Брудный, Валентин Натанович

Брудный Валентин Натанович
Место работы:	Томский государственный университет, Физический факультет, кафедра физики полупроводников, профессор
Учёная степень:	доктор физико-математических наук
Учёное звание:	профессор

Хронологический список работ

1966

• Кривов М. А. Влияние облучения электронами на электрические свойства арсенида галлия / М. А. Кривов, С. В. Малянов, В. Н. Брудный // Известия высших учебных заведений. Физика. 1966. № 6. С. 132—134.

• Krivov M. A. Effect of electron bombardment on electrical properties of gallium arsenide / M. A. Krivov, S. V. Malyanov, V. N. Brudnyi // Soviet Physics Journal. 1966. Vol. 9, № 6. P. 75–76.

1970

• Вольт-амперные характеристики арсенид-галлиевых туннельных р—n-переходов, облученных быстрыми нейтронами / З. М. Алексеева, В. Н. Брудный, М. А. Кривов // Известия высших учебных заведений. Физика. 1970. № 3. С. 146—149.

• Current-voltage characteristics of gallium arsenide tunnel p-n junctions irradiated by fast neutrons / Z. M. Alekseeva, V. N. Brudnyi, M. A. Krivov, S. V. Malyanov, O. N. Khomchuk // Soviet Physics Journal. 1970. Vol. 13, № 3. P. 404–407.

• Effect of electron irradiation on the parameters of gallium arsenide pulsed diodes / V. N. Brudnyi, A. A. Vilisov, A. P. Vyatkin, M. A. Krivov, S. V. Malyanov // Soviet Physics Journal. 1970. Vol. 13, № 1. P. 506–510.

1971

• Браиловский Е. Ю. Отжиг дефектов и образование областей разупорядочения в GaAs при электронном облучении / Е. Ю. Браиловский, В. Н. Брудный // Физика и техника полупроводников. 1971. Т. 5, вып. 6. С. 1248—1251.

• Влияние электронного (1,5 Мэв) и протонного (5 Мэв) облучений на электрические, оптические и фотоэлектрические характеристики арсенида галлия / М. А. Кривов, В. Н. Брудный, С. В. Малянов, В. Г. Мелев, П. Е. Рамазанов, В. П. Редько // Радиационная физика неметаллических кристаллов. Киев : Наукова думка, 1971. Т. 3, ч. 2. С. 16-21.

• Brailovskii E. Yu. Annealing of defects and formation of disordered regions in GaAs subjected to electron bombardment / E. Yu. Brailovskii, V. N. Brudnyi // Soviet physics. Semiconductors. Vol. 5, № 6. P. 1101-1103.

1972

• Браиловский Е. Ю. Введение и отжиг дефектов в n-GaAs при электронном облучении / Е. Ю. Браиловский, В. Н. Брудный // Радиационные дефекты в полупроводниках. Минск, 1972. С. 141-143.

• Брудный В. Н. Исследование структурных нарушений в арсениде галлия, облученном электронами : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. Н. Брудный. - Томск, 1972. - 154 с.

• Брудный В. Н. Отжиг радиационных дефектов в p-GaAs, облученном большими дозами электронов / В. Н. Брудный, Е. Ю. Браиловский // Радиационные дефекты в полупроводниках. Минск, 1972. С. 144-146.

• Брудный В. Н. Спектры оптического поглощения GaAs, облученного большими интегральными потоками электронов, протонов и α-частиц / В. Н. Брудный, М. А. Кривов, В. Б. Редько // Радиационные дефекты в полупроводниках. Минск, 1972. С. 270-271.

• Влияние электронного облучения на фотодиоды на основе арсенида галлия / В. Н. Брудный, В. П. Воронков, М. А. Кривов, С. В. Малянов // Известия высших учебных заведений. Физика. 1972. № 1. С. 106—107.

• Спектры оптического поглощения n-GaAs, облученного большими интегральными потоками электронов / Е. Ю. Браиловский, В. Н. Брудный, М. А. Кривов, В. Б. Редько // Физика и техника полупроводников. 1972. Т. 6, вып. 10. С. 2075—2077.

• Effects of electron irradiation on gallium arsenide photodiodes / V. N. Brudnyi, V. P. Voronkov, M. A. Krivov, S. V. Malyanov // Soviet Physics Journal. 1972. Vol. 15, № 1. P. 83–84.

1973

• Брудный В. Н. Исследование структурных нарушений в арсениде галлия, облученном электронами : автореферат дис. на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. (01.04.10) / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева. - Томск : [б. и.], 1973. - 16 с.

• Дополнительное оптическое поглощение в облученном арсениде галлия / В. Н. Брудный, Д. Л. Будницкий, М. А. Кривов, В. П. Редько // Доклады юбилейной научно-технической конференции Радиофизического факультета. Томск, 1973. Ч. 1: Секция физики полупроводников и диэлектриков. С. 101-105.

• Отжиг дефектов в облученном электронами арсениде галлия / В. Н. Брудный, В. П. Зайков, С. П. Колосова, М. А. Кривов, Е. А. Попова // Доклады юбилейной научно-технической конференции Радиофизического факультета. Томск, 1973. Ч. 1: Секция физики полупроводников и диэлектриков. С. 106-110.

• Электрические, оптические свойства и особенности отжига дефектов для образцов арсенида галлия, облученных большими интегральными потоками электронов / В. Н. Брудный, Е. Ю. Браиловский, Д. Л. Будницкий, М. А. Кривов // Дефекты структуры в полупроводниках. Новосибирск, 1973. С. 267-269.

• Brailovskii E. Yu. Annealing of defects and formation of clustors in n-GaAs / E. Yu. Brailovskii, V. N. Brudnyi, A. A. Groza // Radiation Damage and Defects in Semiconductors. London, 1973. P. 121-128.

• Optical absorption spectra of n-type GaAs irradiated with large electron doses / E. Y. Brailovskii, V. N. Brudnyi, M. A. Krivov, V. B. Red'ko // Soviet Physics. Semiconductors. Vol. 6, № 10. P. 1768-1769.

1974

• Браиловский Е. Ю. Радиационные дефекты в сильно облученных кристаллах p-GaAs / Е. Ю. Браиловский, В. Н. Брудный // Физика и техника полупроводников. 1974. Т. 8, вып. 5. С. 963—965.

• Брудный В. Н. Низкотемпературное облучение и отжиг арсенида галлия / В. Н. Брудный, М. А. Кривов // Известия высших учебных заведений. Физика. 1974. № 6. С. 147—149.

• Брудный В. Н. Оптическое поглощение в арсениде галлия с большой концентрацией собственных дефектов решетки / В. Н. Брудный, Д. Л. Будницкий, М. А. Кривов // Арсенид галлия. Томск, 1974. Вып. 4. С. 37-39.

• Влияние электронного облучения на электрофизические свойства арсенида галлия / М. А. Кривов, В. Н. Брудный, В. Г. Мелёв, С. П. Колосова // Физика твердого тела. Красноярск, 1974. С. 205-210.

• Датчик давления на основе арсенид-галлиевых туннельных диодов, облученных электронами / Н. П. Криворотов, А. П. Вяткин, В. Н. Брудный, М. А. Кривов // Приборы и техника эксперимента. 1974. № 6. С. 168—170.

• Инфракрасное поглощение в арсениде галлия, обусловленное глубокими уровнями дефектов / В. Н. Брудный, Е. Ю. Браиловский, М. А. Кривов, В. П. Редько // Известия высших учебных заведений. Физика. 1974. № 10. С. 118—121.

• Образование скоплений дефектов в арсениде галлия с большой концентрацией точечных радиационных нарушений / Е. Ю. Браиловский, В. Н. Брудный, И. Д. Конозенко, М. А. Кривов, В. П. Тартачник // Арсенид галлия. Томск, 1974. Вып. 4. С. 78-80.

• Brudnyi V. N. Low-temperature irradiation and annealing of gallium arsenide / V. N. Brudnyi, M. A. Krivov // Soviet Physics Journal. 1974. Vol. 17, № 6. P. 887–889.

• Infrared absorption in gallium arsenide, produced by deep defect levels / V. N. Brudnyi, E. Yu. Brailovskii, M. A. Krivov, V. P. Red'ko // Soviet Physics Journal. 1974. Vol. 17, № 10. P. 1434–1436.

• Radiation Defects in Heavily Irradiated GaAs / E. Yu. BrailovskiiV. N. BroudnyiI. D. KonozenkoM. A. Krivov // Recent Advances in Science and Technology of Materials. New York ; London, 1974. Vol. 1. P. 47-58.

1975

• The Infrared attenuation in α-particle irradiated gallium arsenide / V. N. Brudnyi, D. L. Budnitskii, M. A. Krivov, V. P. Redko // Physica status solidi (a). 1975. Vol. 27, iss. 2. P. K95-K97.

1976

• Брудный В. Н. Исследование дефектов в кристаллах CdSnAs2, облученных электронами / В. Н. Брудный, О. В. Воеводина, М. А. Кривов // Физика и техника полупроводников. 1976. Т. 10, вып. 7. С. 1311–1314.

• Влияние собственных дефектов решетки на избыточные токи туннельных диодов из арсенида галлия / З. М. Алексеева, В. Н. Брудный, М. А. Кривов, Н. П. Криворотов // Известия высших учебных заведений. Физика. 1976. № 9. С. 88-92.

• Исследование радиационных дефектов в некоторых соединениях AIIBIVCV2 / В. Н. Брудный, В. Н. Воеводин, А. П. Вяткин, Т. В. Ведерникова, О. В. Воеводина, А. И. Грибенюков, М. А. Кривов, В. Г. Мелев // Всесоюзная конференция «Тройные полупроводники и их применение» : тезисы докладов. Кишинев, 1976. С. 30-31.

• Effect of intrinsic lattice defects on excess currents of gallium arsenide tunnel diodes / Z. M. Alekseeva, V. N. Brudnyi, M. A. Krivov, N. P. Krivorotov // Soviet Physics Journal. 1976. Vol. 19, № 9. P. 1174–1177.

• p–n-type conversion and optical properties of 2.0 MeV electron-irradiated ZnSnAs2 / V. N. Brudnyi, D. L. Budnitskii, M. A. Krivov, V. G. Melev // Physica status solidi (a). 1976. Vol. 35, iss. 2. P. 425-430.

1977

• Брудный В. Н. Спектры оптического поглощения облученного электронами p-GaAs / В. Н. Брудный, Д. Л. Будницкий, М. А. Кривов // Известия высших учебных заведений. Физика. 1977. № 5. С. 139-142.

• Брудный В. Н. О характере поглощения в облученном электронами n-GaAs / В. Н. Брудный, Д. Л. Будницкий, М. А. Кривов // Известия высших учебных заведений. Физика. 1977. № 10. С. 136-138.

• Электрофизические и рекомбинационные характеристики CdxHg1-xTe, облученного электронами при T=300К / В. Н. Брудный, А. В. Войцеховский, З. Г. Гречух, М. А. Кривов, Ю. В. Лиленко, Л. И. Лимаренко, М. В. Пашковский, А. С. Петров, А. И. Потапов // Физика и техника полупроводников. 1977. Т. 11, № 8. С. 1540-1544.

