Айзенштат, Геннадий Исаакович

Айзенштат Геннадий Исаакович
Место работы:	Томский государственный университет, радиофзический факультет, кафедра полупроводниковой электроники
Учёная степень:	доктор технических наук
Учёное звание:	профессор

Биографическая справка

Полная биографическая справка в Электронной энциклопедии ТГУ

Айзенштат Геннадий Исаакович после окончания школы в г. Новосибирске в 1965 году поступил на факультет электронной техники Новосибирского электротехнического института. Окончил институт в 1970 году по специальности «полупроводниковые приборы» с квалификацией «инженер электронной техники». В 1970-1979 гг. - инженер, ст. инженер, ведущий инженер, с 1980 – ст. научный сотрудник, с 1988 – ведущий научный сотрудник, с 2001 – начальник лаборатории, с 2011 – главный научный сотрудник ОАО НИИ полупроводниковых приборов. По совместительству с 2004 года – профессор кафедры полупроводниковой электроники радиофизического факультета.

Курсы, читаемые в ТГУ: «Технология микро- и наноэлектроники».

Научная деятельность связана с разработкой приборов на арсениде галлия. Автор более 130 научных работ, имеет около 50 авторских свидетельств и патентов.

Хронологический список работ

1975

• А. с. SU 490180 A1, МПК G11C 11/36. Ячейка памяти / Липин В. С., Айзенштат Г. И., Лукина Л. А., Люзе Л. Л. -№ 1965599 ; заявлено 08.10.1973 ; опубл. 30.10.1975.

1980

• Айзенштат Г. И. Формирователь пикосекундных импульсов на диоде Ганна / Г. И. Айзенштат, В.Н. Донцов // Приборы и техника эксперимента. 1980. № 4. С. 109-110. Библиогр.: 2 назв.

1982

• Айзенштат Г. И. Моделирование поведения приборов Ганна из арсенида галлия с глубокими центрами / Г. И. Айзенштат, В. А. Воловоденко, Г. В. Корякина // Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. : тезисы докладов. Томск, 1982. С. 169-171. Библиогр.: 4 назв.

• О влиянии глубоких центров в арсениде галлия на частотную зависимость чувствительности цифровых приборов Ганна / Г. И. Айзенштат, В. А. Воловоденко, Г. В. Корякина, И. Д. Романова // Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. : тезисы докладов. Томск, 1982. С. 165-166. Библиогр.: 5 назв.

1985

• Айзенштат Г. И. Доменная электрическая неустойчивость в присутствии двух механизмов отрицательной дифференциальной проводимости : [реферат] // Физика и техника полупроводников. 1985. Т. 19, вып. 12. С. 2235. Деп. в ЦНИИ «Электроника» 10.05.1984 № Р–9664/84.

1987

• Айзенштат Г. И. Скорость поперечного распространения домена в двумерном приборе Ганна // Радиотехника и электроника. 1987. Т. 32, № 12. С. 2666-2669. Библиогр.: 9 назв.

1988

• Айзенштат Г. И. Эффекты захвата в планарных приборах Ганна и полевых транзисторах из арсенида галлия // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1988. Вып. 2. С. 37-42. Библиогр.: 15 назв.

1994

• А. с. SU 1407325 A1, МПК H01L 21/34. Способ изготовления полупроводникового прибора с субмикронными размерами управляющего электрода / Игнатьев М. Г., Айзенштат Г. И., Кожинова Н. И., Романова И. Д. - № 4013084/25 ; заявлено 28.01.1986 ; опубл. 15.04.1994.

• А. с. SU 803744 A1 СССР, МПК H01L 21/338. Способ изготовления полупроводниковых приборов / Игнатьев М. Г., Айзенштат Г. И., Липин В. С. - № 2827479/25 ; заявлено 08.10.1979 ; опубл. 15.04.1994.

• А. с. SU 807915 A1, МПК H01L 21/784. Способ создания полупроводниковых приборов / Айзенштат Г. И., Игнатьев М. Г., Липин В. С., Ковязина Т. М. - № 2825278/25 ; заявлено 08.10.1979 ; опубл. 15.04.1994.

1995

• Пат. № RU 2031483 C1 Российская Федерация, МПК H01L 29/26. Способ изготовления полупроводникового прибора : № 5045702/25 : заявл. 04.03.1992 : опубл. 20.03.1995 / Айзенштат Г. И., Содатенко К. В., Шамова Г. И. – 6 с. : ил.

1996

• Пат. № RU 2070768 C1 Российская Федерация, МПК H03F 3/45, H03F 3/16. Операционный усилитель : № 5048825/09 : заявл. 22.06.1992 : опубл. 20.12.1996 / Липин В. С., Башкардина М. В., Айзенштат Г. И. – 7 с. : ил.

1999

• Айзенштат Г. И. Моделирование процессов разделения и сбора заряда в GaAs детекторах с учетом эффектов захвата / Г. И. Айзенштат, В. И. Кудрявцев, О. П. Тобанов // Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП. Томск, 1999. С. 159-161.

• Вольт-амперные характеристики структур арсенида галлия с барьером Шоттки, полученных с использованием очистки поверхности в потоке атомарного водорода / Г. И. Айзенштат, В. Г. Божков, В. А. Кагадей, Т. М. Табакаева // Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП. Томск, 1999. С. 203-205

• Детекторы ядерных излучений на основе эпитаксиальных слоев AlGaAs / Г. И. Айзенштат, С. М. Гущин, Л. П. Пороховниченко, А. И. Потапов, О. П. Толбанов // Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП. Томск, 1999. С. 153-155. Библиогр.: с. 155.

• Исследование детекторных структур на основе полуизолирующего арсенида галлия / Г. И. Айзенштат, О. Б. Корецкая, Л. С. Окаевич, А. И. Потапов, О. П. Толбанов // Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП. Томск, 1999. С. 128-130. Библиогр.: с. 130.

• Исследование детекторов ионизирующих излучений на основе эпитаксиального арсенида галлия / Г. И. Айзенштат, Е. П. Другова, Л. П. Пороховниченко, А. И. Потапов, О. П. Толбанов, В. А. Чубирко // Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП. Томск, 1999. С. 156-158. Библиогр.: с. 158.

• Координатные детекторы рентгеновского излучения на арсениде галлия / Г. И. Айзенштат, А. П. Воробьев, В. Г. Канаев, О. П. Толбанов, А. В. Хан // Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП. Томск, 1999. С. 150-152.

2000

• An analysis of possibility of an ionizing radiation detector development on the base of a heterobipblar amplification element / G. I. Ayzenshtat, A. V. Khan, D. U. Mokeev, O. P. Tolbanov // 2000 5th International Conference on Actual Problems of Electronic Instrument Engineering : APEIE 2000 : Devoted to the 50th Anniversary of Novosibirsk State Technical University. [S. l.], 2000. Vol. 1. P. 160-161.

