Вилисова, Мария Дмитриевна
| Вилисова Мария Дмитриевна | |
| Место работы: |
Томский государственный университет. Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", лаборатория физики полупроводников, старший научный сотрудник. |
|---|---|
Содержание
Биографическая справка
Хронологический список работ
1982
• Исследование S - диодов на основе эпитаксиальных структур GaAs:Fe / О. П. Толбанов, С. С. Хлудков, М. Д. Вилисова, Г. М. Иконникова // Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Гаман В. И.]. Томск, 1982. С. 150-151.
• Лаврентьева Л. Г. Физико-химические закономерности легирования арсенида галлия при газофазовой эпитаксии / Л. Г. Лаврентьева, М. Д. Вилисова // Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Гаман В. И.]. Томск, 1982. С. 81.
• Определение положения π -ν перехода в эпитаксиальных структурах арсенида галлия, легированных железом / Н. А. Чернов, М. Д. Вилисова, Н. Н. Бакин, О. М. Асанов // Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Гаман В. И.]. Томск, 1982. С. 91-92. Библиогр.: 3 назв.
• Электрофизические свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия, легированных железом / М. Д. Вилисова, Г. М. Иконникова, Л. Г. Лаврентьева, В. А. Московкин, А. К. Серикова, В. Б. Ябжанов // Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Гаман В. И.]. Томск, 1982. С. 83-84.
• Ябжанов В. Б. Термодинамический анализ переноса хрома при легировании из Cr (CO)6 эпитаксиальных слоев GaAs в системе Ga-AsCl3-H2 / В. Б. Ябжанов, М. Д. Вилисова, М. П. Рузайкин // Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Гаман В. И.]. Томск, 1982. С. 90-91.
