Филимонов, Сергей Николаевич
| Филимонов Сергей Николаевич | |
| Место работы: |
Томский государственный университет. Физический факультет, кафедра физики полупроводников, Доцент. |
|---|---|
Содержание
Биографическая справка
Хронологический список работ
1994
• Филимонов С. Н. Исследование начальных стадий формирования тонких пленок при кристаллизации из молекулярного пучка // Естественные науки: региональная научно-практическая конференция : тезисы докладов, Томск, декабрь 1994 г. Томск, 1994. С. 134.
1996
• Рузайкин М. П. Разработка теории дельта-легирования при кристаллизации из молекулярного пучка // М. П. Рузайкин, С. Н. Филимонов, Ю. Ю.Эрвье // Информационный бюллетень РФФИ. Физика, Астрономия. 1996. №4. https://www.elibrary.ru/download/elibrary_227051_32726266.htm
1997
• Рузайкин М. П. Имитационное моделирование эволюции структуры поверхности при росте кристаллов из молекулярного пучка / М. П. Рузайкин, С. Н. Филимонов, Ю. Ю. Эрвье // Известия высших учебных заведений. Физика. 1997. N8. Р.103-109.
• Ruzaikin M. P.Imitative modeling of the evolution of surface structures during crystal growth from a molecular beam / M. P. Ruzaikin, S. N. Filimonov, Yu.Yu Érve. // Russian Physics Journal. 1997. Vol. 40, № 8. P. 804-809.
1998
• Filimonov S. N. The dopant incorporation and surface segregation during 2d islands growth in MBE: a computer simulation study / S. N Filimonov. , Yu.Yu. Hervieu // Physics of Low-Dimensional Structures (PLDS). 1998. Vol.1998, № 9-10. P. 141-152.
• Filimonov S. N. On the kinetics of δ-doping during MBE / S. N. Filimonov, Yu.Yu. Heryieu // Physics of Low-Dimensional Structures (PLDS). 1998. Vol.1998, № 7-8. P. 91-100.
1999
• Филимонов С. H. О влиянии плотности зародышей на развитие микрорельефа поверхности при кристаллизации из молекулярного пучка // Известия высших учебных заведений. Физика. 1999. N3. Р.27-32.
• Filimonov S. N. Effect of island number density on the surface evolution during molecular beam epitaxy // Russian Physics Journal. 1999. Vol. 42, № 3. P. 264-268.
2000
• Филимонов С. Н. Компьютерное моделирование эволюции поверхности и захвата примеси при кристаллизации из молекулярного пучка : автореф. дис…. канд. физ.-мат. наук. 01.04.10. – Томск, 2000. – 18 с.: ил.
• Филимонов С. Н. Компьютерное моделирование эволюции поверхности и захвата примеси при кристаллизации из молекулярного пучка : дис. канд. физ.-мат. наук. 01.04.10. – Томск, 2000. – 119 с.: рис.
• Филимонов С. Н. О статистике зародышеобразования при кристаллизации из молекулярных пучков // Современные проблемы физики и технологии : cборник статей молодых ученых. Томск, 2000. С. 56-57.
• Filimonov S. N. Growth kinetics in surfactant mediated MBE: effects of blocking of kinks // S. N. Filimonov, Yu.Yu. Hervieu. // Physics of Low-Dimensional Structures (PLDS). 2000. Vol. 2000, № 1-2. P. 81-92.
2001
• Filimonov S. N. On the Statistics of Nucleation of 3D Coherent Islands in Heteroepitaxy from a Molecular Beam / S. N. Filimonov , Y.Y. Érv'e // Russian Physics Journal. 2001. Vol. 44, №4 P. 370-375.
• *Filimonov S.N. Nucleation and growth of magic nanoislands in molecular beam epitaxy S. N. Filimonov, Y. Hervieu // Uzbekiston Fizika Zhurnali. 2001. 12 (1-2). P.18-25.