• Brudnyi V. N. Nature of absorption in electron-irradiated n-GaAs / V. N. Brudnyi, D. L. Budnitskii, M. A. Krivov // Soviet Physics Journal. 1977. Vol. 20, № 10. P. 1369–1372.

• Brudnyi V. N. Optical absorption spectra of electron-irradiated p-type GaAs / V. N. Brudnyi, D. L. Budintskii, M. A. Krivov // Soviet Physics Journal. 1977. Vol. 20, № 5. P. 675–678.

1978

• Аннигиляция позитронов и оптические свойства облученного электронами n-GaAs / К. П. Арефьев, В. Н. Брудный, Д. Л. Будницкий, С. А. Воробьев, М. А. Кривов, А. А. Цой // Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 года : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева, Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Э. Н. Мельченко]. Томск : [б. и.], 1978. С. 148.

• Брудный В. Н. Радиационные дефекты в арсениде галлия / В. Н. Брудный, М. А. Кривов // Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 года : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева, Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Э. Н. Мельченко]. Томск : [б. и.], 1978. С. 16-18. Библиогр.: 3 назв.

• Влияние ионной имплантации на мощность излучения арсенидогаллиевых эпитаксиальных p-n-переходов / Ю. К. Пантелеев, Б. С. Азиков, Л. Л. Широков, Н. Е. Безруких, В. Н. Брудный, И. В. Каменская // Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 года : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева, Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Э. Н. Мельченко]. Томск : [б. и.], 1978. С. 145-146.

• Дефекты и радиационная технология узкозонных полупроводников CdxHg1–xTe, PbxSn1–xTe(Se) / Брудный В.Н., Войцеховский А.В., Кривов М.А., Петров А.С. // Физические основы радиационной технологии твердотельных электронных приборов. Киев, 1978. С. 24–36.

• Исследование дефектов в облученном электронами арсениде галлия в условиях гиддростатического давления / А. А. Вилисов, А. П. Вяткин, В. М. Диамант, Н. П. Криворотов, В. Н. Брудный // Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 года : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева, Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Э. Н. Мельченко]. Томск : [б. и.], 1978. С. 84-85.

• Компенсация проводимости фосфидов А2В4С52 электронным облучением / В. Н. Брудный, М. А. Кривов, А. И. Потапов, Р. В. Масагутова, В. Д. Прочухан, Ю. В. Рудь // Письма в Журнал технической физики. 1978. Т. 46, № 1. С. 41–46.

• P-слои GaAs , полученные внедрением ионов Zn+ / Б. С. Азиков, В. Н. Брудный, И. В. Каменская, М. А. Кривов, Ю. К. Пантелеев, Л. Л. Широков // Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 года : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева, Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Э. Н. Мельченко]. Томск : [б. и.], 1978. С. 143-144.

• Радиационные дефекты в кристаллах CdSiAs2 и ZnSiAs2 , облученных электронами / В. Н. Брудный, М. А. Кривов, А. И. Потапов, В. Д. Прочухан, Ю. В. Рудь // Физика и техника полупроводников. 1978. Т. 12, № 6. С. 1109-1113.

• Электрофизические и рекомбинационные характеристики кристаллов PbxSn1–xTe(Se), облученных электронами / В. Н. Брудный, А. В. Войцеховский, М. А. Кривов и др. // Физика и техника полупроводников. 1978. Т. 12, вып. 8. С. 1495–1498.

• Change of electrical properties in electron irradiated CdGeAs2 crystals / V. N. Brudnyi, M. A. Krivov, A. I. Potapov, I. K. Polushina, V. D. Prochukhan, Yu. V. Rud // Physica status solidi (a). 1978. Vol. 49, iss. 2. P. 761-765.

• Effect of residual radiation-induced defects on characteristics of ion-implanted gallium arsenide p-n junctions / B. S. Azikov, V. N. Brudnyi, A. P. Vyatkin, M. A. Krivov, V. M. Lupin, L. L. Shirokov // Soviet Physics Journal. 1978. Vol. 21, № 7. P. 958–960.

• Radiation defects in electron-irradiated CdSiAs2 and ZnSiAs2 crystals / V. N. Brydnyi, M. A. Krivov, A. I. Potapov, V. D. Prochukhan, Yu. V. Rud // Soviet physics. Semiconductors. 1978. Vol. 12, № 6. P. 659-661.

• The electrical and optical properties of 2.0 MeV electron-irradiated ZnGeP2 / V. N. Brudnyi, D. L. Budnitskii, M. A. Krivov, R. V. Masagutova, V. D. Prochukhan, Yu. V. Rud // Physica status solidi (a). 1978. Vol. 50, iss. 2. P. 379-384.

1979

• Брудный В. Н. Радиационные дефекты в некоторых соединениях AIIBIVCV2 / В. Н. Брудный, М. А. Кривов, Ю. В. Рудь // Всесоюзная конференция «Тройные полупроводники и их применение» : тезисы докладов, 8-10 октября 1979 г. Кишинев, 1979. С. 37-39.

• Оптическое поглощение и аннигиляция позитронов в GaAs, облученном электронами / А. К. Арефьев, В. Н. Брудный, Д. Л. Будницкий, С. А. Воробьев, А. А. Цой // Физика и техника полупроводников. 1979. Т. 13, вып. 6. С. 1142–1146.

• Электрофизические свойства ИЛС GaAs, полученных внедрением Zn+ (150 кэВ) с последующим отжигом при 500—1000 С / Б. С. Азиков, В. Н. Брудный, И. В. Каменская, М. А. Кривов, Л. Л. Широков // Известия высших учебных заведений. Физика. 1979. № 3. С. 22-26.

• Electrophysical properties of ionic alloys of GaAs obtained by implanting Zn+ (150 keV) with subsequent annealing at 500–1000°C / B. S. Azikov, V. N. Brudnyi, I. V. Kamenskaya, M. A. Krivov, L. L. Shirokov // Soviet Physics Journal. 1979. Vol. 22, № 3. P. 240–244.

• High temperature defects in electron irradiated semiconductors HgCdTe, PbSnTe / A. V. Voitsehovski, V. N. Broudnyi, Y. V. Lilenko, M. A. Krivov, A. S. Petrov // Solid State Communications. 1979. Vol. 31, № 2. P. 105-108.

• Optical absorption and positron annihilation in electron-irradiated GaAs / K. P. Aref’ev, V. N. Brudnyi, D. L. Budnitskii, S. A. Vorob’ev, A. A. Tsoi // Soviet physics. Semiconductors. 1979. Vol. 13, № 6. P. 669-671.

1980

• Брудный В. Н. Радиационные дефекты в арсениде галлия / В. Н. Брудный, М. А. Кривов // Известия высших учебных заведений. Физика. 1980. № 1. С. 64-75.

• Исследование радиационных дефектов в арсениде галлия в условиях гидростатического сжатия / В. Н. Брудный, А. А. Вилисов, В. М. Диамант, Н. П. Криворотов // Физика и техника полупроводников. 1980. Т. 14, № 1. С. 13–16.

• Brudnyi V. N. Electrical transport in H+-irradiated gallium arsenide / V. N. Brudnyi, M. A. Krivov, A. I. Potapov // Solid State Communications. 1980. Vol. 34, № 2. P. 117-119.

• Brudnyi V. N. Radiation defects in gallium arsenide / V. N. Brudnyi, M. A. Krivov // Soviet Physics Journal. 1980. Vol. 23, № 1. P. 45–54.

• Defects in electron irradiated CdSnAs2 crystals / V. N. Brudnyi, V. G. Voevodin, O. V. Voevodina, M. A. Krivov // Physica status solidi (a). 1980. Vol. 62, iss. 1. P. 155-162.

• Electrical properties of electron (2 MeV) irradiated p-CdSiAs2 and p-ZnSiAs2 crystals / V. N. Brudnyi, M. A. Krivov, A. Mamedov, A. I. Potapov, V. D. Prochukhan, Yu. V. Rud // Physica status solidi (a). 1980. Vol. 60, iss. 1. P. K57-K60.

• Investigation of radiation defects in gallium arsenide under hydrostatic pressure / V. N. Brudnyi , A. A. Vilisov , V. M. Diamant, N. P. Krivorotov // Soviet physics. Semiconductors. 1980. Vol. 14, 1. P. 7-9.

1981

• Длинноволновое оптическое поглощение в GaAs, облученном электронами / В. Н. Брудный, Д. Л. Будницкий, М. А. Кривов, Е. А. Попова // Известия высших учебных заведений. Физика. 1981. № 7. С. 93-97.

• Отжиг дефектов в монокристаллах CdGeAs2, облученных электронами при 300К / В. Н. Брудный, Т. В. Ведерникова, В. Г. Воеводин, М. А. Кривов, Я. И. Отман // Известия высших учебных заведений. Физика. 1981. № 9. С. 122-125.

• Электрофизические свойства ИЛС GaAs, полученных внедрением ионов Cd+ (Е=100 кэВ) / Б. С. Азиков, В. Н. Брудный, И. В. Каменская, М. А. Кривов // Известия высших учебных заведений. Физика. 1981. № 1. С. 40-44.

• Electrical properties of ion-doped GaAs films obtained by implanting E=100-keV Cd+ ions / B. S. Azikov, V. N. Brudnyi, I. V. Kamenskaya, M. A. Krivov // Soviet Physics Journal. 1981, № 1. Vol. 24. P. 38–42.

• Long-wave optical absorption in electron-bombarded GaAs / V. N. Brudnyi, D. L. Budnitskii, M. A. Krivov, E. A. Popova // Soviet Physics Journal. 1981. Vol. 24, № 7. P. 663–666.

1982

• Брудный В. Н. Аннигиляция позитронов в облученном электронами n-InP / В. Н. Брудный, С. А. Воробьев, А. А. Цой // Физика и техника полупроводников. 1982. Т. 16, вып. 2. C. 193–196.

• Брудный В. Н. О "предельных" электрических параметрах облученного InP / В. Н. Брудный, В. А. Новиков // Физика и техника полупроводников. 1982. Т. 16, № 10. С. 1880-1882. • Брудный В. Н. Особенности формирования локализованных состояний радиационных дефектов в арсениде галлия / В. Н. Брудный, В. М. Диамант // Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Гаман В. И.]. Томск, 1982. С. 69-71.

• Брудный В. Н. Структура поглощения при hv= 1 эВ в облученном электронами GaAs / В. Н. Брудный, А. А. Гроза, М. А. Кривов // Известия высших учебных заведений. Физика. 1982. Т. 25, № 4. С. 101-103.

• Брудный В. Н. Электрические свойства слоев облученных ионами H+ / В. Н. Брудный, М. А. Кривов, А. И. Потапов // Известия высших учебных заведений. Физика. 1982. Т. 25, № 1. С. 39-43.