• Ionizing-radiation detectors based on GaAs with deep centers / G. I. Aizenshtadt, V. G. Kanaev, A. V. Khan, S. S. Khludkov, O. B. Koretskaya, A. I. Potapov, L. S. Okaevich, A. V. Tyazhev, O. P. Tolbanov // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 2000. Vol. 448, is. 1-2. P. 188-191.

2001

• Моделирование детектора ионизирующих излучений на основе гетероструктуры AlGaAs-GaAs / Д. Ю. Мокеев, О. П. Толбанов, Г. И. Айзенштат, М. В. Ардышев // Современные проблемы физики и технологии : (сборник статей молодых ученых). Томск, 2001. С. 109-113

• Ayzenshtat G. I. Modeling of processes of charge division and collection in gaas detectors taking into account trapping effects / G. I. Ayzenshtat, O. P. Tolbanov, A. P. Vorobiev // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 2001. Vol. 466, is. 1. P. 1-8.

• GaAs structures for X-ray imaging detectors / G. I. Ayzenshtat, N. N. Bakin, E. P. Drugova, L. P. Porokhovnichenko, D. L. Budnitsky, S. S. Khludkov, O. B. Koretskaya, A. I. Potapov, O. P. Tolbanov, A. V. Tyazhev, M. D. Vilisova, V. P. Germogenov, L. S. Okaevich, K. M. Smith, A. P. Vorobiev || Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 2001. Vol. 466, is. 1. P. 25-32.

• GaAs X-ray coordinate detectors / G. I. Ayzenshtat, V. G. Kanaev, A. V. Khan, L. P. Porokhovnichenko, A. I. Potapov, O. P. Tolbanov, A. P. Vorobiev // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 2001. Vol. 466, is. 1. P. 162-167.

2002

• Айзенштат Г. И. Исследование электронных процессов в GaAs детекторах / Г. И. Айзенштат, М. Биматов, О. П. Толбанов // Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции. Томск, 2002. С. 294-296.

• Детекторный элемент с оптическим выводом информации на GaAs / Г. И. Айзенштат, А. П. Воробьев, С. М. Гущин, Д. Ю. Мокеев, О. П. Толбанов // Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции. Томск, 2002. С. 283-285.

• Детекторы заряженных частиц на основе радиационно-модифицированного полуизолирующего арсениде галлия / Г. И. Айзенштат, М. В. Ардышев, Н. Г. Колин, Д. И. Меркурисов, А. И. Потапов, О. П. Толбанов, С. С. Хлудков // Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции. Томск, 2002. С. 291-293.

• Детекторы ионизирующих излучений на основе эпитаксиальных структур из арсенида галлия / Г. И. Айзенштат, В. П. Гермогенов, С. М. Гущин, А. И. Потапов, О. П. Толбанов, А. В. Тяжев, О. Г. Шмаков // Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции. Томск, 2002. С. 278-280.

• Детекторы на основе полуизолирующего арсенида галлия для медицинских рентгеновских аппаратов / Г. И. Айзенштат, С. М. Гущин, О. Б. Корецкая, О. П. Толбанов, Е. А. Бабичев, С. Е. Бару, В. Р. Грошев, Г. А. Савинов, А. П. Воробьев // Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции. Томск, 2002. С. 275-277

• Линейки светодиодов для визуализации сигналов детекторов ионизирующих излучений / С. М. Гущин, Г. И. Айзенштат, О. П. Толбанов, А. П. Воробьев // Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции. Томск, 2002. С. 287-288.

• Пат. № RU 2178602 C2 Российская Федерация, МПК H01L 31/115, G01T 1/24. Детектор ионизирующего излучения : № 2000106865/28 : заявл. 20.03.2000 : опубл. 20.01.2002 / Айзенштат Г. И., Толбанов О. П., Хан А. В. – 4 с. : ил.

• Сбор заряда в координатных детекторах рентгеновского излучения на основе полуизолирующего GaAs, компенсированного хрома / Г. И. Айзенштат, М. В. Биматов, А. П. Воробьев, О. П. Толбанов // Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции. Томск, 2002. С. 269-271.

• Charge collection in X-ray pixel detectors based on semi-insulating GaAs doped with Cr / G. I. Ayzenshtat, M. V. Bimatov, O. P. Tolbanov, A. P. Vorobiev // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 2002. Vol. 494, is. 1-3. P. 210-213.

• GaAs as a material for particle detectors / A. I. Ayzenshtat, D. L. Budnitsky, O. B. Koretskaya, L. S. Okaevich, V. A. Novikov, A. I. Potapov, O. P. Tolbanov, A. V. Tyazhev, A. P. Vorobiev // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 2002. Vol. 494, is. 1–3. P. 120-127.

• GaAs resistor structures for X-ray imaging detectors / G. I. Ayzenshtat, D. L. Budnitsky, O. B. Koretskaya, L. S. Okaevich, A. I. Potapov, O. P. Tolbanov, A. V. Tyazhev, V. A. Novikov, A. P. Vorobiev // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 2002. Vol. 487, is. 1-2. P. 96-101.

• Modeling of characteristics of ionizing radiation detector based on AlGaAs-GaAs heterostructure / G. I. Ayzenshtat, V. A. Khan, D. Y. Mokeev, O. P. Tolbanov // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 2002. Vol. 494, is. 1-3. P. 229-232.

• Modeling of processes of charge separation in a GaAs detector / G. I. Ayzenshtat, O.P. Tolbanov, A.P. Vorobiev // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 2002. Vol. 494, is. 1–3. P. 199-204.

2003

• Айзенштат Г. И. Анализ возможности координатного преобразования потока ионизирующего излучения в излучение оптического диапазона с использованием GaAs-детекторов / Г. И. Айзенштат, Д. Ю. Мокеев, О. П. Толбанов // Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.). Томск, 2003. С. 120-122.

• Айзенштат Г. И. Разработка и исследование детекторов ионизирующих излучений и модулей изображения в Х-лучах на основе структур из полуизолирующего GaAs, компенсированного Сг в процессе диффузии / Г. И. Айзенштат, О. П. Толбанов, А. В. Тяжев // Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.). Томск, 2003. С. 116.

• Детекторы рентгеновского и γ-излучений на основе эпитаксиальных структур из арсенида галлия / Г. И. Айзенштат, В. П. Гермогенов, С. М. Гущин, О. П. Толбанов, О. Г. Шмаков // Вестник Томского государственного университета. 2003. № 278. С. 81-86. Библиогр.: 10 назв.

• Детекторы рентгеновского излучения и y-излучений на основе эпитаксиальных структур из арсенида галлия / Г. И. Айзенштат, В. П. Гермогенов, С. М. Гущин, О. П. Толбанов, О. Г. Шмаков // Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.). Томск, 2003. С. 117-118.