2002
• Filimonov S. N. Influence of strain on binding energies of si atoms at ge(111) surfaces / S. N. Filimonov, B.Voigtlander // Surface Science. 2002. Vol. 512, № 1-2. P. L335-L340.
• Filimonov S. N. Statistics of second layer nucleation in heteroepitaxial growth / S. N. Filimonov, Yu.Yu. Hervieu // Surface Science. 2002. Vol. 507-510. P. 270-275.
2004
• Filimonov S. N. Terrace-edge-kink model of atomic processes at the permeable steps / S. N. Filimonov, Yu.Yu. Hervieu // Surface Science. 2004. Vol. 553, № 1-3. P. 133-144.
• Filimonov S. N. "Rotating" steps in SI (0 0 1) homoepitaxy / S. N. Filimonov, B. Voigtländer // Surface Science. 2004. Vol. 549, № 1. P. 31-36.
• Scaling of submonolayer island sizes in surfactant-mediated epitaxy of semiconductors / V. Cherepanov, S. Filimonov, J. Mysliveček, B.Voigtländer // Physical Review B. 2004. Vol.70, №8. P.085401-1 - 085401- 6. DOI:10.1103/physrevb.70.085401
2005
• Dislocation networks in conventional and surfactant-mediated Ge/Si (1 1 1) epitaxy / SN Filimonov, V Cherepanov, N Paul, H Asaoka, J Brona, B Voigtländer // Surface Science 2005, Volume 599, Issues 1–3 30 December, Pages 76-84. https://doi.org/10.1016/j.susc.2005.09.039
• Filimonov S. N. Step permeability effect and interlayer mass-transport in the Ge/Si (1 1 1) MBE // Materials science in semiconductor processing / S. N. Filimonov, Y.Y. Hervieu Materials Science in Semiconductor Processing. 2005. Vol. 8, Is. 1–3. P. 31-34. https://doi.org/10.1016/j.mssp.2004.09.046
2007
• Identification of ge/si intermixing processes at the BI/GE/SI(111) surface / N. Paul, S Filimonov., V Cherepanov , B. Voigtländer, M. Çakmak // Physical Review Letters. 2007. Vol. 98. № 16. P. 166104.
• Filimonov S. N. Adatom incorporation and step crossing at the edges of 2D nanoislands / Filimonov S. N., Y. Y.Hervieu // International Journal of Nanoscience. 2007. Vol. 6. № 3-4. P. 237-240.
• Multistage nucleation of two-dimensional SI ISLANDS ON SI (111) -7×7 during MBE growth: STM experiments and extended rate-equation model / S. Filimonov, Y. Hervieu, V. Cherepanov, B.Voigtländer // Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics. 2007. Vol. 76. № 3. P. 035428. DOI: 10.1103/PhysRevB.76.035428
• SI nucleation on SI(1 1 1)-7 × 7: from cluster pairs to 2D islands // S. N. Filimonov, Yu. Yu. Hervieu, V. Cherepanov, B.Voigtländer // Surface Science. 2007. Vol. 601, № 18. P. 3876-3880.
2009
• Filimonov S. N. Kink-formation kinetics and submonolayer density of magic two-dimensional islands in molecular beam epitaxy / S . Filimonov, Y.Hervieu Physical Review E - Statistical, Nonlinear, and Soft Matter Physics. 2009. Vol. 80, № 5. P. 051603.
• Surface stress relief in Bi-mediated Ge growth on Si / H. Asaoka, T. Yamazaki, S. Shamoto, S. Filimonov, M. Suemitsu // Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference. 2009. №2. P. 66.
2010
• Филимонов С. Н. Влияние проницаемости края 2d-островка на переход от 2D- К 3D-росту / С. Н. Филимонов, Ю. Ю. Эрвье // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2010. № 3. С. 52-59.
• Saito E. Low-temperature, low-pressure and ultrahigh-rate growth of single-crystalline 3C-SIC on SI substrate by ULP-CVD using organosilane / E. Saito, S. Filimonov, M.Suemitsu // Materials Science Forum. 2010. Vol. 645-648. P. 147-150.
