Коротаев, Александр Григорьевич — различия между версиями

Материал из НБ ТГУ
Перейти к: навигация, поиск
(Анализ публикационной активности (РИНЦ))
 
(не показано 10 промежуточных версий 2 участников)
Строка 2: Строка 2:
 
|Имя                  = Коротаев Александр Григорьевич
 
|Имя                  = Коротаев Александр Григорьевич
 
|Оригинал имени        =  
 
|Оригинал имени        =  
|Фото                  =  
+
|Фото                  = Korotaev.jpg
 
|Ширина                =  
 
|Ширина                =  
 
|Подпись              =  
 
|Подпись              =  
Строка 11: Строка 11:
 
|Гражданство          =  
 
|Гражданство          =  
 
|Научная сфера        =  
 
|Научная сфера        =  
|Место работы          = Томский государственный университет, Радиофизический факультет, кафедра квантовой электроники и фотоники, доцент
+
|Место работы          = Томский государственный университет, Радиофизический факультет, декан, кафедра квантовой электроники и фотоники, доцент
 
|Учёная степень        = кандидат физико-математических наук
 
|Учёная степень        = кандидат физико-математических наук
 
|Учёное звание        = старший научный сотрудник
 
|Учёное звание        = старший научный сотрудник
Строка 26: Строка 26:
  
 
=<span style="color:#0000FF">Биографическая справка</span>=
 
=<span style="color:#0000FF">Биографическая справка</span>=
 
Коротаев Александр Дмитриевич родился 20 августа 1934 года в г. Сталинске Западно-Сибирского края. После окончания средней школы с серебряной медалью в 1952 г. поступил на физический факультет Томского государственного университета, который окончил в 1957 г. по специальности «физика». С 1957 по 1960 г. – аспирант при кафедре физики твердого тела. С 1 сентября 1960 г. – ассистент, с 1 ноября 1963 г. – ст. преподаватель, с 1 сентября 1964 г. – доцент, с 15 мая 1969 г. – зав. кафедрой, с 24 декабря 1975 г. – профессор, зав. кафедрой физики твердого тела. Одновременно с 30 августа по 1 сентября – зав. отделом физики металлов Сибирского Физико-технического института.
 
Курсы, читаемые Коротаевым А. Д. в ТГУ: теория дислокаций, физика пластичности и прочности, физика дефектов в кристаллах, физика лучевой обработки поверхности, физика формирования и свойства покрытий.
 
Научная деятельность Коротаева А. Д. связана с областью физических основ прочности материалов, исследованием обработки металлических материалов пучками заряженных частиц, фазовыми превращениями в твердых телах, физикой пластичности и прочности кристаллических материалов. Автор более 230 научных работ.
 
Коротаев А. Д., доктор физико-математических наук, профессор кафедры физики металлов, член головного экспертного совета по физике твердого тела Министерства образования РФ, член-корреспондент Международной Академии наук Высшей школы (1994), действительный член Санкт-Петербургской академии по проблемам прочности (1996), Заслуженный деятель науки и техники РСФСР, Заслуженный профессор ТГУ (2004). Награжден орденом Почета, медалью «За трудовую доблесть».
 
  
 
=<span style="color:#0000FF">Хронологический список работ</span>=
 
=<span style="color:#0000FF">Хронологический список работ</span>=
  
'''1957'''
 
  
1.      Влияние отжига и промежуточной высокотемпературной деформации на кривые сжатия меди и ее сплавов // Доклады VII научной конференции, посвященной 40-летию Великой Октябрьской социалистической революции. Томск, 1957. Вып. 2. С. 59-60. Соавт.: Макогон М. Б., Панин В. Е., Китаева Л. П., Суховаров В. Ф., Щербакова Н. И.
+
'''1986''' 
  
'''1958'''
+
• Войцеховский А. А. Кинетика отжига радиационных дефектов в облученных электронами кристаллах теллурида кадмия-ртути / А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, А. П.  Коханенко  // Тезисы докладов II Всесоюзной конференции «Материаловедение халькогенидных и кислородосодержащих полупроводников». Черновцы, 1986. С.153.
  
2.     О роли внешнего напряжения в разупрочении при пластической деформации // Докл. Академии наук. 1958. Т. 122, № 2. С. 219-221. Соавт.: Макогон М. Б., Панин В. Е., Суховаров В. Ф., Абрамец Л. П., Щербакова Н. А.
+
'''1987'''
 +
• Войцеховский А. В. Исследование отжига радиационных дефектов в кристаллах  HG1-XCDX Te  / А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко // Физическая электроника. 1988. Вып.37. С. 53-58.
  
'''1962'''
+
• Кинетика отжига радиационных дефектов в обученных электронами кристаллах  HG1-XCDXTE /  А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко, К. Р. Курбанов; редкол. «Известия вузов. Физика». – Томск, 1987. – 22с. – Деп. В ВИНИТИ 9.02.87,. №929 В 87.
  
3.     Исследование влияния ближнего порядка и К-состояния на физические и механические свойства некоторых никелевых сплавов // Исследования по жаропрочным сплавам. М., 1962. Т. 8. С. 137-144. Библиогр.: 24 назв.
+
• Механизмы отжига радиационных дефектов в облученном электронами HG1-XCDX Te / А. В. Войцеховский,  А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко, К. Р. Курбанов // Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках : материалы Всесоюзного семинара по проблеме «Физика и химия полупроводников». [М.], 1987. С. 64-67.
  
4.     К исследованию влияния пластической деформации на кинетику низкотемпературного превращения в сплавах NiFeCr и NiFeMo // Изв. высш. учеб. заведений. Физика. 1962. № 6. С. 139-142. Библиогр.: 18 назв.
+
• Радиационные дефекты в имплантированных кристаллах HG1-XCDX Te  / В. С. Куликаускас, Ю. В. Лиленко, К. В. Шастов, А. Г. Коротаев // Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках : материалы Всесоюзного семинара по проблеме «Физика и химия полупроводников». .], 1987. С.60-63.
  
5.      К исследованию температурно-скоростной зависимости напряжения течения сплава NiFeMo. I // Изв. высш. учеб. заведений. Физика. 1962. № 2. С. 125-130. Библиогр.: 28 назв. Соавт.: Большанина М. А.
+
'''1988'''
6.      К исследованию температурно-скоростной зависимости напряжения течения сплавов NiFe и NiFeCr. II // Изв. высш. учеб. заведений. Физика. 1962. № 2. С. 131-137. Библиогр.: 22 назв. Соавт.: Большанина М. А., Никитина А. К.
 
  
7.     Локальные неоднородности и их влияние на свойства некоторых никелевых сплавов : автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук. − Томск : Изд-во Том. ун-та, 1962. − 14 с. (Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева).
+
• Войцеховский А. В.  Исследование отжига радиационных дефектов в кристаллах  HG1-XCDX Te / А. В. Войцеховский,  A. П. Коханенко,  А. Г. Коpотаев  // Физическая электроника. 1988. Вып.37. С.53-58.
 +
 +
• Positron annigilation for defect studies in HG1-XCDX Te crystals / A. V. Voitsekhovskii, A. P. Kokhanenko, A. G. Korotaev et al. // Abstracts of 8 th Conference on positron annigilation. Gent, Belgium, 1988. P.620.
  
8.      О влиянии условий закалки и пластической деформации на кинетику образования К–состояния в сплаве Ni-Fe-Mo // Физика металлов и металловедение. 1962. Т. 13, вып. 3. С. 454-457. Библиогр.: 16 назв. Соавт.: Никитина А. К.
+
'''1989'''
  
'''1963'''
+
• Войцеховский А. В. Влияние радиационных дефектов вакансионного типа на результрующий профиль n(x) при облучении HgCdTe ионами / А. В. Войцеховский, Е. М. Кирюшкин, А. Г. Коротаев // Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках : материалы II Всесоюзного семинара по проблеме «Физика и химия полупроводников». Павлодар, 1989. С.102-106.
  
9.     К исследованию кинетики низкотемпературных превращений в легированных пермаллоях // Физика металлов и металловедение. Т. 17, вып. 4. С. 512 -518. Соавт.: Большанина М.А.
+
• Войцеховский А. В. Дефектообразование и диффузия радиационных дефектов в кристаллах HG1-XCDX Te при облучении ионами / А. В. Войцеховский, Е. М. Кирюшкин, А. Г. Коротаев // Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках : материалы II Всесоюзного семинара по проблеме «Физика и химия полупроводников». Павлодар, 1989. С.107-110.
  
10.  К исследованию кинетики образования ближнего порядка в закаленных и деформированных сплавах на основе никеля // Укр. физ. журн. 1963. Т. 8, № 3. С. 381-386. Соавт.: Малов Ю.В.
+
• Дефектообразование в HG1-XCDXTE при низких дозах ионизирующей радиации / А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко и др. // Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках : материалы II Всесоюзного семинара по проблеме «Физика и химия полупроводников». Павлодар, 1989. Ч.2. С.136-139.
  
11.  К исследованию природы аномалий температурной зависимости напряжения течения сплавов на основе никеля // Исследования по жаропрочным сплавам. М., 1963. Т. 10. С. 123-130. Библиогр.: 32 назв. Соавт.: Малов Ю. В., Александров Н. А.
+
• Изучение дефектов в узкозонных полупроводниках методом аннигиляции позитронов / А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, А. И. Коханенко, А. Д. Погребняк // Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках : материалы II Всесоюзного семинара по проблеме «Физика и химия полупроводников». Павлодар, 1989. Ч. 2. С. 126-130.
  
12. Локальные неоднородности и их влияние на свойства некоторых никелевых сплавов : дис. … канд. физ.-мат. наук / Науч. руководитель проф. М. А. Большанина. Томск, 1963. − 326 л., 88 ил. − Библиогр.: с. 310-323 (233 назв.).
+
• Определение параметров электрон-позитронной аннигиляции в кристаллах  HG1-XCDXTE / А. В. Войцеховский, И. Л. Киселев, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко; редкол. «Известия вузов. Физика». Томск, 1989. – 16с. –  Деп. В ВИНИТИ 5.10.89, рег. № 6132-В89.
  
13.  О влиянии ближнего порядка на температурную зависимость напряжения течения сплавов на основе никеля // Укр. физ. журн. 1963. Т. 8, № 3. С. 376-381. Соавт.: Александров Н. А.
+
'''1990'''
  
'''1964'''
+
• Исследование радиационных нарушений в кристаллах HgCdTe  при высокодозной имплантации / А. И. Аксенов, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев и др. // Тезисы докладов XX Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. М., 1990. С.80.
  
14.  К вопросу о природе повышения электросопротивления при упорядочении атомов в нихромах и легированных пермаллоях // Изв. высш. учеб. заведений. Физика. 1964. № 4. С. 128-132. Библиогр.: 27 назв. Соавт.: Малов Ю. В.
+
'''1991'''
  
15. К исследованию кинетики низкотемпературных превращений в легированных пермаллоях // Физика металлов и металловедение. 1964. Т. 17, вып. 4. С. 512-518. Библиогр.: 41 назв. Соавт.: Большанина М. А.
+
• Коротаев А. Г. Исследование радиационных дефектов в кристаллах HG1-XCDXTE ядернофизическими методами : автореф.дис. ... канд. физико-математических наук. – Томск,  1991. –  16 с.: ил.
  
'''1965'''
+
• Особенности высокоинтенсивной имплантации в теллуридѳ кадмия-ртути / А. В. Войцеховский, А. Г. Коротнева, А. П. Коханенко,А. Д. Погребняк, А. И. Аксенов // III Всесоюзная конференция «Ионно-лучевая модификация полупроводников и других материалов микроэлектроники» : программа и тезисы докладов. Новосибирск, 4-6 июня 1991 г. Новосибирск, 1991. С. 29.
  
