Гермогенов, Валерий Петрович — различия между версиями
(→Хронологический список работ) |
|||
| Строка 28: | Строка 28: | ||
=<span style="color:#0000FF">Хронологический список работ</span>= | =<span style="color:#0000FF">Хронологический список работ</span>= | ||
| + | |||
| + | '''1980''' | ||
| + | |||
| + | Гермогенов В. П. Изучение процесса выращивания и характеристик эпитаксиальных структур на основе AlxGa1-xSb : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.07 / Гермогенов В. П. ; науч. рук. А. А. Вилисов, А. П. Вяткин ; Сибирский физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова при Томском гос. ун-те им. В. В. Куйбышева. - Томск : [б. и.], 1980. - 245 л.: ил. | ||
| + | |||
| + | '''1997''' | ||
| + | |||
| + | Гермогенов В. П. Эпитаксиальные структуры на основе твердого раствора AlxGa1-x Sb (физические основы технологии, свойства, применение) : Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. 01.04.10. - Томск, 1997. - 39 с. | ||
| + | |||
| + | '''1998''' | ||
| + | |||
| + | Излучающие диоды : Методические указания / Сост. В. П. Гермогенов; Томск. гос. ун-т. - Томск, 1998. - 27 с.: ил. | ||
| + | |||
| + | '''1999''' | ||
| + | |||
| + | Уравнение электронейтральности в полупроводнике : Методическое пособие / Сост. В. П. Гермогенов; Томский государственный университет. - Томск : Издательство Томского университета, 1999. - 27 с. | ||
| + | |||
| + | '''2002''' | ||
| + | |||
| + | Задачи по физической химии : (методические указания) / Том. гос. ун-т, Радиофиз. фак. ; сост. : В. П. Гермогенов, Н. Н. Иванова. - Томск : [б. и.], 2002. - 25 с. | ||
| + | |||
| + | '''2005''' | ||
| + | |||
| + | Гермогенов В. П. От сплавных контактов к эпитаксиальным гетероструктурам / В. П. Гермогенов // Вестник Томского государственного университета. N 285. Томск, 2005. N 285 : Серия "Физика". С. 103-111. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000328935 | ||
| + | |||
| + | Подготовка специалистов в области физики и техники полупроводников в Томском университете / А. В. Войцеховский, В. И. Гаман, В. П. Гермогенов [и др.] // Вестник Томского государственного университета. N 285. 2005. N 285 : Серия "Физика". С. 47-52. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000328929 | ||
| + | |||
| + | '''2006''' | ||
| + | |||
| + | Фотовольтаические детекторы ионизирующих излучений на основе эпитаксиального GaAs, компенсированного хромом / М. Д. Вилисова, В. П. Гермогенов, Е. П. Другова и др. // Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции. Томск, 2006. С. 485-488 | ||
| + | |||
| + | '''2008''' | ||
| + | |||
| + | Фотодиоды : учебное пособие / [сост. В. П. Гермогенов] ; Том. гос. ун-т, Радиофиз. фак. - Томск : [б. и.], 2008. - 46 с.: ил. | ||
| + | |||
| + | '''2012''' | ||
| + | |||
| + | Гермогенов В. П. Материалы, структуры и приборы полупроводниковой оптоэлектроники : учебно-методический комплекс / В. П. Гермогенов, Ю. В. Вячистая ; Том. гос. ун-т, [Ин-т дистанционного образования]. - Томск : [ИДО ТГУ], 2012. - . URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000462084 | ||
| + | |||
| + | Детекторы гамма-квантов на основе эпитаксиальных слоев GaAs:S,Cr / М. Д. Вилисова, В. П. Гермогенов, И. В. Пономарев, А. В. Тяжев // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 84-86. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000448594 | ||
| + | |||
| + | '''2013''' | ||
| + | |||
| + | Оптические и фотоэлектрические свойства светодиодных гетероструктур на основе GaN / В. П. Гермогенов, Ю. Л. Зубрилкина, О. В. Исупова и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 8/3. С. 177-180. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000468388 | ||
=<span style="color:#0000FF">Литература о трудах и деятельности</span>= | =<span style="color:#0000FF">Литература о трудах и деятельности</span>= | ||
Версия 12:05, 18 июля 2016
| Гермогенов Валерий Петрович | |
 | |
| Место работы: |
Томский государственный университет, Радиофизический факультет, кафедра полупроводниковой электроники, заведующий кафедрой |
|---|---|
| Учёная степень: |
доктор физико-математических наук |
| Учёное звание: |
профессор |
Содержание
[убрать]Биографическая справка
Хронологический список работ
1980
Гермогенов В. П. Изучение процесса выращивания и характеристик эпитаксиальных структур на основе AlxGa1-xSb : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.07 / Гермогенов В. П. ; науч. рук. А. А. Вилисов, А. П. Вяткин ; Сибирский физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова при Томском гос. ун-те им. В. В. Куйбышева. - Томск : [б. и.], 1980. - 245 л.: ил.
1997
Гермогенов В. П. Эпитаксиальные структуры на основе твердого раствора AlxGa1-x Sb (физические основы технологии, свойства, применение) : Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. 01.04.10. - Томск, 1997. - 39 с.
1998
Излучающие диоды : Методические указания / Сост. В. П. Гермогенов; Томск. гос. ун-т. - Томск, 1998. - 27 с.: ил.
1999
Уравнение электронейтральности в полупроводнике : Методическое пособие / Сост. В. П. Гермогенов; Томский государственный университет. - Томск : Издательство Томского университета, 1999. - 27 с.
2002
Задачи по физической химии : (методические указания) / Том. гос. ун-т, Радиофиз. фак. ; сост. : В. П. Гермогенов, Н. Н. Иванова. - Томск : [б. и.], 2002. - 25 с.
2005
Гермогенов В. П. От сплавных контактов к эпитаксиальным гетероструктурам / В. П. Гермогенов // Вестник Томского государственного университета. N 285. Томск, 2005. N 285 : Серия "Физика". С. 103-111. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000328935
Подготовка специалистов в области физики и техники полупроводников в Томском университете / А. В. Войцеховский, В. И. Гаман, В. П. Гермогенов [и др.] // Вестник Томского государственного университета. N 285. 2005. N 285 : Серия "Физика". С. 47-52. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000328929
2006
Фотовольтаические детекторы ионизирующих излучений на основе эпитаксиального GaAs, компенсированного хромом / М. Д. Вилисова, В. П. Гермогенов, Е. П. Другова и др. // Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции. Томск, 2006. С. 485-488
2008
Фотодиоды : учебное пособие / [сост. В. П. Гермогенов] ; Том. гос. ун-т, Радиофиз. фак. - Томск : [б. и.], 2008. - 46 с.: ил.
2012
Гермогенов В. П. Материалы, структуры и приборы полупроводниковой оптоэлектроники : учебно-методический комплекс / В. П. Гермогенов, Ю. В. Вячистая ; Том. гос. ун-т, [Ин-т дистанционного образования]. - Томск : [ИДО ТГУ], 2012. - . URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000462084
Детекторы гамма-квантов на основе эпитаксиальных слоев GaAs:S,Cr / М. Д. Вилисова, В. П. Гермогенов, И. В. Пономарев, А. В. Тяжев // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 84-86. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000448594
2013
Оптические и фотоэлектрические свойства светодиодных гетероструктур на основе GaN / В. П. Гермогенов, Ю. Л. Зубрилкина, О. В. Исупова и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 8/3. С. 177-180. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000468388