2011
• Alguno A. Step bunching and step "rotation" in homoepitaxial growth of SI ON SI(110)-16 × 2 / A. Alguno, S. N. Filimonov, M. Suemitsu // Surface Science. 2011. Vol. 605, № 7-8. P. 838-843.
• Filimonov S. N. How the edge permeability of a 2D island influences the transition from 2D to 3D growth / S. N. Filimonov, Yu. Yu. Hervieu // Russian Microelectronics. 2011. Vol. 40, № 8. P. 602-609.
• Saito E. Growth rate anomaly in ultralow-pressure chemical vapor deposition of 3C-SIC ON SI(001) using monomethylsilane / E. Saito, S. N. Filimonov, M. Suemitsu // Japanese Journal of Applied Physics. 2011. Vol. 50, № 1. P. 010203.
• Suemitsu M. Understanding crystal growth mechanisms in silicon-germanium (sige) nanostructures / M. Suemitsu, S. N. Filimonov // Silicon-Germanium (SiGe) Nanostructures. Cambridge, 2011. Chapter: 3. P. 45-71. DOI: 10.1533/9780857091420.2.45
2012
• Filimonov S. N. Kinetics of two-dimensional island nucleation on reconstructed surfaces / S.N. Filimonov, Y.Y. Hervieu // Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics. 2012. Vol 85, № 4. P. 045423.
• Selective adsorption of C60 on GE/SI nanostructures / S. Korte, K. Romanyuk, B. Schnitzler, V. Cherepanov, B. Voigtländer., S. N. Filimonov // Physical Review Letters. 2012. Vol. 108, № 11. P. 116101-1-116101-5
2013
• Безродный Д. А. Компьютерное моделирование послойного роста грани 3D-островка / Безродный Д. А., Филимонов С. Н. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 8-3. С. 156-158. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000468362
• Карбид кремния на кремнии (110): структура поверхности и механизмы эпитаксиального роста / S. Sambonsuge, Л. Н. Никитина, Ю. Ю. Эрвье, M. Suemitsu, С. Н. Филимонов // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 12. С. 106-111. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000470578
• Филимонов С. Н. Краевая задача поверхностной диффузии адатомов в кинетике роста 3D-отсровков и нитевидных нанокристаллов / С. Н. Филимонов, Ю. Ю. Эрвье // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56. № 8-3. С. 141-143. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000468358
• Филимонов С. Н. Краевая задача поверхностной диффузии адатомов в кинетике роста 3D-островков и нитевидных нанокристаллов / С. Н. Филимонов, Ю. Ю. Эрвье // Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 8/3. С. 138-140.
• Direct measurement of surface stress during Bi-mediated Ge growth on Si / Asaoka H., Yamazaki T., Yamaguchi K., Filimonov S., Suemitsu M. // Surface science. 2013. Vol. 609. P. 157-160. https://doi.org/10.1016/j.susc.2012.12.002
• High-rate rotated epitaxy of 3C-SIC(111) on SI(110) substrate for qualified epitaxial graphene on silicon / Suemitsu M., Sanbonsuge S., Saito E., Jung M.-H., Fukidome H., Filimonov S. // Materials Science Forum. 2013. Vol. 740-742. P. 327-330.
• Molecular switches from benzene derivatives adsorbed on metal surfaces / W. Liu, S.N. Filimonov, J. Carrasco, A. Tkatchenko // Nature communications. 2013. № 4. P.1-6.
• Reliable Modeling of Complex Organic/Metal Interfaces / W. Liu, S. Filimonov, V. G. Ruiz, M. Scheffler, A. Tkatchenko // Bulletin of the American Physical Society. 2013. Vol.58, №1 : Session M5: Focus Session: Computational Discovery and Design of New Materials: Semiconductors, Molecular Systems and Interfaces. M5.00002
• Rotated epitaxy of 3C-SiC (111) on Si (110) substrate using monomethylsilane-based gas-source molecular-beam epitaxy / S. Sambonsuge, E. Saito, M.H. Jung, H. Fukidome, S. Filimonov, M. Suemitsu // Materials Science Forum. 2013. Vol.740. P. 339-343.
