова, В. П. Гермогенов, Е. П. Другова и др. // Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции. Томск, 2006. С. 485-488.
 +
 +
'''2008'''
 +
 +
•   Вилисова М. Д. Электрические характеристики детекторных структур на основе эпитаксиального арсенида галлия / М. Д. Вилисова, В. П. Гермогенов, И. В. Пономарев // Известия высших учебных заведений. Физика. 2008. Т. 51, № 9/3. С. 21-22
 +
 +
•   Гермогенов В. П. Расчет профилей напряженности электрического поля в эпитаксиально-диффузионных структурах на основе GaAs:Cr / В. П. Гермогенов, И. В. Пономарев // Известия высших учебных заведений. Физика. 2008. Т. 51, № 9. С. 102-105
 +
 +
•   Фотодиоды : учебное пособие / [сост. В. П. Гермогенов] ; Том. гос. ун-т, Радиофиз. фак.. - Томск : [б. и.], 2008. - 46 с.: ил.
 +
 +
•   Germogenov V. P. Calculation of electric-field strength profiles in GaAs:Cr epitaxial-diffusion structures / V. P. Germogenov, I. V. Ponomarev // Russian Physics Journal. 2008. Vol. 51, № 9. P. 994–999.
 +
 +
'''2010'''
 +
 +
•   Детекторы альфа-частиц на основе эпитаксиального GaAs, выращенного из газовой фазы / М. Д. Вилисова, В. П. Гермогенов, И. В. Пономарев, О. П. Толбанов // Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. № 9. С. 335-336.
 +
 +
•   Исследование распределения электрического поля в детекторных структурах на GaAs методом Кельвин-зонд-микроскопии / М. Д. Вилисова, В. П. Гермогенов, О. Ж. Казтаев, В. А. Новиков, И. В. Пономарев, А. Н. Титков // Письма в Журнал технической физики . 2010. № 9. С. 95-101.
 +
 +
•   Detectors of γ-quantum based on epitaxial GaAs:S, Cr layers / M.D. Vilisova, V.P. Germogenov, I.V. Ponomarev, A.V. Tyazhev // 2011 International Siberian Conference on Control and Communications : SIBCON : proceedings, Russia, Krasnoyarsk, September 15−16, 2011. Krasnoyarsk, 2011. P. 249-251.
 +
 +
•   Studying electric field profiles in GaAs-based detector structures by Kelvin probe force microscopy / M. D. Vilisova, V. P. Germogenov, O. Zh. Kaztaev, V. A. Novikov, I. V. Ponomarev, A. N. Titkov // Technical Physics Letters. 2010. Vol. 36, № 9. P. 436–438.
 +
 +
'''2012'''
 +
 +
•   Гермогенов В. П. Материалы, структуры и приборы полупроводниковой оптоэлектроники : учебно-методический комплекс / В. П. Гермогенов, Ю. В. Вячистая ; Том. гос. ун-т, [Ин-т дистанционного образования]. - Томск : [ИДО ТГУ], 2012. - . URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000462084
 +
 +
•   Детекторы гамма-квантов на основе эпитаксиальных слоев GaAs:S,Cr / М. Д. Вилисова, В. П. Гермогенов, И. В. Пономарев, А. В. Тяжев // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 84-86. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000448594
 +
 +
'''2013'''
 +
 +
•   Вячистая Ю. В. Электронный учебно-методический комплекс "Материалы, структуры и приборы полупроводниковой оптоэлектроники" / Ю. В. Вячистая, В. П. Гермогенов, В. С. Заседатель // Использование цифровых средств обучения и робототехники в общем и профессиональном образовании: опыт, проблемы, перспективы : сборник научных статей первой Всероссийской научно-практической конференции с международным участием, Барнаул, 5-6 ноября 2013. Томск, 2013. С. 12-15.
 +
 +
•   Оптические и фотоэлектрические свойства светодиодных гетероструктур на основе GaN / В. П. Гермогенов, Ю. Л. Зубрилкина, О. В. Исупова и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 8/3. С. 177-180. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000468388
 +
 +
'''2015'''
 +
 +
•   Гермогенов В. П. ЭУМК "Полупроводниковая электроника": вариант системного подхода / В. П. Гермогенов, Ю. В. Вячистая // Использование цифровых средств обучения и робототехники в общем и профессиональном образовании: опыт, проблемы, перспективы : сборник научных статей II Международной научно-практической конференции, Барнаул, 5-6 ноября 2015 г. Барнаул, 2015. С. 53-56. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000578960
 +
 +
•   Гермогенов В. П. Материалы, структуры и приборы полупроводниковой оптоэлектроники : учебное пособие : [для студентов старших курсов вузов по направлениям подготовки 03.03.03. – Радиофизика ; Физика, Электроника и наноэлектроника] / В. П. Гермогенов ; Нац. исслед. Том. гос. ун-т. - Томск : Издательский Дом Томского государственного университета, 2015. - 271 с.: ил., табл.. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000511917
 +
 +
•   Гермогенов В. П. Полупроводниковая оптоэлектроника : учебно-методический комплекс : [для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению 03.03.03 «Радиофизика»] / Гермогенов В. П., Вячистая Ю. В. ; Том. гос. ун-т, [Ин-т дистанционного образования]. - Томск : [ИДО ТГУ], 2015. - . URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000516218
 +
 +
•   Гермогенов В. П. Полупроводниковая электроника : учебно-методический комплекс : [для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению 03.03.03 «Радиофизика»] / Гермогенов В. П., Вячистая Ю. В. ; Том. гос. ун-т, [Ин-т дистанционного образования]. - Томск : [ИДО ТГУ], 2015. - . URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000516221
 +
 +
'''2019'''
 +
 +
•   Актуальные проблемы радиофизики АПР 2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, 1-4 октября 2019 года, г. Томск : сборник трудов конференции / Нац. исслед. Том. гос. ун-т, Радиофизический фак., Рос. фонд. фундамент. исслед. ; ред. кол.: Войцеховский А .В. [и др.]. - Томск : Издательский Дом Томского государственного университета, 2019. - 490 с.: ил., табл. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000671718
  
