Борисенко, Сергей Иванович — различия между версиями
Nikitin (обсуждение | вклад) |
|||
Строка 11: | Строка 11: | ||
|Гражданство = | |Гражданство = | ||
|Научная сфера = | |Научная сфера = | ||
− | |Место работы = | + | |Место работы = Томский государственный университет, Радиофизический факультет, кафедра полупроводниковой электроники, профессор |
− | |Учёная степень = | + | |Учёная степень = доктор физико-математических наук |
− | |Учёное звание = | + | |Учёное звание = доцент |
|Альма-матер = | |Альма-матер = | ||
|Образование = | |Образование = | ||
Строка 35: | Строка 35: | ||
=<span style="color:#0000FF">Хронологический список работ</span>= | =<span style="color:#0000FF">Хронологический список работ</span>= | ||
+ | |||
+ | '''1976''' | ||
+ | |||
+ | • Караваев Г. Ф. Зонный спектр и оптическое поглощение в n-CdSnAs2 / Г. Ф. Караваев, С. И. Борисенко // Всесоюзная конференция «Тройные полупроводники и их применение» : тезисы докладов. Кишинев, 1976. С. 59-62. | ||
+ | |||
+ | '''1978''' | ||
+ | |||
+ | • Караваев Г. Ф. Зонный спектр и оптическое поглощение в n-CdSnAs2 / Г. Ф. Караваев, С. И. Борисенко // Известия высших учебных заведений. Физика. 1978. № 6. С. 28 | ||
+ | |||
+ | • Karavaev G. F. Band spectrum and optical absorption in n-CdSnAs2 / G. F. Karavaev, S. I. Borisenko // Soviet Physics Journal. 1978. Vol. 21, № 6. P. 712–717. | ||
+ | |||
+ | '''1979''' | ||
+ | |||
+ | • Исследование электронного и фононного спектров некоторых тройных полупроводниковых соединений / В. А. Чалдышев, Г. Ф. Караваев, В. Г. Тютерев, С. И. Борисенко, Л. А. Брыснева, Н. А. Захаров, С. И. Скачков // Всесоюзная конференция «Тройные полупроводники и их применение» : тезисы докладов, 8-10 октября 1979 г. Кишинев, 1979. С. 34-36. | ||
+ | |||
+ | '''1982''' | ||
+ | |||
+ | • Борисенко С. И. Механизмы рассеяния носителей заряда в полупроводниках с решеткой халькопирита / С. И. Борисенко, Г. Ф. Караваев, В. Г. Тютерев // Физика и техника полупроводников. 1982. Т. 16, № 3. С. 432-439. | ||
+ | |||
+ | • Борисенко С. И. Энергетический спектр и оптическое поглощение в p-CdGeAs2 / С. И. Борисенко, Г. Ф. Караваев // Известия высших учебных заведений. Физика. 1982. № 1. С. 68-72. | ||
+ | |||
+ | • Караваев Г. Ф. Энергетический спектр и внутризонное оптическое поглощение в p-CdGeAs2 / Г. Ф. Караваев, С. И. Борисенко // Методы расчета энергетической структуры и физических свойств кристаллов : материалы 2 Всесоюзной конференции. Киев, Наукова Думка. 1982. С. 220-225. | ||
+ | |||
+ | • Borisenko S. I. Energy spectrum and optical absorption in p-CdGeAs2 / S. I. Borisenko, G. F. Karavaev // Soviet Physics Journal. 1982. Vol. 25, № 1. P. 65–68. | ||
+ | |||
+ | '''1983''' | ||
+ | |||
+ | • *Взаимодействие электронов с длинноволновыми оптическими фононами в полупроводниках с решеткой халькопирита / С. И. Борисенко, С. И. Скачков, В. Г. Тютерев // Одиннадцатое совещание по теории полупроводников : тез. докл. Ужгород, 1983. С. 87-88. | ||
+ | |||
+ | • Рассеяние электронов на пьезоэлектрическом потенциале оптических фононов в n -CdGeAs2 / С. И. Борисенко, Г. Ф. Караваев, С. И. Скачков, В. Г. Тютерев // Физика и техника полупроводников. 1983. Т. 17, № 12. С. 2198–2201. | ||
+ | |||
+ | '''1986''' | ||
+ | |||
+ | • Анализ температурной зависимости дрейфовой подвижности дырок в CdGeAs2 / С. И. Борисенко, Г. Ф. Караваев, С. И. Скачков, В. Г. Тютерев // Физика и техника полупроводников. 1986. Т.20, №7. С. 1214-1217. | ||
+ | |||
+ | • Борисенко С. И. Анализ некоторых оптических и электрических свойств тройных алмазоподобных полупроводников A2 B4 C52 : автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Борисенко Сергей Иванович ; Том. гос. ун-т. - Томск : [б. и.], 1986. – 14 с. | ||
+ | |||
+ | • Борисенко С. И. Анализ некоторых оптических и электрических свойств тройных алмазоподобных полупроводников A2 B4 C52 : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Борисенко Сергей Иванович ; науч. рук. Караваев Г. Ф. ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова при Том. гос. ун-те им. В. В. Куйбышева. - Томск : [б. и.], 1986. - 136 л.: ил. | ||