• Исследование амплитудных спектров координатного детектора рентгеновского излучения / Г. И. Айзенштат, М. В. Биматов, С. В. Плигин, А. И. Потапов, О. П. Толбанов // Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.). Томск, 2003. С. 151-153. Библиогр.: 7 назв.

• Фотоэлектрические характеристики детекторных структур на основе GaAs, компенсированного Cr / Г. И. Айзенштат, Д. Ю. Мокеев, Л. С. Окаевич, В. С. Потоцкий, О. П. Толбанов // Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.). Томск, 2003. С. 153-154.

• Charge collection in X-ray pixel detectors based on Si-GaAs doped with Cr / G. I. Ayzenshtat, M. V. Bimatov, O. P. Tolbanov, A. P. Vorobiev || Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 2003. Vol. 509, is. 1-3. P. 52-55.

• GaAs detectors for medical imaging / G. I. Ayzenshtat, E. A. Babichev, S. E. Baru, V. R. Groshev, G. A. Savinov, O. P. Tolbanov, A. P. Vorobiev // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 2003. Vol. 509, is. 1-3. P. 268-273.

2004

• Ерохин А. Н. Неразрушающий метод контроля полуизолирующего арсенида галлия для детекторов ионизирующего излучения / А. Н. Ерохин, Г. И. Айзенштат // Современные проблемы физики, технологии и инновационного развития : сборник статей молодых ученых. Томск, 2004. С. 84-87

• Исследование детекторов ионизирующих излучений, изготовленных на основе эпитаксиального арсенида галлия / Г. И. Айзенштат, М. Д. Вилисова, Е. П. Другова, Д. Ю. Мокеев, Л. А. Пороховниченко, В. А. Чубирко // Современные проблемы физики, технологии и инновационного развития : сборник статей молодых ученых. Томск, 2004. С. 100-102. Библиогр.: 2 назв.

• Пат. № RU 2229730 C2 Российская Федерация, МПК G01T 1/24, H01L 31/115. Детектор ионизирующего излучения : № 2002103133/28 : заявл. 04.02.2002 : опубл. 27.05.2004 / Айзенштат Г. И., Воробьев А. П., Толбанов О. П. - 5 с. : ил.

• GaAs detector material made from 3-inch wafers / G. I. Ayzenshtat, D. L. Budnitsky, O. B. Koretskaya, L. S. Okaevich, O. P. Tolbanov, A. V. Tyazhev, V. A. Novikov, D. Y. Mokeev // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 2004. Vol. 531, is. 1-2. P. 121-124.

• X-ray and γ-ray detectors based on GaAs epitaxial structures / G. I. Ayzenshtat, S. M. Guschin, V. P. Germogenov, O. G. Shmakov, L. S. Okaevich, O. P. Tolbanov, A. P. Vorobiev // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 2004. Vol. 531, is. 1-2. P. 97-102.

2005

• Воробьев А. П. GaAs детекторы для медицинской рентгенографии / А. П. Воробьев, С. Н. Головня, С. А. Горохов, В. В. Парахин, Ю. В. Роднов, Г. И. Айзенштат, В. П. Гермогенов, О. Б. Корецкая, О. П. Толбанов, А. В. Тяжев // Спектрометрический анализ. Аппаратура и обработка данных на ПЭВМ : сборник материалов 11 Ежегодного семинара в Государственном образовательном учреждении "Государственный центральный институт повышения квалификации руководящих работников и специалистов Минатома России ", Обнинск, 22-26 ноября 2004. [Б. м.], 2005. Ч. 2. С. 100-112.

• Detectors for the X-ray testing systems/ G. I. Ayzenshtat, M. A. Lelekov, A. I. Ivashchenko, L. P. Porokhovnichenko, L. G. Shapoval, M. D. Vilisova, D. Yu. Mokeev, O. P. Tolbanov // IEEE International Siberian conference on control and communications : SIBCON-2005 : proceedings, Russia, Tomsk, October 21-22, 2005. [S. l., 2005]. P. 72-77.

• GaAs radiation imaging detectors for nondestructive testing, medical, and biological applications / A. V. Tyazhev, V. A. Novikov, O. B. Koretskaya, D. Y. Mokeev, O. P. Tolbanov, S. A. Ryabkov, G. I. Ayzenshtat // Proceedings of SPIE. 2005. Vol. 5922. P. 1-9.

• New photovoltaic gamma and X-ray detector / Ayzenshtat G.I., Vilisova M.D., Drugova E.P., Porokhovnichenko L.P., Chubirko V.A., Mokeev D.Y. // IEEE International Siberian conference on control and communications : SIBCON-2005 : proceedings, Russia, Tomsk, October 21-22, 2005. [S. l., 2005]. P. 94-97.

• New Photov-oltaic Gamma and X-Ray Detector / G. I. Ayzenshtat, M. D. Vilisoval, E. P. Drugoval, D. Y. Mokeev, L. P. Porokhovnichenko, V. A. Chubirko // IEEE International Siberian conference on control and communications : SIBCON-2005 : proceedings, Russia, Tomsk, October 21-22, 2005. [S. l., 2005]. P. 94-97.

2006

• Айзенштат Г. И. Влияние эффектов захвата в детекторах из арсенида галлия на частотную зависимость выходного сигнала / Г. И. Айзенштат, М. А. Лелеков, Т. В. Медведева // Физика твердого тела : сборник материалов X Российской научной студенческой конференции, 4-6 мая 2006 г., Томск, Россия. Томск, 2006. С. 206-209.

• Айзенштат Г. И. Микростриповые детекторы на GaAs с контактами на основе модифицированных ионами слоев полупроводника / Г. И. Айзенштат, М. А. Лелеков // Фундаментальные проблемы новых технологий в 3-м тысячелетии : в рамках Российского научного форума с международным участием Демидовские чтения : Третья всероссийская конференция молодых ученых, 3-6 марта 2006, Томск, Россия. Томск, 2006. С. 146-149.

• Арсенидогаллиевые детекторы для маммографии / Г. И. Айзенштат, М. А. Лелеков, В. А. Новиков, Л. П. Пороховниченко, Д. Г. Прокопьев, О. П. Толбанов, А. В. Тяжев, Л. г. Шаповал // Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции. Томск, 2006. С. 477-480.

• Блок детектирования на основе GaAs-детекторов для сканирующих рентгеновских систем неразрушающего контроля / Д. Л. Будницкий, Д. Ю. Мокеев, В. А. Новиков, О. П. Толбанов, А. В. Тяжев, М. А. Лелеков, И. В. Пономарев, Г. И. Айзенштат, И. И. Надреев, И. Ф. Нам, М. А. Рожнев, С. А. Рябков, Б. Р. Коротков // Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V" (3-5 октября 2006 г., Томск, Россия) : материалы конференции. Томск, 2006. С. 533-536. Библиогр.: 3 назв.