 
=<span style="color:#0000FF">Литература о трудах и деятельности</span>=
 
=<span style="color:#0000FF">Литература о трудах и деятельности</span>=
 +
 +
Без техники – как без рук! // Alma Mater. 2009. 17 марта (№ 2458)
  
 
=<span style="color:#0000FF">Ссылки</span>=
 
=<span style="color:#0000FF">Ссылки</span>=
  
−
==[http://elibrary.ru/author_profile.asp?id=34902 Анализ публикационной активности (РИНЦ)]==
+
[https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-search.pl?idx=&q=%D0%B3%D0%B5%D1%80%D0%BC%D0%BE%D0%B3%D0%B5%D0%BD%D0%BE%D0%B2%2C+%D0%B2%D0%B0%D0%BB%D0%B5%D1%80%D0%B8%D0%B9+%D0%BF%D0%B5%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%B8%D1%87&weight_search=1 Электронный каталог НБ ТГУ]
 +
 
 +
[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository?exact=sm_creator:%22%D0%93%D0%B5%D1%80%D0%BC%D0%BE%D0%B3%D0%B5%D0%BD%D0%BE%D0%B2%2C+%D0%92%D0%B0%D0%BB%D0%B5%D1%80%D0%B8%D0%B9+%D0%9F%D0%B5%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%B8%D1%87%22 Электронная библиотека ТГУ]
 +
 
 +
[http://elibrary.ru/author_profile.asp?id=34902 Анализ публикационной активности (РИНЦ)]
 +
 
 +
[http://www.scopus.com/authid/detail.url?authorId=6603101392 Цитирование в Scopus]
  
−
==[http://www.scopus.com/authid/detail.url?authorId=6603101392  Цитирование в Scopus]==
+
[https://publons.com/researcher/2467054/valery-p-germogenov/ ResearcherID (Публикации с Web of Science)]
  
 
[[Категория:Персоналии ученых ТГУ]]
 
[[Категория:Персоналии ученых ТГУ]]

Текущая версия на 14:31, 15 сентября 2022

Гермогенов Валерий Петрович
Germogenov.jpg
Место работы:

Томский государственный университет, Радиофизический факультет, кафедра полупроводниковой электроники, профессор

Учёная степень:

доктор физико-математических наук

Учёное звание:

профессор



Биографическая справка

Полная биографическая справка в Электронной энциклопедии ТГУ

Хронологический список работ

1973

• Гермогенов В. П. Изучение диаграммы состояний системы Ga-Al-Sb // Доклады юбилейной научно-технической конференции Радиофизического факультета. Томск, 1973. Ч. 1. Секция физики полупроводников и диэлектриков. С. 73-77.

• Гермогенов В. П. О скорости роста слоев при жидкостной эпитаксии арсенида галлия // Доклады юбилейной научно-технической конференции Радиофизического факультета. Томск, 1973. Ч. 1. Секция физики полупроводников и диэлектриков. С. 68-72.

1975

• Гермогенов В. П. Исследование эпитаксиальных слоев твердых растворов антимонида галлия-алюминия и структур с p-n переходами на их основе //Материалы научно-практической конференции «Молодые ученые и специалисты Томской области в девятой пятилетке» (секция физики твердого тела). Томск, 1975. С. 193-196

• Гермогенов В. П. Получение и исследование структур с p-n переходами на основе твердых растворов AlxGa1-xSb / В. П. Гермогенов, А. А. Вилисов, А. П. Вяткин // Известия высших учебных заведений. Физика. 1975. № 9. С. 63-69.

• *Легирование слоев твердых растворов AlxGa1-xSb при жидкофазовой эпитаксии / А. А. Вилисов, А. П. Вяткин, В. П. Гермогенов, Л. Е. Эпиктетова // Третья Всесоюзная конференция по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов, Москва, 20-22 окт. 1975 г. : тезисы докл. М., 1975. С. 103.

• Germogenov V. P. Preparation and study of p-n junction structures based on solid solutions AlxGa1-xSb / V. P. Germogenov, A. A. Vilisov, A. P. Vyatkin // Soviet Physics Journal. 1975. Vol. 18, № 9. P. 1265–1269.