+ | |||
+ | '''1988''' | ||
+ | |||
+ | • Борисенко С. И. Анизотропия акустического рассеяния дырок в кристаллах А2В4С5 с решеткой халькопирита / С. И. Борисенко, Г. Ф. Караваев // Известия высших учебных заведений. Физика. 1988. № 5. С. 117-119. | ||
+ | |||
+ | • Борисенко С. И. Оценка эффективных масс электронов и дырок в полупроводниках А2В4С5 / С. И. Борисенко, Г. Ф. Караваев // Известия высших учебных заведений. Физика. 1988. № 4. С. 101-103. | ||
+ | |||
+ | '''1990''' | ||
+ | |||
+ | • Brudnyi V. N. Electrical and optical properties and fermi level pinning in electron irradiated ZnSnAs2 / V. N. Brudnyi, S. I. Borisenko, A. I. Potapov // Physica status solidi (a). 1990. Vol. 118, iss. 2. P. 505-511. | ||
+ | |||
+ | '''1998''' | ||
+ | |||
+ | • Борисенко С. И. Численный анализ продольного электрического тока при резонансном протекании в сверхрешетке n-GaAs/AlXGa1-xAs с легированными квантовыми ямами / С. И. Борисенко, Г. Ф. Караваев // Физика и техника полупроводников. 1998. Т. 32, № 5. С. 607-612. | ||
+ | |||
+ | • Электропроводность полупроводниковых сверхрешеток : методическая разработка / С. И. Борисенко; Томский гос. ун-т. - Томск, 1998. - 36 с.: ил. | ||
+ | |||
+ | • Borisenko S. I. Numerical analysis of the longitudinal electric current during resonance current flow in n-GaAs/AlXGa1-xAs superlattice with doped quantum wells / S. I. Borisenko, G. F. Karavaev // Semiconductors. 1998. Vol. 32, № 5. P. 544-548. | ||
+ | |||
+ | '''1999''' | ||
+ | |||
+ | • Борисенко С. И. Анализ механизмов рассеяния электронов в сверхрешетке GaAs/AlxGa1-xAs с легированными квантовыми ямами при продольном резонансном токопереносе в области сильных электрических полей и низких температур / С. И. Борисенко, Г. Ф. Караваев // Физика и техника полупроводников. 1999. Т. 33, № 4. С. 438-444. | ||
+ | |||
+ | • Борисенко С. И. Время релаксации импульса и температурная зависимость подвижности электронов в полупроводниковых сверхрешетках из слабо взаимодействующих квантовых ям // Физика и техника полупроводников. 1999. Т. 33, № 10. С. 1240-1245. | ||
+ | |||
+ | • Борисенко С. И. Численный анализ резонансного значения продольного тока в сверхрешетке типа GaAs/AlxGa1-xAs со слабо взаимодействующими квантовыми ямами / С. И. Борисенко // Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП. Томск, 1999. С. 91-92. | ||
+ | |||
+ | • Интерференционные эффекты при туннелировании электронных волн в квантовых гетероструктурах и перспективы их использования : методическая разработка / сост. С. И. Борисенко; Томский гос. ун-т. - Томск, 1999. - 29 с.: рис. | ||
+ | |||
+ | • Borisenko S. I. Momentum relaxation time and temperature dependence of electron mobility in semiconductor superlattices consisting of weakly interacting quantum wells / S.I. Borisenko, G. F. Karavaev // Semiconductors. 1999. Vol. 33, № 10. P. 1128-1132. | ||
+ | |||
+ | • Borisenko S. I. Low-dimensional systems: analysis of mechanisms for electron scattering in GaAs/AlxGa1-xAs superlattices with doped quantum wells for longitudinal resonant current flow in high electric fields and at low temperatures / S.I. Borisenko, G.F. Karavaev // Semiconductors. 1999. Vol. 33, № 4. P. 423-428. | ||
+ | |||
+ | '''2001''' | ||
+ | |||
+ | • Анализ температурной зависимости подвижности электронов в монокристаллах CdGeAs2 / С. И. Борисенко, В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, В. Г. Тютерев // Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35, № 6. С. 720-724. | ||
+ | |||
+ | • Борисенко С. И. Анализ температурной зависимости концентрации электронов в монокристаллах CdGeAs2 // Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35, № 10. С. 1175-1177. | ||
+ | |||
+ | • Борисенко С. И. Особенности неравновесной функции распределения при рассеянии электронов на полярных оптических фононах в полупроводниках AIIIBV // Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35, № 3. С. 313-316. | ||
+ | |||
+ | • Borisenko S.I. An analysis of the temperature dependence of the electron mobility in the CdGeAs2 single crystals / S. I. Borisenko, V. G. Tyuterev, V. Yu. Rud', Yu. V. Rud' // Semiconductors. 2001. Vol. 35, № 6. P. 690-694. | ||