16.  К исследованию энергии активации процесса упорядочения атомов в легированном пермаллое // Физика металлов и металловедение. 1965. Т. 19, вып. 2. С. 257-262. Библиогр.: 21 назв. Соавт.: Долматова Р. П., Конева Н. А., Малов Ю. В., Тухфатуллина Р. М.
+
• Применение пучков медленных позитронов для исследования ионной имплантацией в КРТ / А. В. Войцѳхсвский, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко, A. Д. Погребняк // III Всесоюзная конференция «Ионно-лучевая модификация полупроводников и других материалов микроэлектроники» : программа и тезисы докладов. Новосибирск, 4-6 июня 1991 г. Новосибирск, 1991. С. 85.
 +
 +
'''1995'''
  
17О закалке избыточных вакансий в деформированных и подвергнутых термомеханической обработке сплавах : докл. на XIX науч.-техн. сессии по жаропрочным материалам // Известия АН СССР. Металлы. 1965. № 5. С. 180-186. Библиогр.: 36 назв. Соавт.: Конева Н. А., Тухфатуллина Р. М.
+
• Войцеховский А. В. Электрон-позитронная аннигиляция в узкозонных полупроводниках HG1-XCDXTE / А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко // Известия высших учебных заведений. Физика. 1995. № 10. С. 3 -21.
  
'''1966'''
+
• Electron—Positron annihilation in the narrow-band semiconductor Hg1−xCdxTe / A. V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, A. P. Kokhanenko //  Russian Physics Journal. 1995. Vol. 38, № 10. P. 1007 -1022.
  
18.  Деформационное старение упорядоченных сплавов при температурах выше и ниже критической // Физика металлов и металловедение. 1966. Т. 22, вып. 2. С. 246-253. Библиогр.: 29 назв. Соавт.: Конева Н. А.
+
'''1996'''
  
19. Исследование процессов и энергии активации упорядочения тройных сплавов на основе NiFe // Изв. высш. учеб. заведений. Физика. 1966. № 1. С. 154-162. Библиогр.: 57 назв. Соавт.: Конева Н. А., Большанина М. А.
+
• Войцеховский А. В. Рaдиaциoннoe дeфeктooбpaзoвaниe в кpиcтaллax kpt, облyчeнныx иoнaми вoдopoдa c энepгиeй 10 мэв / А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко  // Физика и техника полупроводников. 1996. Т. 30, 9. С. 1565-1569.  
  
20. О деформационном упрочнении и температурной зависимости механических свойств тройных упорядоченных сплавов на основе Ni3Fe. I // Изв. высш. учеб. заведений. Физика. 1966. № 5. С. 75-85. Библиогр.: 37 назв. Соавт.: Большанина М. А., Конева Н. А., Худоман А.
+
• Voǐtsekhovskiǐ A. V. Radiation defect formation in hg1-xcdxte crystals irradiated by 10-mev hydrogen ions / A. V. Voǐtsekhovskiǐ, A. G. Korotaev, A. P.Kokhanenko  // Semiconductors. 1996. Vol. 30, № 9. P. 821-822.  
  
21.  Процессы упорядочения и деформационное старение тройных упорядочивающихся сплавов на основе Ni₃Fe // Физика металлов и металловедение. 1966. Т. 21, вып. 1. С. 54-61. Библиогр.: 39 назв. Соавт.: Конева Н. А.
+
'''1997'''
  
22. Процессы упорядочения и свойства и свойства твердых растворов с дальним порядком // Межвузовский сборник Западно-Сибирского совета по координации и планированию науч.-исслед. работ по техн. и естеств. наукам : тр. 2-й науч. сессии вузов Западной Сибири. Новосибирск, 1966. Вып. 5. С. 36-38. Соавт.: Макогон М. Б., Попов Л. Е., Китаева Л. П., Бушнев Л. С., Тухфатуллин А. А., Козлов Э. В., Конева Н. А., Кобытев В. С., Голосов Н. С., Кожемякин Н. В., Большанина М. А.
+
• Поверхностное легирование кремния атомами бора методом ядер отдачи / А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко, И. И. Грушин, М. С. Опекунов, Г. Е. Ремнев // Международная конференция "Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах", 22-25 сентября 1998 г., г. Томск : тезисы докладов. Томск, 1998 . С. 201-202 .  
 +
 +
'''1999'''
  
'''1967'''
+
• Voitsekhovskii A. V. Recoil implantation of boron in silicon for modification of parameters of silicon schottky detectors / Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Korotaev A.D. // Progress in Biomedical Optics and Imaging. 1999. Vol. 3881. P. 274.
  
23.  О деформационном упрочнении и температурной зависимости механических свойств тройных упорядоченных сплавов. II // Изв. высш. учеб. заведений. Физика. 1967. № 1. С. 38-45. Библиогр.: 27 назв. Соавт.: Конева Н. А., Большанина М. А., Штейн С. Г.
+
• Formation of boron heavily-doped nanolayer in silicon by powerful ion irradiation / A. Kokhanenko, A. Korotaev, A. Voitsekhovskii,  I. Grushin, M. Opekunov  // Microelectronic device technology III.   Proceedings of the society of photo-optical instrumentation engineers (SPIE). Santa Clara, 1999. Vol. 3881  P. 274-283.
 +
 
 +
'''2000'''
  
'''1968'''
+
• Войцеховский А. В. Распределение профилей радиационных дефектов в КРТ после ионной имплантации / А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко  // Прикладная физика. 2000. № 6. С. 38-44.
  
24. Изменение деформационного упрочнения и упругих характеристик в процессе изотермического упорядочения сплавов на основе Ni₃Fe // Изв. высш. учеб. заведений. Физика. 1968. № 7. С. 40-44; с табл. Библиогр.: 34 назв. Соавт.: Конева Н. С.
+
• Войцеховский А. В. Формирование наноразмерных высоколегированных профилей бора в кремнии мощными ионными пучками / А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко  // Прикладная физика. 2000. № 6.С.45-50.
 +
 +
• Formation of boron heavily doped nanolayer in silicon by recoil implantation using high-intensive power ion beams / M. S. Opekunov, I. I. Grushin,  G. E. Remnev, A. P.Kokhanenko , A. G. Korotaev, A. V. Voitsekhovskii // 2000 13th International Conference on High-Power Particle Beams, BEAMS 2000. 2000. P. 775-779.  
  
25.  Механическое двойникование в дисперсионно твердеющих сплавах Cu-Ti и Cu-Ti-A // Физика металлов и металловедение. 1968. Т. 26, вып. 5. С. 906-911. Библиогр.: 14 назв. Соавт.: Протасов А. Т., Ламбакахар О. О.
+
'''2001'''
  
26Кинетика дисперсионного твердения и изменение механизма скольжения сплавов Cu-Ti, Cu-Ti-Al // Изв. высш. учеб. заведений. Физика. 1968. № 9. С. 113-120; с табл. Библиогр.: 31 назв. Соавт.: Протасов А. Т., Циненко О. В., Ламбакахар О. О.
+
• Полупроводниковые сверхрешетки и их свойства : методические указания / Томск. гос. ун-т , Каф. квантовой электроники и фотоники ; [сост. А. В. Войцеховский, С. А. Шульга, А. ГКоротаев]. – Томск : [б. и.], 2001. – 32 с.: ил.
 +
 +
• Физическая электроника. Измерения в лабораторном практикуме. Приборы для измерения частоты на СВЧ : методическое пособие / сост. А. Г. Коротаев, С. П.  Кулаев; Том. гос. ун-т, Каф. квантовой электроники и фотоники. – Томск : . и.], 2001. – 34, [1] с.: ил.
  
27. Кинетика непрерывного и прерывистого распада в сплаве Cu-Ti. I // Физика металлов и металловедение. 1968. Т. 26, вып. 5. С. 789-797. Библиогр.: 26 назв. Соавт.: Циненко О. В., Протасов А. Т.
+
• Kokhanenko A. P. Electron-positron annihilation in the narrow gap semiconductor HG1-XCDXTE / A. P. Kokhanenko, A. G. Korotaev, A. V. Voitsekhovskii // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. 5th International Conference on Material Science and Mateial Propoerties for Infrared Optoelectronics. sponsors: SPIE; editors: F.F. Sizov, Institute of Semiconductor Physics, Ukraine. Kiev, 2001. P. 173-177.
  
28. Термически активируемое напряжение течения в упорядоченных и разупорядоченных сплавах // Упорядочение атомов и его влияние на свойства сплавов. Киев, 1968. С. 190-194. Соавт.: Конева Н. А., Левина В. Б.
+
• Photoelectric characteristics of ptsi-si schottky barrier with boron heavily-doped nanolayer /  A.V. Voitsekhovskii, A. P. Kokhanenko, A. G. Korotaev, S. N. Nesmelov // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. Interantional Conference on Solid State Crystals 2000 Epilayers and Heterostructures in Optoelectronics and Semiconductor Technology. Zakopane, 2001. P. 387-390.
  
'''1969'''
+
'''2002'''
  
29. К исследованию микродеформации упорядоченных сплавов. [Докл. на III Респ. совещании по упорядочению атомов и его влиянию на свойства сплавов. 1969 г.] // Укр. физ. журн. 1969. Т. 14, № 10. С. 1732-1736. Библиогр.: 30 назв. Соавт.: Серегин Г. В.
+
• The energy band diagrams of PTSI-SI barrier with a heavily-doped surface nanolayer formed by recoil implantation /  S. N. Nesmelov, A. V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, A. P. Kokhanenko // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. Silicon-based and Hybrid Optoelectronics IV. sponsors: SPIE; editors: D.J. Robbins, G.E. Jabbour. San Jose, CA, 2002.P. 164-173.  
  
30. О влиянии легирования алюминием на природу распада в сплаве медь-титан. II // Физика металлов и металловедение. 1969. Т. 27, вып. 1. С. 127-134. Соавт.: Протасов А. Т., Циценко О. В., Любченко М. В.
+
• Radiation effects in photoconductive MCT MBE heterostructures / A. V. Voitsekhovskii, A. P. Kokhanenko, A .G. Korotaev, D. V. Grigorev, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, Ju. G. Sidorov, N. N. Mikhailov //  Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. Solid State Crytals 2002 Crystalline Materials for Optoelectronics. sponsors: European Commission, European Office for Aerospace Research and Development, European Office for Scientific Research (Poland), Institute of Physics, Technical University of Lodz (Poland). Zakopane, 2002. P. 411-415.  
  
31.  Электронномикроскопическое исследование природы распада сплавов Cu-Ti и Cu-Ti-Al. III // Физика металлов и металловедение. 1969. Т. 27, вып. 4. С. 645-649. Соавт.: Ламбакахар О. О., Протасов А. Т.
+
'''2003'''
  
'''1970'''
+
• Облучение высокоэнергетическими электронами и гамма-квантами эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. В. Войцеховский,  А. П. Коханенко,  А. Г. Коротаев,  Д. В. Григорьев, В. С. Варавин,  С. А. Дворецкий,  Ю. Г. Сидоров, Н. Н. Михайлов // Прикладная физика. 2003. № 5. С.99-101 .
  
32.  Некоторые вопросы прерывистого распада в закаленных и деформированных сплавах // Изв. высш. учеб. заведений. Физика. 1970. № 1. С. 108-112; табл. Библиогр.: 17 назв. Соавт.: Бушнев Л. С., Протасов А. Т., Тюменцев А. Н., Пшенина Л. С.
+
• Распределение профилей радиационных дефектов при ионной имплантации варизонных структур КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев, Д. В. Григорьев, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Ю. Г. Сидоров, Н. Х. Талипов // Прикладная физика. 2003. № 5. С. 93-95 .  
  
