Брудный, Валентин Натанович

Брудный Валентин Натанович
Место работы:	Томский государственный университет, Физический факультет, кафедра физики полупроводников, профессор
Учёная степень:	доктор физико-математических наук
Учёное звание:	профессор

Хронологический список работ

1978

• Аннигиляция позитронов и оптические свойства облученного электронами n-GaAs / К. П.Арефьев, В. Н. Брудный, Д. Л. Будницкий, С. А. Воробьев, М. А. Кривов, А. А. Цой // Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 года : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева, Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Э. Н. Мельченко]. Томск : [б. и.], 1978. С. 148.

• Брудный В. Н. Радиационные дефекты в арсениде галлия / В. Н. Брудный, М. А. Кривов // Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 года : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева, Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Э. Н. Мельченко]. Томск : [б. и.], 1978. С. 16-18. Библиогр.: 3 назв.

• Влияние ионной имплантации на мощность излучения арсенидогаллиевых эпитаксиальных p-n-переходов / Ю. К. Пантелеев, Б. С. Азиков, Л. Л. Широков, Н. Е. Безруких, В. Н. Брудный, И. В. Каменская // Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 года : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева, Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Э. Н. Мельченко]. Томск : [б. и.], 1978. С. 145-146.

• Исследование дефектов в облученном электронами арсениде галлия в условиях гиддростатического давления / А. А. Вилисов, А. П. Вяткин, В. М. Диамант, Н. П. Криворотов, В. Н. Брудный // Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 года : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева, Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Э. Н. Мельченко]. Томск : [б. и.], 1978. С. 84-85.

• P-слои GaAs , полученные внедрением ионов Zn+ / Б. С. Азиков, В. Н. Брудный, И. В. Каменская, М. А. Кривов, Ю. К. Пантелеев, Л. Л. Широков // Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 года : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева, Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Э. Н. Мельченко]. Томск : [б. и.], 1978. С. 143-144.

1982

• Брудный В. Н. Особенности формирования локализованных состояний радиационных дефектов в арсениде галлия / В. Н. Брудный, В. М. Диамант // Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Гаман В. И.]. Томск, 1982. С. 69-71

2004

• Брудный В. Н. Электронная структура и оптические спектры Si с квантовыми точками Ge / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев // Физико-химические процессы в неорганических материалах (ФХП-9) : доклады международной конференции, посвященной 50-летию Кемеровского государственного университета, 22-25 сентября 2004 г. Кемерово, 2004. Т. 1. С. 337-341

• Брудный В. Н. Глубокие уровни комплексов вакансий в GaAs / В. Н. Брудный С. Н. Гриняев // Физико-химические процессы в неорганических материалах (ФХП-9) : доклады международной конференции, посвященной 50-летию Кемеровского государственного университета, 22-25 сентября 2004 г. Кемерово, 2004. Т. 1. С. 499-500.