+ | |||
+ | • Borisenko S.I. Analysis of the temperature dependence of electron concentration in CdGeAs2 single crystals // Semiconductors. 2001. Vol. 35, № 10. P. 1123-1125. | ||
+ | |||
+ | • Borisenko S.I. Specific features of the nonequilibrium distribution function for electron scattering by polar optical phonons in III - V semiconductors // Semiconductors. 2001. Vol. 35, № 3. P. 298-301. | ||
+ | |||
+ | '''2002''' | ||
+ | |||
+ | • Борисенко С. И. Анализ неупругого рассеяния квазидвумерных электронов сверхрешетки на акустических фононах с учетом дисперсии минизоны // Физика и техника полупроводников. 2002. Т. 36, № 12. С. 1445-1448. | ||
+ | |||
+ | • Борисенко С. И. Влияние параметров сверхрешетки типа GaAs/AlxGa1-xAs на акустическое рассеяние квазидвумерных электронов / С. И. Борисенко // Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции. Томск, 2002. С. 137-139. | ||
+ | |||
+ | • Борисенко С. И. Зависимость акустического рассеяния квазидвумерных электронов от параметров сверхрешетки типа GaAs/AlxGa1-xAs // Физика и техника полупроводников. 2002. Т. 36, № 10. С. 1237-1240. | ||
+ | |||
+ | • Борисенко С. И. Расчет низкополевой подвижности квазидвумерных электронов сверхрешетки GaAs/Al0.36Ga0.64As в области температуры 77 K // Физика и техника полупроводников. 2002. Т. 36. № 7. С. 861-868. | ||
+ | |||
+ | • Analysis of the temperature dependence of electron mobility in CdGeAs2 single crystals / S. I. Borisenko, V. G. Tyuterev, V. Yu. Rud, Yu. V. Rud // Semiconductor Science and Technology. 2002. Vol. 17, № 10. P. 1128-1132. | ||
+ | |||
+ | • Borisenko S. I. Analysis of inelastic scattering of quasi-two-dimensional electrons of a superlattice by acoustic phonons with allowance made for the miniband dispersion / Semiconductors. 2002. Vol. 36, № 12. P. 1360-1363. | ||
+ | |||
+ | • Borisenko S. I. Calculation of the low-field mobility of quasi-two-dimensional electrons in a GaAs/Al0.36Ga0.64As superlattice at temperatures in the region of 77 K // Semiconductors. 2002. Vol. 36, № 7. P. 808-815. | ||
+ | |||
+ | • Borisenko S. I. Dependence of scattering of quasi-two-dimensional electrons by acoustic phonons on the parameters of a GaAs/AlxGa1-xAs superlattice // Semiconductors. 2002. Vol. 36, № 10. P. 1159-1162. | ||
+ | |||
+ | '''2003''' | ||
+ | |||
+ | • Борисенко С. И. Влияние дисперсии минизоны на неупругое рассеяние электронов сверхрешетки акустическими фононами // Известия высших учебных заведений. Физика. 2003. Т. 46, № 3. С. 41-47. | ||
+ | |||
+ | • Борисенко С. И. Влияние ширины минизоны на время релаксации электронов сверхрешетки при рассеянии на ионах примеси // Известия высших учебных заведений. Физика. 2003. Т. 46, № 5. С. 84-89. | ||
+ | |||
+ | • Борисенко С. И. Дисперсия времени релаксации квазидвумерных электронов при рассеянии на ионах примеси в сверхрешетке с легированными квантовыми ямами // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37, № 5. С. 588-591. | ||
+ | |||
+ | • Борисенко С. И. Зависимость ширины основной ширины минизоны сверхрешетки с прямоугольными квантовыми ямами от конструктивных параметров // Известия высших учебных заведений. Физика. 2003. Т. 46, № 10. С. 67-70. | ||
+ | |||
+ | • Борисенко С. И. Рассеяние квазидвумерных электронов сверхрешетки GaAs/AlxGa1-xAs на полярных оптических фононах в модели диэлектрического континуума // Известия высших учебных заведений. Физика. 2003. Т. 46, № 12. С. 40-47. | ||
+ | |||
+ | • Борисенко С. И. Рассеяние квазидвумерных электронов на фононах в сверхрешетке // Современные проблемы физики и высокие технологии. Томск : Изд-во НТЛ, 2003. С. 60-61. | ||
+ | |||
+ | • Борисенко С. И. Рассеяние электронов на ионах примеси при низких температурах в сверхрешетке с легированными квантовыми ямами // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37, № 9. P. 1117-1122. | ||
+ | |||
+ | • Borisenko S. I. A Ground Miniband Width of a Superlattice with Rectangular Quantum Wells versus Constructive Parameters // Russian Physics Journal. 2003. Vol. 46, № 10. P. 1034–1036. | ||