1976

• Вилисов А. А. Выращивание из жидкой фазы эпитаксиальных слоев твердых растворов AlxGa1−xSb / А. А. Вилисов, А. П. Вяткин, В. П. Гермогенов // Известия Академии Наук СССР. Неорганические материалы. 1976. Т. 12, № 9. С. 1528-1532.

• Возникновение несовершенств в слоях твердых растворов AlxGa1−xSb при выращивании методом жидкофазовой эпитаксии / А. А. Вилисов, В. П. Гермогенов, Ф. С. Ким, Л. Е. Эпиктетова // Известия высших учебных заведений. Физика. 1976. № 6. С. 75-80.

• Исследование катодолюминисценции эпитаксиальных слоев p-Alx Ga1−xSb / А. А. Вилисов, В. Г. Воеводин, В. П. Гермогенов, Ф. С. Ким, В. С. Морозов // Известия высших учебных заведений. Физика. 1976. № 11. С. 40-46.

• Appearance of flaws in layers of AlxGa1−xSb solid solutions during epitaxial growth from the liquid phase / A. A. Vilisov, V. P. Germogenov, F. S. Kim, L. E. Épiktetova // Soviet Physics Journal. 1976. Vol. 19, № 6. P. 745–750.

• Cathodoluminescence from epitaxial layers of p-Alx Ga1−xSb / A. A. Vilisov, V. G. Voevodin, V. P. Germogenov, F. S. Kim, V. S. Morozov // Soviet Physics Journal. 1976. Vol. 19, № 11. P. 1419–1423.

1977

• Вилисов А. А. Легирование твердых растворов при жидкофазовой эпитаксии. I. Зависимость коэффициента распределения примеси от состава твердого раствора / А. А. Вилисов, В. П. Гермогенов // Известия высших учебных заведений. Физика. 1977. № 7. С. 10-14.

• Влияние условий выращивания на свойства эпитаксиальных слоев твердых растворов Alx Ga1−xSb / А. А. Вилисов, А. П. Вяткин, В. П. Гермогенов, Л. Е. Эпиктетова // Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск, 1977. Ч. 1. С. 128-131.

• Легирование твердых растворов при жидкофазовой эпитаксии. II. Антимонид галлия-алюминия / А. А. Вилисов, В. П. Гермогенов, Ф. С. Ким, Л. Е. Эпиктетова // Известия высших учебных заведений. Физика. 1977. № 7. С. 15-21.

• Alloying of solid solutions during liquid-phase epitaxy. II. Gallium aluminum antimonide / A. A. Vilisov, V. P. Germogenov, F. S. Kim, L. E. Épiktetova // Soviet Physics Journal. 1977. Vol. 20, № 7. P. 841–847.

• Vilisov A. A. Alloying of solid solutions during liquid-phase epitaxy. I. Dependence of admixture distribution coefficient on composition of the solid solution / A. A. Vilisov, V. P. Germogenov // Soviet Physics Journal. 1977. Vol. 20, № 7. P. 836–840.

1978

• *A.c. 700966 СССР, МКИ В 01 J 17/06, Н 01 L 21/208. Способ жидкостной эпитаксии антимонида галлия и твердых растворов на его основе/ Вилисов A.A., Гермогенов В.П., Морозов B.C. ; заявл.24.01.78.

• Батутин А. Н. Фотоэлектрические характеристики гетероструктур на основе AlxGa1−xSb / А. Н. Батутин, А. А. Вилисов, В. П. Гермогенов // II Всесоюзная конференция по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах, 18-20 окт. 1978 г. : тез. докл. Ашхабад : Ылым, 1978. Т. 1. С. 140-142.

• Вилисов А. А. Изучение ранних стадий роста эпитаксильного GaJb / А. А. Вилисов, В. П. Гермогенов, Л. Е. Эпиктетова // V Симпозиум по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок, г. Новосибирск, 6-8 июня 1978 года : тезисы докладов / Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние Акад. наук СССР, Ин-т неогран. химии, Ин-т физики полупроводников [и др. ; отв. за вып. Ф. А. Кузнецов]. Новосибирск, 1978. С. 84.

• Вилисов А. А. Формирование ростовых дефектов в эпитаксиальных слоях GaSb и AlxGa1−xSb / А. А. Вилисов, В. П. Гермогенов, Л. Е. Эпиктетова // III Всесоюзное совещание «Дефекты структуры в полупроводниках» : тез. докл. Новосибирск, 1978. Ч. 2. С. 215.

• Люминесценция гетероструктур на основе Alx Ga1−xSb / А. Н. Батутин, А. А. Вилисов, В. П. Гермогенов, В. С. Морозов // II Всесоюзная конференция по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах, 18-20 окт. 1978 г. : тез. докл. Ашхабад : Ылым, 1978. Т. 1. С. 71-73.

1979

• *A.c. 835274 СССР, МКИ Н 01 L 29/84, G 01 L 9/06. Полупроводниковый датчик давления / Арбузова Г.К., Вилисов A.A., Гермогенов В.П., Максимова Н.К., Сафронов А. И., Филонов Н.Г. ; заявл. 19.12.79.

• Балюба В. И. О диффузии цинка в AlxGa1−xSb / В. И. Балюба, А. А. Вилисов, В. П. Гермогенов // Известия высших учебных заведений. Физика. 1979. № 2. С. 106-107.