• Электрические свойства ZnGeAs2, облученного электронами / В. Н. Брудный, М. А. Кривов, А. И. Потапов, Ю. В. Рудь // Известия высших учебных заведений. Физика. 1982. Т. 25, № 9. С. 121-123.

• Электрические свойства и отжиг дефектов в арсениде галлия, облученном большими интегральными потоками электронов / В. Н. Брудный, М. А. Кривов, А. И. Потапов, В. И. Шаховцов // Физика и техника полупроводников. 1982. Т. 16, вып. 1. С. 36–39.

• Brudnyi V. N. Electrical properties of GaAs layers irradiated by H+ ions / V. N. Brudnyi, M. A. Krivov, A. I. Potapov // Soviet Physics Journal. 1982. Vol. 25, № 1. P. 37–41.

• Brudnyi V. N. Positron annihilation and Hall effect in electron irradiated n-InP crystals / V. N. Brudnyi, S. A. Vorobiev, A. A. Tsoi // Applied Physics A. 1982. Vol. 29, № 4. P. 219–223.

• Brudnyi V. N. Positron annihilation in electron-irradiated n-type InP / V. N. Brudnyi, S. A. Vorob'ev, A. A. Tsoi // Soviet Physics. Semiconductors. 1982. Vol. 16, № 2. P. 121-123.

• Brudnyi V. N. Positron annihilation and electrical properties of electron-irradiated (≈ 2 MeV) InAs crystals / V. N. Brudnyi, S. A. Vorobiev, A. A. Tsoi // Physica status solidi (a). 1982. Vol. 72, iss. 2. P. 529-534.

• Electrical properties and defect annealing in gallium arsenide irradiated with large electron doses // V. N. Brudnyi, M. A. Krivov, A. I. Potapov, V. I. Shakhovstov // Soviet physics. Semiconductors. 1982. Vol. 16, № 1. P. 21-23.

• Radiation defects in H+-irradiated p-CdSiAs2 and p-ZnSiAs2 crystals / V. N. Brudnyi, M. A. Krivov, A. I. Potapov, A. Mamedov,Yu. V. Rud, V. D. Prochukhan // Radiation Effects. 1982. Vol. 59, iss. 3-4. P. 211-215.

1983

• Изменение электрических свойств кристаллов в n-SiC (6Н, 15R) при нейтронном облучении / В. Н. Брудный, С. Е. Ерматов, М. А. Кривов, Б. Т. Толебаев // Известия высших учебных заведений. Физика. 1983. № 11. С. 122-123.

• Электрические свойства твердых растворов A III B V− A II B IV C V2 , облученных ионами H+ / В. Н. Брудный, А. И. Потапов, Ю. В. Рудь, М. Сергинов // Физика и техника полупроводников. 1983. Т. 17, вып. 7. С. 1347–1348

• Brudnyi V. N. Electrical properties of H+-irradiated p-ZnGeAs2 / V. N. Brudnyi, A. I. Potapov, Yu. V. Rud // Physica status solidi (a). 1983. Vol. 75, iss 1. P. K73-K76.

• Electrical properties of electron-irradiated GaAs and ZnSiAs2 solid solutions / V. N. Brudnyi, A. I. Potapov, Yu. V. Rud, M. Serginov // Physica status solidi (a). 1983. Vol. 77, iss. 1. P. K33-K36.

• Electron bombardment effect on the reverse I-V characteristics and tensosensibility of P+-nGaAs diodes / V. N. Brudnyi, A. A. Vilisov, V. I. Gaman, V. M. Diamond // Solid-State Electronics. 1983. Vol. 26, № 7. P. 699-703.

• Positron annihilation in electron-irradiated n-type GaP crystals / V. N. Brudnyi, S. A. Vorobiev,A. A. Tsoi, V. I. Shahovtsov // Radiation Effects. 1983. Vol. 79, iss. 1-4. P. 123-130.

1984

• Аннигиляция позитронов в облученном нейтронами α -SiC (6 H) / В. Н. Брудный, С. Е. Ерматов, С. Б. Нурмагамбетов, А. Д. Погребняк, В. Т. Толебаев // Физика твердого тела. 1984. Т. 26, № 5. С. 1452–1456.

• Annihilation of positrons in neutron-irradiated 6H polytype of α-SiC / V. N. Brudnyi, S. E. Ermatov, S. B. Nurmagambetov, A. D. Pogrebnyak, V. T. Tolebaev // Soviet Physics - Solid State. 1984. Vol. 26, № 5. P. 880-882.

• Brudnyi V. N. Positron annihilation in electron-irradiated p-ZnGeP2 compound / V. N. Brudnyi, V. A. Novikov, A. D. Pogrebnyak, Yu. P. Surov // Physica status solidi (a). 1984. Vol. 83, iss. 1. P. K35-K38.

• Electrical properties of electron- and proton-irradiated GaAs and ZnGeAs2 solid solutions / V. N. Brudnyi, M. A. Krivov, A. I. Potapov, Yu. V. Rud // Physica status solidi (a). 1984. Vol. 82, iss. 2. P. K191-K194.

1985

• Брудный В. Н. Изменение микротвердости SiC(6H) при нейтронном облучении / В. Н. Брудный, Б. Т. Толебаев // Атомная энергия. 1985. Т. 59, № 3. С. 232–233.

• Брудный В. Н. «Предельные» электрические параметры GaP, облученного электронами / В. Н. Брудный, В. А. Новиков // Физика и техника полупроводников. 1985. Т. 19, вып. 4. С. 747–749.

• Brudnyi V. N. Changes in the microhardness of SiC (6H) samples in neutron irradiation / V. N. Brudnyi, B. T. Tolebaev // Soviet Atomic Energy. 1985. Vol. 59, № 3. P. 787–788.

• Brudnyi V. N. Electrical measurements of the electron irradiation induced E- and H-traps in GaAs under hydrostatic pressure / V. N. Brudnyi, V. M. Diamond // Solid State Communications. 1985. Vol. 54, № 4. P. 355-359.

1986

• Брудный В. Н. Радиационные дефекты в полупроводниковых соединениях II—IV—V2 // Известия высших учебных заведений. Физика. 1986. Т. 29, № 8. С. 84-97.

• Брудный В. Н. Центры аннигиляции позитронов в облученных электронами полупроводниках A III B V / В. Н. Брудный, А. А. Цой // Физика и техника полупроводников. 1986. Т. 20, вып. 3. С. 511–514.

• Брудный В. Н. Электрические и оптические свойства ZnGeP2, облученного электронами / В. Н. Брудный, В. А. Новиков, Е. А. Попова // Известия высших учебных заведений. Физика. 1986. Т. 29, № 8. С. 122-130.

• Брудный В. Н. Электрические и тензоэлектрические исследования радиационных дефектов в GaAs / В. Н. Брудный, В. М. Диамант // Известия высших учебных заведений. Физика. 1986. Т. 29, № 10. С. 81-86.

• Brudnyi V. N. Electric and tensoelectric study of radiation defects in GaAs / B. N. Brudnyi, V. M. Diamant // Soviet Physics Journal. 1986. Vol. 29, № 10. P. 844–849.

• Brudnyi V. N. Electrical and optical properties of electron-irradiated ZnGeP2 / V. N. Brudnyi, V. A. Novikov, E. A. Popova // Soviet Physics Journal. 1986. Vol. 29, № 8. P. 679–686.

• Brudnyi V. N. Radiation defects in II-IV-V2 semiconductor compounds / Soviet Physics Journal. 1986. Vol. 29, № 8. P. 650–660.

• Electrical Properties and Positron Annihilation in Neutron-Irradiated n-InP / V. N. Brudnyi, V. A. Charchenko, N. G. Kolin, V. A. Novikov, A. D. Pogrebnyak, Sh. M. Ruzimov // Physica status solidi (a). 1986. Vol. 93, iss. 1. P. 195-200.

1987

• Брудный В. Н. Исследование радиационных дефектов в облученных ионами Н+ фосфидах: InP, CdSnP2 / В. Н. Брудный, П. Н. Дробот, В. А. Новиков // Ред. журн. «Известия вузов. Физика». -Томск, 1987. – Деп. в ВИНИТИ №6854-В87. – 24 с.

1988

• Брудный В. Н. Накопление E3-центров в n-GaAs при gamma-облучении в интервале температур 77/580 K / В. Н. Брудный, В. В. Пешев, А. М. Притулов // Физика и техника полупроводников. 1988. Т. 22, вып. 6. С. 1124-1126.

• Брудный В. Н. Электрофизические свойства антимонида галлия, облученного ионами H+ / В. Н. Брудный, И. В. Каменская; Ред. журн. «Изв. вузов. Физика». – Томск, 1988. – 14 с. – Деп. в ВИНИТИ 11.01.1988, № 104-В88.

• Температурная зависимость эффективности накопления E3 (Eс—0,33 эВ)-центров при γ-облучении n-GaAs / В. Н. Брудный, В. В. Пешев, А. М. Притулов; ред. журн. «Изв. вузов. Физика». - Томск, 1988 – 9 с. – Деп. в ВИНИТИ 11.01.88, № 95-В88.

• Brudnyi V. N. Accumulation of the E3 centers in n-type GaAs as a result of γ irradiation in the temperature range 77-580 K / V. N. Brudnyi, V. V. Peshev, A. M. Pritulov // Soviet Physics – Semiconductors. 1988. Vol. 22, № 6. P. 710-711

• Brudnyi V. N. Effect of deep levels induced by electron irradiation upon the charge transport mechanism and the pressure-dependent electrical properties of forward-biased P+-N-N+ GaAs diodes / V. N. Brudnyi, V. I. Gaman, V. M. Diamond // Solid-State Electronics. 1988. Vol. 31, № 6. P. 1093-1099.

• Brudnyi V. N. Electron traps in n-GaAs irradiated with high electron beam fluxes at high temperatures / V. N. Brudnyi, V. V. Peschev // Physica status solidi (a). 1988. Vol. 105, iss. 1. P. K57-K60

• Brudnyi V. N. The electrical properties and fermi level pinning in proton-irradiated GaSb / V. N. Brudnyi, I. V. Kamenskaya // Physica status solidi (a). 1988. Vol. 105, iss. 2. P. K141-K144.

1989

• Брудный В. Н. Стабилизация уровня ферми в облученных полупроводниках / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев, С. Н. Катаев // Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках : материалы II Всесоюзного семинара по проблеме «Физика и химия полупроводников». Павлодар, 1989. Ч. 2. С. 145-150.

• Брудный В. Н. Электрические свойства сильнооблученного InSb / В. Н. Брудный, И. В. Каменская, Н. Г. Колин // Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках : материалы II Всесоюзного семинара по проблеме «Физика и химия полупроводников». Павлодар, 1989. Ч. 2. С. 140-144.

• Образование центров E10 (Ec-0.62 эВ) в области пространственного заряда и нейтральном объеме n-InP при электронном и gamma-облучениях / Н. Н. Бакин, В. Н. Брудный, В. В. Пешев, С. В. Смородинов // Физика и техника полупроводников. 1989. Т. 23, вып. 5. С. 890-892.