• *Воробьев А. П. Матричный арсенид-галлиевый детектор 128*128 элементов для рентгенографии / А. П. Воробьев, С. Н. Головня, С. А. Горохов, В. В. Парахин, М. К. Полковников, Г. И. Айзенштат, М. А. Лелеков, О. Б. Корецкая, В. А. Новиков, О. П. Толбанов, А. В. Тяжев, Д. В. Бородин, Ю. В. Осипов // Препр. 2006. № 2. С. 1-8.

• Детекторный модуль для сканирующих систем рентгеновского контроля / Д. Л. Будницкий, Д. Ю. Мокеев, О. П. Толбанов, А. В. Тяжев, М. А. Лелеков, И. В. Пономарев, Г. И. Айзенштат, И. И. Надреев, И. Ф. Нам, М. А. Рожнев, С. А. Рябков, В. А. Новиков // Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V" (3-5 октября 2006 г., Томск, Россия) : материалы конференции. Томск, 2006. С. 493-495. Библиогр.: 2 назв.

• Детекторы рентгеновского излучения на эпитаксиальном арсениде галлия / Г. И. Айзенштат, М. Д. Вилисова, Е. П. Другова, М. А. Лелеков, Д. Ю. Мокеев, И. В. Пономарев, Л. П. Пороховниченко, О. П. Толбанов, В. А. Чубирко // Журнал технической физики. 2006. Т. 76. № 8. С. 46-49. Библиогр.: 9 назв.

• Матричный GaAs-детектор 128x128 элементов для рентгенографии / А. П. Воробьев, С. Н. Головня, С. А. Горохов, В. В. Парахин, М. К. Полковников, Г. И. Айзенштат, М. А. Лелеков, О. Б. Корецкая, В. А. Новиков, О. П. Толбанов, А. В. Тяжев, Д. В. Бородин, Ю. В. Осипов // Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V"(3-5 октября 2006 г., Томск, Россия) : материалы конференции. Томск, 2006. С. 489-492.

• Токоперенос в детекторах на основе арсенида галлия, компенсированного хромом / Г. И. Айзенштат, М. А. Лелеков, В. А. Новиков, Л. С. Окаевич, О. П. Толбанов // Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции. Томск, 2006. С. 512-516

• Частотная зависимость выходного сигнала в детекторах из арсенида галлия / Г. И. Айзенштат, М. А. Лелеков, Т. В. Медведева, О. П. Толбанов // Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции. Томск, 2006. С. 517-520

• GaAs radiation imaging detectors for nondestructive testing, medical, and biological applications / A. V. Tyazhev, V. A. Novikov, O. B. Koretskaya, D. Y. Mokeev O. P. Tolbanov, S. A. Ryabkov, G. I. Ayzenshtat // Proceedings of SPIE. 2005. Vol. 5922. P. 59220Q-1- 59220Q-9.

• The use of betatron gamma-beam for digital radiographic technique / A. R. Wagner, A. P. Potylitsyn, V. V. Kashkovskiy, Y. N. Adishev, S. A. Gorokhov, M. K. Polkovnikov, Yu. V. Rodnov, A. P. Vorobiev, R. E. Rydenko, G. I. Ayzenshtat, O. P. Tolbanov // RuPAC 2006 Contributions to the Proceedings : 20th Russian Conference on Charged Particle Accelerators. [S. l.], 2006. P. 369-371.

• X-ray detectors based on epitaxial gallium arsenide / G. I. Ayzenshtat, E. P. Drugova, M. A. Lelekov, L. P. Porokhovnichenko, V. A. Chubirko, M. D. Vilisova, D. Yu. Mokeev, I. V. Ponomarev, O. P. Tolbanov // Technical Physics. 2006. Vol. 51, is. 8. P. 1008-1011.

2007

• Айзенштат Г. И. Измерение высоты барьера на границе металл-полуизолирующий арсенид галлия / Г. И. Айзенштат, М. А. Лелеков, О. П. Толбанов // Физика и техника полупроводников. 2007. Т. 41, вып. 11. С. 1327-1328. Библиогр.: 4 назв.

• Пат. № RU 2291470 C2 Российская Федерация, МПК G01T 1/24 (2006.01). Детектирующее устройство для регистрации радиационных изображений с использованием твердотельных ионизационных камер : № 2004124297/28 : заявл. 09.08.2004 : опубл. 10.01.2007 / Воробьев А. П., Роднов Ю. В., Толбанов О. П., Айзенштат Г. И., Бородин Д. В., Осипов Ю. В. – 8 с. : ил.

• Пат. № RU 2306633 C1 Российская Федерация, МПК H01L 31/10 (2006.01), G01T 1/24 (2006.01). Полупроводниковый координатный детектор ионизирующего излучения : № 2006112709/28 : заявл. 17.04.2006 : опубл. 20.09.2007 / Айзенштат Г. И., Лелеков М. А., Иващенко А. И., Толбанов О. П. – 4 с. : ил.

• Регистрация коротких импульсов рентгеновского излучения при наносекундном разряде в воздухе атмосферного давления / Г. И. Айзенштат, Е. Х. Бакшт, И. Д. Костыря, М. А. Лелеков, М. И. Ломаев, И. И. Надреев, И. Ф. Нам, М. А. Рожнев, Д. В. Рыбка, С. А. Рябков, В. Ф. Тарасенко, О. П. Толбанов, А. В. Тяжев, Л. Г. Шаповал // Приборы и техника эксперимента. 2007. № 5. С. 125-129. Библиогр.: 17 назв.

• Токоперенос в детекторах на основе арсенида галлия, компенсированного хромом / Г. И. Айзенштат, М. А. Лелеков, В. А. Новиков, Л. С. Окаевич, О. П. Толбанов // Физика и техника полупроводников. 2007. Т. 41, № 5. С. 631-634. Библиогр.: 9 назв.

• Ayzenshtat G. I. Barrier-height measurement for a gallium arsenide metal-semi-insulator interface / G. I. Ayzenshtat, M. A. Lelekov, O. P. Tolbanov // Semiconductors. 2007. Vol. 41, is. 11. P. 1310-1311.

• Ayzenshtat G. I. The barrier height measurement at the boundary of metal - semi-insulating gallium arsenide / G. I. Ayzenshtat, M. A. Lelekov, O. P. Tolbanov // IEEE International Siberian conference on control and communications : SIBCON-2007 : proceedings, Russia, Tomsk, April 20-21, 2007. [S. l., 2007]. P. 211-214.

• Charge transport in detectors on the basis of gallium arsenide compensated with chromium / G. I. Ayzenshtat, M. A. Lelekov, V. A. Novikov, L. S. Okaevich, O. P. Tolbanov // Semiconductors. 2007. Vol. 41, № 5. P. 612-615.

