Гермогенов, Валерий Петрович

Гермогенов Валерий Петрович
Место работы:	Томский государственный университет, Радиофизический факультет, кафедра полупроводниковой электроники, заведующий кафедрой
Учёная степень:	доктор физико-математических наук
Учёное звание:	профессор

Хронологический список работ

1978

• Вилисов А. А. Изучение ранних стадий роста эпитаксильного GaJb / А. А. Вилисов, В. П. Гермогенов, Л. Е. Эпиктетова // V Симпозиум по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок, г. Новосибирск, 6-8 июня 1978 года : тезисы докладов / Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние Акад. наук СССР, Ин-т неогран. химии, Ин-т физики полупроводников [и др. ; отв. за вып. Ф. А. Кузнецов]. Новосибирск, 1978. С. 84.

1980

• Гермогенов В. П. Изучение процесса выращивания и характеристик эпитаксиальных структур на основе AlxGa1-xSb : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.07 / Гермогенов В. П. ; науч. рук. А. А. Вилисов, А. П. Вяткин ; Сибирский физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова при Томском гос. ун-те им. В. В. Куйбышева. - Томск : [б. и.], 1980. - 245 л.: ил.

1997

• Гермогенов В. П. Эпитаксиальные структуры на основе твердого раствора AlxGa1-x Sb (физические основы технологии, свойства, применение) : Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. 01.04.10. - Томск, 1997. - 39 с.

1998

• Излучающие диоды : Методические указания / Сост. В. П. Гермогенов; Томск. гос. ун-т. - Томск, 1998. - 27 с.: ил.

1999

• Уравнение электронейтральности в полупроводнике : Методическое пособие / Сост. В. П. Гермогенов; Томский государственный университет. - Томск : Издательство Томского университета, 1999. - 27 с.

2002

• Задачи по физической химии : (методические указания) / Том. гос. ун-т, Радиофиз. фак. ; сост. : В. П. Гермогенов, Н. Н. Иванова. - Томск : [б. и.], 2002. - 25 с.

2005

• Гермогенов В. П. От сплавных контактов к эпитаксиальным гетероструктурам / В. П. Гермогенов // Вестник Томского государственного университета. N 285. Томск, 2005. N 285 : Серия "Физика". С. 103-111. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000328935

• Подготовка специалистов в области физики и техники полупроводников в Томском университете / А. В. Войцеховский, В. И. Гаман, В. П. Гермогенов [и др.] // Вестник Томского государственного университета. N 285. 2005. N 285 : Серия "Физика". С. 47-52. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000328929

2006

• Фотовольтаические детекторы ионизирующих излучений на основе эпитаксиального GaAs, компенсированного хромом / М. Д. Вилисова, В. П. Гермогенов, Е. П. Другова и др. // Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции. Томск, 2006. С. 485-488

2008

• Фотодиоды : учебное пособие / [сост. В. П. Гермогенов] ; Том. гос. ун-т, Радиофиз. фак. - Томск : [б. и.], 2008. - 46 с.: ил.

2012

• Гермогенов В. П. Материалы, структуры и приборы полупроводниковой оптоэлектроники : учебно-методический комплекс / В. П. Гермогенов, Ю. В. Вячистая ; Том. гос. ун-т, [Ин-т дистанционного образования]. - Томск : [ИДО ТГУ], 2012. - . URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000462084

• Детекторы гамма-квантов на основе эпитаксиальных слоев GaAs:S,Cr / М. Д. Вилисова, В. П. Гермогенов, И. В. Пономарев, А. В. Тяжев // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 84-86. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000448594

2013

• Оптические и фотоэлектрические свойства светодиодных гетероструктур на основе GaN / В. П. Гермогенов, Ю. Л. Зубрилкина, О. В. Исупова и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 8/3. С. 177-180. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000468388