• Brudnyi V. N. New metastable W-Center in electron-irradiated n-type InP / V. N. Brudnyi, V. V. Peshev, S. V. Smorodinov // Physica status solidi (a). 1989. Vol. 114, iss. 2. P. K139-K142

• Formation of E10 (Ec-0.62 eV) centers in the space charge region and in the neutral bulk of n-type InP bombarded with electrons and γ-rays / N. N. Bakin, V. N. Brudnyi, V. V. Peshev, S. V. Smorodinov // Soviet Physics – Semiconductors. 1989. Vol. 23, № 5. P. 559-560.

• Positron trapping at point defects in electron-irradiated GaAs / V. N. Brudnyi, A. D. Pogrebnyak, Yu. P. Surov, A. S. Rudnev // Physica status solidi (a). 1989. Vol. 114, iss. 2. P. 481-489.

1990

• Брудный В. Н. Электронные свойства метастабильного W-дефекта в InP / В. Н. Брудный, В. В. Пешев, С. В. Смородинов ; ред. журн. «Изв. вузов. Физика». – Томск, 1990. – 17 с. - Деп. в ВИНИТИ 17.08.90, № 4677-В90.

• Brudnyi V. N. Electric field effect on the temperature dependence of the (Ec — 0.33 eV) center introduction rate under γ-irradiation in n-GaAs / V. N. Brudnyi, V. V. Peshev // Physica status solidi (a). 1990. Vol. 118, iss. 1. P. 219-224.

• Brudnyi V. N. Electrical and optical properties and fermi level pinning in electron irradiated ZnSnAs2 / V. N. Brudnyi, S. I. Borisenko, A. I. Potapov // Physica status solidi (a). 1990. Vol. 118, iss. 2. P. 505-511.

1991

• *Брудный В. Н. Термическая стабильность радиационных дефектов в InSb, облученном электронами при 300 К / В. Н. Брудный, И. В. Каменская, Н. Г. Колин ; ред. журн. «Известия вузов. Физика». – Томск, 1991. – Деп. в ВИНИТИ 30.01.1991, № 491-В91.

• Брудный В. Н. Электрические свойства облученного ионами H+p-ZnGeP2 / В. Н. Брудный, В. А. Новиков // Известия высших учебных заведений. Физика. 1991. Т. 34, № 10. С. 91-93.

• Брудный В. Н. Электрофизические свойства InSb, облученного электронами при 300 К / В. Н. Брудный, И. В. Каменская, К. Г. Колин // Известия высших учебных заведений. Физика. 1991. Т. 34, № 7. С. 99-103.

• Влияние электронного облучения на свойства арсенида галлия, легированного германием / В. Н. Брудный, Д. Л. Будницкий, Н. Г.Колин, Е. В. Малисова, М. П. Никифорова // Известия высших учебных заведений. Физика. 1991. Т. 34, № 4. С. 82-86.

• Влияние электронного облучения на электрофизические свойства и фотолюминесценцию ядерно-легированного арсенида галлия / В. Н. Брудный, Д. Л. Будницкий, Н. Г.Колин, Е. В. Малисова, М. П. Никифорова // Известия высших учебных заведений. Физика. 1991. Т. 34, № 4. С. 45-51.

• Изменение электрофизических свойств и фотолюминесценции при отжиге облученного электронами ядерно-легированного арсенида галлия / В. Н. Брудный, Д. Л. Будницкий, Н. Г. Колин, Е. В. Малисова, М. П.Никифорова; ред. журн. «Известия вузов. Физика». – Томск, 1991. – 16 с. – Деп. в ВИНИТИ 18.02.91, № 790-В91.

• Effect of electron irradiation on the properties of germanium-doped gallium arsenide / V. N. Brudnyi, D. L. Budnitskii, N. G. Kolin, E. V. Malisova, M. P. Nikiforova // Soviet Physics Journal. 1991. Vol. 34, № 4. P. 348–352.

• Effect of electron irradiation on the electrophysical properties and photoluminescence of nuclear-transmutation-doped gallium arsenide / V. N. Brudnyi, D. L. Budnitskii, N. G. Kolin, E. V. Malisova, M. P. Nikiforova // Soviet Physics Journal. 1991. Vol. 34, № 4. P. 316–321.

• Brudnyi V. N. Characterization of W Defects in Electron-Irradiated InP / V. N. Brudnyi, V. V. Peshev, S. V. Smorodinov // Physica status solidi (a). 1991. Vol. 128, iss. 2. P. 311-317.

• Brudnyi V. N. Electrical properties of p-type ZnGeP2 irradiated by H+ ions / V. N. Brudnyi, V. A. Novikov // Soviet Physics Journal. 1991. Vol. 34, № 10. P. 922–924.

• Brudnyi V. N. Electrophysical properties of InSb irradiated by electrons at 300 K / V. N. Brudnyi, I. V. Kamenskaya, N. G. Kolin // Soviet Physics Journal. 1991. Vol. 34, № 7. P. 644–647.

1992

• Брудный В. Н. Компенсация проводимости и глубокие ловушки в эпитаксиальном n-GaAs, облученном электронами / В. Н. Брудный, М. Д. Вилисова, Л. П. Пороховниченко // Известия высших учебных заведений. Физика. 1992. Т. 35, № 10. С. 57-60.

• Брудный В. Н. Электрофизические свойства и отжиг дефектов в ядерно-легированном GaAs, облученном ионами Н+ / В. Н. Брудный, Н. Г. Колин, А. И. Потапов // Известия высших учебных заведений. Физика. 1992. Т. 35, № 10. С. 61-65.

• Brudnyi V. N. Conductivity compensation and deep traps in epitaxial n-GaAs irradiated by electrons / V. N. Brudnyi, M. D. Vilisova, L. P. Porokhovnichenko // Russian Physics Journal. 1992. Vol. 35, № 10. P. 939–942.

• Brudnyi V. N. Electrophysical properties and annealing of defects in nuclear transmutation-doped GaAs irradiated by H+ ions / V. N. Brudnyi, N. G. Kolin, A. I. Potapov // Russian Physics Journal. 1992. Vol. 35, № 10. P. 943–946.

• Brudnyi V. N. Transmutation Doping and Fermi-Level Stabilization in Neutron-Irradiated InP / V. N. Brudnyi, N. G. Kolin, V. A. Novikov // Physica status solidi (a). 1992. Vol. 132, iss. 1. P. 35-42.

1993

• Брудный В. Н. Глубокие ловушки в n-GaAs, облученном быстрыми нейтронами / В. Н. Брудный, Н. Г. Колин, А. И. Потапов // Физика и техника полупроводников. 1993. Т. 27, вып. 2. С. 260-264.

• Брудный В. Н. Радиационная модификация и дефекты некоторых алмазоподобных полупроводников сложного состава : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.07 / В. Н. Брудный. - Томск, 1993. - 383 с.

• Брудный В. Н. Радиационная модификация и дефекты некоторых алмазоподобных полупроводников сложного состава : автореф. дис. д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07, 01.04.10 / В. Н. Брудный ; СО РАН. Институт физики прочности и материаловедения. – Томск, 1993. – 40 с. (ДСП)

• Brudnyi V.N. Deep trapping centers in n-type GaAs bombarded with fast neutrons / V. N. Brudnyi, N. G. Kolin, A. I. Potapov // Semiconductors. 1993. Vol. 27, № 2. P. 145-148.

1995

• Brudnyi V.N. A model for Fermi-level pinnin gin semiconductors: radiationdefects, interface boundaries / V. N. Brudnyi, S. N. Grinyaev, N. G. Kolin // Physica B: Condensed Matter. 1995. Vol. 348. P. 213-225.

• Brudnyi V.N. Local neutrality conception: Fermi level pinning in defective semiconductors / V. N. Brudnyi, S. N. Grinyaev, V. E. Stepanov // Physica B: Condensed Matter. 1995. Vol. 212, № 4. P. 429-435.

1997

• Высокотемпературный отжиг и ядерное легирование GaAs, облученного реакторными нейтронами / В. Н. Брудный, Н. Г. Колин, В. А. Новиков, А. И. Нойфех, В. В. Пешев // Физика и техника полупроводников. 1997. Т. 31, № 7. С. 811-815.

• High-temperature annealing and nuclear-transmutation doping of GaAs bombarded by reactor neutrons / V. N. Brudnyi, V. A. Novikov, V. V. Peshev, N. G. Kolin, A. I. Noifekh // Semiconductors. 1997. Vol. 31, № 7. P. 686–690

1998

• Брудный В. Н. Локальная электронейтральность и закрепление химического потенциала в твердых растворах соединений III--V: границы раздела, радиационные эффекты / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев // Физика и техника полупроводников. 1998. Т. 32, № 3. С. 315-318.

• Брудный В. Н. Электрофизические свойства и чувствительность к всестороннему сжатию облученного электронами GaP / В. Н. Брудный, В. А. Новиков // Известия высших учебных заведений. Физика. 1998. Т. 41, № 6. С. 124-126.

• Физика сложных полупроводниковых кристаллов и структур / В. Н. Брудный, О. В. Воеводина, В. Г. Воеводин, С. Н. Гриняев, И. В. Ивонин, Г. Ф. Караваев, Л. Г. Лаврентьева // Известия высших учебных заведений. Физика. 1998. Т. 41, № 8. С. 26-38.

• Brudnyi V. N. Local neutrality and pinning of the chemical potential in III–V solid solutions: Interfaces and radiation effects / V. N. Brudnyi, S. N. Grinyev // Semiconductors. 1982. Vol. 32, № 3. P. 284–287.

• Physics of complex semiconductor crystals and their structure / V. N. Brudnyi, O. V. Voevodina, V. G. Voevodin, S. N. Grinyaev, I. V. Ivonin, G. F. Karavaev, L. G. Lavrent'eva // Russian Physics Journal. 1998. Vol. 41, № 8. P. 754–767.

1999

• Брудный В. Н. Исследование радиационных дефектов в полупроводниках в условиях всестороннего сжатия // Физика и техника полупроводников. 1999. Т. 33, вып. 11. С. 1290-1294. • Брудный В. Н. Характеризация радиационных эффектов в арсениде галлия / В. Н. Брудный // Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП". Томск, 1999. С. 9-12

• Ред.: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП" / Том. гос. ун-т, Сибир. физико-технический ин-т им. В. Д. Кузнецова ; ред. Брудный В. Н. , Юрченко В. И. - Томск : [б. и.], 1999. - 229 с.: ил.

• Brudnyi V. N. Radiation defects in semiconductors under hydrostatic pressure // Semiconductors. 1999. Vol. 33, № 11. P. 1166–1170.

• Brudnyi V. N. The Broad Midgap Deep-Level Transient Spectroscopy Band in Proton (65 MeV) and Fast Neutron-Irradiated n-GaAs / V. N. Brudnyi, A. V. Gradoboev, V. V. Peshev // Physica status solidi (b). 1999. Vol. 212, iss. 2. P. 229-239.