• Detection of short x-ray pulses excited by an atmospheric-pressure discharge of nanosecond duration in air / G. I. Aizenshtat, M. A. Lelekov, O. P. Tolbanov, A. V. Tyazhev, L. G. Shapoval, E. Kh. Baksht, I. D. Kostyrya, M. I. Lomaev, D. V. Rybka, V. F. Tarasenko, I. I. Nadreev, I. F. Nam, M. A. Rozhnev, S. A. Ryabkov // Instruments and Experimental Techniques. 2007. Vol. 50, № 5. P. 695-699.

• The detecting modules for mammography / G. I. Ayzenshtat, M. A. Lelekov, V. A. Novikov, A. V. Tyazhev, O. P. Tolbanov, S. A. Ryabkov, M. A. Rozhnev, I. Ph. Nam // IEEE International Siberian conference on control and communications : SIBCON-2007 : proceedings, Russia, Tomsk, April 20-21, 2007. [S. l., 2007]. P. 226-227.

• The undestroying quality monitoring method for the GaAs detector structures / G. I. Ayzenshtat, M. A. Lelekov, O. P. Tolbanov, L. G. Shapoval // IEEE International Siberian conference on control and communications : SIBCON-2007 : proceedings, Russia, Tomsk, April 20-21, 2007. [S. l., 2007]. P. 219-222.

2008

• Айзенштат Г. И. Динамика формирования фотоответа в детекторной структуре из арсенида галлия / Г. И. Айзенштат, М. А. Лелеков, О. П. Толбанов // Физика и техника полупроводников. 2008. Т. 42, вып. № 4. С. 451-456. Библиогр.: 7 назв.

• Детекторы гамма-излучений на основе GaAs<Cr> для исследования наноструктур / Г. И. Айзенштат, Д. Л. Будницкий, Д. Ю. Мокеев, В. А. Новиков, Е. М. Сыресин, О. П. Толбанов, А. В. Тяжев, Г. А. Шелков // Известия высших учебных заведений. Физика. 2008. Т. 51, № 10. С. 38-52. Библиогр.: 62 назв.

• Исследование возможности создания детекторов мощных рентгеновских импульсов наносекундной длительности на арсениде галлия / Г. И. Айзенштат, К. В. Афанасьев, М. А. Лелеков, В. В. Ростов, О. П. Толбанов // Известия высших учебных заведений. Физика. 2008. Т. 51. № 9. С. 14-18. Библиогр.: 6 назв.

• A study of possibilities of development of GaAs detectors for high-power nanosecond X-ray pulses / G. I. Ayzenshtat, K. V. Afanas'Ev, V. V. Rostov, M. A. Lelekov, O. P. Tolbanov // Russian Physics Journal. 2008. Vol. 51, № 9. P. 897-901.

• Ayzenshtat G. I. Dynamics of formation of photoresponse in a detector structure made of gallium arsenide / G. I. Ayzenshtat, M. A. Lelekov, O. P. Tolbanov // Semiconductors. 2008. Vol. 42, № 4. P. 443-447.

• Gamma-ray detectors based on GaAs for nanostructural investigations / G. I. Ayzenshtat, D. Yu. Mokeev, V. A. Novikov, D. L. Budnitskii, O. P. Tolbanov, A. V. Tyazhev, E. M. Syresin, G. A. Shelkov // Russian Physics Journal. 2008. Vol. 51, № 10. P. 1037-1052.

2009

• Пат. № RU 86794 U1 Российская Федерация, МПК H01L 31/10 (2006.01). Микростриповый детектор ионизирующего излучения : № 2009117105/22 : заявл. 04.05.2009 : опубл. 10.09.2009 / Айзенштат Г. И., Лелеков М. А., Иващенко А. И. – 10 с. : ил.

• Системы цифровой регистрации изображения для рентгеновских аппаратов сканирующего типа / А. П. Воробьев, С. А. Горохов, С. Н. Головня, М. К. Полковников, Ю. В. Роднов, Г. И. Айзенштат, О. П. Толбанов, Д. В. Бородин, Ю. В. Осипов // Прикладная физика. 2009. № 3. С. 132-137.

2010

• Айзенштат Г. И. Дрейфовая скорость электронов в псевдоморфном транзисторе / Г. И. Айзенштат, В. Г. Божков, А. Ю. Ющенко // 20-Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2010), 13-17 сентября 2010 г., Севастополь, Крым, Украина : материалы конференции : в 2 т. Севастополь [и др.], 2010. Т. 1. С. 125-126.

• Айзенштат Г. И. Измерение скорости насыщения электронов в квантовой яме AlGaAs/InGaAs / Г. И. Айзенштат, В. Г. Божков, А. Ю. Ющенко // Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 9. С. 34-39. Библиогр.: 10 назв.

• Айзенштат Г. И. СВЧ pin-диоды на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs / Г. А. Айзенштат, В. Г. Божков, А. Ю. Ющенко, Е. А. Монастырев, И. М. Добуш // Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 9-2. С. 310-314. Библиогр.: 10 назв.

• Гетероструктурные p-i-n-диоды / Г. И. Айзенштат, В. Г. Божков, А. Ю. Ющенко, Е. А. Монастырев // 20-Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2010), 13-17 сентября 2010 г., Севастополь, Крым, Украина : материалы конференции : в 2 т. Севастополь [и др.], 2010. Т. 1. С. 169-170.

• Монолитная интегральная схема защитного устройства на основе p-i-n-диодов / А. Ю. Ющенко, Е. А. Монастырев, Г. И. Айзенштат, В. Г. Божков, А. В. Акимов // 20-Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2010), 13-17 сентября 2010 г., Севастополь, Крым, Украина : материалы конференции : в 2 т. Севастополь [и др.], 2010. Т. 1. С. 153-154.

• Пат. № RU 94381 U1 Российская Федерация, МПК H01L 31/115 (2006.01), H01L 31/10 (2006.01). Координатный детектор : № 2010101574/22 : заявл. 19.01.2010 : опубл. 20.05.2010 / Айзенштат Г. И. - 13 с. : ил.

• Пат. № RU 94765 U1 Российская Федерация, МПК H01L 31/00 (2006.01). Ограничитель СВЧ мощности : № 2010104470/22 : заявл. 09.02.2010 : опубл. 27.05.2010 / Айзенштат Г. И., Монастырев Е. А., Ющенко А. Ю. - 11 с. : ил.

• Разработка и исследование СВЧ-ограничителей мощности на основе pin-диодов / А. Ю. Ющенко, Г. И. Айзенштат, В. Г. Божков, Е. А. Монастырев, А. И. Иващенко, А. В. Акимов // Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 9-2. С. 315-319. Библиогр.: 9 назв.

• Разработка монолитных интегральных схем коммутаторов на pin-диодах для С- и Х-диапазонов частот / А. Ю. Ющенко, Г. И. Айзенштат, В. Г. Божков, Е. А. Монастырев, А. И. Иващенко, С. С. Кузнецов // Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 9-2. С. 320-323. Библиогр.: 3 назв.