2014
• Filimonov S. N. Kinetics of step propagation at the sidewalls of 3D islands and nanowires / S. N. Filimonov, Y. Yu. Hervieu // e-Journal of Surface Science and Nanotechnology. 2014. Vol.12. P. 68-74.
• Silicon Carbide on Silicon (110): Surface Structure and Mechanisms of Epitaxial Growth / S. Sambonsuge, L. N. Nikitina, Yu.Yu. Hervieu, M. Suemitsu, S. N. Filimonov // Russian Physics Journal. 2014. Vol. 56, № 12. P. 1439-1444.
2015
• Безродный Д. А . Влияние проницаемости ступеней на кинетику послойного роста грани 3D-островка / Д. А . Безродный, С. Н. Филимонов, Ю. Ю.Эрвье // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8-2. С. 144-146.
• Никитина Л. Н. Влияние дисперсионных сил на энергию межмолекулярного взаимодействия бензола и его галогенпроизводных / Л. Н. Никитина, М. Б. Пидченко, С. Н. Филимонов // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8-3. С. 147-149.
• Филимонов С. Н. Монте-Карло-моделирование адсорбции анизотропных невзаимодействующих молекул на поверхность (111) ГЦК-кристалла // С. Н. Филимонов, Ю. Ю Эрвье // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 12. С. 9-12.
• In situ SR-XPS observation of Ni-assisted low-temperature formation of epitaxial graphene on 3C-SiC/Si / М. Hasegawa, K. Sugawara, R. Suto, S. Sambonsuge, Y. Teraoka, Akitaka Yoshigoe, S. N. Filimonov, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu. // Nanoscale research letters. 2015. Vol. 10. P. 421 (1-6). URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000552751
• Filimonov S. N. Ab initio calculations of absolute surface energies of clean and hydrogen covered 3C-SIC(001), (110) AND (111) surfaces // Materials Science Forum. 2015. Vol. 821-823. P. 363-366.
• Filimonov S. N. Model of step propagation and step bunching at the sidewalls of nanowires / S. N. Filimonov, I. I. Erve // Journal of Crystal Growth. 2015. Vol. 427, № 10. P. 421-60-421-66.
2016
• Безродный Д. А. Численное моделирование движения ступеней на боковых гранях 3D островков / Д. А. Безродный, С. Н. Филимонов // Кремний 2016 : XI конференция и X школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, 12-15 сентября 2016 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2016. С. 41.
• Филимонов С. Н. Модель латерального роста и развития формы нитевидных нанокристаллов за счет образования и движения ступеней по боковым граням / С. Н. Филимонов, Ю. Ю. Эрвье // Кремний 2016 : XI конференция и X школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, 12-15 сентября 2016 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2016. С. 38.
• Филимонов С. Н. Модель ступенчато-слоевого роста боковых граней и развития формы полупроводниковых нитевидных нанокристаллов / С. Н. Филимонов, Ю. Ю. Эрвье // Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59, № 8/2. С. 73-78.
• Филимонов С. Н. О влиянии переходов между различными адсорбционными состояниями на кинетику десорбции молекул / С. Н. Филимонов, Ю. Ю. Эрвье // Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59, № 6. С. 7-12.
• Evaluations of crystal defects of 3C-SiCinline image film on Si(110) substrate / S. Sambonsuge, Ito Shun, Sai Jiao, Nagasawa Hiroyuki , Hirokazu Fukidome, S. Filimonov, M. Suemitsu // Physica status solidi (a). 2016. Vol. 213, № 5. P. 1125-1129.