2000

• Брудный В. Н. ЦФИЭО "Физика и технология полупроводниковых низкоразмерных структур" (опыт работы) / В.Н. Брудный, О.П. Пчеляков // Интеграция учебного процесса и фундаментальных исследований в университетах: инновационные стратегии и технологии: материалы Всероссийской научно-практической конференции, 20-21 апреля 2000 года. Томск, 2000. Т. 1. С. 23-29.

• Брудный В. Н. Электронные свойства и закрепление электронного химпотенциала в дефектных полупроводниках // Эволюция дефектных структур в конденсированных средах : сборник тезисов докладов 5-ой Международной школы-семинара. Барнаул, 2000. С. 140-141.

• Памяти Сергея Петровича Соловьева / В.Н. Брудный, В.Т. Бублик, Б.Н. Гошицкий, В.В. Емцев, Ю.А. Казанский, Р.Ф. Коноплева, Ю.В. Конобеев, Н.Г. Колин, И.И. Кузьмин, М.Г. Мильвидский, Р.П. Озеров, В.Б. Освенский, В.Г. Плотников, А.П. Симонов, Л.С. Смирнов, В.А. Харченко // Физика и техника полупроводников. 2000. Т. 34, вып. 12. С. 1473-1474.

• Brudnyi V. N. Electronic properties and the pinning of the electronic chemical potential in the defective semiconductors / V. N. Brudnyi, V. D. Kuznetsov // Evolution of defects structures in condensed matters. V International seminar-school: book of abstracts. Barnaul, 2000. P. 10-11.

• Sergei Petrovich Solov’ev (1932–2000) / V. N. Brudnyi, V. T. Bublik, B. N. Goshitskii, V. V. Emtsev, Yu. A. Kazanskii, R. F. Konopleva, Yu. V. Konobeev, N. G. Kolin, I. I. Kuz’min, M. G. Mil’vidskii, R. P. Ozerov, V. B. Osvenskii, V. G. Plotnikov, A. P. Simonov, L. S. Smirnov, V. A. Kharchenko // Semiconductors. 2000. Vol. 34, № 12. P. 1410–1411.

2001

• Брудный В. Н. Закрепление химического потенциала и электрические свойства облученных сплавов СdxHg1-xTe / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев // Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35, вып. 7. С. 819-822.

• Брудный В. Н. Радиационное дефектообразование в электрических полях: Арсенид галлия, фосфид индия / В. Н. Брудный, В. В. Пешев, А. П. Суржиков. — Новосибирск: Сибирское полиграфическое предприятие "Наука" РАН, 2001. — 136 с.

• Брудный В. Н. Электронные свойства полуизолирующего GaAs<Cr>, облученного протонами / В. Н. Брудный, А. И. Потапов // Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35, вып. 12. С. 1423-1427.

• Изменение спектров оптического поглощения ядерно-легированного GaAs при отжиге / В. Н. Брудный, Н. Г. Колин, Д. И. Меркурисов, В. А. Новиков // Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35, вып. 6. С. 739-744.

• Brudnyi V. N. Electrical properties of the proton-irradiated semi-insulating GaAs:Cr / V. N. Brudnyi, A. I. Potapov // Semiconductors. 2001. Vol. 35, № 12. P. 1361–1365.

• Brudnyi V. N. Fermi level pinning and electrical properties of irradiated CdxHg1−x Te alloys / V. N. Brudnyi, S. N. Grinyaev // Semiconductors. 2001. Vol. 35, № 7. P. 784–787.

2002

• Брудный В. Н. Влияние облучения ионами водорода на электрофизические свойства металлургически и ядерно-легированного InSb / В. Н. Брудный, И. В. Каменская, Н. Г. Колин // Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V (GaAs-2002) : материалы 8-й российской конференции. Томск, 2002. С. 256-258.

• Брудный В. Н. Закрепление уровня Ферми в полупроводниках / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев, Н. Г. Колин // Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V (GaAs-2002) : материалы 8-й российской конференции. Томск, 2002. С. 15-17.

• Брудный В. Н. Электронные параметры CdGeAs2, облученного электронами (2 МЭВ) и протонами (5 МЭВ) / В. Н. Брудный, Т. В. Ведерникова, А. И. Потапов // Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V (GaAs-2002) : материалы 8-й российской конференции. Томск, 2002. С. 373-375.

• Брудный В. Н. Электрофизические свойства и чувствительность к всестороннему сжатию облученного электронами GaP / В. Н. Брудный, Н. А. Новиков // Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V (GaAs-2002) : материалы 8-й российской конференции. Томск, 2002. С. 241-243.

• Brudnyi V. N. Proton (5MEV) bombardment of InAs crystals / V. N. Brudniy, N. G. Kolin, A. I. Potapov // Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V (GaAs-2002) : материалы 8-й российской конференции. Томск, 2002. С. 244-247.

2003

• Брудный В. Н. Закрепление уровня Ферми в полупроводниках (границы раздела, кластеры, радиационное модифицирование) / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев, Н. Г. Колин // Известия высших учебных заведений. Физика. 2003. Т. 46, № 6. С. 59-66.

• Брудный В. Н. Модель межфазных границ для полупроводниковых систем: численные оценки / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев, Н. Г. Колин // Материаловедение. 2003. № 3. С. 17-25.

• Брудный В. Н. Электрофизические свойства InAs, облученного протонами / В. Н. Брудный, Н. Г. Колин, А. И. Потапов // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37, вып. 4. С. 408-413.

• Брудный В. Н. Электронные свойства облученных полупроводников, модель закрепления уровня Ферми / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев, Н. Г. Колин // Физика и техника полупроводников, 2003. Т. 37, вып. 5. С. 557-564.

• Брудный В. Н. Влияние электронного (зарядового) состояния E-ловушек на эффективность их накопления в n-GaAs при облучении / В. Н. Брудный, В. В. Пешев // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37, вып. 1. С. 22-28.

• Брудный В. Н. U-пик в спектрах DLTS n-GaAs, облученного быстрыми нейтронами и протонами (65 МэВ) / В. Н. Брудный, В. В. Пешев // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37, вып. 2. С. 151-155.

• Brudnyi V. N. The Fermi Level Pinning in Semiconductors (Interphase Boundaries, Clusters, and Radiation Modification) / V. N. Brudnyi, S. N. Grinyaev, N. G. Kolin // Russian Physics Journal. 2003. Vol. 46, № 6. P. 594–600.

• Brudnyi V. N. Influence of electronic (charge) state of E traps on their introduction rate in irradiated n-GaAs / V. N. Brudnyi, V. V. Peshev // Semiconductors. 2003. Vol. 37, № 1. P. 20–27.

• Brudnyi V. N. The U peak in the DLTS spectra of n-GaAs irradiated with fast neutrons and 65-MeV protons / V. N. Brudnyi, V. V. Peshev // Semiconductors. 2003. Vol. 37, № 2. P. 140–144.

• Brudnyi V. N. Electrical properties of InAs irradiated with protons / V. N. Brudnyi, N. G. Kolin, A. I. Potapov // Semiconductors. 2003. Vol. 37, № 4. P. 390–395.

• Brudnyi V. N. Electronic properties of irradiated semiconductors. A model of the fermi level pinning / V. N. Brudnyi, S. N. Grinyaev, N. G. Kolin // Semiconductors. 2003. Vol. 37, № 4. P. 537–545.

• *Stable Semiconductor Magnetic Field Sensors Under Dozes of High Radiation / I. Bolshakova, V. Brudnyi, R. Holyaka, N. Kolin, M. Kumada, C. Leroy // Europhysics conference abstracts. 2003. Vol. 27A: 30th EPS Conference on Contr. Fusion and Plasma Phys., St. Petersburg, 7-11 July 2003. P. 4.68.

2004

• Брудный В. Н. Глубокие уровни комплексов вакансий в GaAs / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев // Физико-химические процессы в неорганических материалах (ФХП-9) : международная конференция : посвящается 50-летию Кемеровского государственного университета, 22-25 сентября 2004 года : доклады. Кемерово, 2004. Т. 1. С. 499-500.

• Брудный В. Н Кремний-германиевые наноструктуры: электронные параметры и оптические характеристики / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев // Известия высших учебных заведений. Физика. 1992. Т. 47, № 6. С. 3-7.

• Брудный В. Н. Электронная структура и оптические спектры Si с квантовыми тосками Ge / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев // Физико-химические процессы в неорганических материалах (ФХП-9) : международная конференция : посвящается 50-летию Кемеровского государственного университета, 22-25 сентября 2004 года : доклады. Кемерово, 2004. Т. 1. С. 337-341

• Электрофизические свойства и предельное положение уровня Ферми в InSb, облученном протонами / В. Н. Брудный, В. М. Бойко, И. В. Каменская, Н. Г. Колин // Физика и техника полупроводников. 2004. Т. 38, вып. 7. С. 802-807.

• Brudnyi V. N. Silicon Germanium Nanostructures: Electronic Parameters and Optical Characteristics / V. N. Brudnyi, S. N. Grinyaev // Russian Physics Journal. 2004. Vol. 47, № 6. P. 577–582.

• Electrical properties and limiting position of the fermi level in InSb irradiated with protons / V. N. Brudnyi, V. M. Boiko, I. V. Kamenskaya, N. G. Kolin // Semiconductors. 2004. Vol. 38, № 7. P. 769–774.

• Brudnyi V. N. A model for Fermi-level pinning in semiconductors: radiation defects, interface boundaries / V. N. Brudnyi, S. N. Grinyaev, N. G. Kolin // Physica B: Condensed Matter. 2004. Vol. 348. № 1-4. P. 213-225.

2005

• Брудный В. Н. Радиационные эффекты в полупроводниках // Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285 : Серия "Физика". С. 95-102. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000328934

• Брудный В. Н. Электронные свойства кремния с германиевыми кластерами ультрамалых размеров / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев, А. В. Двуреченский // Физика твердого тела. 2005. Т. 47, вып. 11. С. 1941-1945.

• Брудный В. Н. Электрофизические и оптические свойства InAs, облученного электронами (~ 2 МэВ): энергетическая структура собственных точечных дефектов / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев, Н. Г. Колин // Физика и техника полупроводников. 2005. Т. 39, вып. 4. С. 409-419.

• Влияние нейтронного облучения на свойства нитевидных микрокристаллов n-InSb / И. А. Большакова, В. М. Бойко, В. Н. Брудный, И. В. Каменская, Н. Г. Колин, Е. Ю. Макидо, Т. А. Московец, Д. И. Меркурисов // Физика и техника полупроводников. 2005. Т. 39, вып. 7. С. 814-819.

• Электрофизические и оптические свойства InP, облученного большими интегральными потоками нейтронов / В. Н. Брудный, Н. Г. Колин, Д. И. Меркурисов, В. А. Новиков // Физика и техника полупроводников. 2005. Т. 39, вып. 5. С. 528-534.

• Brudnyi V. N. The electrical and optical properties of InAs irradiated with electrons (∼2 MeV): The energy structure of intrinsic point defects / V. N. Brudnyi, S. N. Grinyaev, N. G. Kolin // Semiconductors. 2005. Vol. 39, № 4. P. 385–394.

