Филимонов, Сергей Николаевич

Филимонов Сергей Николаевич
Место работы:	Томский государственный университет. Физический факультет, декан
Учёная степень:	кандидат физико-математических наук
Учёное звание:	Доцент
Альма-матер:	Томский государственный университет

Хронологический список работ

1994

• Филимонов С. Н. Исследование начальных стадий формирования тонких пленок при кристаллизации из молекулярного пучка // Естественные науки: региональная научно-практическая конференция : тезисы докладов, Томск, декабрь 1994 г. Томск, 1994. С. 134.

1996

• Рузайкин М. П. Разработка теории дельта-легирования при кристаллизации из молекулярного пучка / М. П. Рузайкин, С. Н. Филимонов, Ю. Ю.Эрвье // Информационный бюллетень РФФИ. Физика, Астрономия. 1996. № 4.

1997

• Рузайкин М. П. Имитационное моделирование эволюции структуры поверхности при росте кристаллов из молекулярного пучка / М. П. Рузайкин, С. Н. Филимонов, Ю. Ю. Эрвье // Известия высших учебных заведений. Физика. 1997. № 8. С. 103-109.

• Ruzaikin M. P. Imitative modeling of the evolution of surface structures during crystal growth from a molecular beam / M. P. Ruzaikin, S. N. Filimonov, Yu. Yu. Érve // Russian Physics Journal. 1997. Vol. 40, № 8. P. 804-809.

1998

• Filimonov S. N. The dopant incorporation and surface segregation during 2d islands growth in MBE: a computer simulation study / S. N Filimonov, Yu.Yu. Hervieu // Physics of Low-Dimensional Structures (PLDS). 1998. Vol. 1998, № 9-10. P. 141-152.

• Filimonov S. N. On the kinetics of δ-doping during MBE / S. N. Filimonov, Yu.Yu. Heryieu // Physics of Low-Dimensional Structures (PLDS). 1998. Vol.1998, № 7-8. P. 91-100.

1999

• Филимонов С. H. О влиянии плотности зародышей на развитие микрорельефа поверхности при кристаллизации из молекулярного пучка // Известия высших учебных заведений. Физика. 1999. № 3. С. 27-32.

• Filimonov S. N. Effect of island number density on the surface evolution during molecular beam epitaxy // Russian Physics Journal. 1999. Vol. 42, № 3. P. 264-268.

2000

• Филимонов С. Н. Компьютерное моделирование эволюции поверхности и захвата примеси при кристаллизации из молекулярного пучка : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10. - Томск, 2000. - 18 с.: ил.

• Филимонов С. Н. Компьютерное моделирование эволюции поверхности и захвата примеси при кристаллизации из молекулярного пучка : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10 / С. Н. Филимонов; науч. рук. Ю. Ю. Эрвье; Томск. гос. ун-т; Сибирский физико-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова. - Томск, 2000. - 119 с.: рис.

• Филимонов С. Н. О статистике зародышеобразования при кристаллизации из молекулярных пучков // Современные проблемы физики и технологии : сборник статей молодых ученых. Томск, 2000. С. 56-57.

• Filimonov S. N. Growth kinetics in surfactant mediated MBE: effects of blocking of kinks // S. N. Filimonov, Yu. Yu. Hervieu // Physics of Low-Dimensional Structures (PLDS). 2000. Vol. 2000, № 1-2. P. 81-92.

2001

• Filimonov S. N. On the Statistics of Nucleation of 3D Coherent Islands in Heteroepitaxy from a Molecular Beam / S. N. Filimonov , Yu. Yu. Érv'e // Russian Physics Journal. 2001. Vol. 44, № 4. P. 370-375.

2002

• Filimonov S. N. Influence of strain on binding energies of si atoms at ge(111) surfaces / S. N. Filimonov, B. Voigtlander // Surface Science. 2002. Vol. 512, № 1-2. P. L335-L340.