• Разработка элементной базы для создания СВЧ-модулей / А. Ю. Ющенко, Г. И. Айзенштат, В. Г. Божков, Е. А. Монастырев // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. 2010. № 2-1. С. 62-66. Библиогр.: 3 назв.

• Рекомбинация носителей заряда в арсенид-галлиевом p-i-n-диоде / Г. И. Айзенштат, А. Ю. Ющенко, С. М. Гущин, Д. В. Дмитриев, К. С. Журавлев, А. И. Торопов // Физика и техника полупроводников. 2010. Т. 44, вып. 10. С. 1407-1410. Библиогр.: 7 назв.

• СВЧ псевдоморфный транзистор с высокой подвижностью электронов / А. Ю. Ющенко, Г. И. Айзенштат, В. Г. Божков, Л. И. Бабак, И. М. Добуш, А. С. Сальников // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. 2010. № 2, ч. 1. С. 59-61. Библиогр.: 6 назв.

• Recombination of charge carriers in the GaAs-based p-i-n diode / G. I. Ayzenshtat, A. Y. Yushenko, S. M. Gushchin, D. V. Dmitriev, K. S. Zhuravlev, A. I. Toropov // Semiconductors. 2010. Vol. 44, is. 10. P. 1362-1364.

• Yushenko A. Yu. Integral circuits of voltage control limiters / A. Yu. Yushenko, G. I. Ayzenshtat, E. A. Monastyryov // 2010 IEEE 2nd Russia School and Seminar on Fundamental Problems of Micro/Nanosystems Technologis : MNST’2010, 9-11 December 2010. [S. l., 2010]. P. 43-44.

2011

• Гетероструктурные монолитные интегральные схемы малошумящего усилителя Х-диапазона и pin-диодного ограничителя мощности / А. Ю. Ющенко, Г. И. Айзенштат, В. Г. Божков, Е.А. Монастырев, И. М. Добуш // Мокеровские чтения : научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 12−13 мая 2011 года : тезисы докладов. Москва, 2011. С. 26–27. Библиогр.: 2 назв.

• Исследование характеристик МШУ Х-диапазона с защитой по входу / А. Ю. Ющенко, Г. И. Айзенштат, В. Г. Божков, Е. А. Монастырев, А. И. Иващенко // CRIMICO 2011. 21st International Crimean conference: microwave and telecommunication technology, conference proceedings, September 12—16, 2011, Sevastopol, Crimea, Ukraine. [Moscow ; Kiev ; Minsk ; Sevastopol, 2011]. P. 161-162.

• Комплект сверхширокополосных МИС коммутаторов на основе гетероструктурных pin-диодов / А. Ю. Ющенко, Г. И. Айзенштат, Е. А. Монастырев, В. Г. Божков // CRIMICO 2011. 21st International Crimean conference: microwave and telecommunication technology, conference proceedings, September 12—16, 2011, Sevastopol, Crimea, Ukraine. [Moscow ; Kiev ; Minsk ; Sevastopol, 2011]. P. 165-166.

• МИС коммутаторов С- и Х-диапазонов на основе гетероструктурных pin-диодов / А. Ю. Ющенко, Г. И. Айзенштат, Е. А. Монастырев, В. Г. Божков // CRIMICO 2011. 21st International Crimean conference: microwave and telecommunication technology, conference proceedings, September 12—16, 2011, Sevastopol, Crimea, Ukraine. [Moscow ; Kiev ; Minsk ; Sevastopol, 2011]. P. 169-170.

• МИС ограничителя мощности на основе pin-диодов и диодов Шоттки / А. Ю. Ющенко, Г. И. Айзенштат, Е. А. Монастырев, В. Г. Божков, А. И. Иващенко // CRIMICO 2011. 21st International Crimean conference: microwave and telecommunication technology, conference proceedings, September 12—16, 2011, Sevastopol, Crimea, Ukraine. [Moscow ; Kiev ; Minsk ; Sevastopol, 2011]. P. 163-164.

• Монолитная интегральная схема ограничителя СВЧ мощности, управляемого напряжением / А. Ю. Ющенко, Г. И. Айзенштат, Е. А. Монастырев, А. В. Акимов // CRIMICO 2011. 21st International Crimean conference: microwave and telecommunication technology, conference proceedings, September 12—16, 2011, Sevastopol, Crimea, Ukraine. [Moscow ; Kiev ; Minsk ; Sevastopol, 2011]. P. 167-168.

• Монолитные интегральные схемы СВЧ на основе гетероструктурных GaAs pin диодов / А. Ющенко, Г. Айзенштат, В. Божков, Е. Монастырев // Современная электроника. 2011. № 7. С. 30-32. Библиогр.: 9 назв.

• Пат. № RU 102846 U1 Российская Федерация, МПК H01L 31/00 (2006.01). Ограничитель СВЧ мощности : № 2010143654/28 : заявл. 25.10.2010 : опубл. 10.03.2011 / Айзенштат Г. И., Монастырев Е. А., Ющенко А. Ю. – 12 с. : ил.

• Пат. № RU 108691 U1 Российская Федерация, МПК H01L 31/00 (2006.01). Детекторный модуль : № 2011117207/28 : заявл. 28.04.2011 : опубл. 20.09.2011 / Айзенштат Г. И., Прокопьев Д. Г. - 12 с. : ил.

• СВЧ-монолитные интегральные схемы широкополосных коммутаторов и ограничителей мощности на основе гетероструктурных арсенидгаллиевых pin-диодов / А. Ю. Ющенко, Г. И. Айзенштат, Е. А. Монастырев, В. Г. Божков // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. 2011. № 2-2. С. 10-16. Библиогр.: 7 назв.

• Ayzenshtat G. I. Measurement of the electron saturation velocity in an AlGaAs/INGaAs quantum well / G. I. Ayzenshtat, V. G. Bozhkov, A. Y. Yushchenko // Russian Physics Journal. 2011. Vol. 53, № 9. P. 914-919.

2012

• Айзенштат Г. И. Пиксельный детектор на арсениде галлия для маммографии / Г. И. Айзенштат, Д. Г. Прокопьев // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 107-113. URL1: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000448622

• Матричный арсенид-галлиевый детектор для рентгенографии / А. П. Воробьев, С. Н. Головня, С. А. Горохов, В. В. Парахин, М. К. Полковников, Г. И. Айзенштат, М. А. Лелеков, О. Б. Корецкая, В. А. Новиков, О. П. Толбанов, А. В. Тяжев, Д. В. Бородин, Ю. В. Осипов // Медицинская техника. 2012. № 5. С. 21-26.

