Айзенштат, Геннадий Исаакович — различия между версиями

Материал из НБ ТГУ
Перейти к: навигация, поиск
(Биографическая справка)
(Биографическая справка)
 
(не показано 7 промежуточных версий 2 участников)
Строка 26: Строка 26:
  
 
=<span style="color:#0000FF">Биографическая справка</span>=
 
=<span style="color:#0000FF">Биографическая справка</span>=
      Айзенштат Геннадий Исаакович после окончания школы в г. Новосибирске в 1965 году поступил  на факультет электронной техники Новосибирского электротехнического института.  Окончил институт в 1970 году по специальности «полупроводниковые приборы» с квалификацией «инженер электронной техники». В 1970-1979 гг. - инженер, ст. инженер, ведущий инженер, с 1980 – ст. научный сотрудник, с 1988 – ведущий научный сотрудник, с 2001 – начальник лаборатории, с 2011 – главный научный сотрудник ОАО НИИ полупроводниковых приборов. По совместительству с 2004 года – профессор кафедры полупроводниковой электроники радиофизического факультета.
+
 
Курсы, читаемые в ТГУ: «»Технология микро- и наноэлектроники».
+
[http://wiki.tsu.ru/wiki/index.php/%D0%90%D0%B9%D0%B7%D0%B5%D0%BD%D1%88%D1%82%D0%B0%D1%82,_%D0%93%D0%B5%D0%BD%D0%BD%D0%B0%D0%B4%D0%B8%D0%B9_%D0%98%D1%81%D0%B0%D0%B0%D0%BA%D0%BE%D0%B2%D0%B8%D1%87 Полная биографическая справка в Электронной энциклопедии ТГУ]
        Научная деятельность связана с разработкой приборов на арсениде галлия. Автор более 130 научных работ, имеет около 50 авторских свидетельств и патентов.
+
 
 +
Айзенштат Геннадий Исаакович после окончания школы в г. Новосибирске в 1965 году поступил  на факультет электронной техники Новосибирского электротехнического института.  Окончил институт в 1970 году по специальности «полупроводниковые приборы» с квалификацией «инженер электронной техники». В 1970-1979 гг. - инженер, ст. инженер, ведущий инженер, с 1980 – ст. научный сотрудник, с 1988 – ведущий научный сотрудник, с 2001 – начальник лаборатории, с 2011 – главный научный сотрудник ОАО НИИ полупроводниковых приборов. По совместительству с 2004 года – профессор кафедры полупроводниковой электроники радиофизического факультета.
 +
 
 +
Курсы, читаемые в ТГУ: «Технология микро- и наноэлектроники».
 +
 
 +
Научная деятельность связана с разработкой приборов на арсениде галлия. Автор более 130 научных работ, имеет около 50 авторских свидетельств и патентов.
  
 
=<span style="color:#0000FF">Хронологический список работ</span>=
 
=<span style="color:#0000FF">Хронологический список работ</span>=
 +
 +
 +
'''1982'''
 +
 +
• Айзенштат Г. И. Моделирование поведения приборов Ганна из арсенида галлия с глубокими центрами / Г. И. Айзенштат, В. А. Воловоденко, Г. В. Корякина //  Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Гаман В. И.]. Томск, 1982. С. 169-171. Библиогр.: 4 назв.
 +
 +
• О влиянии глубоких центров в арсениде галлия на частотную зависимость чувствительности цифровых приборов Ганна / Г. И. Айзенштат, В. А. Воловоденко, Г. В. Корякина, И. Д. Романова //  Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Гаман В. И.]. Томск, 1982. С. 165-166. Библиогр.: 5 назв.
 +
 +
'''2006'''
 +
 +
• Арсенидогаллиевые детекторы для маммографии / Г. И. Айзенштат, М. А. Лелеков, В. А. Новиков и др. // Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции. Томск, 2006. С. 477-480
 +
 +
• Айзенштат Г. И. Влияние эффектов захвата в детекторах из арсенида галлия на частотную зависимость выходного сигнала / Г. И. Айзенштат, М. А. Лелеков, Т. В. Медведева // Физика твердого тела : сборник материалов X Российской научной студенческой конференции, 4-6 мая 2006 г., Томск, Россия. Томск, 2006. С. 206-209
 +
 +
• Токоперенос в детекторах на основе арсенида галлия, компенсированного хромом / Г. И. Айзенштат, М. А. Лелеков, В. А. Новиков и др. // Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции. Томск, 2006. С. 512-516
 +
 +
• Частотная зависимость выходного сигнала в детекторах из арсенида галлия / Г. И. Айзенштат, М. А. Лелеков, Т. В. Медведева, О. П. Толбанов // Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции. Томск, 2006. С. 517-520
 +
 +
'''2012'''
 +
 +
• PHEMT-технология создания монолитных интегральных схем КВЧ-диапазона с проектной нормой от 100 нм / Г. И. Айзенштат, А. Ю. Ющенко, В. Г. Божков, А. И. Иващенко // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 93-94. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000448616
 +
 +
• Монолитная интегральная схема двойного балансного смесителя для K-, Kа-диапазонов частот на основе диодов Шоттки вертикальной конструкции / А. Ю. Ющенко, Г. И. Айзенштат, В. Г. Божков, А. И Иващенко // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55 № 8/2. С. 140-141. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000448700
 +
 +
• Монолитная интегральная схема мощного переключателя прием – передача с защитой приемного канала для Х-диапазона частот на основе pin-диодов / А. Ю. Ющенко, Г. И. Айзенштат, Е. А. Монастырев и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 9/2. С. 287-289. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000449439
 +
 +
• Пассивные МИС для создания СВЧ-усилителей мощности на основе дискретных GaN-транзисторов / А. Ю. Ющенко, Г. И. Айзенштат, Е. А. Монастырев и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 130-132. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000448679
 +
 +
• Айзенштат Г. И. Пиксельный детектор на арсениде галлия для маммографии / Г. И. Айзенштат, Д. Г. Прокопьев // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 107-113. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000448622
  
 
=<span style="color:#0000FF">Литература о трудах и деятельности</span>=
 
=<span style="color:#0000FF">Литература о трудах и деятельности</span>=
 +
 +
Айзенштат Геннадий Исаакович // Профессора Томского университета: биогр. словарь. Томск, 2013. Т. 6: 2003-2012. С. 21-24: фото.
  