• Filimonov S. N. Statistics of second layer nucleation in heteroepitaxial growth / S. N. Filimonov, Yu. Yu. Hervieu // Surface Science. 2002. Vol. 507-510. P. 270-275.

2004

• Filimonov S. N. Terrace-edge-kink model of atomic processes at the permeable steps / S. N. Filimonov, Yu. Yu. Hervieu // Surface Science. 2004. Vol. 553, № 1-3. P. 133-144.

• Filimonov S. N. "Rotating" steps in SI (0 0 1) homoepitaxy / S. N. Filimonov, B. Voigtländer // Surface Science. 2004. Vol. 549, № 1. P. 31-36.

• Scaling of submonolayer island sizes in surfactant-mediated epitaxy of semiconductors / V. Cherepanov, S. Filimonov, J. Mysliveček, B. Voigtländer // Physical Review B. 2004. Vol.70, № 8. P.085401-1-085401-6. https://doi.org/10.1103/physrevb.70.085401

2005

• Dislocation networks in conventional and surfactant-mediated Ge/Si (1 1 1) epitaxy / SN Filimonov, V Cherepanov, N Paul, H Asaoka, J Brona, B Voigtländer // Surface Science 2005, Vol. 599, Issues 1–3, 30 December. P. 76-84. https://doi.org/10.1016/j.susc.2005.09.039

• Filimonov S. N. Step permeability effect and interlayer mass-transport in the Ge/Si (1 1 1) MBE / S. N. Filimonov, Y. Y. Hervieu // Materials Science in Semiconductor Processing. 2005. Vol. 8, Is. 1–3. P. 31-34. https://doi.org/10.1016/j.mssp.2004.09.046

2007

• Identification of ge/si intermixing processes at the BI/GE/SI(111) surface / N. Paul, S. Filimonov, V. Cherepanov, B. Voigtländer, M. Çakmak // Physical Review Letters. 2007. Vol. 98, № 16. P. 166104.

• Filimonov S. N. Adatom incorporation and step crossing at the edges of 2D nanoislands / S. N. Filimonov, Y. Y. Hervieu // International Journal of Nanoscience. 2007. Vol. 6, № 3-4. P. 237-240.

• Multistage nucleation of two-dimensional SI ISLANDS ON SI (111) -7×7 during MBE growth: STM experiments and extended rate-equation model / S. Filimonov, Y. Hervieu, V. Cherepanov, B. Voigtländer // Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics. 2007. Vol. 76, № 3. P. 035428. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.76.035428

• SI nucleation on SI(1 1 1)-7 × 7: from cluster pairs to 2D islands // S. N. Filimonov, Yu. Yu. Hervieu, V. Cherepanov, B. Voigtländer // Surface Science. 2007. Vol. 601, № 18. P. 3876-3880.

2009

• Filimonov S. N. Kink-formation kinetics and submonolayer density of magic two-dimensional islands in molecular beam epitaxy / S. Filimonov, Y. Hervieu // Physical Review E - Statistical, Nonlinear, and Soft Matter Physics. 2009. Vol. 80, № 5. P. 051603.

• Surface stress relief in Bi-mediated Ge growth on Si / H. Asaoka, T. Yamazaki, S. Shamoto, S. Filimonov, M. Suemitsu // Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference. 2009. № 2. P. 66.

2010

• Филимонов С. Н. Влияние проницаемости края 2d-островка на переход от 2D- К 3D-росту / С. Н. Филимонов, Ю. Ю. Эрвье // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2010. № 3. С. 52-59.

• Филимонов С. Н. Зарождение и рост "магических" наноостровков при кристаллизации из молекулярного пучка / С. Н. Филимонов, Ю. Ю. Эрвье // Uzbek Journal of Physics. 2010. Vol. 12, № 1-2. С. 18-25.

• Филимонов С. Н. Эффекты реконструкции поверхности в кинетике образования и роста двумерных островков при молекулярно-пучковой эпитаксии кремния / С. Н. Филимонов, Ю. Ю. Эрвье // Кремний – 2010 : тезисы докладов 7 Международной конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, Нижний Новгород, 6-9 июля, 2010. Нижний Новгород, 2010. С. 94.