33. О дислокационной структуре и механическом двойниковании в стареющих сплавах Cu-Ti и Cu-Ti-Al // Физика металлов и металловедение. 1970. Т. 29, вып. 1. С. 192-196. Библиогр.: 16 назв. Соавт.: Протасов А. Т., Бушнев Л. С.
+
• Radiation effects in photoconductive MCT MBE heterostructures / A. V. Voitsekhovskii, A. P. Kokhanenko, A .G. Korotaev, D. V. Grigorev, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, Ju. G. Sidorov, N. N. Mikhailov // Progress in Biomedical Optics and Imaging. 2003. Vol. 5136. P. 411-415. https://doi.org/10.1117/12.519767
  
34.  О природе структурных превращений на ранних стадиях распада сплавов Cu-Ti, Cu-Ti-Al // Физика металлов и металловедение. 1970. Т. 30, вып. 1. С. 63-68. Библиогр.: 23 назв. Соавт.: Бушнев Л. С., Протасов А. Т.
+
'''2004'''
 
 
35.  Температурная зависимость механических свойств сплавов Cu-Ti и Cu-Ti-Al // Изв. высш. учеб. заведений. Физика. 1970. № 4. С.114-120; табл. Библиогр.: 22 назв. Соавт.: Протасов А. Т.
 
 
 
'''1971'''
 
  
36Исследование модулированной структуры в сплаве Co-Ni-Ti // Физика металлов и металловедение. 1971. Т. 32, вып. 4. С. 758-766. Библиогр.: 28 назв. Соавт.: Циненко О. В., Тюменцев А. Н., Бушнев Л. С.
+
• Особенности определения электрофизических параметров вариозных структур КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко // Известия высших учебных заведений.  Физика2004 . N 7 . С. 70-77.
 +
 +
• Особенности формирования профиля распределения электрически активных радиационных дефектов при ионной имплантации эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев, Д. В. Григорьев // Физико-химические процессы в неорганических материалах (ФХП-9). Т. 2 : международная конференция : посвящается 50-летию Кемеровского государственного университета, 22-25 сентября 2004 года : доклады. Кемерово, 2004. Т. 2. С. 380-383.
  
37.  Кинетика прерывистого распада в сплавах Co-Ni-Ti, Co-Ni-Ti-Al // Физика металлов и металловедение. 1971. Т. 31, вып. 4. С. 757-764. Библиогр.: 20 назв. Соавт.: Циценко О. В., Пшенина Л. С., Назаров Ю. К.
+
• Профили распределения дефектов в эпитаксиальных пленках CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, при ионной имплантации аргона и азота / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев,  А. П. Коханенко,  Д. В. Леонтьев, Н. А. Кульчицкий // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники.  2004 . N2.  С.60-65.
 +
 +
• Specific features of determining the electrophysical parameters of variband CMT structures grown by molecular-beam epitaxy / A. V. Voitsekhovskii, D.V. Grigor'ev, A. G. Korotaev, A. P. Kokhanenko // Russian Physics Journal. 2004. № 7. P. 764.
  
38.  Некоторые закономерности разрушения упорядоченных сплавов на основе Ni₃Fe // Изв. высш. учеб. заведений. Физика. 1971. № 6. С. 35-41. Библиогр.: 36 назв. Соавт.: Конева Н. А., Левина В. Б.
+
'''2005'''
  
39.  Особенности прерывистого распада в сплавах Co-Ni-Ti // Физика металлов и металловедение. 1971. Т. 32, № 1. С. 58-64. Соавт.: Циненко О. В., Пшенина Л. С., Тюменцев А. Н., Бушнев Л. С.
+
• Имплантация ионов бора в варизонные эпитаксиальные пленки МЛЭ КРТ / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко, Н. Х. Талипов  // Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства функциональной электроники и нанофотоники) : материалы XI международной научно-технической конференции (Москва, МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2005, 8-10 сентября). Тонкие пленки в электронике : материалы XVII международного симпозиума (Москва, МГТУ им. Н. Э. Баумана 2005, 8-10 сентября). Москва, 2005. С. 171-178.
  
'''1972'''
+
• Особенности формирования профиля распределения электрически активных радиационных дефектов при ионной имплантации эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев, Д. В. Григорьев  // 9 Международная конференция "Физико-химические процессы в неорганических материалах " и Школа молодых ученых, проводившаяся в рамках конференции, Кемерово, 22-25 сент., 2004 ФХП-9 : доклады: Посвящается 50-летию Кемеровского государственного университета. Т. 2 . 2004 . С.280-383.
 +
 
 +
• Процессы радиационного дефектообразования в варизонных структурах млэ крт при ионной имплантации / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко, Н. X. Талипов // Прикладная физика. 2005. № 3. С. 83-88.
  
40. Дисперсионное твердение сплавов с модулированной структурой в области микро- и макротечения. I // Изв. высш. учеб. заведений. Физика.1972. № 9. С. 46-52, табл. Библиогр.: 36 назв. Соавт.: Циненко О. В., Чумляков Ю. И., Назаров Ю. К.
+
• The boron implantation in the varied zone MBE MCT epilayer / A. V. Voitsekhovskii , D. V. Grigorev, A. P. Kokhanenko, A. G. Korotaev, Y. G. Sidorov, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, N. K. Talipov // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. Infrared Photoelectronics. Сер. "Infrared Photoelectronics" sponsors: NEMO-Network of Excellence on Micro-Optics, European Office of Aerospace Research and Development; editors: A. Rogalski, E.L. Dereniak, F.F. Sizov, Military University of Technology, Poland. Warsaw, 2005. P. 1-5.
  
41.  Исследование морфологии и кинетики распада сплавов Co-Ni-Ti // Изв. высш. учеб. заведений. Физика.1972. № 12. С. 123-130 с табл. Библиогр.: 21 назв. Соавт.: Назаров Ю К., Дижур Л. М.
+
'''2006'''
  
42. Исследование природы сильной температурной зависимости предела текучести о. ц. к. металлов // Доклады АН СССР. 1972. Т. 203, № 3. С. 643-646. Библиогр.: 13 назв. Соавт.: Шереметьев О. Д., Почивалов Ю. И., Фрезе Н. И.
+
• Динамика накопления электрически активных радиационных дефектов при имплантации варизонных эпитаксиальных пленок МЛЭ КРТ / А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев , А. П. Коханенко, Д. В. Григорьев, B. C. Варавин, С. А. Дворецкий, Ю. Г. Сидоров, Н. Н. Михайлов, Н. Х. Талипов // Известия высших учебных заведений. Физика. 2006. Т. 49. № 9. С. 25-28.  
  
43На пути к новым материалам : [Всесоюз. совещание по процессам упорядочения атомов в сплавах] // Красное знамя. Томск, 1972. 16 сент.
+
• The dynamics of accumulation of electrically active radiation defects on implantation of graded-band-gap hgcdte films grown by MBE / A. V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, A. P. Kokhanenko, D. V. Grigorev, V. S. Varavin, S. A. Dvoretskii, Yu. G. Sidorov, N. N. Mikhailov, N. KhTalipov // Russian Physics Journal. 2006. Т. 49. № 9. P. 929-933.
  
44.  Некоторые вопросы распада и развития модулированной структуры [сплава] в области стабильности когерентной фазы // Физика металлов и металловедение. 1972. Т. 33, вып. 5. С. 969-977. Библиогр.: 30 назв. Соавт.: Назаров Ю. К., Теребило Г. И.
+
'''2007'''
  
45. Температурная зависимость сопротивления микро- и макродеформаций дисперсионно твердеющих сплавов Co-Ni-Ti, Co-Ni-Ti-Al // Изв. высш. учеб. заведений. Физика.1972. № 9. С. 52-57. Библиогр.: 16 назв. Соавт.: Циненко О. В., Чумляков Ю. И.
+
• Легирование ионами бора варизонных эпитаксиальных пленок МЛЭ КРТ / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Ю. Г. Сидоров, Н. Н. Михайлов, Н. Х. Талипов // Прикладная физика. 2007. N 6 . С. 119-124 : 5 ил., 1 табл.  
  
'''1973'''
+
• Радиационное дефектообразование в варизонных эпитаксиальных структурах Cd[x]Hg[1-x]Te при ионной имплантации / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г.Коротаев, А. П. Коханенко, Н. Х. Талипов // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2007.  N 2 . 2007 . С. 35-40.
  
46.  Влияние температуры и выделения когерентной фазы на дислокационную структуру и картину скольжения в некоторых дисперсионно твердеющих сплавах на основе железа // Физика металлов и металловедение. 1973. Т. 36, вып. 3. С. 631-638. Библиогр.: 19 назв. Соавт.: Шереметьев О. Д.
+
'''2008'''
  
47Дислокационная структура сплавов Ni₃Fe и Ni₃FeCr на различных стадиях деформационного упрочнения // Физика металлов и металловедение. 1973. Т. 35, вып. 5. С. 1075-1083. Соавт.: Конева Н. А., Козлов Э. В., Попов Л. Е., Перов Г. А., Есипенко В. Ф., Теплякова Л. Н.
+
• Исследования влияния ионной имплантации бора и ионно-лучевого травления варизонных структур МЛЭ КРТ при формировании n-p переходов /  Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Волков В.С., Средин В.Г., Талипов Н.Х., Ижнин И.И. // Тезисы докладов Российского Совещания «Актуальные проблемы полупроводниковой фотоэлектроники «Фотоника-2008». 19-23 августа 2008. Новосибирск. Новосибирск, 2008. С. 28-28.
 +
   
 +
• Особенности распределения донорных центров в варизонных слоях МЛЭ КРТ р-типа при ионно-лучевом травлении и ионной имплантации бора / Войцеховский А. В., Григорьев Д.В., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Волков В.С., Средин В.Г., Талипов Н.Х., Ижнин И.И. // Тезисы докладов XX Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. 27-30 мая 2008. Москва, Россия. Москва, 2008. С. 177-177.
 +
 +
• Профили распределения дефектов в варизонных слоях гетероэпитаксиальных структур p-НgСdТе при ионно-лучевом травлении / А. В. Войцеховский, В. С. Волков, Д. В. Григорьев, И. И. Ижнин, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко, М. Посяцк, В. Г. Средин, Н. Х. Талипов  // Известия вузов. Физика.  2008 . Т. 51, N 9 . С. 51-56 .  
  
48. Исследование природы механических свойств оцк металлов // Доклады АН СССР. 1973. Т. 103, № 3. Соавт.: Шереметьев О. Д., Почивалов Ю. И.
+
• Радиационные эффекты в фотодетекторах на основе CdHgTe / Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Коротаев А.Г., Коханенко А.П., Мельников А.А., Кульчицкий Н.А. // Известия вузов. Физика. Тематический выпуск. 2008. Т. 51, №9/3. С. 157-159
  
49.  Некоторые закономерности температурной зависимости микродеформации ОЦК сплавов Fe-Cu-Ti; W, W-Re // Металлофизика : респ. межвед. сб. Киев, 1973. Вып. 44. С. 16-21. Библиогр.: 29 назв. Соавт.: Шереметьев О. Д., Почивалов Ю. И., Амосов В. М.
 
  
50.  Температурная зависимость сопротивления микро- и макродеформации дисперсионно твердеющих сплавов на основе железа // Физика металлов и металловедение. 1973. Т. 35, вып. 6. С. 1220-1228. Библиогр.: 12 назв. Соавт.: Шереметьев О. Д., Почивалов Ю. И.
+
• Defect profiles in graded band-gap layers of p-НgСdТе heteroepitaxial structures under ion-beam etching / A.V. Voitsekhovskii, V. S. Volkov, D. V. Grigorev, A. G.  Korotaev, A. P. Kokhanenko, V.G. Sredin, N. Kh Talipov., I. I. Izhnin, M. Posyatsk // Russian Physics Journal. 2008. Т. 51. № 9. P. 936-942.  
  