• Поверхностно-барьерные структуры на основе AlxGa1−xSb. I. Методика изготовления. Исследование физической модели контакта / Г. К. Арбузова, А. А. Вилисов, В. П. Гермогенов, Н. К. Максимова, Н. Г. Филонов // Известия высших учебных заведений. Физика. 1979. № 6. С. 21-25.

• Поверхностно-барьерные структуры на основе AlxGa1−xSb. II. Зависимость высоты барьера от ширины запрещенной зоны твердого раствора / Г. К. Арбузова, А. А. Вилисов, В. П. Гермогенов, Н. К. Максимова // Известия высших учебных заведений. Физика. 1979. № 6. С. 26-31.

• Balyuba V. I. Diffusion of zinc in AlxGa1−xSb / V. I. Balyuba, A. A. Vilisov, V. P. Germogenov // Soviet Physics Journal. 1979. Vol. 22, № 2. P. 198–200.

• Surface-barrier structures on AlxGa1−xSb. I. Preparation and physical model of the contact / G. K. Arbuzova, A. A. Vilisov, V. P. Germogenov, N. K. Maksimova, N. G. Filonov // Soviet Physics Journal. 1979. Vol. 22, № 6. P. 585–589.

• Surface-barrier structures on AlxGa1−xSb. II. Band gap dependence of barrier height / G. K. Arbuzova, A. A. Vilisov, V. P. Germogenov, N. K. Maksimova // Soviet Physics Journal. 1979. Vol. 22, № 6. P. 589–593.

1980

• Вилисов A.A. Влияние рельефа поверхности роста на однородность состава эпитаксиальных слоев GaSb и AlxGa1−xSb / А. А. Вилисов, В. П. Гермогенов, Л. Е. Эпиктетова // 6 Международная конференция по росту кристаллов : расширенные тезисы. М., 1980. Т. З. С. 367-368.

• Гермогенов В. П. Изучение процесса выращивания и характеристик эпитаксиальных структур на основе AlxGa1-xSb : автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / В. П. Гермогенов. – Томск, 1980. – 18 с.

• Гермогенов В. П. Изучение процесса выращивания и характеристик эпитаксиальных структур на основе AlxGa1-xSb : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.07 / Гермогенов В. П. ; науч. рук. А. А. Вилисов, А. П. Вяткин ; Сибирский физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова при Томском гос. ун-те им. В. В. Куйбышева. - Томск : [б. и.], 1980. - 245 л.: ил.

• Легирование твердых растворов при жидкофазовой эпитаксии. III. Теллур в AlxGa1−xSb / А. А. Вилисов, В. П. Гермогенов, Н. К. Максимова, Л. Е. Эпиктетова // Известия высших учебных заведений. Физика. 1980. Т. 23, № 4. С. 19-25.

• О стабильности межфазной границу при жидкофазовой эпитаксии AlxGa1-xSb / A.A. Вилисов, В. П. Гермогенов, Н. А. Позолотин, Л. Е. Эпиктетова // 6 Международная конференция по росту кристаллов : расширенные тезисы. М., 1980. Т. З. С. 365-366.

• Doping of solid solutions in liquid epitaxy. III. Tellurium in AlxGa1−xSb / A. A. Vilisov, V. P. Germogenov, N. K. Maksimova, L. E. Épiktetova // Soviet Physics Journal. 1980. Vol. 23, № 4. P. 284–289.

1981

• Вилисов A.A. Изучение ранних стадий роста эпитаксиального GaSb / А. А. Вилисов, В. П. Гермогенов, Л. Е. Эпиктетова // Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск: Наука, 1981. С. 83-87.

1984

• Гермогенов В.П. Определение критического начального переохлаждения расплава для гетероэпитаксии AlxGa1-xSb на GaSb / В. П. Гермогенов, В. А. Позолотин, Л. Е. Эпиктетова // Известия Академии Наук СССР. Неорганические материалы. 1984. Т.20, № 9. С. 1584-1585.

• Гермогенов В.П. Изучение химического травления антимонида галлия и твердого раствора AlxGa1-xSb (As)/ В. П. Гермогенов, З. В. Коротченко, Я. И. Отман // Электронная техника. Сер. 6: Материалы. 1984. № 7(192). С. 71-72.

• Образование p−n –переходов в слоях твердого раствора AlxGa1-xSb(As) (x=0,15-0,20), легированных теллуром / А. П. Вяткин, В. П. Гермогенов, Я. И. Отман, Л. С. Хлудкова // Известия высших учебных заведений. Физика. 1984. Т. 27, № 11. С. 82-86.

• Фотодиоды с барьером Шотки на длину волны 1,3 мкм / Г.К. Арбузова, А.П. Вяткин, В.П. Гермогенов, З.В. Коротченко, Я. И. Отман, В. А. Позолотин // Электронная техника. Сер. 11. Лазерная техника и оптоэлектроника. 1984. № 3(29). С. 100-103.

• Formation of p-n junctions in tellurium-doped AlxGa1−xSb(As) (x = 0.15–0.20) solid solution layers / A. P. Vyatkin, V. P. Germogenov, Ya. I. Otman, L. S. Khludkova // Soviet Physics Journal. 1984. Vol. 27, № 11. P. 985–988.