• Saito E. Low-temperature, low-pressure and ultrahigh-rate growth of single-crystalline 3C-SIC on SI substrate by ULP-CVD using organosilane / E. Saito, S. Filimonov, M. Suemitsu // Materials Science Forum. 2010. Vol. 645-648. P. 147-150.

2011

• Alguno A. Step bunching and step "rotation" in homoepitaxial growth of SI ON SI(110)-16 × 2 / A. Alguno, S. N. Filimonov, M. Suemitsu // Surface Science. 2011. Vol. 605, № 7-8. P. 838-843.

• Filimonov S. N. How the edge permeability of a 2D island influences the transition from 2D to 3D growth / S. N. Filimonov, Yu. Yu. Hervieu // Russian Microelectronics. 2011. Vol. 40, № 8. P. 602-609.

• Saito E. Growth rate anomaly in ultralow-pressure chemical vapor deposition of 3C-SIC ON SI(001) using monomethylsilane / E. Saito, S. N. Filimonov, M. Suemitsu // Japanese Journal of Applied Physics. 2011. Vol. 50, № 1. P. 010203.

• Suemitsu M. Understanding crystal growth mechanisms in silicon-germanium (sige) nanostructures / M. Suemitsu, S. N. Filimonov // Silicon-Germanium (SiGe) Nanostructures. Cambridge, 2011. Chapter 3. P. 45-71. DOI: 10.1533/9780857091420.2.45

2012

• Filimonov S. N. Kinetics of two-dimensional island nucleation on reconstructed surfaces / S. N. Filimonov, Y. Y. Hervieu // Physical Review B. 2012. Vol. 85, № 4. P. 045423-1-045423-7. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000431706

• Selective Adsorption of C60 on Ge/Si Nanostructures / S. Korte, K. Romanyuk, B. Schnitzler, V. Cherepanov, B. Voigtländer, S. N. Filimonov // Physical Review Letters. 2012. Vol. 108, № 11. P. 116101-1-116101-5. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000431655

2013

• Безродный Д. А. Компьютерное моделирование послойного роста грани 3D-островка / Д. А. Безродный, С. Н. Филимонов // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 8-3. С. 156-158. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000468362

• Карбид кремния на кремнии (110): структура поверхности и механизмы эпитаксиального роста / S. Sambonsuge, Л. Н. Никитина, Ю. Ю. Эрвье, M. Suemitsu, С. Н. Филимонов // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 12. С. 106-111. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000470578

• Филимонов С. Н. Краевая задача поверхностной диффузии адатомов в кинетике роста 3D-отсровков и нитевидных нанокристаллов / С. Н. Филимонов, Ю. Ю. Эрвье // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 8-3. С. 141-143. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000468358

• Direct measurement of surface stress during Bi-mediated Ge growth on Si / H. Asaoka, T. Yamazaki, K Yamaguchi [et.al.] // Surface science. 2013. Vol. 609. P. 157-160. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000452825

• High-rate rotated epitaxy of 3C-SIC(111) on SI(110) substrate for qualified epitaxial graphene on silicon / M. Suemitsu, S. Sanbonsuge, E. Saito, M.-H. Jung, H. Fukidome, S. Filimonov // Materials Science Forum. 2013. Vol. 740-742. P. 327-330.

• Molecular switches from benzene derivatives adsorbed on metal surfaces / W. Liu, S. N. Filimonov, J. Carrasco, A. Tkatchenko // Nature communications. 2013. Vol. 4, Art. № 2569. P. 1-6. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000467289

• Reliable Modeling of Complex Organic/Metal Interfaces / W. Liu, S. Filimonov, V. G. Ruiz, M. Scheffler, A. Tkatchenko // Bulletin of the American Physical Society. 2013. Vol.58, № 1 : Session M5: Focus Session: Computational Discovery and Design of New Materials: Semiconductors, Molecular Systems and Interfaces. M5.00002

• Rotated epitaxy of 3C-SiC (111) on Si (110) substrate using monomethylsilane-based gas-source molecular-beam epitaxy / S. Sambonsuge, E. Saito, M. H. Jung, H. Fukidome, S. Filimonov, M. Suemitsu // Materials Science Forum. 2013. Vol.740. P. 339-343.