+ | |||
+ | • Borisenko S. I. Dispersion of the relaxation time of quasi-two-dimensional electrons under conditions of ionized-impurity scattering in a superlattice with doped quantum wells // Semiconductors. 2003. Vol. 37, № 5. P. 569-572. | ||
+ | |||
+ | • Borisenko S. I. Effect of Miniband Dispersion on Inelastic Scattering of Superlattice Electrons by Acoustic Phonons // Russian Physics Journal. 2003. Vol. 46, № 3. P. 262–269. | ||
+ | |||
+ | • Borisenko S. I. Influence of the Miniband Width on the Relaxation Time of Superlattice Electrons Scattered by Impurity Ions // Russian Physics Journal. 2003. Vol. 46, № 5. P. 526–531. | ||
+ | |||
+ | • Borisenko S. I. Scattering of electrons at impurity ions at low temperatures in a superlattice with doped quantum wells // Semiconductors. 2003. Vol. 37, № 9. P. 1093-1099. | ||
+ | |||
+ | • Borisenko S. I. Scattering of Quasi-Two-Dimentional Electrons of the GaAs/Al x Ga1–x As Superlattice by Polar Optical Phonons in the Dielectric Continuum Model // Russian Physics Journal. 2003. Vol. 46, № 12. P. 1227–1236. | ||
+ | |||
+ | '''2004''' | ||
+ | |||
+ | • Борисенко С. И. Анализ особенностей оптических и электрических свойств сложных алмазоподобных полупроводников и гетероструктур на их основе : автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. 01.04.10 / Том. гос. ун-т. - Томск, 2004. - 32 с.: ил.. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000189130 | ||
+ | |||
+ | • Борисенко С. И. Анализ особенностей оптических и электрических свойств сложных алмазоподобных полупроводников и гетероструктур на их основе : диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических структур. 01.04.10 / Борисенко Сергей Иванович ; науч. конс. Г. Ф. Караваев ; Том. гос. ун-т, Сиб. физ. -техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова. - Томск : б. и., 2004. - 192 л.: ил. | ||
+ | |||
+ | • Борисенко С. И. Рассеяние квазидвумерных электронов сверхрешетки GaAs/AlxGa1-xAs на фононах // Физика и техника полупроводников. 2004. Vol. 38, № 2. С. 207-212. | ||
+ | |||
+ | • Борисенко С. И. Влияние размерного квантования спектра акустических фононов на рассеяние электронов в сверхрешетке GaAs/AlxGa1-xAs // Физика и техника полупроводников. 2004. Т. 38, № 7. С. 858-863. | ||
+ | |||
+ | • Borisenko S. I. Phonon scattering of quasi-two-dimensional electrons in GaAs/AlxGa1-xAs superlattices // Semiconductors. 2004. Vol. 38, № 2. P. 202-208. | ||
+ | |||
+ | • Borisenko S. I. The effect of acoustic phonon confinement on electron scattering in GaAs/AlxGa1-xAs superlattices // Semiconductors. 2004. Vol. 38, № 7. P. 824-829. | ||
+ | |||
+ | '''2006''' | ||
+ | |||
+ | • Борисенко С. И. Анализ рассеяния электронов на ионах примеси в сверхрешетке типа GaAs/AlxGa1-xAs / С. И. Борисенко // Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции. Томск, 2006. С. 314-317 | ||
+ | |||
+ | '''2011''' | ||
+ | |||
+ | • Борисенко С. И. Физика полупроводниковых наноструктур : учебно-методический комплекс / C. И. Борисенко, Ю. В. Вячистая ; Том. гос. ун-т, [Ин-т дистанционного образования]. - Томск : [ИДО ТГУ], 2011. - . URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000427308 | ||
+ | |||
+ | '''2012''' | ||
+ | |||
+ | • Ревинская О. Г. Методика экспериментального изучения аномальной дисперсии света в полупроводниках в курсе общей физики и ее реализация на компьютере / О. Г. Ревинская, С. И. Борисенко, Н. С. Кравченко // Фундаментальные исследования. 2012. № 6-2. С. 382-387. | ||
+ | |||
+ | • Ревинская О. Г. Модель экспериментального изучения аномальной дисперсии в полупроводниках и ее реализация на компьютере / О. Г. Ревинская, С. И. Борисенко, Н. С. Кравченко // Учебная физика. 2012. № 1. С. 22-31. | ||
+ | |||
+ | '''2016''' | ||
+ | |||
+ | • Борисенко С. И. Зависимость подвижности от концентрации электронов при рассеянии на полярных оптических фононах в нитридах AIIIN // Физика и техника полупроводников. 2016. Т. 50, № 4. С. 438-440. | ||
+ | |||
+ | • Borisenko S. I. Dependence of mobility on the electron concentration upon scattering at polar optical phonons in AIII–N nitrides // Semiconductors. 2016. Vol. 50, № 4. P. 432-434. | ||