• The electrical and optical properties of InP irradiated with high integrated fluxes of neutrons / V. N. Brudnyi, N. G. Kolin, D. I. Merkurisov, V. A. Novikov // Semiconductors. 2005. Vol. 39, № 5. P. 499–505.

• The effect of neutron irradiation on the properties of n-InSb whisker microcrystals / I. A. Bolshakova, V. M. Boiko, V. N. Brudnyi, I. V. Kamenskaya, N. G. Kolin, E. Yu. Makido, T. A. Moskovets, D. I. Merkurisov // Semiconductors. 2005. Vol. 39, № 7. P. 780–785.

• Brudnyi V. N. Electronic properties of silicon with ultrasmall germanium clusters / V. N. Brudnyi, S. N. Grinyaev, A. V. Dvurechenskii // Physics of the Solid State. 2005. Vol. 47, № 11. P. 2020–2024.

2006

• Брудный В. Н. Глубокие уровни собственных точечных дефектов и природа "аномального" оптического поглощения в ZnGeP2 / В. Н. Брудный, В. Г. Воеводин, С. Н. Гриняев // Физика твердого тела. 2006. Т. 48, вып. 11. С. 1949-1961.

• Брудный В. Н. Уровень зарядовой нейтральности в твердых растворах w-AlxGa1-xN / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев, Н. Г. Колин // Известия высших учебных заведений. Физика. 2006. Т. 49. № 8. С. 75-78.

• Брудный В. Н. Локальная электролинейность и электрические свойства облученных нитридов A3N / В. Н. Брудный, Н. Г. Колин // Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции. Томск, 2006. С. 382-385

• Брудный В. Н. Радиационное модифицирование и легирование химическими примесями как процессы самокомпенсации в полупроводниках / В. Н. Брудный, Н. Г. Колин // Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции. Томск, 2006. С. 364-367

• Тонкопленочный III-V полупроводниковый 3-D сенсор магнитного поля / И. А. Большакова, В. Н. Брудный, Р. Л. Голяка и др. // Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции. Томск, 2006. С. 541-544.

• Brudnyi V. N. The charge neutrality level in w-AlxGa1−x N solid solutions / V. N. Brudnyi, S. N. Grinyaev, N. G. Kolin // Russian Physics Journal. 2006. Vol. 49, № 8. P. 874–877.

• Brudnyi V. N. Deep levels of intrinsic point defects and the nature of “anomalous” optical absorption in ZnGeP2 / V. N. Brudnyĭ, V. G. Voevodin, S. N. Grinyaev // Physics of the Solid State. 2006. Vol. 48, № 11. P. 2069–2083.

2007

• Брудный В. Н. Корреляция положения глубоких уровней собственных точечных дефектов с "предельным" положением уровня Ферми в облученных полупроводниках группы III-V / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев, Н. Г. Колин // Известия высших учебных заведений. Физика. 2007. Т. 50, № 5. С. 17-22. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000502370

• Брудный В. Н. Модель самокомпенсации и стабилизация уровня Ферми в облученных полупроводниках / В. Н. Брудный, Н. Г. Колин, Л. С. Смирнов // Физика и техника полупроводников. 2007. Т. 41, вып. 9. С. 1031-1040.

• Брудный В. Н. Полупроводниковые нитриды III-N: история, применение, дефекты структуры // 10 Международная конференция "Физико-химические процессы в неорганических материалах" (ФХП-10), Кемерово, 10-12 окт., 2007 : доклады. Кемерово, 2007. Т. 2. С. 19-23.

• Брудный В. Н. Электрофизические свойства диарсенида кадмия-кремния, облученного ионами Н / В. Н. Брудный, Т. В. Ведерникова // Известия высших учебных заведений. Физика. 2007. Т. 50, № 8. С. 12-15. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000502745

• Брудный В. Н. Электрофизические свойства облученного протонами ZnSiAs2 / В. Н. Брудный, Т. В. Ведерникова // Физика и техника полупроводников. 2007. Т. 41, вып. 1. С. 13-16.

• Брудный В. Н. Электрофизические свойства соединений II-IV-As2, облученных протонами / В. Н. Брудный, Т. В. Ведерникова // 10 Международная конференция "Физико-химические процессы в неорганических материалах" (ФХП-10), Кемерово, 10-12 окт., 2007 : доклады. Кемерово, 2007. Т. 1. С. 17-21.

• Науч. рук.: Саркисов С. Ю. Электронные, оптические и механические свойства кристаллов Ga1-x(Inx, Alx) Se, GaSe1-x(Sx,Tex) нелинейной оптики терагерцового диапазона : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Саркисов Сергей Юрьевич ; науч. рук. Брудный В. Н. ; Сиб. физ.-тех. ин-т им. В. Д. Кузнецова Том. гос. ун-та. - Томск : [б. и.], 2010. - 118 л.: ил.

• Brudnyi V. N. Correlation between energy positions of deep intrinsic point-defect levels and a limiting fermi level in irradiated III–V semiconductors / V. N. Brudnyi, S. N. Grinyaev, N. G. Kolin // Russian Physics Journal. 2007. Vol. 50, № 5. P. 429–434.

• Brudnyi V. N. Electro-physical properties of cadmium-silicon diarsenide irradiated by H+ ions / V. N. Brudnyi, T. V. Vedernikova // Russian Physics Journal. 2007. Vol. 50, № 8. P. 756–759.

• Brudnyi V. N. Electrical properties of ZnSiAs2 irradiated with protons / V. N. Brudnyĭ , T. V. Vedernikova // Semiconductors. 2007. Vol. 41, № 1. P. 11–14

• Brudnyi V. N. The model of self-compensation and pinning of the Fermi level in irradiated semiconductors / V. N. Brudnyĭ, N. G. Kolin, L. S. Smirnov // Semiconductors. 2007. Vol. 41, № 9. P. 1011–1020.

2008

• Брудный В. Н. Уровень зарядовой нейтральности и закрепление уровня Ферми в нитридах A3N (BN, AIN, GAN, INN) / В. Н. Брудный, А. В. Кособуцкий, Н. Г. Колин // Известия высших учебных заведений. Физика. 2008. Т. 51, № 12. С. 24-31.

• Брудный В. Н. Электрофизические свойства облученного протонами CdSnAs2 / В. Н. Брудный, Т. В. Ведерникова // Физика и техника полупроводников. 2008. Т. 42, вып. 1. С. 36-39.

• Брудный В. Н. Электрофизические свойства радиационно-модифицированных полупроводников A3B5 / В. Н. Брудный, А. В. Кособуцкий, Н. Г. Колин // Фундаментальные проблемы современного материаловедения. 2008. Т. 5, № 1. С. 76-80.

• Памяти Людмилы Германовны Лаврентьевой / А. Л. Асеев, Ф. А. Кузнецов, И. Г. Неизвестный, О. П. Пчеляков, Г. В. Майер, В. М. Кузнецов, М. Г. Мильвидский, Б. Г. Захаров,Г. Е. Дунаевский, А. И. Потекаев, А. П. Вяткин, О. П. Толбанов, В. Н. Брудный, И. В. Ивонин, М. Д. Вилисова, В. Г. Гермогенов, М. Я. Дашевский, С. С. Хлудков // Физика и техника полупроводников. 2008. Т. 42, № 9. С. 1150.

• Brudnyi V. N. The charge neutrality level and the Fermi level pinning in A3N (BN, AlN, GaN, InN) nitrides / V. N. Brudnyi, A. V. Kosobutsky, N. G. Kolin // Russian Physics Journal. 2008. Vol. 51, № 12. P. 1270–1278.

• Brudnyi V. N. Electrical properties of proton-irradiated CdSnAs2 / V. N. Brudnyi, T. V. Vedernikova // Semiconductors. 2008. Vol. 42, № 1. P. 34–37

2009

• Брудный В. Н. Электрические свойства диарсенида цинка-олова (ZnSnAs2), облученного ионами H+ / В. Н. Брудный, Т. В. Ведерникова // Физика и техника полупроводников. 2009. Т. 43, вып. 4. С. 433-435.

• Брудный В. Н. Уровень локальной зарядовой нейтральности и закрепление уровня Ферми в облученных нитридах wz-AIIIN (BN, AlN, GaN, InN) / В. Н. Брудный, А. В. Кособуцкий, Н. Г. Колин // Физика и техника полупроводников. 2009. Т. 43, вып. 10. С. 1312-1320.

• Брудный В. Н. Электронные свойства и закрепление уровня Ферми в облученных полупроводниках II-IV-V2 // Физика и техника полупроводников. 2009. Т. 43, вып. 9. С. 1187-1194.

• Brudnyi V. N. Electrical properties of Zinc-Tin diarsenide (ZnSnAs2) irradiated with H+ ions / V. N. Brudnyi, T. V. Vedernikova // Semiconductors. 2009. Vol. 43, № 4. P. 413–415.

• Brudnyi V. N. Electronic properties and pinning of the Fermi level in irradiated II–IV–V2 semiconductors // Semiconductors. 2009. Vol. 43, № 9. P. 1146–1154.

• Brudnyi V. N. The level of local charge-neutrality and pinning of the Fermi level in irradiated nitrides wz-III-N (BN, AlN, GaN, InN) / V. N. Brudnyi, A. V. Kosobutsky, N. G. Kolin // Semiconductors. 2009. Vol. 43, № 10. P. 1271-1279.

2010

• Брудный В. Н. Генезис дырочных состояний малых германиевых кластеров в кремнии / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев // Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 5. С. 68-73.

• Брудный В. Н. Кремний с квантовыми точками германия: электронные и оптические свойства, фотоприемные устройства / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев, И. В. Ивонин // Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 9-3. С. 190-191.

• Брудный В. Н. Спектры оптического поглощения Si с квантовыми точками Ge / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев // Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 7. С. 43-45.

• Брудный В. Н. Уровень локальной электронейтральности и электронные свойства GaSe под давлением / В. Н. Брудный, А. В. Кособуцкий, С. Ю. Саркисов // Физика и техника полупроводников. 2010. Т. 44, вып. 9. С. 1194-1202.

• Brudnyi V. N. Genesis of hole states of small germanium clusters in silicon / V. N. Brudnyi, S. N. Grinyaev // Russian Physics Journal. 2010. Vol. 53, № 5. P. 508–514.

• Brudnyi V. N. Optical absorption spectra of Si with Ge quantum dots / V. N. Brudnyi, S. N. Grinyaev // Russian Physics Journal. 2010. Vol. 53, № 7. P. 703–705.

• Brudnyi V. N. Charge neutrality level and electronic properties of GaSe under pressure / V. N. Brudnyi, A. V. Kosobutsky, S. Yu. Sarkisov // Semiconductors. 2010. Vol. 44, № 9. P. 1158–1166

2011

• Брудный В. Н. Влияние давления и механического напряжения на электронные свойства AlN и GaN / В. Н. Брудный, А. В. Кособуцкий, Н. Г. Колин // Физика твердого тела. 2011. Т. 53, вып. 4. С. 633-641.