1985

• Вяткин А. П. Генерационный ток с учетом туннелирования в p−n -переходе при небольших обратных смещениях / А. П. Вяткин, В. П. Гермогенов, В. А. Позолотин // Физика и техника полупроводников. 1985. Т. 19, № 12. С. 2191–2193.

1986

• Гермогенов В.П. Влияние состава твердого раствора в области пространственного заряда на электрические характеристики р-п-структуры из AlxGa1−xSb / В. П. Гермогенов, В. А. Позолотин ; ред. журн."Изв. вузов. Физика". - Томск, 1986. - 19 с. – Деп. в ВИНИТИ 25.12.86, № 8894-В86.

1987

• *A.c. 1454156 СССР. Способ получения автоэпитаксиальных слоев антимонида галлия/ Вирюлин Ю.Ф., Чалдышев В.В., Шмарцев Ю.И., Гермогенов В.П., Отман Я.И., Эпиктетова Л.Е. (СССР) ; заявл. 16.04.87.

• Влияние изовалентного легирования индием на «природные акцепторы» в антимониде галлия / Ю. Ф. Бирюлин, В. П. Гермогенов, Я. И. Отман, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, Л. Е. Эпиктетова // Физика и техника полупроводников. 1987. Т. 21, № 6. С. 1118-1124.

1988

• Влияние всестороннего давления и температуры на сопротивление n- AlxGa1−xSb / А. П. Вяткин, В. П. Гермогенов, В. М. Диамант, З. В. Коротченко, Н. П. Криворотов, Я. И. Отман, В. А. Позолотин // Полупроводниковая тензометрия : межвуз. сб. науч. тр. Новосибирск, 1988. С. 42-48.

• Влияние гидростатического давления на удельное сопротивление твердого раствора n -AlxGa1−xSb / В. П. Гермогенов, В. М. Диамант, З. В. Коротченко, Н. П. Криворотов, В. А. Позолотин // Физика и техника полупроводников. 1988. Т. 22, №4. С. 623–627.

• Гермогенов В. П. Механизм прохождения тока в p−n-структурах из AlxGa1−xSb(As) при небольших смещениях / В. П. Гермогенов, В. А. Позолотин, Л. С. Хлудкова // Физика и техника полупроводников. 1988. Т. 22, № 5. С. 849–854.

• Гермогенов В. П. Расчет критического переохлаждения расплава для гетероэпитаксии AlxGa1−xSb на GaSb / В. П. Гермогенов, В. А. Позолотин // Известия высших учебных заведений. Физика. 1988. Т. 31, № 2. С. 47-51.

• Исследование совершенства слоев твердого раствора AlGaSb(AS) / В. П. Гермогенов, О. М. Ивлева, Я. И. Отман, Л. Е. Эпиктетова // Известия высших учебных заведений. Физика. 1988. Т. 31, № 1. С. 84-89.

• Твердые растворы в системе Ga − Sb – Bi / Ю. Ф. Бирюлин, В. П. Гермогенов, О. М. Ивлева, С. Г. Конников, Я. И. Отман, В. В. Третьяков, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, В. А. Шульбах, Л. Е. Эпиктетова // Письма в Журнал технической физики. 1988. Т. 14, № 18. С. 1651–1655.

• Электрические и фотоэлектрические характеристики поверхностно-барьерной структуры на основе полупроводника с приповерхностным изгибом зон, близким к ширине запрещенной зоны (на примере Pd/n-AlxGa1-xSb(As)) / Вяткин А.П., Гермогенов В.П., Позолотин В.А., Садыкова С.К. ; ред. журн "Изв.вузов. Физика". - Томск, 1988. - 28 с.- Деп. в ВИНИТИ 27.12.88, № 9046-В88.

• Germogenov V. P. Analysis of critical melt supercooling for heteroepitaxy of AlxGa1−xSb by GaSb / V. P. Germogenov, V. A. Pozolotin // Soviet Physics Journal. 1988. Vol. 31, № 2. P. 123–127.

• Study of perfection of layers of AlGaSb(AS) solid solution / V. P. Germogenov, O. M. Ivleva, Ya. I. Otman, L. E. Épiktetova // Soviet Physics Journal. 1988. Vol. 31, № 1. P. 73–77.

1989

• А. с. 1522056 СССР МКИ G 01 L 9/04. Датчик давления / В. П. Гермогенов, В. М. Диамант, Н. П. Криворотов, Я. И. Отман, В. А. Позолотин. – Заявка № 4382167/24-10 ; заявлено 22.02.1988, опубл. 15.11.1989, Бюл. № 42. – 3 с.

• Ширина запрещенной зоны в твердом растворе GaSb1-xBix / В. И. Гермогенов, Я.И. Отман, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев // Физика и техника полупроводников. 1989. Т. 23, № 8. С. 1517-1518.

• Width of the band gap of the GaSb1-xBix solid solution / V.P. Germogenov, Y.I. Otman, V.V. Chaldyshev, Y.V. Shmartsev // Soviet physics. Semiconductors. 1989. Vol. 23, № 8. P. 942-943.