+ | |||
=<span style="color:#0000FF">Литература о трудах и деятельности</span>= | =<span style="color:#0000FF">Литература о трудах и деятельности</span>= | ||
− | Борисенко Сергей Иванович // Профессора Томского университета : биогр. словарь. Томск, 2013. Т. | + | Борисенко Сергей Иванович // Профессора Томского университета : биогр. словарь. Томск, 2013. Т. 6 : 2003-2012. С. 45-48: фото. |
=<span style="color:#0000FF">Ссылки</span>= | =<span style="color:#0000FF">Ссылки</span>= | ||
− | + | [http://elibrary.ru/author_profile.asp?id=25934 Анализ публикационной активности (РИНЦ)] | |
+ | |||
+ | [http://www.scopus.com/authid/detail.url?authorId=7005507644 Цитирование в Scopus] | ||
+ | |||
+ | [https://publons.com/researcher/2467057/sergei-i-borisenko/ ResearcherID (Публикации с Web of Science)] | ||
+ | |||
+ | [https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-search.pl?idx=&q=%D0%91%D0%BE%D1%80%D0%B8%D1%81%D0%B5%D0%BD%D0%BA%D0%BE%2C%20%D0%A1%D0%B5%D1%80%D0%B3%D0%B5%D0%B9%20%D0%98%D0%B2%D0%B0%D0%BD%D0%BE%D0%B2%D0%B8%D1%87 Электронный каталог НБ ТГУ] | ||
+ | |||
+ | [http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository?exact=sm_creator:%22%D0%91%D0%BE%D1%80%D0%B8%D1%81%D0%B5%D0%BD%D0%BA%D0%BE%2C+%D0%A1%D0%B5%D1%80%D0%B3%D0%B5%D0%B9+%D0%98%D0%B2%D0%B0%D0%BD%D0%BE%D0%B2%D0%B8%D1%87%22 Электронная библиотека ТГУ] | ||
− | |||
[[Категория:Персоналии ученых ТГУ]] | [[Категория:Персоналии ученых ТГУ]] |
Версия 10:41, 17 декабря 2021
Содержание
Биографическая справка
Борисенко Сергей Иванович после окончания с золотой медалью средней школы № 6 им. И. З. Шуклина в Горно-Алтайске в 1968 году поступил на физический факультет Томского государственного университета (ТГУ). Окончил университет в 1973 году по специальности «физика» с квалификацией «физик». С 1973 года – мл. научный сотрудник, в 1986-2004 – научный сотрудник лаборатории теоретической физики Сибирского физико-технического института при ТГУ. Одновременно с 2000 года – доцент кафедры полупроводниковой электроники ТГУ, С 2004 года – доцент кафедры теоретической и экспериментальной физики Томского политехнического университета. По совместительству с 2005 года – профессор кафедры полупроводниковой электроники радиофизического факультета ТГУ.
Курсы, читаемые в ТГУ: «Оптические свойства полупроводников», «Основы наноэлектроники».
Научная деятельность связана с изучением электрических и оптических свойств наноразмерных полупроводниковых структур, низкоразмерных полупроводниковых гетероструктур – квантовых ям и сверхрешеток. Автор более 50 научных работ.
Борисенко С. М., доктор физико-математических наук, профессор, награжден Почетной грамотой Минобрнауки Российской Федерации (2011).
Хронологический список работ
1976
• Караваев Г. Ф. Зонный спектр и оптическое поглощение в n-CdSnAs2 / Г. Ф. Караваев, С. И. Борисенко // Всесоюзная конференция «Тройные полупроводники и их применение» : тезисы докладов. Кишинев, 1976. С. 59-62.
1978
• Караваев Г. Ф. Зонный спектр и оптическое поглощение в n-CdSnAs2 / Г. Ф. Караваев, С. И. Борисенко // Известия высших учебных заведений. Физика. 1978. № 6. С. 28
• Karavaev G. F. Band spectrum and optical absorption in n-CdSnAs2 / G. F. Karavaev, S. I. Borisenko // Soviet Physics Journal. 1978. Vol. 21, № 6. P. 712–717.
1979
• Исследование электронного и фононного спектров некоторых тройных полупроводниковых соединений / В. А. Чалдышев, Г. Ф. Караваев, В. Г. Тютерев, С. И. Борисенко, Л. А. Брыснева, Н. А. Захаров, С. И. Скачков // Всесоюзная конференция «Тройные полупроводники и их применение» : тезисы докладов, 8-10 октября 1979 г. Кишинев, 1979. С. 34-36.
1982
• Борисенко С. И. Механизмы рассеяния носителей заряда в полупроводниках с решеткой халькопирита / С. И. Борисенко, Г. Ф. Караваев, В. Г. Тютерев // Физика и техника полупроводников. 1982. Т. 16, № 3. С. 432-439.
• Борисенко С. И. Энергетический спектр и оптическое поглощение в p-CdGeAs2 / С. И. Борисенко, Г. Ф. Караваев // Известия высших учебных заведений. Физика. 1982. № 1. С. 68-72.