'''1974'''
+
'''2010'''
  
51.  Влияние вакансий на зарождение новой фазы в сплавах на основе меди // Изв. высш. учеб. заведений. Физика. 1974. № 7. С. 99-103. Соавт.: Паюк В. А., Бушнев Л. С.
+
• Анализ эффективности преобразования солнечной энергии полупроводниковых структур cdte/cdhgte с варизонным слоем в фотопоглощающей области / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев //  Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53. № 9-3. С. 141-142.
  
52.  Влияние легирования алюминием на деформационное упрочнение и дислокационную структуру сплава Ni₃Fe // Доклады 4-го Всесоюз. совещания по упорядочению атомов и его влиянию на свойства сплавов. Томск, 1974. Ч. 2. С. 62-66. Соавт.: Конева Н. А., Попов Л. Е., Козлов Э. В., Теплякова Л. А., Есипенко В. Ф.
+
Влияние облучения на характеристики приборов с накоплением заряда / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев и др. // Высокие технологии в промышленности России : (материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники) : материалы XVI Международной научно-технической конференции (Москва, ЦНИТИ "ТЕХНОМАШ", 2010, 9-11 сентября). Тонкие пленки в электронике : материалы XXIII Международного симпозиума (Москва, ЦНИТИ "ТЕХНОМАШ" 2010, 9-11 сентября). М., 2010. С. 185-190.
 +
 +
• Влияние облучения на характеристики приборов с накоплением заряда / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев, Д. В. Григорьев, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников // Нано- и микросистемная техника. 2010. № 7. С. 32-37.
 +
 +
• Влияние облучения на характеристики HgCdTe фотодетекторов /  А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев, Д. В. Григорьев, А. Н. Кульчицкий, А. А. Мельников // Высокие технологии в промышленности России : (материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники) : материалы XVI Международной научно-технической конференции (Москва, ЦНИТИ "ТЕХНОМАШ", 2010, 9-11 сентября). Тонкие пленки в электронике : материалы XXIII Международного симпозиума (Москва, ЦНИТИ "ТЕХНОМАШ" 2010, 9-11 сентября). М., 2010. С. 191-196.
  
53. Исследование процессов распада в сплаве Cu-Ge-Ti // Изв. высш. учеб. заведений. Физика.1974. № 7. С. 94-98, табл. Библиогр.: 19 назв. Соавт.: Паюк В. А., Бушнев Л. С.
+
• Влияние облучения на характеристики фотодетекторов из HgCdTe / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев, Д. В. Григорьев, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников // Нано- и микросистемная техника. 2010. № 9 (122). С. 48-52.
 +
• Радиационные эффекты в кристаллах теллурида кадмия-ртути / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев, Д. В. Гpигоpьев, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников // Нано- и микросистемная техника. 2010. № 6. С. 10-17. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000535368
  
54. Кинетика дисперсионного твердения и дислокационная структура сплава кобальт-никель-титан // Физика металлов и металловедение. 1974. Т. 37, вып. 1. С. 163-170. Библиогр.: 34 назв. Соавт.: Назаров Ю. К., Теребило Г. И.
+
• Физическая электроника. Лабораторный практикум. Электростатическая линза : учебно-методическое пособие / Том. гос. ун-т, РФФ ; [сост.: А. Г. Коротаев, С. П. Кулаев]. - Томск : . и.], 2010. - 27 с.: ил.
  
55.  Механизм распада и природа выделяющейся фазы в сплавах медь-алюминий-кобальт // Физика металлов и металловедение. 1974. Т. 37, вып. 5. С. 1032-1036. Библиогр.: 12 назв. Соавт.: Паюк В. А., Бушнев Л. С.
+
'''2011'''
  
56. О природе дисперсионного твердения сплавов Cu-Al-Co // Изв. высш. учеб. заведений. Физика.1974. № 3. С. 88-94 с табл. Библиогр.: 24 назв. Соавт.: Паюк В. А., Бушнев Л. С., Чумляков Ю. И.
+
• Влияние облучения на характеристики hgcdte ик фотодетекторов / Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А. // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. 2011. Т. 11. № 1. С. 143-148.
  
57. О температурной зависимости предела текучести сплава Co-Ni-Ti // Изв. высш. учеб. заведений. Физика.1974. № 5. С. 24-28 с табл. Библиогр.: 28 назв. Соавт.: Назаров Ю. К., Дижур Л. М.
+
• Изменение электрофизических свойств узкозонных твердых растворов CdHgTe под воздействием объемного разряда, инициируемого пучком электронов лавин в воздухе атмосферного давления / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2011. Т. 54, 10. С. 88-90. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000444849
  
58. Старение сплавов медь-цирконий и медь-алюминий-цирконий // Физика металлов и металловедение. 1974. Т. 37, вып. 3. С. 573-579. Библиогр.: 9 назв. Соавт.: Бушнев Л. С., Паюк В. А.
+
• Турапин А.М., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Войцеховский А.В. Молекулярно-лучевая эпитаксия Ge/Si наногетероструктур с квантовыми точками //Сборник тезисов V Украинской научной конференции физики полупроводников УНКФН-5. Украина, г. Ужгород, 2011. С. 382.  
  
59.  Температурная и концентрационная зависимость механических свойств и дислокационная структура сплавов молибден-рений // Физика металлов и металловедение. 1974. Т. 37, вып. 6. С. 1256-1265. Библиогр.: 25 назв. Соавт.: Тюменцев А. Н., Фрезе Н. И., Почивалов Ю. И., Колобов Ю. Р.
+
'''2012'''
  
'''1975'''
+
• Влияние объемного наносекундного разряда в газовых средах атмосферного давления на электрофизические свойства эпитаксиального материала HgCdTe / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев, А .С. Петерс, В. Ф. Тарасенко, М. А. Шулепов  // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 65-66. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000444340
  
60.  Атомные перераспределения и свойства дисперсионно-твердеющих упорядочивающихся сплавов : автореф. дис. … д-ра физ.-мат. наук. (01.04.07). − Томск, 1975. − 31 с. − Список работ автора: с. 28-31 (52 назв.).
+
• Влияние объемного наносекундного рзряда в атмосферах воздуха, аргона и азота на электрофизические свойства узкозонных твердых растворов CdHgTe / А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, А. С. Петерс и др. // XXII Международная научно-техническая конференция, школа молодых специалистов и выставка по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 22-25 мая 2012, Москва, Россия : труды конференции. Москва, 2012. С. 197-199
  
61.  Исследования процессов выделения δ-фазы в сплавах Mo-Re // Изв. высш. учеб. заведений. Физика.1975. № 2. С. 143-144. Соавт.: Фрезе Н. И., Левицкий А. Д., Тюменцев А. Н.
+
• Радиационные эффекты в HgCdTe / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев и др. // Прикладная физика. 2012. № 1. С. 82-89. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000432574
  
62. К вопросу о стабилизации модулированной структуры [сплавов] // Доклады АН СССР. 1975. Т. 221, № 6. С. 1304-1306. Библиогр.: 14 назв. Соавт.: Назаров Ю. К, Конджария Г. С., Пшенина Л. С.
+
• A change in the electro-physical properties of narrow-band cdhgte solid solutions acted upon by a volume discharge induced by an avalanche electron beam in the air at atmospheric pressure / Voitsekhovskii A.V., Grigorev D.V., Korotaev A.G., Kokhanenko A.P., Tarasenko V.F., Shulepov M.A. // Russian Physics Journal. 2012. Vol. 54, № 10. P. 1152-1155.
  
63.  Температурная зависимость механических свойств и дислокационной структуры сплавов Mo-Re // Изв. высш. учеб. заведений. Физика.1975. № 12. С. 34-37 с табл. Библиогр.: 11 назв. Соавт.: Тюменцев А. Н., Левицкий А. Д., Фрезе Н. И.
+
'''2013'''
  
'''1976'''
+
• Влияние облучения на характеристики HGCDTE ИК фотодетекторов / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев, Н. А .Кульчицкий, А. А. Мельников //  Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. 2013. Т. 13. № 1. С. 222-227.
  
64. Движение электропроводящего тела ограниченной длины в стационарном магнитном поле линейной индукционной МГД-машины // Магнитная гидродинамика. 1976. № 3. С. 67-74. Соавт.: Цылев П. Н., Мустафин Ф. К.
+
• Влияние объемного наносекудного разряда в атмосфере воздуха, аргона и азота на электрофизические свойства узкозонных твердых растворов CdHgTe / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев и др. // Успехи прикладной физики. 2013. Т. 1, № 3. С. 333-337. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000507335
 +
 +
• Влияние комплексного воздействия электронного пучка пикосекундной длительности и объёмного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства эпитаксиального материала CdHgTe / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 137-139. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000472650
  
65. О соотношении и пространственном распределении карбидов и окислов циркония в сплавах на основе Mo-Re после отржига при различных температурах // Изв. высш. учеб. заведений. Физика.1976. № 3. С. 149-150. Библиогр.: 10 назв. Соавт.: Тюменцев А. Н., Фрезе Н. И.
+
• Дёмин В.В. О развитии студенческого научно-исследовательского инкубатора на радиофизическом факультете Томского государственного университета / В. В. Дёмин, Н. Г. Кушик, А. Г. Коротаев // Труды / Томский государственный университет. Серия физико-математическая. 2013. Т. 289 : Труды десятой региональной конференции студенческого научно-исследовательского инкубатора. С. 3-13.
  
66. Образование модулированной структуры в условиях барьерного зарождения новой фазы // Физика металлов и металловедение. 1976. Т. 42, вып. 4. С. 874-877. Библиогр.: 18 назв. Соавт.: Назаров Ю. К., Беляева Г. М.
+
• Радиофизический лирический : сборник стихов преподавателей радиофизического факультета Томского государственного университета / [сост. Т. Д. Кочеткова] ; Нац. исслед. Том. гос. ун-т. – Томск : STT, 2013. – 113 с. – Из содерж. : А. Г. Коротаев : «Я дышу непогашенным светом». С.87; «Вот уже седина подступает». С.88; «Здесь бесплатной любви не бывает». С. 89; «»Борясь с рефракцией жестоко». С.90; «Пускай таланта нет». С. 91.
  
67.  Природа вторичных фаз и некоторые вопросы пластичности малолегированных сплавов на основе Mo // Физика хрупкого разрушения. Киев, 1976. Ч. 1. С. 118-123. Соавт.: Тюменцев А. Н., Данющенков И. А., Дижур Л. М., Щукин А. А., Бирюкова Т. А.
+
• Background donor concentration in HgCdTe / M. Pociask-Bialy, I. I. Izhnin, A. V. Voytsekhovskiy [et.al.] // Opto-electronics review. 2013. Vol. 23, № 3. P. 200-207. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000519835
  
'''1977'''
+
'''2014'''
  
68. Закономерности формирования структуры при внутреннем окислении двухфазных сплавов // Доклады АН СССР. 1977. Т. 237, № 2. С. 311-314. Библиогр.: 12 назв. Соавт.: Тюменцев А. Н., Бирюкова Т. А., Щукин А. А., Арбузов В. К.
+
• Влияние диффузионного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства узкозонных полупроводников CdHgTe / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев, И. В. Романов, В. Ф. Тарасенко, М. А. Шулепов // Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 10/3. С. 126-130. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000501350
 +
 +
• Донорный фон в эпитаксиальных структурах CdHgTe /  И. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев,  С. А. Дворецкий, В. С. Варавин,  Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, К. Д. Мынбаев  // Конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур (с участием иностранных ученых) :  тезисы докладов. Новосибирск, 2014. С. 64.
  