• МИС двойного балансного смесителя для K-, KA-диапазонов частот на основе диодов Шоттки вертикальной конструкции / А. Ю. Ющенко, Г. И. Айзенштат, В. Г. Божков, А. И. Иващенко // 2012 : 22ND International Crimean conference microwave and telecommunication technology, CRIMICO 2012. Sevastopol, Crimea, 2012. P. 93-94.

• МИС мощного переключателя прием-передача с защитой приемного канала для X-диапозона частот на основе pin-диодов / А. Ю. Ющенко, Г. И. Айзенштат, Е. А. Монастырев, В. Г. Божков, А. И. Иващенко // 2012 : 22ND International Crimean conference microwave and telecommunication technology, CRIMICO 2012. Sevastopol, Crimea, 2012. P. 89-90.

• Монолитная интегральная схема двойного балансного смесителя для K-, Kа-диапазонов частот на основе диодов Шоттки вертикальной конструкции / А. Ю. Ющенко, Г. И. Айзенштат, В. Г. Божков, А. И Иващенко // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 140-141. URL1: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000448700

• Монолитная интегральная схема мощного переключателя прием – передача с защитой приемного канала для Х-диапазона частот на основе pin-диодов / А. Ю. Ющенко, Г. И. Айзенштат, Е. А. Монастырев, В. Г. Божков, А. И. Иващенко, В. В. Преображенский // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 9/2. С. 287-289. URL1: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000449439

• Пассивные МИС для создания СВЧ усилителей мощности на основе дискретных GaN-транзисторов / А. Ю. Ющенко, Г. И. Айзенштат, Е. А. Монастырев, В. Г. Божков, А. И. Иващенко // 2012 : 22ND International Crimean conference microwave and telecommunication technology, CRIMICO 2012. Sevastopol, Crimea, 2012. P. 74-75.

• Пассивные МИС для создания СВЧ-усилителей мощности на основе дискретных GaN-транзисторов / А. Ю. Ющенко, Г. И. Айзенштат, Е. А. Монастырев, В. Г. Божков, А. И. Иващенко // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 130-132. URL1: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000448679

• Пат. № RU 118471 U1 Российская Федерация, МПК H01L 21/00 (2006.01). Носитель кристалла СВЧ-прибора или интегральной схемы : № 2012112752/28 : заявл. 02.04.2012 : опубл. 20.07.2012 / Ющенко А. Ю., Айзенштат Г. И., Монастырев Е. А., Иващенко А. И. – 8 с. : ил.

• Пат. № RU 2456705 C1 Российская Федерация, МПК H01L 27/02 (2006.01). Ограничитель СВЧ мощности : № 2011102631/28 : заявл. 24.01.2011 : опубл. 20.07.2012 / Ющенко А. Ю., Айзенштат Г. И., Монастырев Е. А. – 5 с. : ил.

• Пат. № RU 2461915 C1 Российская Федерация, МПК H01L 31/04 (2006.01). Ядерная батарейка : № 2011117288/28 : заявл. 28.04.2011 : опубл. 20.09.2012 / Айзенштат Г. И., Прокопьев Д. Г. – 6 с. : ил.

• Пат. № RU 2461919 C1 Российская Федерация, МПК H01P 1/00 (2006.01). СВЧ переключатель прием-передача : № 2011116778/07 : заявл. 27.04.2011 : опубл. 20.09.2012 / Ющенко А. Ю., Айзенштат Г. И., Монастырев Е. А. – 6 с. : ил.

• Пат. № RU 2463682 C1 Российская Федерация, МПК H01L 21/335 (2006.01), B82B 3/00 (2006.01). Способ изготовления полевого транзистора : № 2011102638/28 : заявл. 24.01.2011 : опубл. 10.10.2012 / Айзенштат Г. И., Ющенко А. Ю., Иващенко А. И. – 6 с. : ил.

• PHEMT-технология создания КВЧ монолитных интегральных схем с проектной нормой от 100 нм / Г. И. Айзенштат, А. Ю. Ющенко, В. Г. Божков, А. И. Иващенко // 2012 : 22ND International Crimean conference microwave and telecommunication technology, CRIMICO 2012. Sevastopol, Crimea, 2012. P. 601-602.

• PHEMT-технология создания монолитных интегральных схем КВЧ-диапазона с проектной нормой от 100 нм / Г. И. Айзенштат, А. Ю. Ющенко, В. Г. Божков, А. И. Иващенко // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 93-94. URL1: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000448616

2013

• Волноводная монолитная интегральная схема ограничителя СВЧ-мощности на основе pin-диодов для 3-мм диапазона длин волн / А. В. Безрук, А. Ю. Ющенко, Г. И. Айзенштат, В. Г. Божков, В. И. Перфильев // Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 8-3. С. 174-176. Библиогр.: 3 назв.

• Исследование зависимостей прямого сопротивления потерь от радиуса активной области и от тока в СВЧ-pin-диодах на арсениде галлия / Г. И. Айзенштат, А. Ю. Ющенко, В. Г. Божков, А. В. Безрук // Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 8-3. С. 88-96. Библиогр.: 10 назв.

• Ограничитель СВЧ мощности на основе pin-диодов для диапазона частот 100—110 ГГц в виде волноводной МИС = The microwave power limiter based on pin-diodes for the frequency range of 100-110 GHz in form of waveguide MIC / А. В. Безрук, А. Ю. Ющенко, Г. И. Айзенштат, В. Г. Божков, В. И. Перфильев // CriMiCo 2013 : 2013 23rd International Crimean Conference Microwave and Telecommunication Technology : conference proceedings.[S. l.], 2013. P. 74-75.

• Пат. № RU 124049 U1 Российская Федерация, МПК H01L 31/00 (2006.01). Гетероструктурный СВЧ pin-диод : № 2012125130/28 : заявл. 15.06.2012 : опубл. 10.01.2013 / Айзенштат Г. И., Ющенко А. Ю., Божков В. Г., Монастырев Е. А. – 10 с. : ил.

• Пат. № RU 124050 U1 Российская Федерация, МПК H01L 31/00 (2006.01). Сложнофункциональная СВЧ монолитная интегральная схема : № 2012138987/28 : заявл. 11.09.2012 : опубл. 10.01.2013 / Ющенко А. Ю., Айзенштат Г. И., Монастырев Е. А., Божков В. Г. – 11 с. : ил.

• Пат. № RU 2498460 C1 Российская Федерация, МПК H01L 31/115 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01). Рентгеновский детектор : № 2012116815/28 : заявл. 24.04.2012 : опубл. 10.11.2013 / Айзенштат Г. И., Прокопьев Д. Г. – 8 с. : ил.

• Пат. № RU 2503087 C1 Российская Федерация, МПК H01L 27/02 (2006.01). Монолитная интегральная схема миллиметрового диапазона : № 2012125119/28 : заявл. 15.06.2012 : опубл. 27.12.2013 / Ющенко А. Ю., Айзенштат Г. И., Божков В. Г. – 7 с. : ил.