• Караваев Г. Ф. Энергетический спектр и внутризонное оптическое поглощение в p-CdGeAs2 / Г. Ф. Караваев, С. И. Борисенко // Методы расчета энергетической структуры и физических свойств кристаллов : материалы 2 Всесоюзной конференции. Киев, Наукова Думка. 1982. С. 220-225.
• Borisenko S. I. Energy spectrum and optical absorption in p-CdGeAs2 / S. I. Borisenko, G. F. Karavaev // Soviet Physics Journal. 1982. Vol. 25, № 1. P. 65–68.
1983
• *Взаимодействие электронов с длинноволновыми оптическими фононами в полупроводниках с решеткой халькопирита / С. И. Борисенко, С. И. Скачков, В. Г. Тютерев // Одиннадцатое совещание по теории полупроводников : тез. докл. Ужгород, 1983. С. 87-88.
• Рассеяние электронов на пьезоэлектрическом потенциале оптических фононов в n -CdGeAs2 / С. И. Борисенко, Г. Ф. Караваев, С. И. Скачков, В. Г. Тютерев // Физика и техника полупроводников. 1983. Т. 17, № 12. С. 2198–2201.
1986
• Анализ температурной зависимости дрейфовой подвижности дырок в CdGeAs2 / С. И. Борисенко, Г. Ф. Караваев, С. И. Скачков, В. Г. Тютерев // Физика и техника полупроводников. 1986. Т.20, №7. С. 1214-1217.
• Борисенко С. И. Анализ некоторых оптических и электрических свойств тройных алмазоподобных полупроводников A2 B4 C52 : автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Борисенко Сергей Иванович ; Том. гос. ун-т. - Томск : [б. и.], 1986. – 14 с.
• Борисенко С. И. Анализ некоторых оптических и электрических свойств тройных алмазоподобных полупроводников A2 B4 C52 : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Борисенко Сергей Иванович ; науч. рук. Караваев Г. Ф. ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова при Том. гос. ун-те им. В. В. Куйбышева. - Томск : [б. и.], 1986. - 136 л.: ил.
1988
• Борисенко С. И. Анизотропия акустического рассеяния дырок в кристаллах А2В4С5 с решеткой халькопирита / С. И. Борисенко, Г. Ф. Караваев // Известия высших учебных заведений. Физика. 1988. № 5. С. 117-119.
• Борисенко С. И. Оценка эффективных масс электронов и дырок в полупроводниках А2В4С5 / С. И. Борисенко, Г. Ф. Караваев // Известия высших учебных заведений. Физика. 1988. № 4. С. 101-103.
1990
• Brudnyi V. N. Electrical and optical properties and fermi level pinning in electron irradiated ZnSnAs2 / V. N. Brudnyi, S. I. Borisenko, A. I. Potapov // Physica status solidi (a). 1990. Vol. 118, iss. 2. P. 505-511.
1998
• Борисенко С. И. Численный анализ продольного электрического тока при резонансном протекании в сверхрешетке n-GaAs/AlXGa1-xAs с легированными квантовыми ямами / С. И. Борисенко, Г. Ф. Караваев // Физика и техника полупроводников. 1998. Т. 32, № 5. С. 607-612.
• Электропроводность полупроводниковых сверхрешеток : методическая разработка / С. И. Борисенко; Томский гос. ун-т. - Томск, 1998. - 36 с.: ил.
• Borisenko S. I. Numerical analysis of the longitudinal electric current during resonance current flow in n-GaAs/AlXGa1-xAs superlattice with doped quantum wells / S. I. Borisenko, G. F. Karavaev // Semiconductors. 1998. Vol. 32, № 5. P. 544-548.
1999
• Борисенко С. И. Анализ механизмов рассеяния электронов в сверхрешетке GaAs/AlxGa1-xAs с легированными квантовыми ямами при продольном резонансном токопереносе в области сильных электрических полей и низких температур / С. И. Борисенко, Г. Ф. Караваев // Физика и техника полупроводников. 1999. Т. 33, № 4. С. 438-444.
• Борисенко С. И. Время релаксации импульса и температурная зависимость подвижности электронов в полупроводниковых сверхрешетках из слабо взаимодействующих квантовых ям // Физика и техника полупроводников. 1999. Т. 33, № 10. С. 1240-1245.
• Борисенко С. И. Численный анализ резонансного значения продольного тока в сверхрешетке типа GaAs/AlxGa1-xAs со слабо взаимодействующими квантовыми ямами / С. И. Борисенко // Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП. Томск, 1999. С. 91-92.
• Интерференционные эффекты при туннелировании электронных волн в квантовых гетероструктурах и перспективы их использования : методическая разработка / сост. С. И. Борисенко; Томский гос. ун-т. - Томск, 1999. - 29 с.: рис.
• Borisenko S. I. Momentum relaxation time and temperature dependence of electron mobility in semiconductor superlattices consisting of weakly interacting quantum wells / S.I. Borisenko, G. F. Karavaev // Semiconductors. 1999. Vol. 33, № 10. P. 1128-1132.