'''1978'''
+
• Радиофизический лирический : сборник стихов выпускников и сотрудников радиофизического факультета Томского государственного университета / [сост. Т. Д. Кочеткова] ; Нац. исслед. Том. гос. ун-т. – Изд. 2-е, испр. и доп. – Томск : STT, 2014. – 269 с. Из содерж. : Коротаев А. Г. : «Не дрейфь Серёга…». С.13; Патриотический марш. С.48; Марш оптимистов. С.49; «Я, прямо скажем не балбес». С.50; Исторические зарисовки. С.51.; «Жизнь моя ценой в копейку». С.52; «Здесь бесплатной любви не бывает». С. 53; «Бабочка к глади припала речной…». С. 112;  «Пускай таланта нет». С.114;  «Я дышу непогашенным светом». С.115;  «Вот уже седина подступает». С.150;  «Борясь с рефракцией жестоко». С.151.
  
69. Об этом мечтают фантасты // За сов. науку (ТГУ). Томск, 1978. 5 янв.
+
• The Influence of a Diffusion Discharge in the Air at Atmospheric Pressure on the Electro-Physical Properties of Narrow-Gap Semicondurtors CdHgTe / A. V. Voitsekhovskii, D. V. Grigoryev, A. G. Korotaev, A. P. Kokhanenko, I. V. Romanov, V. F. Tarasenko, M. A. Shulepov // International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects: Abstracts. Tomsk: Publishing House of IAO SB RAS, 2014. P. 332.
  
70. исключен
+
• Background donor concentration in HgCdTe / M. Pociask-Bialy, I. I. Izhnin, A.V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, O. I. Fitsych, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, M.V. Yakushev, K. D. Mynbaev //Abstracts of E-MRS 2014 Fall Meeting. Warsaw, Poland, 2014. URL::http://www.emrsstrasbourg.com/index.php?option=com_abstract&task=view&id=283&year=2014&Itemid=&id_season=12(date of access: 10.03.2015. ; http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000519835
  
'''1979'''
+
'''2015'''
  
71.  Влияние степени дальнего порядка на деформационное упрочнение моно- и поликристаллов сплава Ni3Fe // Физика металлов и металловедение. 1979. Т. 48, № 3. С. 613-621. Соавт.: Конева Н. А., Теплякова Л. А., Старченко В. А., Есипенко В. Ф., Шаркеев Ю. П., Козлов Э. В.
+
Влияние импульсного наносекудного объемного разряда в воздухе атмосферного давления на магнитополевые зависимости электрофизических параметров эпитаксиальных пленок КРТ / Д. В. Григорьев, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, В. Ф. Тарасенко,  М. А. Шулепов  // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 10/3. С. 144-146. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000535780
  
72. От атома до макрокосмоса // За сов. науку (ТГУ). Томск, 1979. 18 янв. Соавт.: Паскаль Ю.
+
• Долговременная стабильность p-n переходов в МЛЭ гетероструктурах CdxHg1-xTe, сформированных ионным травлением / И. И. Ижнин, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев , Е. И. Фицич, А. Ю. Бончик, Г. В. Савицкий, К. Д. Мынбаев, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев // Сборник научных трудов VIII Международной научной конференции "Функциональная база наноэлектроники", 28 сентября - 2 октября 2015 г. Харьков ; Одесса, 2015. С. 171-175. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000525154
  
'''1980'''
+
• Долговременная стабильность CdHgTe n+-n-структур, сформированных ионным травлением / И. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, А. В. Войцеховский , А. Г. Коротаев, К. Д. Мынбаев, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, А. Ю. Бончик, Г. В. Савицкий // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 222-226. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000522406
  
73Влияние структурного состояния на закономерности формирования неметаллической фазы при диффузионном насыщении ниобиевых сплавов кислородом // Физика металлов и металловедение. 1980. Т. 50, № 3. С. 560-568. Соавт.: Тюменцев А. Н., Пинжин Ю. П., Колобов Ю. Р., Глазунов М. Г., Марков К. А., Минаев Н. Г.
+
• Жуков А. А. Методическое и информационное обеспечение курса “основы работы в СДО MOODLE” / А. А. Жуков, А. Г. Коротаев // Инновации на основе информационных и коммуникационных технологий. 2015. Т. 1. С. 46-49.  
  
74. Двойникование в монокристаллах гетерофазных сплавов Cu-Al-Co // Физика металлов и металловедение. 1980. Т. 50, № 2. С. 406-414. Соавт.: Чумляков Ю. И., Бушнев Л. С., Веселов Ю. Г., Есипенко В. Ф., Линейцев В. Н.
+
• Жуков А. А. Методическое и информационное обеспечение курса Основы работы в СДО MOODLE / А. А. Жуков, А. Г.Коротаев  // Инновации на основе информационных и коммуникативных технологий. ИНФО-2015 : материалы XII Международной научно-практической конференции, 1-10 окт. 2015 г., г. Сочи. М., 2015. С. 46-49.
  
75.  Деформационное упрочнение в поли- и монокристаллах сплавов Cu-Al-Co // Физика металлов и металловедение. 1980. Т. 50, № 2. С. 367-376. Соавт.: Чумляков Ю. И., Бушнев Л. С., Есипенко В. Ф.
+
• Радиационные эффекты в кристаллах теллурида кадмия-ртути / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев,  Д. В. Григорьев,  Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников  // Нано- и микросистемная техника. 2015. № 6. С. 10-17.
  
76Исследование влияния условий рекристаллизационных отжигов на пластичность низколегированных сплавов на основе молибдена // Изв. высш. учеб. заведений. Физика.1980. № 8. С. 93-99. Соавт.: Тюменцев А. Н., Данющенков И. А., Дижур Л. М., Каныгина О. Н., Жердев А. М., Тузов Л. В.
+
• Релаксация и долговременная стабильность МЛЭ CdHgTe n+-n-структур, сформированных ионным травлением / И. И. Ижнин, Е. И. Фицич, А. В. Войцеховский А. Г. коротаев, А. Ю. Бончик, Г. В. Савицкий, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, К. Д. Мынбаев // Фотоника-2015 : Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 12-16 октября 2015 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2015. С. 42. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000519746
  
77.  Кинетика изменения периода модуляции и дисперсионного твердения в сплавах Cu-Ni-Me // Изв. высш. учеб. заведений. Физика.1980. № 5. С. 81-87. Соавт.: Пшенина Л. С., Назаров Ю. К.
+
• Электрофизические и оптические исследования нейтральных дефектов в эпитаксиальных пленках CdxHg1-xTe / И. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, К. Д. Мынбаев, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, А. Ю. Бончик, Г. В. Савицкий, Z. Swiatek, P. Ozga  // Полупроводники 2015 : XII Российская конференция по физике полупроводников, Ершово, 21-25 сентября 2015 г. : тезисы докладов. М., 2015. С. 333. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000586727
  
78. Новый метод дисперсного упрочнения сплавов на основе молибдена // Промышленность, техника : материалы третьей регион. науч.-практ. конф. «Молодые ученые и специалисты – народному хозяйству». Томск, 1980. С. 20-23 : ил. Библиогр.: 5 назв. Соавт.: Езерский В. И.
+
• Background donor concentration in HGCDTE / I. I. Izhnin, A.V. Voitsekhovsky, A. G. Korotaev, S. A. Dvoretsky, K. D. Mynbaev, O. I. Fitsych, M. Pociask-Bialy // Opto-electronics Review. 2015. Vol. 23. № 3. P. 200-207. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000535381
  
79.  О влиянии легирования на развитие распада в сплавах Cu-Ti // Изв. высш. учеб. заведений. Физика.1980. № 4. С. 28-32. Соавт.: Пшенина Л. С.
+
• Investigation of SI/GE P-I-N structures with ge quantum dots by admittance spectroscopy methods / A. G. Korotaev, A. A. Pishchagin, A. P. Kokhanenko, A. I. Nikiforov // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии - КрыМиКо2015 : материалы докладов 25-ой Международной Крымской конференции: в 2 т. Т. 2. М., 2015. С. 707-708. 1 CD-ROM. System requirements: PC Pentium 1 или выше; OC Microsoft Windows; CD-ROM 16-х или выше; мышка URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000520589
  
80. О двойниковании в дисперсно упрочненных сплавах // Докл. АН СССР. 1980. Т. 253, № 1. С. 100-104. Соавт.: Чумляков Ю. И., Линейцев В. Н., Веселов Ю. Г., Бушнев Л. С.
+
• Long-term stability of electron concentration in HGCDTE-based P-N junctions fabricated with ion etching / I. I. Izhnin, A.V. Voitsekhovsky, A. G. Korotaev, S. A. Dvoretsky, K. D. Mynbaev, V. S. Varavin , N. N. Mikhailov, M. V. Yakushev, A. Y. Bonchyk, H.V. Savytskyy, O. I. Fitsych //  Infrared Physics & Technology. 2015. Т. 73. P. 158-165. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000547568
  
81.  Патриот томской школы физиков // За науку в Сибири. 1980. 4 дек. С. 3. [О докторе физ.-мат. наук В. Е. Панине]. Соавт.: Зуев В. Е.
+
'''2016'''
  
82. Роль условий зарождения в формировании окисной фазы при внутреннем окислении молибденовых сплавов // Физика металлов и металловедение. 1980. Т. 49, № 4. С. 788-796. Соавт.: Тюменцев А. Н., Данющенков И. А., Дижур Л. М., Арбузов В. К.
+
• Дефектная структура имплантированных As МЛЭ пленок CdHgTe / И. И. Ижнин, Е. И. Фицич, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, К. Д. Мынбаев, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, А. Ю. Бончик, Г. В. Савицкий, P Ozga, Z. Swiatek // Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. М: АО "НПО "Орион", 2016. С. 80-82.  
  
83Температурная зависимость предела текучести и критического напряжения сдвига дисперсионно-твердеющих сплавов // Изв. высш. учеб. заведений. Физика.1980. № 6. С. 85-91. Соавт.: Чумляков Ю. И., Бушнев Л. С., Есипенко В. Ф., Веселов Ю. Г.
+
• Коротаев А.Г.Опыт подготовки инженерных кадров в классическом университете // Управление качеством инженерного образования. Возможности ВУЗов и потребности промышленности : тезисы докладов второй международной научно-практической конференции. Москва, 23-25 июня 2016 г.  Москва, 2016. С. 238-239.
 +
   
 +
• Особливост мплантац As в МПЕ плвках CdхHg1-хTe / О. І. Фіцич, І. І. Іжнін, О. В. Войцеховський, О. Г. Коротаєв, В. С. Варавін, С. О. Дворецький, М. М. Михайлов, М. В. Якушев, О. Ю. Бончик, Г. В. Савицький, R. Jakiela, К. Минбаєв  // 7-ма Українська наукова конференція з фізики напівпровідників : матеріали конференції. Кременчук, 2016. C. 332-333.
 +
 +
• Радиационное дефектообразование при ионной имплантации бора в эпитаксиальные пленки HG1-XCDX TE различного состава / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев, И. И. Ижнин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов // Прикладная физика. 2016. № 5. С. 27-31.
  
84. Успехи металлофизиков СФТИ // За сов. науку (ТГУ). Томск, 1980. 13 марта.
+
• Радиационное дефектообразование при ионной имплантации бора в эпитаксиальные пленки Hg1-xCdxTe различного состава /  Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Коротаев А.Г., Коханенко А.П., Ижнин И.И., Савицкий Г.В., Бончик А.Ю., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н. // Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. М., 2016. С. 419-421.
  
'''1981'''
+
• Электрофизические и оптические исследования дефектной структуры методом молекулярно-лучевой эпитаксии пленок CdHgTe / З. Свёнтек, П. Озга, И. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, К. Д. Мынбаев, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, А. Ю. Бончик, Г. В. Савицкий // Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59. № 3. С. 110-113.
  