 
=<span style="color:#0000FF">Ссылки</span>=
 
=<span style="color:#0000FF">Ссылки</span>=
Строка 39: Строка 75:
  
 
==[http://www.scopus.com/authid/detail.url?authorId=6507624990 Цитирование в Scopus]==
 
==[http://www.scopus.com/authid/detail.url?authorId=6507624990 Цитирование в Scopus]==
 +
[[Категория:Персоналии ученых ТГУ]]

Текущая версия на 16:28, 20 сентября 2022

Айзенштат Геннадий Исаакович
Aizenshtat.jpg
Учёное звание:

профессор



Биографическая справка

Полная биографическая справка в Электронной энциклопедии ТГУ

Айзенштат Геннадий Исаакович после окончания школы в г. Новосибирске в 1965 году поступил на факультет электронной техники Новосибирского электротехнического института. Окончил институт в 1970 году по специальности «полупроводниковые приборы» с квалификацией «инженер электронной техники». В 1970-1979 гг. - инженер, ст. инженер, ведущий инженер, с 1980 – ст. научный сотрудник, с 1988 – ведущий научный сотрудник, с 2001 – начальник лаборатории, с 2011 – главный научный сотрудник ОАО НИИ полупроводниковых приборов. По совместительству с 2004 года – профессор кафедры полупроводниковой электроники радиофизического факультета.

Курсы, читаемые в ТГУ: «Технология микро- и наноэлектроники».

Научная деятельность связана с разработкой приборов на арсениде галлия. Автор более 130 научных работ, имеет около 50 авторских свидетельств и патентов.

Хронологический список работ

1982

• Айзенштат Г. И. Моделирование поведения приборов Ганна из арсенида галлия с глубокими центрами / Г. И. Айзенштат, В. А. Воловоденко, Г. В. Корякина // Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Гаман В. И.]. Томск, 1982. С. 169-171. Библиогр.: 4 назв.

• О влиянии глубоких центров в арсениде галлия на частотную зависимость чувствительности цифровых приборов Ганна / Г. И. Айзенштат, В. А. Воловоденко, Г. В. Корякина, И. Д. Романова // Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Гаман В. И.]. Томск, 1982. С. 165-166. Библиогр.: 5 назв.

2006

• Арсенидогаллиевые детекторы для маммографии / Г. И. Айзенштат, М. А. Лелеков, В. А. Новиков и др. // Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции. Томск, 2006. С. 477-480

• Айзенштат Г. И. Влияние эффектов захвата в детекторах из арсенида галлия на частотную зависимость выходного сигнала / Г. И. Айзенштат, М. А. Лелеков, Т. В. Медведева // Физика твердого тела : сборник материалов X Российской научной студенческой конференции, 4-6 мая 2006 г., Томск, Россия. Томск, 2006. С. 206-209

• Токоперенос в детекторах на основе арсенида галлия, компенсированного хромом / Г. И. Айзенштат, М. А. Лелеков, В. А. Новиков и др. // Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции. Томск, 2006. С. 512-516

• Частотная зависимость выходного сигнала в детекторах из арсенида галлия / Г. И. Айзенштат, М. А. Лелеков, Т. В. Медведева, О. П. Толбанов // Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции. Томск, 2006. С. 517-520

2012

• PHEMT-технология создания монолитных интегральных схем КВЧ-диапазона с проектной нормой от 100 нм / Г. И. Айзенштат, А. Ю. Ющенко, В. Г. Божков, А. И. Иващенко // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 93-94. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000448616

• Монолитная интегральная схема двойного балансного смесителя для K-, Kа-диапазонов частот на основе диодов Шоттки вертикальной конструкции / А. Ю. Ющенко, Г. И. Айзенштат, В. Г. Божков, А. И Иващенко // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55 № 8/2. С. 140-141. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000448700

• Монолитная интегральная схема мощного переключателя прием – передача с защитой приемного канала для Х-диапазона частот на основе pin-диодов / А. Ю. Ющенко, Г. И. Айзенштат, Е. А. Монастырев и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 9/2. С. 287-289. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000449439

• Пассивные МИС для создания СВЧ-усилителей мощности на основе дискретных GaN-транзисторов / А. Ю. Ющенко, Г. И. Айзенштат, Е. А. Монастырев и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 130-132. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000448679

• Айзенштат Г. И. Пиксельный детектор на арсениде галлия для маммографии / Г. И. Айзенштат, Д. Г. Прокопьев // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 107-113. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000448622

Литература о трудах и деятельности

Айзенштат Геннадий Исаакович // Профессора Томского университета: биогр. словарь. Томск, 2013. Т. 6: 2003-2012. С. 21-24: фото.

Ссылки

Анализ публикационной активности (РИНЦ)

Цитирование в Scopus