• Borisenko S. I. Low-dimensional systems: analysis of mechanisms for electron scattering in GaAs/AlxGa1-xAs superlattices with doped quantum wells for longitudinal resonant current flow in high electric fields and at low temperatures / S.I. Borisenko, G.F. Karavaev // Semiconductors. 1999. Vol. 33, № 4. P. 423-428.
2001
• Анализ температурной зависимости подвижности электронов в монокристаллах CdGeAs2 / С. И. Борисенко, В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, В. Г. Тютерев // Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35, № 6. С. 720-724.
• Борисенко С. И. Анализ температурной зависимости концентрации электронов в монокристаллах CdGeAs2 // Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35, № 10. С. 1175-1177.
• Борисенко С. И. Особенности неравновесной функции распределения при рассеянии электронов на полярных оптических фононах в полупроводниках AIIIBV // Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35, № 3. С. 313-316.
• Borisenko S.I. An analysis of the temperature dependence of the electron mobility in the CdGeAs2 single crystals / S. I. Borisenko, V. G. Tyuterev, V. Yu. Rud', Yu. V. Rud' // Semiconductors. 2001. Vol. 35, № 6. P. 690-694.
• Borisenko S.I. Analysis of the temperature dependence of electron concentration in CdGeAs2 single crystals // Semiconductors. 2001. Vol. 35, № 10. P. 1123-1125.
• Borisenko S.I. Specific features of the nonequilibrium distribution function for electron scattering by polar optical phonons in III - V semiconductors // Semiconductors. 2001. Vol. 35, № 3. P. 298-301.
2002
• Борисенко С. И. Анализ неупругого рассеяния квазидвумерных электронов сверхрешетки на акустических фононах с учетом дисперсии минизоны // Физика и техника полупроводников. 2002. Т. 36, № 12. С. 1445-1448.
• Борисенко С. И. Влияние параметров сверхрешетки типа GaAs/AlxGa1-xAs на акустическое рассеяние квазидвумерных электронов / С. И. Борисенко // Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции. Томск, 2002. С. 137-139.
• Борисенко С. И. Зависимость акустического рассеяния квазидвумерных электронов от параметров сверхрешетки типа GaAs/AlxGa1-xAs // Физика и техника полупроводников. 2002. Т. 36, № 10. С. 1237-1240.
• Борисенко С. И. Расчет низкополевой подвижности квазидвумерных электронов сверхрешетки GaAs/Al0.36Ga0.64As в области температуры 77 K // Физика и техника полупроводников. 2002. Т. 36. № 7. С. 861-868.
• Analysis of the temperature dependence of electron mobility in CdGeAs2 single crystals / S. I. Borisenko, V. G. Tyuterev, V. Yu. Rud, Yu. V. Rud // Semiconductor Science and Technology. 2002. Vol. 17, № 10. P. 1128-1132.
• Borisenko S. I. Analysis of inelastic scattering of quasi-two-dimensional electrons of a superlattice by acoustic phonons with allowance made for the miniband dispersion / Semiconductors. 2002. Vol. 36, № 12. P. 1360-1363.
• Borisenko S. I. Calculation of the low-field mobility of quasi-two-dimensional electrons in a GaAs/Al0.36Ga0.64As superlattice at temperatures in the region of 77 K // Semiconductors. 2002. Vol. 36, № 7. P. 808-815.
• Borisenko S. I. Dependence of scattering of quasi-two-dimensional electrons by acoustic phonons on the parameters of a GaAs/AlxGa1-xAs superlattice // Semiconductors. 2002. Vol. 36, № 10. P. 1159-1162.
2003
• Борисенко С. И. Влияние дисперсии минизоны на неупругое рассеяние электронов сверхрешетки акустическими фононами // Известия высших учебных заведений. Физика. 2003. Т. 46, № 3. С. 41-47.
• Борисенко С. И. Влияние ширины минизоны на время релаксации электронов сверхрешетки при рассеянии на ионах примеси // Известия высших учебных заведений. Физика. 2003. Т. 46, № 5. С. 84-89.
• Борисенко С. И. Дисперсия времени релаксации квазидвумерных электронов при рассеянии на ионах примеси в сверхрешетке с легированными квантовыми ямами // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37, № 5. С. 588-591.
• Борисенко С. И. Зависимость ширины основной ширины минизоны сверхрешетки с прямоугольными квантовыми ямами от конструктивных параметров // Известия высших учебных заведений. Физика. 2003. Т. 46, № 10. С. 67-70.
• Борисенко С. И. Рассеяние квазидвумерных электронов сверхрешетки GaAs/AlxGa1-xAs на полярных оптических фононах в модели диэлектрического континуума // Известия высших учебных заведений. Физика. 2003. Т. 46, № 12. С. 40-47.