85. Дисперсионное твердение монокристаллов сплавов системы Cu-Ni-Al-Mn на стадии выделения когерентной фазы Ni3Al // Физика металлов и металловедение. 1981. Т. 51, 4. С. 850-859. Соавт.: Апарова Л. С.
+
• Effect of a boron implantation on the electrical properties of epitaxial HgCdTe with different material composition / Lyapunov D.V., Pishchagin A.A., Grigoryev D.V., Korotaev A.G., Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Iznin I.I., Dvoretskii S.A., Savytskyy H.V., Bonchik A.U., Mikhailov N.N. // Journal of Physics: Conference Series. 2016. Vol. 741. № 1. P. 012097. http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000622058
  
86.  Развитие физики твердого тела в Томском университете // Развитие физических наук в Томском университете. К 100-летию со дня основания (1880-1980). Томск, 1981. С. 6-28. Библиогр.: 53 назв. Соавт.: Панин В. Е.
+
• Effect of a boron implantation on the electrical properties of epitaxial HgCdTe with different material composition / D.V. Lyapunov, A.G. Korotaev, D.V. Grigoryev //Saint-Petersburg OPEN 2016: Book of abstracts 3rd International School and Conference. St. Petersburg, Russia, 2016. P. 231-232.
  
'''1982'''
+
• Electrical characteristics of epitaxial CMT after As+ implantation / D. V. Lyapunov,  A.V. Voitsekhovskii, I. I. Iznin, A. G. Korotaev, S. A. Dvoretskii, P.L. Smirnov. // International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects: Abstracts. Tomsk, 2016. P. 276.
  
87. Исследование стабильности окислов циркония в сплаве Nb-Mo-Zr2 // Изв. высш. учеб. заведений. Физика.1982. № 5. С. 76-80. Соавт.: Тюменцев А. Н., Колобов Ю. Р., Марков К. А., Пинжин Ю. П., Тюменцева С. Ф.
+
• Electrical and Optical Studies of Defect Structure of HgCdTe Films Grown by Molecular Beam Epitaxy /  Z. Świątek, P. Ozga, I.I. Izhnin, E.I. Fitsych, A.V. Voitsekhovskii, A.G. Korotaev, K. D. Mynbaev, V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, M.V. Yakushev, A.Yu. Bonchyk, H.V. Savytsky // Russian Physics Journal. 2016. Vol. 59, № 3. P. 442-445.
  
88.  Кристаллическая структура окислов во внутреокисленных сплавах на основе ниобия и молибдена // Изв. высш. учеб. заведений. Физика.1982. № 4. С. 40-43. Библиогр.: 10 назв. Соавт.: Тюменцев А. Н., Пинжин Ю. П., Гончиков В. Ч., Левин И. В., Марков К. А., Тюменцева С. Ф.
+
• Influence of a high-frequency pulsed nanosecond diffusion discharGe in the nitrogen atmosphere on the electrical characteristics of a CdHgTe epitaxial films / Denis V. Grigoryev, Alexander Voitsekhovskii, Alexandr G. Korotaev, Dmitry V. Lyapunov, Victor F. Tarasenko, Michail A. Shulepov, Michail V. Erofeev, Vasiliiy S. Ripenko, Kirill A. Lozovoy. //International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects: Abstracts. Tomsk, 2016. P. 273.
  
89. О взаимосвязи двойникования и хрупкого разрушения в ГЦК гетерофазных монокристаллах // Доклады АН СССР. 1982. Т. 268, №3. С. 617-621. Соавт.: Чумляков Ю. И., Есипенко В. Ф., Ли А. М., Линейцев В. Н., Веселов Ю. Г.
+
• The features of a radiation defect formation at boron implantation in HgCdTe epitaxial films / Denis V. Grigoryev, Alexander Voitsekhovskii, Alexandr G. Korotaev, Andrey P. Kokhanenko, Igor I. Iznin, Kirill A. Lozovoy, Sergey A. Dvoretskii, Nikolay N. Mikhailov. //International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects: Abstracts. Tomsk, 2016. P. 274.
  
90. Особенности строения приграничных областей и их влияние на развитие микропластической деформации в молибдене с зернограничными сегрегациями никеля // Физика металлов и металловедение. 1982. Т. 54, вып. 6. С. 1225-1227. Библиогр.: 8 назв. Соавт.: Колобов Ю. Р., Почивалов Ю. И.
+
• Physics of semiconductors and dielectrics: electrical and optical studies of defect structure of CdHgTe films grown by molecular beam epitaxy / Z. Świątek, P. Ozga, I. I. Izhnin, E. I. Fitsych, A. V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, S. A. Dvoretsky, K. D. Mynbaev, V. S. Varavin, N. N Mikhailov. , M. V. Yakushev, Bonchyk, H. V. Savytsky // Russian Physics Journal. 2016. Т. 59. № 3. С. 442-445.
 +
 +
• Properties of arsenid-implanted CdxHg1-xTe MBE films / I. I. Izhnin, A. V. Voitseckhovskii, A. G. Korotaev, O. I. Fitsych, O. Yu. Bonchyk, H.V. Savytskyy, K. D. Mynbaev, V. S. Varavin, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, M.V. Yakushev, R. Jakiela, M. Trzyna // International Conference on Semiconductor Nanostructures for Optoelectronics and Biosensors (IC SeNOB 2016) 22-25 May 2016 : Abstract Book. 2016. P. 84.
  
91. Особенности формирования окисной фазы при низкотемпературном насыщении ниобиевых сплавов кислородом // Физика металлов и металловедение. 1982. Т. 54, вып. 6. С. 1228-1230. Соавт.: Тюменцев А. Н., Пинжин Ю. П., Марков К. А., Минаев Н. Г., Сафонов А. А.
+
• Properties of arsenic-implanted CdxHg1-xTe MBE structures / O. I. Fitsych, I. I. Izhnin, A. V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, O. Yu. Bonchyk, H. V. Savytskyy, K. D. Mynbaev, V.S. Varavin, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, M. V. Yakushev, Z.Swiatek , P. Ozga // 7th International scientific and technical conference «Sensor Electronics and Microsystem Technologies» (SEMST-7). Ukraine, Odessa, 2016. P. 129.
  
'''1983'''
+
'''2017''
  
92.  Взаимосвязь двойникования и скольжения в монокристаллах гетерофазных сплавов с низкой энергией дефекта упаковки // Физика металлов и металловедение. 1983. Т. 56. N 1. С. 171-178. Соавт.: Чумляков Ю. И., Есипенко В. Ф., Бушнев Л. С.
+
• Дефектная структура в AS имплантированных пленках CdHgTe, полученных методом МЛЭ / И. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, К. Д. Мынбаев, Ф. Ю. Бончик, Г. В. Савицкий, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев. // Фотоника 2017 : рос. конф. и шк. мол. ученых по актуальным проблемам полупродниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 11-15 сент. 2017 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2017. С. 65.
  
93.  Механическое двойникование и эффекты сверхэластичности в монокристаллах сплавов Cu-Al-Co, содержащих некогерентные частицы // Физика металлов и металловедение. 1983. Т. 55, N 1. С. 149-156. Соавт.: Есипенко В. Ф., Чумляков Ю. И., Бушнев Л. С., Веселов Ю. Г.
+
• Дефекты в имплантированных мышьяком р+n- и n+p-структурах на основе пленок CdHgTe, выращенных МЛЭ / И. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, К. Д Мынбаев. , В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, А. Ю. Бончик, Г. В. Савицкий // Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 10. С. 92-97. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000623454
  
94. О взаимосвязи двойникования и хрупкого разрушения в ГЦК гетерофазных монокристаллах // Доклады АН СССР. 1983. Т. 268, N 3. С. 617-621. Соавт.: Чумляков Ю. И., Есипенко В. Ф., Ли А. М., Линейцев В. Н., Веселов Ю. Г.
+
• Дефекты в имплантированных AS МЛЭ структурах CdHgTe / И. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, К. Д Мынбаев. , В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, А. Ю. Бончик, Г. В. Савицкий // XIII Российская конференция по физике полупроводников : тезисы докладов. Институт физики металлов имени М.Н. Михеева УрО РАН. 2017. С. 301.
 +
 +
• Пат 2 609 222 С1 Российская Федерация, U1 Российская Федерация, МПК H01L31/18 . Способ определения концентрации донорного фона в структурах CdxHg1-xTe / А. В. Войцеховский, И. И. Ижнин, Д. И. Горн, С. А. Дворецкий,  Н.  Н. Михайлов, М. В. Якушев, В. С. Варавин, К.  Д. Мынбаев,   А. Г. Коротаев,  Е. И. Фицыч , заявитель и патентообладатель Национальный исследовательский Томский государственный университет. – опубл. 31.01.2017,  Бюл. № 4. – 13с.
 +
 +
• Defect Structure of Arsenic Implanted HgCdTe Layers by HRTEM / O. Yu. Bonchyk, H. V. Savytskyy, Z. Swiatek, Y. Morgiel, I. I. Izhnin, A.V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, O. I. Fitsych, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, M. V. Yakushev // XVI International Conference Physics and Technology of Thin Films and Nanosystems (dedicated to memory Professor Dmytro Freik) : materials. Ivano-Frankivsk, 2017. P. 270.
  
95. Ред.: Суховаров В. Ф. Прерывистое выделение фаз в сплавах. − Новосибирск : Наука. Сиб. отд-ние, 1983. − 167 с.: ил., 8 л. ил.
+
• Electrical characteristics of epitaxial MCT after As+ implantation / A. Voitsekhovskii, I. Izhnin, A. Korotaev, D. Lyapunov, S. Dvoretskii, P. Smirnov // Journal of Physics: Conference Series 2017. Vol. 830. № 1. P. 012083. http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000584056
  
'''1984'''
+
• Electrical characteristics of epitaxial MCT after As+ implantation / A. Voitsekhovskii, I. Izhnin, A. Korotaev [et.al.] // Journal of Physics: Conference Series. 2017. Vol. 830. P. 012083 (1-6). URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000583442
  
96Асимметрия механизма деформации в монокристаллах дисперсно-твердеюзих сплавов // Доклады АН СССР. 1984. Т. 275, № 3. С. 619-622. Библиогр.: 9 назв. Соавт.: Чумляков Ю. И., Ли А. М., Есипенко В. Ф., Хамитов Ж. Х.
+
• Influence of a high-frequency pulsed nanosecond diffusion discharge in the nitrogen atmosphere on the electrical characteristics of a CdHgTe epitaxial films./ D. Grigoryev, A. Voitsekhovskii, A. Korotaev, D. Lyapunov, K. Lozovoy, V. Tarasenko, M. Shulepov, M. Erofeev, V. Ripenko, S. Dvoretskii, N. Mikhailov  // Journal of Physics: Conference. 2017.Vol. 830. № 1. P. 012082 http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000584056
  
96а. Влияние структурного состояния на закономерности фазовых превращений при диффузионном насыщении кислородом сплавов на основе элементов V и VIA групп Периодической системы // Первый Всесоюз. симпозиум по макроскопической кинетике и химической газодинамике, Октябрь 1984, Алма-Ата : тез. докл. Черноговка, 1984. Т. 1, ч. 2. С. 17-18. Соавт.: Тюменцев А. Н., Пинжин Ю. П., Тюменцева С. Ф., Гончиков В. Ч.
+
• Ion etching of CdHgTe: properties, patterns and use as a method for defect studies / I. I. Izhnin, A. V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, K. D. Mynbaev, O. I. Fitsych, M. Pociask-Bialy // Opto-electronics Review. 2017. Vol. 25. № 2. P. 148-170. https://doi.org/10.1016/j.opelre.2017.03.007 ; URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000582329
  
97Дефекты ротационного типа в высокопрочных ниобиевых сплавах с ультрадисперсными частицами неметаллической фазы // Экспериментальное исследование и теоретическое описание дисклинаций. Л, 1984. С. 173-180. Соавт.: Тюменцев А. Н., Гончиков В. Ч., Пинжин Ю. П., Тюменцева С. Ф.
+
• Nanosize defects in arsenic implanted HgCdTe epitaxial films / O. Yu. Bonchyk, H. V. Savytskyy , Z. Swiatek, Y. Morgiel, I. I. Izhnin, A. V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, O. I. Fitsych, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, M. V. Yakushev //International research and practice conference "Nanotechnology and nanomaterials" (NANO-2017), 23-26 august 2017 Chernivtsi : book of abstracts. Kiev, 2017. P. 544.
  