1990

• Влияние поверхности на темновой ток фотодиодов на основе AlGaSb(As)/ В. П. Гермогенов, З. В. Коротченко, Я. И. Отман, В. А. Позолотин, Л. С. Хлудкова, Л. Е. Эпиктетова // Электронная техника. Сер. 2: Полупроводниковые приборы. 1990. № 2(205). С. 13-16.


• Подавление «природных» акцепторов в GaSb путем изовалентного легирования висмутом / В. П. Гермогенов, Я. И. Отман, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, Л. Е. Эпиктетова // Физика и техника полупроводников. 1990. Т. 24, № 6. С. 1095–1100.

• Appearance of the 'natural' acceptors in GaSb due to isovalent doping with bismuth // Germogenov V.P., Otman Y.I., Chaldyshev V.V., Shmartsev Y.V., Épiktetova L.E. // Soviet physics. Semiconductors. 1990. Vol. 24, № 6. P. 689-693.

1991

• Фотоэлектрические характеристики контакта твердый раствор AlxGa1-xSb(As)-электролит / В. П. Гермогенов, З. В. Коротченко, Я. И. Отман, В. А. Позолотин, Л. С. Хлудкова // Электронная техника. Сер.6: Материалы. 1991. № 1(255). С. 29-31.

1992

• Легирование слоев In1−xGaxAsyP1-y марганцем при жидкофазной эпитаксии / В. П. Гермогенов, О. М. Ивлева, С. В. Пономарев, Л. С. Хлудкова, Л. Е. Эпиктетова // Известия высших учебных заведений. Физика. 1992. Т. 35, № 1. С. 26-34.

• Manganese doping of In1−xGaxAsyP1-y films in liquid-phase epitaxy / V. P. Germogenov, O. M. Ivleva, S. V. Ponomarev, L. S. Khludkova, L. E. Épiktetova // Russian Physics Journal. 1992. Vol. 35, № 1. P. 20–26.

• Photoluminescence of bismuth doped GaSb / V.V. Chaldyshev, V.P. Germogenov, Y.V. Shmartsev // Key Engineering Materials. 1992. Vol. 65. P. 109-116

1997

• Гермогенов В. П. Эпитаксиальные структуры на основе твердого раствора AlxGa1-x Sb (физические основы технологии, свойства, применение) : автореф. дис. … д-ра физ.-мат. наук / В. П. Гермогенов. - Томск, 1997. - 39 с.

• Гермогенов В. П. Эпитаксиальные структуры на основе твердого раствора AlxGa1-xSb : (физические основы технологии, свойства, применение) : дис. … д-ра физ.-мат. наук / В. П. Гермогенов. - Томск, 1997. - 442 с.

1998

• Анисимов О. В. Обратный ток в поверхностно-барьерной структуре металл/ n-Al x Ga1−x Sb / О. В. Анисимов, В. П. Гермогенов, В. А. Позолотин // Известия высших учебных заведений. Физика. 1998. Т. 41, № 12. С. 46-51.

• Гермогенов В. П. Изучение характеристик инверсного слоя у поверхности твердого раствора n-AlxGa1−xSb / В. П. Гермогенов, О. Е. Калымбетов, В. А. Позолотов // Известия высших учебных заведений. Физика. 1998. Т. 41, № 7. С. 108-113.

• Излучающие диоды : методические указания / сост. В. П. Гермогенов; Томск. гос. ун-т. - Томск, 1998. - 27 с.: ил.

• Anisimov O. V. everse current in metal/n-Al x Ga1−x Sb surface-barrier structures / O. V. Anisimov, V. P. Germogenov, V. A. Pozolotin // Russian Physics Journal. 1998. Vol. 41, № 12. P. 1215–1221

• Germogenov V. P. Inverse layer at the surface of n-AlxGa1−xSb solid solution / V. P. Germogenov, O. E. Kalymbetov, V. A. Pozolotin // Russian Physics Journal. 1998. Vol. 41, № 7. P. 710–714.

1999

• Влияние поверхности на обратный ток p−n-структуры из Al x Ga1−x Sb / О. В. Анисимов, В. П. Гермогенов, Л. С. Хлудкова, О. В. Юрковский // Известия высших учебных заведений. Физика. 1999. Т. 42, № 1. С. 34-39.

• Уравнение электронейтральности в полупроводнике : методическое пособие / Сост. В. П. Гермогенов; Томский государственный университет. - Томск : Издательство Томского университета, 1999. - 27 с.

• Эпитаксиальные структуры из арсенида галлия для детекторов ионизирующих излучений / Д. Л. Будницкий, В. П. Гермогенов, А. А. Ларионов [и др.] // Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП. Томск, 1999. С. 125-127.

• Surface effect on the reverse current of Al x Ga1−x Sb p−n structures / O. V. Anisimov, V. P. Germogenov, L. S. Khludkova, O. V. Yurkovskii // Russian Physics Journal. 1999. Vol. 42, № 1. P. 38–46.

2001

• GaAs structures for X-ray imaging detectors / G.I. Ayzenshtat, N.N. Bakin, E.P. Drugova, L.P. Porokhovnichenko, D.L. Budnitsky, S.S. Khludkov, O.B. Koretskaya, A.I. Potapov, O.P. Tolbanov, A.V. Tyazhev, M.D. Vilisova, V.P. Germogenov, L.S. Okaevich, K.M. Smith, A.P. Vorobiev // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 2001. Vol. 466, № 1. P. 25-32.