• Борисенко С. И. Рассеяние квазидвумерных электронов на фононах в сверхрешетке // Современные проблемы физики и высокие технологии. Томск : Изд-во НТЛ, 2003. С. 60-61.
• Борисенко С. И. Рассеяние электронов на ионах примеси при низких температурах в сверхрешетке с легированными квантовыми ямами // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37, № 9. P. 1117-1122.
• Borisenko S. I. A Ground Miniband Width of a Superlattice with Rectangular Quantum Wells versus Constructive Parameters // Russian Physics Journal. 2003. Vol. 46, № 10. P. 1034–1036.
• Borisenko S. I. Dispersion of the relaxation time of quasi-two-dimensional electrons under conditions of ionized-impurity scattering in a superlattice with doped quantum wells // Semiconductors. 2003. Vol. 37, № 5. P. 569-572.
• Borisenko S. I. Effect of Miniband Dispersion on Inelastic Scattering of Superlattice Electrons by Acoustic Phonons // Russian Physics Journal. 2003. Vol. 46, № 3. P. 262–269.
• Borisenko S. I. Influence of the Miniband Width on the Relaxation Time of Superlattice Electrons Scattered by Impurity Ions // Russian Physics Journal. 2003. Vol. 46, № 5. P. 526–531.
• Borisenko S. I. Scattering of electrons at impurity ions at low temperatures in a superlattice with doped quantum wells // Semiconductors. 2003. Vol. 37, № 9. P. 1093-1099.
• Borisenko S. I. Scattering of Quasi-Two-Dimentional Electrons of the GaAs/Al x Ga1–x As Superlattice by Polar Optical Phonons in the Dielectric Continuum Model // Russian Physics Journal. 2003. Vol. 46, № 12. P. 1227–1236.
2004
• Борисенко С. И. Анализ особенностей оптических и электрических свойств сложных алмазоподобных полупроводников и гетероструктур на их основе : автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. 01.04.10 / Том. гос. ун-т. - Томск, 2004. - 32 с.: ил.. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000189130
• Борисенко С. И. Анализ особенностей оптических и электрических свойств сложных алмазоподобных полупроводников и гетероструктур на их основе : диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических структур. 01.04.10 / Борисенко Сергей Иванович ; науч. конс. Г. Ф. Караваев ; Том. гос. ун-т, Сиб. физ. -техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова. - Томск : б. и., 2004. - 192 л.: ил.
• Борисенко С. И. Рассеяние квазидвумерных электронов сверхрешетки GaAs/AlxGa1-xAs на фононах // Физика и техника полупроводников. 2004. Vol. 38, № 2. С. 207-212.
• Борисенко С. И. Влияние размерного квантования спектра акустических фононов на рассеяние электронов в сверхрешетке GaAs/AlxGa1-xAs // Физика и техника полупроводников. 2004. Т. 38, № 7. С. 858-863.
• Borisenko S. I. Phonon scattering of quasi-two-dimensional electrons in GaAs/AlxGa1-xAs superlattices // Semiconductors. 2004. Vol. 38, № 2. P. 202-208.
• Borisenko S. I. The effect of acoustic phonon confinement on electron scattering in GaAs/AlxGa1-xAs superlattices // Semiconductors. 2004. Vol. 38, № 7. P. 824-829.
2006
• Борисенко С. И. Анализ рассеяния электронов на ионах примеси в сверхрешетке типа GaAs/AlxGa1-xAs / С. И. Борисенко // Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции. Томск, 2006. С. 314-317
2011
• Борисенко С. И. Физика полупроводниковых наноструктур : учебно-методический комплекс / C. И. Борисенко, Ю. В. Вячистая ; Том. гос. ун-т, [Ин-т дистанционного образования]. - Томск : [ИДО ТГУ], 2011. - . URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000427308
2012
• Ревинская О. Г. Методика экспериментального изучения аномальной дисперсии света в полупроводниках в курсе общей физики и ее реализация на компьютере / О. Г. Ревинская, С. И. Борисенко, Н. С. Кравченко // Фундаментальные исследования. 2012. № 6-2. С. 382-387.
• Ревинская О. Г. Модель экспериментального изучения аномальной дисперсии в полупроводниках и ее реализация на компьютере / О. Г. Ревинская, С. И. Борисенко, Н. С. Кравченко // Учебная физика. 2012. № 1. С. 22-31.
2016
• Борисенко С. И. Зависимость подвижности от концентрации электронов при рассеянии на полярных оптических фононах в нитридах AIIIN // Физика и техника полупроводников. 2016. Т. 50, № 4. С. 438-440.
• Borisenko S. I. Dependence of mobility on the electron concentration upon scattering at polar optical phonons in AIII–N nitrides // Semiconductors. 2016. Vol. 50, № 4. P. 432-434.
Литература о трудах и деятельности
Борисенко Сергей Иванович // Профессора Томского университета : биогр. словарь. Томск, 2013. Т. 6 : 2003-2012. С. 45-48: фото.
Ссылки
Анализ публикационной активности (РИНЦ)