• Filimonov S. N. Monte carlo simulations of the adsorption of anisotropic noninteracting molecules on the (111) surface of a FCC crystal / S. N. Filimonov, Y. Y. Hervieu // Russian Physics Journal. 2016. Vol.58. № 12. P. 1676-1680.
• Filimonov S. N. On the influence of transitions between distinct adsorption states on the desorption kinetics of molecules / S. N. Filimonov, Y. Y Hervieu // Russian Physics Journal. 2016. Vol.59, № 6. P 762-767.
• Filimonov S. N. Step flow model of radial growth and shape evolution of semiconductor nanowires / S. N. Filimonov, Y. Y. Hervieu // Russian Physics Journal. 2016. Vol.59, № 8. P. 1206-1212.
• Formation of qualified epitaxial graphene on si substrates using two-step heteroexpitaxy of C-terminated 3C-SIC(-1-1-1) on SI(110) / S. Sambonsuge, S. Jiao, H. Nagasawa, H. Fukidome, M. Suemitsu, S. N. Filimonov // Diamond and Related Materials. 2016. Vol.67. P. 51-53.
2017
• Пидченко М. Б. Расчет поверхностной энергии низкоиндексных граней кремния с учетом сил Ван-дер-Ваальса / М. Б. Пидченко, С. Н. Филимонов // Актуальные проблемы радиофизики : cборник трудов VII Международной научно-практической конференции Томск, 18-22 сентября 2017г. Томск, 2017. С. 266-268.
• Филимонов С. Н. Кинетическая модель начальной стадии роста нитевидных нанокристаллов / С. Н. Филимонов, Ю. Ю.Эрвье // Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 11. С. 171-173.
• Filimonov S. N. Molecular seesaw: intricate dynamics and versatile chemistry of heteroaromatics on metal surfaces / S. N. Filimonov, W Liu. , A. Tkatchenko // Journal of Physical Chemistry Letters. 2017. Vol. 8. № 6. P. 1235-1240.
2018
• Filimonov S. N. Kinetic model of the initial stage of the nanowire growth / S. N. Filimonov, Y. Y. Hervieu // Russian Physics Journal. 2018. Vol.60, № 11. P. 2040-2043.
• Principles of Design for Substrate-Supported Molecular Switches Based on Physisorbed and Chemisorbed States / S. Yang, S. Li, S. Filimonov, M. Fuentes-Cabrera, W. Liu // ACS Appl. Mater. Interfaces. 2018. Vol. 10, № 31. P. 26772-26780.
2019
• Пидченко М. Б. Влияние дисперсионных сил на структурные и энергетические характеристики упруго-напряженных поверхностей кремния / М. Б. Пидченко, С. Н. Филимонов //Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 1-4 октября 2019 г. : сборник трудов конференции. Томск, 2019. С. 277-280.
• Филимонов С. Н. Динамика ступеней при росте кристалла из газовой фазы и молекулярного пучка : учебно-методическое пособие : для студентов бакалавриата и магистратуры, обучающихся по направлениям подготовки 03.03.02 Физика, 03.04.02 Физика и 03.03.01 Прикладные математика и физика / С. Н. Филимонов, Ю. Ю. Эрвье ; Нац. исслед. Том. гос. ун-т, Физ. фак. – Томск : [б. и.], 2019. – 54 с.: ил. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000674484
• Switchable Schottky contacts: Simultaneously Enhanced Output Current and Reduced Leakage Current / Su G., Yang S., Li S., C. J. Butch, S.N. Filimonov, Ren Ji-Ch., W. Liu // J. Am. Chem. Soc. 2019. Vol. 141, № 4. P. 1628-1635.
2020
• Surface Strain Induced Collective Switching of Ensembles of Molecules on Metal Surfaces / S. Yang, S. Li, G. X. Zhang, S. N. Filimonov, C. J. Butch, J. C. Ren, W. Liu // The Journal of Physical Chemistry Letters. 2020. Vol.11, №6. P.2277-2283. https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.jpclett.0c00162