2014

• Filimonov S. N. Kinetics of step propagation at the sidewalls of 3D islands and nanowires / S. N. Filimonov, Y. Yu. Hervieu // e-Journal of Surface Science and Nanotechnology. 2014. Vol. 12. P. 68-74.

• Silicon Carbide on Silicon (110): Surface Structure and Mechanisms of Epitaxial Growth / S. Sambonsuge, L. N. Nikitina, Yu. Yu. Hervieu, M. Suemitsu, S. N. Filimonov // Russian Physics Journal. 2014. Vol. 56, № 12. P. 1439-1444.

2015

• Безродный Д. А. Влияние проницаемости ступеней на кинетику послойного роста грани 3D-островка / Д. А. Безродный, С. Н. Филимонов, Ю. Ю. Эрвье // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8-2. С. 144-146.

• Никитина Л. Н. Влияние дисперсионных сил на энергию межмолекулярного взаимодействия бензола и его галогенпроизводных / Л. Н. Никитина, М. Б. Пидченко, С. Н. Филимонов // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8-3. С. 147-149.

• Филимонов С. Н. Монте-Карло-моделирование адсорбции анизотропных невзаимодействующих молекул на поверхность (111) ГЦК-кристалла // С. Н. Филимонов, Ю. Ю Эрвье // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 12. С. 9-12.

• In situ SR-XPS observation of Ni-assisted low-temperature formation of epitaxial graphene on 3C-SiC/Si / М. Hasegawa, K. Sugawara, R. Suto, S. Sambonsuge, Y. Teraoka, Akitaka Yoshigoe, S. N. Filimonov, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu // Nanoscale research letters. 2015. Vol. 10. P. 421 (1-6). URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000552751

• Filimonov S. N. Ab initio calculations of absolute surface energies of clean and hydrogen covered 3C-SiC(001), (110) and (111) surfaces / S. N. Filimonov // Materials science forum. 2015. Vol. 821/823. P. 363-366. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000578005

• Filimonov S. N. Model of step propagation and step bunching at the sidewalls of nanowires / S. N. Filimonov, Y. Y. Hervieu // Journal of crystal growth. 2015. Vol. 427. P. 60-66. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000581434

2016

• Безродный Д. А. Численное моделирование движения ступеней на боковых гранях 3D островков / Д. А. Безродный, С. Н. Филимонов // Кремний 2016 : XI конференция и X школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, 12-15 сентября 2016 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2016. С. 41.

• Филимонов С. Н. Модель латерального роста и развития формы нитевидных нанокристаллов за счет образования и движения ступеней по боковым граням / С. Н. Филимонов, Ю. Ю. Эрвье // Кремний 2016 : XI конференция и X школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, 12-15 сентября 2016 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2016. С. 38.

• Филимонов С. Н. Модель ступенчато-слоевого роста боковых граней и развития формы полупроводниковых нитевидных нанокристаллов / С. Н. Филимонов, Ю. Ю. Эрвье // Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59, № 8/2. С. 73-78.

• Филимонов С. Н. О влиянии переходов между различными адсорбционными состояниями на кинетику десорбции молекул / С. Н. Филимонов, Ю. Ю. Эрвье // Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59, № 6. С. 7-12.

• Evaluations of crystal defects of 3C-SiCinline image film on Si(110) substrate / S. Sambonsuge, Ito Shun, Sai Jiao, Nagasawa Hiroyuki, Hirokazu Fukidome, S. Filimonov, M. Suemitsu // Physica status solidi (a). 2016. Vol. 213, № 5. P. 1125-1129.