• Изменение структурных параметров решетки и электронных спектров пленок n-GaN на сапфире при облучении реакторными нейтронами / В. Н. Брудный, А. В. Кособуцкий, Н. Г. Колин, А. В. Корулин // Физика и техника полупроводников. 2011. Т. 45, вып. 4. С. 461-467.

• Светодиодные гетероструктуры на основе соединений GaN, AlN, InN, полученные методом МОСГФЭ-технологии / В. Н. Брудный, С. М. Гущин, И.В. Ивонин, А. В. Мазалов, В. А. Курешов, А. А. Мармалюк, И. С. Романов, Д. Р. Сабитов, Н. А. Чернов // Известия высших учебных заведений. Физика. 2011. Т. 54, № 9-2. С. 3-8.

• Brudnyi V. N. Effect of pressure and mechanical stress on the electronic properties of AlN and GaN / V. N. Brudnyi, A. V. Kosobutsky, N. G. Kolin // Physics of the Solid State. 2011. Vol. 53, № 4. P. 679–688.

• Electronic properties and influence of doping on GaSe crystal nonlinear optical parameters for the applications in terahertz range / M. Nazarov, A. Kosobutsky, S. Yu. Sarkisov, V. Brudnyi, O. Tolbanov, A. Shkurinov // Proceedings of SPIE. 2011. Vol. 7993: ICONO 2010: International Conference on Coherent and Nonlinear Optics. P. 799326-1-799326-10

• Modification of the structural lattice parameters and electron spectra of n-GaAs films on sapphire on irradiation with reactor neutrons / V. N. Brudnyi, A. V. Kosobutsky, N. G. Kolin, A. V. Korulin // Semiconductors. 2011. Vol. 45, № 4. P. 454–460.

2012

• Брудный В. Н. Электронная структура и уровень локальной электронейтральности политипов SiC из квазичастичных расчетов в рамках GW-приближения / В. Н. Брудный, А. В. Кособуцкий // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2012. Т. 141, вып. 6. С. 1183-1189. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000451446

• Памяти Сергея Петровича Соловьева : к 80-летию со дня рождения (1932-2000) / В. Н. Брудный, В. Т. Бублик, Б. Н. Гошицкий, В. В. Емцев, Ю. А. Казанский, Р. Ф. Коноплева, Ю. В. Конобеев, Н. Г. Колин, И. И. Кузьмин, В. Н. Мордкович, Р. П. Озеров, В. Б. Освенский, А. А. Стук, В. А. Харченко // Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46, вып. 10. С. 1374-1375.

• Электронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами n-GaN / В. Н. Брудный, С. С. Веревкин, А. В. Говорков, В.С. Ермаков, Н. Г. Колин, А. В. Корулин, А. Я. Поляков, Н. Б. Смирнов // Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46, вып. 4. С. 450-456. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000431799

• Электрофизические свойства облученных электронами эпитаксиальных пленок GaN1 / В. Н. Брудный, С. С. Веревкин, Н. Г. Колин, А. В. Корулин // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 1. С. 47-51. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000435752

• Brudnyi V. N. Electronic structure and the local electroneutrality level of SiC polytypes from quasiparticle calculations within the GW approximation / V. N. Brudnyi, A. V. Kosobutsky // Journal of Experimental and Theoretical Physics. 2012. Vol. 114, № 6. P. 1037–1042

• Electrical properties of electron-irradiated epitaxial n-GaN films / V. N. Brudnyi, S. S. Verevkin, N. G. Kolin, A. V. Korulin // Russian Physics Journal. 2012. Vol. 55, № 1. P. 53–57.

• Electronic properties and deep traps in electron-irradiated n-GaN / V. N. Brudnyi, S. S. Verevkin, A. V. Govorkov, V. S. Ermakov, N. G. Kolin, A. V. Korulin, A. Ya. Polyakov, N. B. Smirnov // Semiconductors. 2012. Vol. 46, № 4. P. 433–439.

2013

• Брудный В. Н. Влияние жесткой радиации на электронные, оптические и рекомбинационные свойства соединений (Al, Ga, In)-P, (Al, Ga)-As и их твердых растворов / В. Н. Брудный // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 8. С. 37-39. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000464057

• Брудный В. Н. Зарядовая нейтральность в полупроводниках: дефекты, границы раздела, поверхность / В. Н. Брудный // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 7. С. 27-29. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000465724

• Влияние облучения высокоэнергетическими электронами на электрофизические и оптические свойства легированных и нелегированных кристаллов GaSe / С. Ю. Саркисов, А. В. Кособуцкий, В. Н. Брудный, Е. В. Вавилин // Фундаментальные проблемы современного материаловедения. 2013. Т. 10, № 2. С. 214-220. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000507199

• Генерация терагерцового излучения от поверхностей узко-и широкозонных полупроводников, модифицированных путем радиационного облучения / С. Ю. Саркисов, А. В. Кособуцкий, В. Н. Брудный, Н. Я. Каргин // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 8/3. С. 201-204. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000468424

• Спектры электролюминесценции "красных" светодиодов AlGaInP/GaAs / А. А. Мармалюк, П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан, В. Н. Брудный и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 8. С. 40-43. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000464059

• Brudnyi V. N. Charge Neutrality in Semiconductors: Defects, Interfaces, Surface // Russian Physics Journal. 2013. Vol. 56, № 7. P. 754–756.

• Brudnyi V. N. The Effect of Hard Radiation on the Electronic, Optical, and Recombination Properties of the (Al, Ga, In)-P and (Al, Ga)-As Compounds and their Solid Solutions // Russian Physics Journal. 2013. Vol. 56, № 8. P. 890–893.

• Electroluminescence Spectra of “Red” LED AlGaInP / GaAs Structures / А. А. Marmalyuk, P. V. Gorlachuk, Yu. L. Ryaboshtan, V. N. Brudnyi, I. А. Prudaev, I. S. Romanov & М. А. Lelekov // Russian Physics Journal. 2013. Vol. 56, № 8. P. 894–897.

• Kosobutsky A.V. Structural, elastic and electronic properties of GaSe under biaxial and uniaxial compressive stress / A. V. Kosobutsky, V. N. Brudnyi, S. Y. Sarkisov // Journal of Physics and Chemistry of Solids. 2013. Vol. 74, № 9. P. 1240-1248.

2014

• Брудный В. Н. Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaN / В. Н. Брудный // Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 3. С. 50-53. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000477744

• Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1–x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P / И. А. Прудаев, В. Л. Олейник, И. С. Романов, В. Н. Брудный и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 7. С. 48-51. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000489386

• Светодиодные структуры InGaN/GaN с короткопериодной сверхрешеткой, выращенные на планарной и профилированной сапфировых подложках / И. С. Романов, И. А. Прудаев, В. Н. Брудный и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 11. С. 134-137. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000501708

• Становление и развитие научного и образовательного направлений по физике полупроводников в Томском государственном университете / В. Н. Брудный, А. В. Войцеховский, И. В. Ивонин, О. П. Толбанов // Электронная промышленность. 2014. № 1. С. 7-15. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000493301

• Титов К. С. Структурные дефекты в тройном полупроводниковом соединении ZnGeP2 / К. С. Титов, В. Н. Брудный // Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 1. С. 46-49. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000477729

• Электронные свойства p-GaN(Mg), облученного реакторными нейтронами / В. М. Бойко, В. Н. Брудный, С. С. Веревкин и др. // Физика и техника полупроводников. 2014. Т. 48, вып. 7. С. 885-889. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000495301

• Brudnyi V. N. Growth Defects in Light Emitting InGaN/GaN Structures // Russian Physics Journal. 2014. Vol. 57, № 3. P. 341–344.

• Charge Carrier Transport in LEDs Based on Multiple (AlxGa1–x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P Quantum Wells // I. A. Prudaev, V. L. Oleinik, I. S. Romanov, V. N. Brudnyi, Yu. L. Ryaboshtan, P. V. Gorlachuk, А. А. Marmalyuk // Russian Physics Journal. 2014. Vol. 57, № 7. P. 915–919.

• Electronic properties of p-GaN(Mg) irradiated with reactor neutrons / V. M. Boiko, V. N. Brudnyi, S. S. Verevkin, V. S. Ermakov, N. G. Kolin, A. V. Korulin, A. Ya. Polyakov // Semiconductors. 2014. Vol. 48, № 7. P. 859–863.

• Titov K. S. Structure Defects in a Triple Semiconducting Compound ZnGeP2 / K. S. Titov, V. N. Brudnyi // Russian Physics Journal. 2014. Vol. 57, № 1. P. 50–54.

2015

• Брудный В. Н. Нитрид галлия: уровень зарядовой нейтральности и границы раздела / Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 11. С. 121-126.

• Брудный В. Н. Уровень зарядовой нейтральности и электронные свойства межфазных границ в слоистом полупроводнике ε-GaSe / В. Н. Брудный, С. Ю. Саркисов, А. В. Кособуцкий // Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49, вып. 10. С. 1351-1354. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000518649

• Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики / И. С. Романов, И. А. Прудаев, В. Н. Брудный и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 7. С. 110-113. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000535669

• Расчеты из первых принципов оптических констант слоистых кристаллов GaSe и InSe / С. Ю. Саркисов, А. В. Кособуцкий, В. Н. Брудный, Ю. Н. Журавлев // Физика твердого тела. 2015. Т. 57, вып. 9. С. 1693-1697. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000522029

• Температурная зависимость квантового выхода светодиодных структур InGaN/GaN при высокой плотности тока / И. А. Прудаев, В. В. Копьев, И. С. Романов, В. Н. Брудный // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 5. С. 53-56. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000577393

• Электронные свойства облученного реакторными нейтронами и уровень зарядовой нейтральности GaSb / В. М. Бойко, В. Н. Брудный, В. С. Ермаков, Н. Г. Колин, А. В. Корулин // Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49, вып. 6. С. 782-785.

• Науч. рук.: Обухов С. В. Ab initio теория электрон-фононных процессов в полупроводниковых кристаллах : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Обухов Сергей Владимирович ; науч. рук. Тютерев В. Г., Брудный В. Н. ; Том. гос. пед. ун-т, Том. гос. ун-т, Том. политехн. ун-т. - Томск : [б. и.], 2015. - 134 л.: ил., табл.

• Ab initio calculations of optical constants of GaSe and InSe layered crystals / S. Yu. Sarkisov, A. V. Kosobutsky, V. N. Brudnyi, Yu. N. Zhuravlev // Physics of the Solid State. 2015. Vol. 57, № 9. P. 1735–1740.

• Brudnyi V. N. Electronic properties of GaSe, InSe, GaS and gate layered semiconductors: charge neutrality level and interface barrier heights / V. N. Brudnyi, A. V. Kosobutsky, S. Yu. Sarkisov // Semiconductor Science and Technology. 2015. Vol. 30, № 11. P. 115019 (1-9).

