Хлудков, Станислав Степанович
| Хлудков Станислав Степанович | |
| Место работы: |
Томский государственный университет, Сибирский физико-технический институт, лаборатория физики полупроводников, ведущий научный сотрудник |
|---|---|
| Учёная степень: |
доктор физико-математических наук |
| Учёное звание: |
профессор |
1978
• Вольт-амперные и временные характеристики диодных структур из арсенида галлия, полученных диффузией Fe / Д. Д. Киримбаев, Г. Л. Приходько, Л. К. Тарасова, С. С. Хлудков // Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 года : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева, Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Э. Н. Мельченко]. Томск : [б. и.], 1978. С. 69-70.
• Гришин А. Н. Исследование механизмов излучательной рекомбинации в GaAs:Mn P-n-П-структурах / А. Н. Гришин, Г. М. Фукс, С. С. Хлудков // Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 года : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева, Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Э. Н. Мельченко]. Томск : [б. и.], 1978. С. 78-79.
• Исследование высокоомных слоев, полученных диффузией железа в электронном GaAs / Л. В. Каплинская, В. С. Морозов, Г. Л. Приходько, Л. К. Тарасова, С. С. Хлудков, Н. В. Чалдышева // Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 года : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева, Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Э. Н. Мельченко]. Томск : [б. и.], 1978. С. 115-116.
• Исследование свойств арсенида галлия с примесью марганца / В. В. Антонов, А. В. Войцеховский, М. А. Кривов, Е. В. Малисова, Э. Н. Мельченко, М. П. Никифорова, Е. А. Попова, Г. М. Фукс, С. С. Хлудков // Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 года : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева, Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Э. Н. Мельченко]. Томск : [б. и.], 1978. С. 114-115.
• Исследование характеристик S-диодов, полученных диффузией железа в арсенидо-галлиевые эпитаксиальные структуры типа П-П+ / М. Е. Коренман, Д. Д. Каримбаев, Г. Л. Приходько, О. П. Толбанов, С. С. Хлудков // Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 года : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева, Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Э. Н. Мельченко]. Томск : [б. и.], 1978. С. 71-72.
• Поведение меди в арсениде галлия с разным типом исходной донорной примеси / И. В. Каменская, М. А. Кривов, Е. В. Малисова, Э. Н. Мельченко, В. С. Морозов, М. П. Никифорова, Е. А. Попова, Л. К. Тарасова, С. С. Хлудков // Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 года : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева, Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Э. Н. Мельченко]. Томск : [б. и.], 1978. С. 113-114.
• Получение высокоомных слоев GaAs методом ионного внедрения железа / С. С. Хлудков, Н. В. Чалдышева, Ю. Г. Юрьев, В. В. Копылов, Б. С. Азиков // Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 года : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева, Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Э. Н. Мельченко]. Томск : [б. и.], 1978. С. 132-133.
• Приходько Г. Л. Диффузия железа в арсениде галлия / Г. Л. Приходько, Л. К. Тарасова, С. С. Хлудков // Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 года : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева, Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Э. Н. Мельченко]. Томск : [б. и.], 1978. С. 127-128.
• S-диод на основе GaAs с примесью хрома, работающей на обратной ветви вольт-амперной характеристики / С. С. Хлудков, О. П. Толбанов, Л. В. Каплинская, Г. Л. Приходько, Д. Д. Каримбаев // Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 года : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева, Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Э. Н. Мельченко]. Томск : [б. и.], 1978. С. 70-71.
1982
• Влияние толщины высокоомного слоя на электрические характеристики π –ν-ṅ структур, полученных в процессе диффузии Fe и Cr в GaAs / С. С. Хлудков, О. П. Толбанов, Н. В. Чалдышева, А. В. Корецкий // Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Гаман В. И.]. Томск, 1982. С. 134-136. Библиогр.: 3 назв.
• Свойства арсенида галлия с различной концентрацией марганца / М. А. Кривов, Е. В. Малисова, Э. Н. Мельченко, В. С. Морозов, М. П. Никифорова, Е. А. Попова, С. С. Хлудков // Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Гаман В. И.]. Томск, 1982. С. 21-22.
• Хлудков С. С. Получение, исследование и применение структур на основе GaAs, легированного примесями с глубокими уровнями // Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Гаман В. И.]. Томск, 1982. С. 126-128. Библиогр.: 6 назв.