• Filimonov S. N. Monte carlo simulations of the adsorption of anisotropic noninteracting molecules on the (111) surface of a FCC crystal / S. N. Filimonov, Y. Y. Hervieu // Russian Physics Journal. 2016. Vol.58, № 12. P. 1676-1680.

• Filimonov S. N. On the influence of transitions between distinct adsorption states on the desorption kinetics of molecules / S. N. Filimonov, Y. Y. Hervieu // Russian Physics Journal. 2016. Vol.59, № 6. P 762-767.

• Filimonov S. N. Step flow model of radial growth and shape evolution of semiconductor nanowires / S. N. Filimonov, Y. Y. Hervieu // Russian Physics Journal. 2016. Vol. 59, № 8. P. 1206-1212.

• Formation of qualified epitaxial graphene on si substrates using two-step heteroexpitaxy of C-terminated 3C-SIC(-1-1-1) on SI(110) / S. Sambonsuge, S. Jiao, H. Nagasawa, H. Fukidome, M. Suemitsu, S. N. Filimonov // Diamond and Related Materials. 2016. Vol. 67. P. 51-53.

2017

• Пидченко М. Б. Расчет поверхностной энергии низкоиндексных граней кремния с учетом сил Ван-дер-Ваальса / М. Б. Пидченко, С. Н. Филимонов // Актуальные проблемы радиофизики : cборник трудов VII Международной научно-практической конференции Томск, 18-22 сентября 2017 г. Томск, 2017. С. 266-268.

• Филимонов С. Н. Кинетическая модель начальной стадии роста нитевидных нанокристаллов / С. Н. Филимонов, Ю. Ю. Эрвье // Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 11. С. 171-173.

• Filimonov S. N. Molecular seesaw: Intricate dynamics and versatile chemistry of heteroaromatics on metal surfaces / S. N. Filimonov, W. Liu, A. Tkatchenko // The journal of physical chemistry letters. 2017. Vol. 8, № 6. P. 1235-1240. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000577235

2018

• Filimonov S. N. Kinetic model of the initial stage of the nanowire growth / S. N. Filimonov, Y. Y. Hervieu // Russian Physics Journal. 2018. Vol.60, № 11. P. 2040-2043.

• Principles of Design for Substrate-Supported Molecular Switches Based on Physisorbed and Chemisorbed States / S. Yang, S. Li, S. Filimonov, M. Fuentes-Cabrera, W. Liu // ACS Appl. Mater. Interfaces. 2018. Vol. 10, № 31. P. 26772-26780.

2019

• Пидченко М. Б. Влияние дисперсионных сил на структурные и энергетические характеристики упруго-напряженных поверхностей кремния / М. Б. Пидченко, С. Н. Филимонов // Актуальные проблемы радиофизики АПР 2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, 1-4 октября 2019 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2019. С. 277-280. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000709237

• Филимонов С. Н. Динамика ступеней при росте кристалла из газовой фазы и молекулярного пучка : учебно-методическое пособие : для студентов бакалавриата и магистратуры, обучающихся по направлениям подготовки 03.03.02 Физика, 03.04.02 Физика и 03.03.01 Прикладные математика и физика / С. Н. Филимонов, Ю. Ю. Эрвье ; Нац. исслед. Том. гос. ун-т, Физ. фак. – Томск : [б. и.], 2019. – 54 с.: ил. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000674484

• Switchable Schottky contacts: simultaneously enhanced output current and reduced leakage current / G. Su, S. Yang, S. Li [et al.] // Journal of the American Chemical Society. 2019. Vol. 141, № 4. P. 1628-1635. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000660263

2020

• Surface Strain Induced Collective Switching of Ensembles of Molecules on Metal Surfaces / S. Yang, S. Li, G. X. Zhang, S. N. Filimonov, C. J. Butch, J. C. Ren, W. Liu // The Journal of Physical Chemistry Letters. 2020. Vol. 11, № 6. P.2277-2283. https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.jpclett.0c00162