• Brudnyi V. N. On the charge neutrality level and the electronic properties of interphase boundaries in the layered ε-GaSe semiconductor / V. N. Brudnyi, S. Yu. Sarkisov, A. V. Kosobutsky // Semiconductors. 2015. Vol. 49, № 10. P. 1307–1310

• Effect of the Barrier Thickness on the Optical Properties of InGaN/GaN/Al2O3 (0001) LED Heterostructures / I. S. Romanov, I. A. Prudaev, V. N. Brudnyi, V. V. Kopyev, V. A. Novikov, A. A. Marmalyuk, V. A. Kureshov, D. R. Sabitov, A. V. Mazalov // Russian Physics Journal. 2015. Vol. 58, № 7. P. 996–1000.

• Experimental evaluation of stable long term operation of semiconductor magnetic sensors at iter relevant environment / I. Bolshakova, S. Belyaev, M. Bulavin, V. Brudnyi, V. Chekanov, V. Coccorese, I. Duran, S. Gerasimov, R. Holyaka, N. Kargin, R. Konopleva, Ya. Kost, T. Kuech, S. Kulikov, O. Makido, Ph. Moreau, A. Murari, A. Quercia, F. Shurygin, M. Strikhanov, S. Timoshyn, I. Vasil'evskii, A. Vinichenko // Nuclear Fusion. 2015. Vol. 55, № 8. P. 083006 (1-7).

• Led InGaN/GaN Structures with Short-Period Superlattice Grown on Flat and Patterned Sapphire Substrates / I. S. Romanov, I. A. Prudaev, V. N. Brudnyi, V. V. Kop’ev, Vad. A. Novikov, А. А. Маrmalyuk, V. А. Кureshov, D. R. Sabitov, А. V. Маzalov // Russian Physics Journal. 2015. Vol. 57, № 11. P. 1604–1608.

• Temperature dependence of quantum efficiency of InGaN/GaN Led Structures at High Current Density / I. A. Prudaev, V. V. Kopyev, I. S. Romanov, V. N. Brudnyi // Russian Physics Journal. 2015. Vol. 58, № 5. P. 641–645.

• Terahertz generation from surfaces of electron and neutron irradiated semiconductors / Bereznaya S.A., Korotchenko Z.V., Red'kin R.A., Sarkisov S.Yu., Brudnyi V.N., Kosobutsky A.V., Atuchin V.V. // Effect of external influences on the strength and plasticity of metals and alloys : иook of the International seminar articles. Barnaul, 2015. P. 182-183.

• The optical properties of 9 MEV electron irradiated GaSe crystals / R. A. Redkin, I. A. Prudaev, S. Yu. Sarkisov, A. V. Kosobutsky, V. N. Brudnyi // 2015 International Siberian Conference on Control and Communications, SIBCON 2015 [electronic resource]: proceedings. Omsk, 2015. P. 7147212.

• Electron and neutron irradiated semiconductor surfaces for terahertz generation / S. Yu. Sarkisov, R. A. Red'kin, Z. V. Korotchenko, S.A. Bereznaia, V.N. Brudnyi, A. V. Kosobutsky, V.V. Atuchin // Opto-, nanoelectronics, nanotechnology and microsystems : proceedings of the XVIII International Conference. Ulyanovsk, 2015. P. 11.

2016

• Брудный В. Н. BN, ALN, GAN, INN: уровень зарядовой нейтральности, поверхность, границы раздела, легирование // Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59, № 12. С. 178-181.

• Влияние короткопериодной сверхрешетки INGAN/GAN на эффективность светодиодов синего диапазона волн в области высокого уровня оптической накачки / И. А. Прудаев, И. С. Романов, В. В. Копьев, В. Н. Брудный, А. А. Мармалюк, В. А. Курешов, Д. Р. Сабитов, А. В. Мазалов // Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59, № 7. С. 19-22.

• Brudnyi V. N. Gallium Nitride: Charge Neutrality Level and Interfaces // Russian Physics Journal. 2016. Vol. 58, № 11. P. 1613–1618.

• Effect of a Short-Period InGaN/GaN Superlattice on the Efficiency of Blue LEDs at High Level of Optical Pumping / I. A. Prudaev, I. S. Romanov, V. V. Kopyev, V. N. Brudnyi, A. A. Marmalyuk, V. A. Kureshov, D. R. Sabitov, A. V. Mazalov // Russian Physics Journal. 2016. Vol. 59, № 7. P. 934–937.

• Terahertz generation from surfaces of electron and neutron irradiated semiconductors / S. A. Bereznaya, Z. V. Korotchenko, R. A. Redkin, S. Yu. Sarkisov, V. N. Brudnyi, A. V. Kosobutsky, V. V. Atuchin // XV Международная молодежная конференция по люминесценции и лазерной физике : Тезисы лекций и докладов. Иркутск, 2016. С. 6.

• Terahertz generation from electron- and neutron-irradiated semiconductor crystal surfaces / S. A. Bereznaya, Z. V. Korotchenko, R. A. Redkin, S. Yu. Sarkisov, V. V. Atuchin, V. N. Brudnyi, A. V. Kosobutsky // Infrared Physics & Technology. 2016. Vol. 77. P. 100-103.

2017

• Вызванные нейтронным облучением изменения электронных свойств и решеточных констант эпитаксиальных слоев wz-GaN выращенных на подложке Al2O3 / Брудный В. Н., Бойко В. М., Колин Н. Г. // Радиационная физика металлов и сплавов : тезисы докладов 12 Международного Уральского семинара, Кыштым, 27 февр.-4 марта, 2017 г. Кыштым, 2017. С. 67-68

• Brudnyi V. N. BN, AlN, GaN, InN: Charge Neutrality Level, Surface, Interfaces, Doping // Russian Physics Journal. 2017. Vol. 59, № 12. P. 2186–2190.

• Brudnyi V. N. Electronic properties of SiC polytypes: charge neutrality level and interfacial barrier heights / V. N. Brudnyi, A. V. Kosobutsky // Superlattices and Microstructures. 2017. Vol. 111. P. 499-505.

2018

• Брудный В. Н. Физические свойства твердых растворов InxAl1-xN / В. Н. Брудный, М. Д. Вилисова, Л. Э. Великовский // Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 6. С. 142-147. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000661208

• Романов И. С. Диффузия магния в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN при реальных температурах роста p-GaN 860-980 °C / И. С. Романов, И. А. Прудаев, В. Н. Брудный // Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 1. С. 164-166. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000673426

• Электрофизические и физико-химические свойства омических контактов для соединений III-N / В. Н. Брудный, М. Д. Вилисова, Л. Э. Великовский [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 8. С. 73-78. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000661233

• Brudnyi V. N. Physical Properties of Solid Solutions InxAl1–xN / V. N. Brudnyi, M. D. Vilisova, L. É. Velikovskii // Russian Physics Journal. 2018. Vol. 61, № 6. P. 1160–1166.

• Electron Irradiation Degradation of AlGaInP/GaAs Light-Emitting Diodes / V. Brudnyi, I. Prudaev, V. Oleinik, A. Marmaluk // Physica status solidi (a). 2018. Vol. 215, iss. 8. P. 1700445 (1-5)

• Electrophysical and Physical-Chemical Properties of Ohmic Contacts to III-N Compounds / V. N. Brudnyi, M. D. Vilisova, L. É. Velikovskii, P. Е. Sim, P. A. Brudnyi // Russian Physics Journal. 2018. Vol. 61, № 8. P. 1450–1456.

• Neutron irradiation-induced modification of electrical and structural properties of GaN epifilms grown on Al2O3 (0001) substrate / Brudnyi V.N., Kosobutsky A.V., Brudnyi P.A., Boiko V.M., Kolin N.G., Korulin A.V., Ermakov V.S. // Semiconductor Science and Technology. 2018. Vol. 33, № 9. P. 095011 (1-8).

• Romanov I. S. Diffusion of Magnesium in Led Structures with InGaN/GaN Quantum Wells at True Growth Temperatures 860–980°C of p-GaN / I. S. Romanov, I. A. Prudaev, V. N. Brudnyi // Russian Physics Journal. 2018. Vol. 61, № 1. P. 187–190

2019

• Брудный В. Н. Твердые растворы InxAl1-xN: проблемы стабильности состава / В. Н. Брудный, М. Д. Вилисова, Л. Э. Великовский // Физика и техника полупроводников. 2019. № 12. С. 1733-1739.

• Особенности радиационных изменений электрических свойств INALN/GAN HEMT / А. Г. Афонин, В. Н. Брудный, П. А. Брудный, Л. Э. Великовский // Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 9. С. 106-112. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000674939

• Пат. № 187837 U1 Российская Федерация, МПК H01L 21/263 (2006.01). Преобразователь оптического излучения на кристалле ZnGeP2 : № 2018146141 : заявл. 25.12.2018 : опубл. 19.03.2019 Бюл. № 8 / Брудный В.Н.; патентообладатель Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). – 7 с.

• Пат. № 2707402 Российская Федерация, МПК H01L 21/335 (2006.01). Способ изготовления высокочастотного транзистора с дополнительным активным полевым электродом : № 2019109007 : заявл. 28.03.2019 : опубл. 26.11.2019 Бюл. № 33/ Торхов Н. А., Брудный В. Н.; патентообладатель Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). – 10 с.

• Пат. № 2708677 Российская Федерация, МПК H01L 21/288 (2006.01). Способ металлизации сквозных отверстий в полуизолирующих полупроводниковых подложках : № 2019103594 : заявл. 08.02.2019 : опубл. 11.12.2019 Бюл. № 35 / Торхов Н. А., Брудный В. Н.; патентообладатель Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). – 11 с.

• Brudnyi V. N. InxAl1 –xN Solid Solutions: Composition Stability Issues / V. N. Brudnyi, M. D. Vilisova, L. E. Velikovskiy // Semiconductors. 2019. Vol. 53, № 12. P. 1724–1730.

2020

• Пат. 197682 U1 Российская Федерация, МПК G01L 9/04 (2006.01). Полупроводниковый датчик давления : № 2019144462 : заявл. 27.12.2019 : опубл. 21.05.2020 Бюл. № 15 / Брудный В.Н., Брудный П.А.; патентообладатель Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). – 11 с.

• Brudnyi V. N. Fermi level pinning and hydrostatic pressure effect in electron irradiated GaSb / V. N. Brudnyi, P. A. Brudnyi, I. V. Kamenskaya // Semiconductor Science and Technology. 2020. Vol. 35, № 8. P. 085021 (1-5).

• Features of Radiation Changes in Electrical Properties of InAlN/GaN Hemts / A. G. Afonin, V. N. Brudnyi, P. A. Brudnyi, L. E. Velikovskii // Russian Physics Journal. 2020. Vol. 62, № 9. P. 1656–1662

2021

• Пат № 2746845 Российская Федерация, МПК H01L 21/335 (2006.01). Способ изготовления t-образного гальванического затвора в высокочастотном полевом транзисторе : № 2020128435 : заявл. 27.08.2020 : опубл. 21.04.2021 Бюл. № 12 / Торхов Н. А., Брудный В. Н., Брудный П. А.; Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский Томский государственный университет». – 10 с.

Литература о трудах и деятельности

Светлое будущее полупроводников // Alma Mater. 2012. 10 апр. (№ 2520)