• Epitaxial structures based on compensated GaAs for γ- and X-ray detectors / D.L. Budnitsky, A.I. Potapov, O.P. Tolbanov, V.P. Germogenov, S.M. Guschin, A.A. Larionov, L.P. Porokhovnichenko, A.P. Vorobiev // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 2001. Vol. 466, № 1. P. 33-38.

2002

• Гермогенов В. П. Исследование спектров оптического поглощения эпитаксиальных слоев твердого раствора In0,53GaO,47As / В. П. Гермогенов, Л. С. Хлудкова // Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V (GaAs-2002) : материалы восьмой российской конференции, Томск, 01-04 октября 2002 г. Томск, 2002. С. 94-95.

• Детекторные структуры на основе арсенида галлия, выращенного методом жидкофазной эпитаксии / И. Ю. Байко, А. П. Воробьев, В. П. Гермогенов, С. М. Гущин, А. А. Ларионов, А. И. Потапов, О. П. Толбанов, О. Г. Шмаков // Электронная промышленность. 2002. № 2-3. С. 46-53.

• Детекторы ионизирующих излучений на основе эпитаксиальных структур из арсенида галлия / Г. И. Айзенштат, В. П. Гермогенов, С. М. Гущин, А. И. Потапов, О. П. Толбанов, А. В. Тяжев, О. Г. Шмаков // Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V (GaAs-2002) : материалы восьмой российской конференции, Томск, 01-04 октября 2002 г. Томск, 2002. С. 278-280.

• Задачи по физической химии : (методические указания) / Том. гос. ун-т, Радиофиз. фак. ; сост. : В. П. Гермогенов, Н. Н. Иванова. - Томск : [б. и.], 2002. - 25 с.

2003

• Айзенштат Г. И. Детекторы рентгеновского и g-излучений на основе эпитаксиальных структур из арсенида галлия / Г. И. Айзенштат, В. П. Гермогенов, С. М. Гущин, О. П. Толбанов, О. Г. Шмаков // Вестник Томского государственного университета . 2003. № 278. С. 81-86.

• Гермогенов В. П. Кафедра полупроводниковой электроники // Вестник Томского государственного университета. 2003. № 278. С. 28-31.

• Гущин С. М. Эпитаксиальные структуры для детекторов ионизирующих излучений на основе слоев GaAs:Sn,Cr / Гущин С. М., Пороховниченко Л. П., Гермогенов В. П., Шмаков О. Г. // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2003. № 5. С. 32-37.

2004

• X-ray and γ-ray detectors based on GaAs epitaxial structures / G. I. Ayzenshtat, S. M. Guschin, V. P. Germogenov, O. G. Shmakov, L. S. Okaevich, O. P. Tolbanov, A. P. Vorobiev // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 2004. Vol. 531, № 1-2. P. 97-102.

2005

• Воробьев А. П. GAAS детекторы для медицинской рентгенографии / А. П. Воробьев, С. Н. Головня, С. А. Горохов, В. В. Парахин, Ю. В. Роднов, Г. И. Айзенштат, В. П. Гермогенов, О. Б. Корецкая, О. П. Толбанов, А. В. Тяжев // Спектрометрический анализ. Аппаратура и обработка данных на ПЭВМ : сборник материалов 11 Ежегодного семинара в Государственном образовательном учреждении "Государственный центральный институт повышения квалификации руководящих работников и специалистов Минатома России ", Обнинск, 22-26 нояб., 2004. Обнинск, 2005. Ч. 2. С. 100-112

• Гермогенов В. П. От сплавных контактов к эпитаксиальным гетероструктурам // Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285 : Серия "Физика". С. 103-111. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000328935

• Подготовка специалистов в области физики и техники полупроводников в Томском университете / А. В. Войцеховский, В. И. Гаман, В. П. Гермогенов, И.В. Ивонин, Л.Г. Лаврентьева, Г.М. Мокроусов // Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285 : Серия "Физика". С. 47-52. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000328929

2006

• Фотовольтаические детекторы ионизирующих излучений на основе эпитаксиального GaAs, компенсированного хромом / М. Д. Вилисова, В. П. Гермогенов, Е. П. Другова и др. // Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции. Томск, 2006. С. 485-488.

2008

• Вилисова М. Д. Электрические характеристики детекторных структур на основе эпитаксиального арсенида галлия / М. Д. Вилисова, В. П. Гермогенов, И. В. Пономарев // Известия высших учебных заведений. Физика. 2008. Т. 51, № 9/3. С. 21-22

• Гермогенов В. П. Расчет профилей напряженности электрического поля в эпитаксиально-диффузионных структурах на основе GaAs:Cr / В. П. Гермогенов, И. В. Пономарев // Известия высших учебных заведений. Физика. 2008. Т. 51, № 9. С. 102-105

• Фотодиоды : учебное пособие / [сост. В. П. Гермогенов] ; Том. гос. ун-т, Радиофиз. фак.. - Томск : [б. и.], 2008. - 46 с.: ил.