• Сложнофункциональная СВЧ монолитная интегральная схема на основе GaAs pin-диодов для приемопередающих модулей АФАР Х-диапазона = Multifunction monolithic GaAs pin-diode core chip for X-band AESA T/R modules / А. Ю. Ющенко, Г. И. Айзенштат, Е. А. Монастырев, В. Г. Божков, А. И. Иващенко, А. В. Безрук // CriMiCo 2013 : 2013 23rd International Crimean Conference Microwave and Telecommunication Technology : conference proceedings.[S. l.], 2013. P. 72-73.

• A matrix gallium-arsenide detector for roentgenography / A. P. Vorobiev, S. N. Golovnya, S. A. Gorokhov, V. V. Parakhin, M. K. Polkovnikov, G. I. Ayzenshtat, M. A. Lelekov, O. B. Koretskaya, V. A. Novikov, O. P. Tolbanov, A. V. Tyazhev, D. V. Borodin, Y. V. Osipov // Biomedical engineering. 2013. Vol. 46, № 5. P. 194-198. URL1: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000454047

2014

• Айзенштат Г. И. Переходные процессы в СВЧ-pin-диодах на арсениде галлия / Г. И. Айзенштат, А. Ю. Ющенко, В. Г. Божков // Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 12. С. 14-19. URL1: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000501841

• Пат. № RU 2515181 C1 Российская Федерация, МПК H01L 27/10 (2006.01), H01L 29/868 (2006.01). Сверхширокополосный ограничитель СВЧ-мощности : № 2012139727/28 : заявл. 17.09.2012 : опубл. 10.05.2014 / Ющенко А. Ю., Айзенштат Г. И., Монастырев Е. А., Божков В. Г. – 6 с. : ил.

• Прямое сопротивление потерь в СВЧ pin-диодах на арсениде галлия / Г. И. Айзенштат, А. Ю. Ющенко, В. Н. Божков, А. В. Безрук // Электронная промышленность. 2014. № 1. С. 45-55.

• Результаты ОАО "НИИПП" в области разработки GaAs СВЧ МИС на основе pin-диодов / А. Ю. Ющенко, Г. И. Айзенштат, Е. А. Монастырев, В. Г. Божков, А. И. Иващенко, А. В. Безрук // Электронная промышленность. 2014. № 1. С. 65-75.

2015

• Айзенштат Г. И. Метод определения амбиполярной диффузионной длины и времени жизни носителей в P–I–N-диодах на арсениде галлия / Г. И. Айзенштат, А. Ю. Ющенко // Приборы и техника эксперимента. 2015. № 2. С. 118-121. Библиогр.: 9 назв.

• Контактные устройства для зондовых измерений СВЧ нитридгаллиевых усилителей мощности в импульсном режиме / А. Ю. Ющенко, Г. И. Айзенштат, А. А. Пласкеев, А. В. Безрук, А. И. Иващенко, У. М. Фролова, Ф. И. Федотова // Электронная техника. Сер. 1: СВЧ-техника. 2015. № 1. С. 40-46.

• Пат. № RU 154145 U1 Российская Федерация, МПК H01L 27/02 (2006.01). Квазимонолитная интегральная схема СВЧ усилителя мощности : № 2015100355/28 : заявл. 12.01.2015 : опубл. 20.08.2015 / Ющенко А. Ю., Айзенштат Г. И. – 5 с. : ил.

• Ayzenshtat G. I. A method for determining the ambipolar diffusion length and carrier lifetime in GaAs p-i-n diodes / G. I. Ayzenshtat, A. Y. Yushchenko // Instruments and experimental techniques. 2015. Vol. 58, № 2. P. 107-110. URL1: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000582409

• Ayzenshtat G. I. Transient processes in the GaAs-based microwave-pin-diodes / G. I. Ayzenshtat, A. Y. Yushchenko, V. G. Bozhkov // Russian physics journal. 2015. Vol. 57, № 12. P. 1627-1633. URL1: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000551927

2016

• Пат.№ RU 2581764 C1 Российская Федерация, МПК H01L 27/06 (2006.01). Монолитная интегральная схема защитного устройства : № 2015100558/28 : заявл. 12.01.2015 : опубл. 20.04.2016 / Ющенко А. Ю., Айзенштат Г. И. – 6 с. : ил.

2017

• The formation of amplitude spectra in X-ray pixel detectors made of gallium arsenide / G. Ayzenshtat, O. Tolbanov, D. Prokopiev, S. Baidali // Journal of X-Ray Science and Technology. 2017. Vol. 25, № 4. P. 585-595.

2018

• Широкополосные СВЧ-переключатели для поверхностного монтажа / А. Ющенко, А. Усюкевич, Г. Айзенштат, Ф. Федотова, А. Пласкеев, С. Кеврух // СВЧ-электроника. 2018. № 3. С. 6-8. Библиогр.: 2 назв.

• Ющенко А. Ю. Диоды Шоттки на гетероструктурах с двумерным электронным газом / А. Ю. Ющенко, Г. И. Айзенштат, Ф. И. Федотова // Известия вузов. Физика. 2018. Т. 61, № 12 (732). С. 14-20. Библиогр.: 22 назв.

2019

• Влияние конструкции и уровня легирования гетероструктур pHEMT на свойства ключевых транзисторов / Д. Ю. Протасов, Д. В. Дмитриев, Д. В. Гуляев, К. С. Журавлев, Г. И. Айзенштат, А. Ю. Ющенко // Мокеровские чтения : 10-я Юбилейная Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 15-16 мая 2019 года : сборник трудов. Москва, 2019. С. 63-64. Библиогр.: 2 назв.

• Широкополосные переключатели на основе pHEMT и pin-технологий / А. А. Усюкевич, А. Ю. Ющенко, Г. И. Айзенштат, Е. В. Емельянов, Ф. И. Федотова, У. М. Фролова, А. В. Безрук // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : 29-я Международная Крымская конференция : тезисы докладов, 8—14 сентября 2019 г. Севастополь, Крым, Россия. Москва ; Минск ; Севастополь, 2019. С. 10-11. Библиогр.: 3 назв.

• Yushchenko A. Y. Schottky diodes on heterostructures with two-dimensional electron gas / A. Y. Yushchenko, G. I. Ayzenshtat, F. I. Fedotova // Russian Physics Journal. 2019. Vol. 61, № 12. P. 2159-2166.

2020

• МИС пассивных умножителей для диапазона частот 40-90 ГГц / А. А. Пласкеев, Е. В. Емельянов, А. Ю. Ющенко, Г. И. Айзенштат // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии. 2020. № 1-1. С. 17-18. Библиогр.: 4 назв.

Литература о трудах и деятельности

Айзенштат Геннадий Исаакович // Профессора Томского университета: биогр. словарь. Томск, 2013. Т. 6: 2003-2012. С. 21-24: фото.