98. Закономерности формирования структуры при никзкотемпературном внутреннем окислении деформированных сплавов на основе молибдена // Физика металлов и металловедение. 1984. Т. 57, № 4. С. 762-767. Соавт.: Тюменцев А. Н., Езерский В. И., Пинжин Ю. П., Левин И. В.
+
• Optical and electrical studies of arsenic-implanted HgCdTe films grown with molecular beam epitaxy on GaAs and Si substrates / I. I. Izhnin, A.V. Voitsekhovsky, A. G. Korotaev, О. I. Fitsych, A. Yu. Bonchyk, H. V. Savytskyy, K. D. Mynbaev, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, M. V. Yakushev, R. Jakiela. // Infrared Physics and Technology. 2017. Vol. 81. P. 52-58. https://doi.org/10.1016/j.infrared.2016.12.006 ; URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000577381
  
99. О природе активированной рекристаллизации тугоплавких металлов // Доклады АН СССР. 1984. Т. 275, N 3. С. 616-619. Соавт.: Колобов Ю. Р., Почивалов Ю. И., Пинжин Ю. П., Левин И. В.
+
• Properties of Arsenic–Implanted HG 1-XCD XTE MBE films / I. I. Izhnin, F. V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, O. I. Fitsych, O. Yu. Bonchyk, H. V. Savytskyy, K. D. Mynbaev, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, M.V. Yakushev, R. Jakiela, M. Trzyna  // EPJ Web of Conferences. 2017. Vol. 133. P. 01001 (1-4). URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000577241
  
100.    Особенности дислокационной структуры сплавов Ni₃Fe, Ni₃(Fe, Cr), Ni₃(Fe, Mn) и Ni₃ (Fe, Al), упорядоченных в деформированном состоянии // Дислокационная и доменная структура и деформационное упрочнение сплавов. Томск, 1984. С. 97-103. Соавт.: Есипенко В. Ф.
+
'''2018'''
  
101.   Температурная зависимость критических скалывающих напряжений скольжения и двойникования в монокристаллах с некогерентными частицами // Физика металлов и металловедение. 1984. Т. 57, вып. 5. С. 1006-1014. Соавт.: Есипенко В. Ф., Чумляков Ю. И.
+
• Профили структурных дефектов в имплатированных мышьяком эпитаксиальных пленках CdHgTe по данным оптического отражения / А. В. Войцеховский, И. И. Ижнин, А. Г. Коротаев, К. Д. Мынбаев, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, В. Г. Ремесник, М. В.  Якушев // Сборник трудов X Международной конференции "Фундаментальные проблемы оптики – 2018", Санкт-Петербург, 15-19 октября 2018. СПб., 2018. С. 389-390. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000666768
 +
 +
• Радиационные донорные дефекты в имплантированных As МЛЭ пленках CdHgTe / И. И. Ижнин, И. И. Сыворотка, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, К. Д. Мынбаев, В. С Варавин. , С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, В. Г. Ремесник, М. В. Якушев, Z. Świątek // XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва, Россия : труды конференции : в 2 т. М., 2018. Т. 1 : Пленарные и устные доклады. С. 241-244. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000658540
 +
 +
• Defects in arsenic implanted Р + –N- AND N + –P- structures based on MBE grown cdhgte films / I. I. Izhnin, E. I.  Fitsych, A.V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, S. A. Dvoretsky, K. D Mynbaev. , V. S. Varavin, Mikhailov, M. V. Yakushev, A. Y. Bonchyk, H.V. Savytskyy, Z. Świątek // Russian Physics N. N. Journal. 2018. Vol. 60. № 10. P. 1752-1757. http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000634710
 +
 +
• Distribution profiles of radiation donor defects in arsenic-implanted HgCdTe films / A. V. Voitsekhovskii, I. I. Izhnin, I. I. Syvorotka, A. G. Korotaev, K. D. My'nbaev, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, D. V. Marin, N. N. Mikhailov, V. G. Remesnik, M. V. Yakushev // JPCS. 2018. Vol. 1115. P. 032063-1-032063-5.
  
102.    Superelasticity Effects in Single Crystals of Cu-15% Al-2% Co with Non-Coherent Particles Due to Twinning // Physica status solidi (A). 1984. Vol. 82, N 2. P. 405-412. Соавт.: Chumlyakov Yu. I., Esipenko V. F., Bushnev L. S.
+
• Distribution profiles of radiation donor defects in arsenic-implanted HgCdTe films / A. V. Voitsekhovskii, I. I. Izhnin, I. I. Syvorotka, A. G. Korotaev, K. D. My'nbaev, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky,  N. N. Mikhailov, V. G. Remesnik, M. V. Yakushev // 6th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE 2018), 16-22 september 2018, Tomsk : abstracts. Tomsk: TPU Publishing House, 2018. P. 354. http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000659459
  
'''1985'''
+
• Nano-size defects in arsenic-implanted HgCdTe films: a HRTEM study / A. Y. Bonchik, H. V. Savytskyy, Z. Swiatek, Y. Morgiel, I. I. Izhnin, A. V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, K. D. Mynbaev, O. I Fitsych. , V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, D. V. Marin, M. V. Yakushev //Appl. Nanosci. 2018. № in press. P. 1-6. URL: https://link.springer.com/content/pdf/10.1007%2Fs13204-018-0679-y.pdf (date of access: 12.10.2018).
  
103.   Двойникование в гетерофазных монокристаллах Cu-Ni-Sn // Доклады АН СССР. 1985. Т. 284, N 3. С. 606-609. Библиогр.: 12 назв. Соавт.: Чумляков Ю. И., Хамитов Ж. Х., Ли А. М.
+
• Profiles of radiation donor defects distribution in HgCdTe epitaxial films implanted with arsenic / I. I. Izhnin, K. D. My'nbaev, O. I. Fitsych, A.V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, O. Yu. Bonchyk, H. V. Savytskyy, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, V. G. Remesnik, V. S. Varavin, M. V. Yakushev // 8-ма Украiнска наукова конференцiя з фiзики напiвпровiдникiв : матерiали конференцii (УНКФН-8), Ужгород, 2-4 жовтня 2018. Кн. 2. Ужгород: ТОВ "Piк-У", 2018. P. 327-328.  
  
104.   Двойникование в монрокристаллах сплавов Cu-Ti-Al, содержащих когерентные частицы // Физика металлов и металловедение. 1985. Т. 59, № 4. С. 799-806. Библиогр.: 21 назв. Соавт.: Ли А. М., Чумляков Ю. И.
+
• Radiation donor defect profiles in arsenic-implanted HgCdTe film / O. I. Fitsych, I. I. Izhnin, A. V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, O. Yu. Bonchyk, H.V. Savytskyy, K. D. My'nbaev, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, V. G. Remesnik, M. V. Yakushev //Сенсорна елелктронiка та мiлросистемнi технологii (CEMCT-8) (з виставкою разборок та промислових зразкiв сенсорiв), 8-ма Мiжнародна науково-технiчна конференцiя : тези доповiдей. Oдеса: Астропринт, 2018. P. 174.
  
105.    Дислокационная сверхэластичность // Сверхупругость, эффект памяти формы и их применение в новой технике : тез. докл. Всесоюз. науч. конф. Томск, 1985. С. 45. Соавт.: Чумляков Ю. И., Есипенко В. Ф.
+
• Transmission Electron Microscopy Study of HgTe/CdHgTe Quantum Wells / I. I. Izhnin, O. Yu. Bonchyk, H. V. Savytskyy, Z. Swiatek, Y.Morgiel , A. V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, N. N. Mikhailov, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, K. D. Mynbaev, O. I. Fitsych //Proceedings of the 2018 IEEE 8th International Conference on Nanomaterials: Applications & Properties (NAP-2018) Part 2. Sumy: Sumy State University, 2018. P. 02PN05-1-02PN05-4.
  
106.    Явление активации зернограничного проскальзывания диффузионными потоками атомов по внутренним поверхностям раздела // Доклады АН СССР. 1985. Т. 283, № 3. Соавт.: Колобов Ю. Р., Марвин В. Б., Раточка И. В.
+
• Srucrural defects study of HgTe/CdHgTe quantum wells / O. Yu. Bonchyk, H. V. Savytskyy, Z. Swiatek, Y. Morgiel, I. I. Izhnin, A. V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, O. I. Fitsych, K. D. My'nbaev, N. N. Mikhailov, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky //International research and practice conference "Nanotechnology and nanomatherials" (NANO-2018), 27-30 august 2018, Kyiv : abstract book. Kiev: SME Burlaka, 2018. P. 710.
  
'''1986'''
+
'''2019'''
  
107.   Асимметрия критических скалывающих напряжений при растяжении и сжатии в дисперсионно-твердеющих сплавах. II. Сплавы с низкой энергией дефекта упаковки Co-Ni-Ti // Физика металлов и металловедение. 1986. Т. 62, № 1. С. 155-160. Соавт.: Линейцев В. Н., Чумляков Ю. И.
+
• Активационный отжиг имплантированных As МЛЭ структур CdHgTe  / И. И. Ижнин, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, К. Д. Мынбаев, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, А. Ю. Бончик, Г. В. Савицкий // XIV Российская конференция по физике полупроводников "Полупроводники-19", 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Ч. 2. М.: Перо, 2019. С. 324.
  
108.    Деформационное упрочнение при множественном двойниковании в монокристаллах Cu-Ti-Al // Физика металлов и металловедение. 1986. Т. 62, № 5. С. 1007-1013. Соавт.: Ли А. М., Чумляков Ю. И.
+
• Локализация и природа радиационных донорных дефектов в имплантированных мышьяком МЛЭ пленках CdHgTe / И. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, К. Д. Мынбаев, К. Р. Курбанов, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, В. Г. Ремесник, М. В. Якушев, А. Ю. Бончик, Г. В. Савицкий, Z. Swiatek, J. Morgiel  //Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 1-4 октября 2019 г. : сборник трудов конференции. Томск, 2019. С. 375-377.  
  
109.    Импульсная имплантация ионов меди и рения в молибден // Доклады АН СССР. 1986. Т. 286, № 4. С. 872-875. Соавт.: Баженов Г. П., Бугаев С. П., Ерохин Г. П., Колобов Ю. Р., Месяц Г. А., Савченко А. О., Чесноков С. М.
+
• Радиационные донорные дефекты в имплантированных As пленках МЛЭ CdHgTe: пространственное распределение и природа / А. Г. Коротаев, И. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, А. В. Войцеховский, К. Д. Мынбаев, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, В. Г. Ремесник, М. В. Якушев, А. Ю. Бончик, Г. В. Савицкий, Y. Morgiel, Z. Swiatek // Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2019. С. 57.
  