• Germogenov V. P. Calculation of electric-field strength profiles in GaAs:Cr epitaxial-diffusion structures / V. P. Germogenov, I. V. Ponomarev // Russian Physics Journal. 2008. Vol. 51, № 9. P. 994–999.

2010

• Детекторы альфа-частиц на основе эпитаксиального GaAs, выращенного из газовой фазы / М. Д. Вилисова, В. П. Гермогенов, И. В. Пономарев, О. П. Толбанов // Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. № 9. С. 335-336.

• Исследование распределения электрического поля в детекторных структурах на GaAs методом Кельвин-зонд-микроскопии / М. Д. Вилисова, В. П. Гермогенов, О. Ж. Казтаев, В. А. Новиков, И. В. Пономарев, А. Н. Титков // Письма в Журнал технической физики . 2010. № 9. С. 95-101.

• Detectors of γ-quantum based on epitaxial GaAs:S, Cr layers / M.D. Vilisova, V.P. Germogenov, I.V. Ponomarev, A.V. Tyazhev // 2011 International Siberian Conference on Control and Communications : SIBCON : proceedings, Russia, Krasnoyarsk, September 15−16, 2011. Krasnoyarsk, 2011. P. 249-251.

• Studying electric field profiles in GaAs-based detector structures by Kelvin probe force microscopy / M. D. Vilisova, V. P. Germogenov, O. Zh. Kaztaev, V. A. Novikov, I. V. Ponomarev, A. N. Titkov // Technical Physics Letters. 2010. Vol. 36, № 9. P. 436–438.

2012

• Гермогенов В. П. Материалы, структуры и приборы полупроводниковой оптоэлектроники : учебно-методический комплекс / В. П. Гермогенов, Ю. В. Вячистая ; Том. гос. ун-т, [Ин-т дистанционного образования]. - Томск : [ИДО ТГУ], 2012. - . URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000462084

• Детекторы гамма-квантов на основе эпитаксиальных слоев GaAs:S,Cr / М. Д. Вилисова, В. П. Гермогенов, И. В. Пономарев, А. В. Тяжев // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 84-86. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000448594

2013

• Вячистая Ю. В. Электронный учебно-методический комплекс "Материалы, структуры и приборы полупроводниковой оптоэлектроники" / Ю. В. Вячистая, В. П. Гермогенов, В. С. Заседатель // Использование цифровых средств обучения и робототехники в общем и профессиональном образовании: опыт, проблемы, перспективы : сборник научных статей первой Всероссийской научно-практической конференции с международным участием, Барнаул, 5-6 ноября 2013. Томск, 2013. С. 12-15.

• Оптические и фотоэлектрические свойства светодиодных гетероструктур на основе GaN / В. П. Гермогенов, Ю. Л. Зубрилкина, О. В. Исупова и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 8/3. С. 177-180. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000468388

2015

• Гермогенов В. П. ЭУМК "Полупроводниковая электроника": вариант системного подхода / В. П. Гермогенов, Ю. В. Вячистая // Использование цифровых средств обучения и робототехники в общем и профессиональном образовании: опыт, проблемы, перспективы : сборник научных статей II Международной научно-практической конференции, Барнаул, 5-6 ноября 2015 г. Барнаул, 2015. С. 53-56. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000578960

• Гермогенов В. П. Материалы, структуры и приборы полупроводниковой оптоэлектроники : учебное пособие : [для студентов старших курсов вузов по направлениям подготовки 03.03.03. – Радиофизика ; Физика, Электроника и наноэлектроника] / В. П. Гермогенов ; Нац. исслед. Том. гос. ун-т. - Томск : Издательский Дом Томского государственного университета, 2015. - 271 с.: ил., табл.. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000511917

• Гермогенов В. П. Полупроводниковая оптоэлектроника : учебно-методический комплекс : [для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению 03.03.03 «Радиофизика»] / Гермогенов В. П., Вячистая Ю. В. ; Том. гос. ун-т, [Ин-т дистанционного образования]. - Томск : [ИДО ТГУ], 2015. - . URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000516218

• Гермогенов В. П. Полупроводниковая электроника : учебно-методический комплекс : [для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению 03.03.03 «Радиофизика»] / Гермогенов В. П., Вячистая Ю. В. ; Том. гос. ун-т, [Ин-т дистанционного образования]. - Томск : [ИДО ТГУ], 2015. - . URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000516221

2019

• Актуальные проблемы радиофизики АПР 2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, 1-4 октября 2019 года, г. Томск : сборник трудов конференции / Нац. исслед. Том. гос. ун-т, Радиофизический фак., Рос. фонд. фундамент. исслед. ; ред. кол.: Войцеховский А .В. [и др.]. - Томск : Издательский Дом Томского государственного университета, 2019. - 490 с.: ил., табл. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000671718

Литература о трудах и деятельности

Без техники – как без рук! // Alma Mater. 2009. 17 марта (№ 2458)

Ссылки

Электронный каталог НБ ТГУ

Электронная библиотека ТГУ

Анализ публикационной активности (РИНЦ)

Цитирование в Scopus

ResearcherID (Публикации с Web of Science)

Источник — «http://wiki.lib.tsu.ru/index.php?title=Гермогенов,_Валерий_Петрович&oldid=97454»