110.   Механизм деформации высокопрочных гетерофазных монокристаллов Cu-Ni-Sn // Физика металлов и металловедение. 1986. Т. 62, № 2. С. 362-370. Соавт.: Хамитов Ж. Х., Чумляков Ю. И.
+
• Термические отжиги имплантированных мышьяком МЛЭ пленок CdHgTe / И. И. Ижнин, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, К. Д. Мынбаев, А. Ю. Бончик, Г. В. Савицкий, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, В. Г. Ремесник, М. В. Якушев, Y. Morgiel, Z. Swiatek // Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2019. С. 177.
  
111.   О механизме дисперсного упрочнения ниобиевых сплавов ультрадисперсными частицами окислов циркония // Физика металлов и металловедение. 1986. Т. 62, № 2. С. 384-389. Соавт.: Гончиков В. Ч., Пинжин Ю. П., Тюменцев А. Н., Тюменцева С. Ф., Бурханов Г. С., Оттенберг Е. В., Мироничева А. Н.
+
• Arsenic-ion implantation-induced defects in HgCdTe films studied with Hall-effect measurements and mobility spectrum analysis / I. I.  Izhnin, K. D. Mynbaev, A. V. Voitsekhovsky, A. G. Korotaev, I. I. Syvorotka, O. I. Fitsych, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, V. G. Remesnik, M. V. Yakushev, Z. Swiatek, J. Morgiel, O. Yu. Bonchyk, H. V. Savytskyy // Infrared Physics and Technology. 2019. Vol. 98. P. 230-235. https://doi.org/10.1016/j.infrared.2019.03.019
  
112.   Ориентационная зависимость критических скалывающих напряжений двойникования в монокристаллах Cu-Ti-Al // Физика металлов и металловедение. 1986. Т. 61, № 1. С. 180-187. Соавт.: Чумляков Ю. И., Ли А. М.
+
• Admittance studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing / A. G. Korotaev, A. V. Voitsekhovskii, I. I. Izhnin, K. D. Mynbaev, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, M.V. Yakushev, G. Yu. Sidorov // The 21st international conference on surface modification of materials by lon beams. SMMIB-2019, 25-30 august 2019, Tomsk : abstract book. Tomsk, 2019. P. 147.
  
113.   Структура и механические свойства никелида титана, полученного синтезом в режиме горения // Изв. высш. учеб. заведений. Физика.1986. № 10. С. 49-54. Соавт.: Касымов М. К., Колобов Ю. Р., Итин В. И., Гафаров А. Р.
+
• Effect of annealing on the structural properties of arsenic-implanted mercurycadmium telluride  / I. I. Izhnin, O. I. Fitsych, Z. Swiatek, Y. Morgiel, O. Yu. Bonchyk, H. V. Savytskyy, K. D. Mynbaev, A. V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, M. V. Yakushev, D. V. Marin, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky  //Opto-Electronics Review. 2019. Vol. 27, № 1. P. 14-17.  https://doi.org/10.1016/j.opelre.2019.01.002
  
114.   Ред.: Структура и свойства дисперсно-упроченных никелевых сплавов / В. А. Куликов, Н. М. Зайцева, Ю. Р. Колобов, Л. С. Бушнев. − Томск : Изд-во Том. ун-та, 1986. − 236 с : ил.
+
• Electrical profiling of arsenic-implanted HgCdTe films performed with discrete mobility spectrum analysis / I. I. Izhnin, I. I. Syvorotka, O. I. Fitsych, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, D. V. Marin, N. N. Mikhailov, V. G. Remesnik, M. V. Yakushev, K. D. Mynbaev, A. V. Voitsekhovskii, A. G.  Korotaev // Semiconductor Science and Technology. 2019. Vol. 34, № 3. P. 035009-1-035009-7.   http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000659942
  
'''1987'''
+
• Influence of composition of Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.57) epitaxial film on dynamics of accumulation and spatial distribution of electrically active radiation defects after boron implantation / A. V. Voitsekhovskii, D. V. Grigoryev, A. G. Korotaev, A. P. Kokhanenko, K. A. Lozovoy, I. I. Izhnin, H. V. Savytskyy, O. Yu. Bonchyk, S. A. Dvoreckij, N. N. Mikhailov, V. S. Varavin, M. V. Yakushev  // Materials Research Express. 2019. Vol. 6, № 7. P. 075912-1-075912-8. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000659946
  
115.   Асимметрия напряжения течения в монокристаллах Cu-10% Ni-6% Sn, содержащих упорядоченные по типу DO22 частицы // Физика металлов и металловедение. 1987. Т. 63, № 6. С. 1200-1206. Соавт.: Хамитов Ж. Х., Чумляков Ю. И.
+
• Hall effect studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing / A. G. Korotaev, I. I. Izhnin, A.V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh, O. I. Fitsych, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, M. V. Yakushev, O.Yu. Bonchyk, H.V. Savytskyy, Z. Swiatek, J. Morgiel // The 21st international conference on surface modification of materials by lon beams. SMMIB-2019, 25-30 august 2019, Tomsk : abstract book. Tomsk, 2019. P. 148.
  
116.   Его страстью была наука // Красное знамя. Томск, 1987. 13 мая. (Об академике В. Д. Кузнецове). Соавт.: Паскаль Ю.
+
• Kinetics of formation of nanostructures by Frank-van der Merwe, Volmer-Weber and Stranski-Krastanow growth modes / A. G. Korotaev, K. A. Lozovoy, A. P. Kokhanenko, A. V. Voitsekhovskii // The 21st international conference on surface modification of materials by lon beams. SMMIB-2019, 25-30 august 2019, Tomsk : abstract book. Tomsk, 2019. P. 149.
  
117.   Кристаллическая структура ультрадисперсных окислов циркония и гафния во внутреннеокисленных сплавах на основе ниобия и молибдена // Физикохимия ультрадисперсных систем. М., 1987. С. 116-121. Библиогр.: 10 назв. Соавт.: Пинжин Ю. П., Тюменцев А. Н., Гончиков В. Ч.
+
• Nano-size defect layers in arsenic-implanted and annealed HgCdTe epitaxial films studied with transmission electron microscopy / O. Yu. Bonchyk, H. V. Savytskyy, I. I. Izhnin, K. D. Mynbaev, I. I. Syvorotka, A. G. Korotaev, A. V. Voitsekhovsky, O. I. Fitsych, V. S. Varavin, D. V. Marin, N. N. Mikhailov, M. V. Yakushev, Z. Swiatek, J. Morgiel, R. Jakiela // Applied Nanoscience. 2019. №9. P.725-730. doi:10.1007/s13204-018-0679-y
  
118.   Микроструктура полос переориентации в высокопрочных ниобиевых сплавах с ультрадисперсными частицами неметаллической фазы // Физика металлов и металловедение. 1987. Т. 63, вып. 3. С. 598-603. Библиогр.: 5 назв. Соавт.: Гончиков В. Ч., Тюменцев А. Н., Пинжин Ю. П., Тюменцева С. Ф.
+
• Nanosize defect layers in arsenic-implanted and annealed HgCdTe epitaxial films studied with TEM / O.Yu. Bonchyk, H. V. Savytskyy, I. I. Izhnin, K. D. Mynbaev, A. G. Korotaev, A. V. Voitsekhovskii, O. I. Fitsych, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, M.V. Yakushev, Y. Morgiel, Z. Swiatek // International research and practice conference "Nanotechnology and nanomaterials" (NANO-2019) : abstract book, 27-30 august 2019, Lviv. Kiev: LLC "Computer-publishing, information center", 2019. P. 493.
  
119.   Особенности формирования субструктуры при прокатке высокопрочных ниобиевых сплавов // Физика металлов и металловедение. 1987. Т. 64, № 1. С.170-177. Библиогр.: 9 назв. Соавт.: Гончиков В. Ч., Вергазов А. Н., Тюменцев А. Н.
+
• TEM studies of structural defects in HgTe/HgCdTe quantum wells. / Bonchyk, O.Y., Savytskyy, H.V., Swiatek, Z. , Y. Morgiel , I. I. Izhnin, A. V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, K. D. Mynbaev, O. I. Fitsych, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, M. V. Yakushev  // Applied Nanoscience. 2019. 10 September.  doi:10.1007/s13204-019-01142-x 
  
120.   От ассистента до академика // Жизнь, отданная науке: (статьи) // За сов. науку (ТГУ). Томск, 1987. 14 мая. [Об академике В. Д. Кузнецове]. Соавт.: Левдикова Т.
+
• The relaxation of electrophysical properties HgCdTeepitaxial films affected by plasma of high frequency nanosecond volume discharge in atmospheric-pressure air / A. G. Korotaev, D. V. Grigoryev, A. V. Voitsekhovskii, K. A. Lozovoy, V. F. Tarasenko, V. S. Ripenko, M. A. Shulepov, M. V. Erofeev, M. V. Yakushev, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov // The 21st international conference on surface modification of materials by lon beams. SMMIB-2019, 25-30 august 2019, Tomsk : abstract book. Tomsk, 2019. P. 150.  
  
121.    Структурные и фазовые превращения в карбидоупрочненном сплаве на основе Ni3Al при высоких температурах // Изв. высш. учеб. заведений. Физика.1987. Т. 30, № 3. С. 55-58. Соавт.: Касымов М. К., Колобов Ю. Р., Афанасьев Н. И., Бунтушкин В. П., Ларина Л. В.
+
'''2020'''
  
'''1988'''
+
• Kinetics of epitaxial formation of nanostructures by Frank-van der Merwe, Volmer-Weber and Stranski-Krastanow growth modes / A. G. Korotaev, K. А. Lozovoy, A. P. Kokhanenko, V. V. Dirko, A. V. Voitsekhovskii  // Surface and Coatings Technology. 2020. Vol. 384. P. 125289-1-125289-5. https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2019.125289
 
 
122.    Влияние тонкой структуры двойников на деформационное упрочнение при множественном двойниковании // Физика металлов и металловедение. 1988. Т. 65, № 4. С. 809-815. Библиогр.: 13 назв. Соавт.: Ли А. М., Чумляков Ю. И.
 
 
 
123.    О механизме переориентации кристаллической решетки в высокопрочном ниобиевом сплаве // Дисклинации и ротационная деформация твердых тел. Л., 1988. С. 90-102. Соавт.: Гончиков В. Ч., Тюменцев А. Н.
 
 
 
'''1989'''
 
 
 
124.    Влияние кислорода на пластичность и особенности разрушения внутреннеокисленного ниобиевого сплава // Физика металлов и металловедение. 1989. Т. 67, № 3. С. 583-590. Соавт.: Пинжин Ю. П., Тюменцев А. Н.
 
 
 
125.    Двойникование и скольжение в монокристаллах Fe-Cr-Co-Mo // Физика металлов и металловедение. 1989. Т. 67, № 5. С. 1018-1025. Соавт.: Кириллов В. А., Чумляков Ю. И., Даммер В. Х.
 
 
 
126.    Дисперсное упрочнение тугоплавких металлов / Отв. ред. Е. Ф. Дударев. − Новосибирск, 1989. − 208,[3] с., [16] л. ил. : ил. − Библиогр.: с. 197-209 (225 назв.). − Соавт.: Тюменцев А. Н., Суховаров В. Ф.
 
 
 
127.    Закономерности низкотемпературного внутреннего окисления сплавов на основе ванадия // Металлофизика. 1989. Т. 11, N 6. С. 21-27: ил. Соавт.: Тюменцев А. Н., Пинжин Ю. П., Тюменцева С. Ф., Гончиков В. Ч., Климачев В. Н., Дементьев А. А., Кожемяко Н. А., Дружинина И. П., Перькова Г. Н., Зенцова Н. А.
 
 
 
128.    Имплантаты с памятью формы // Наука в СССР. 1989. № 2. С. 60-65. Соавт.: Гюнтер В. Э., Итин В. И.
 
 
 
129.    Коллективные эффекты в ансамбле дислокаций и вакансий при формировании полосы локализованной деформации. −Томск : Изд-во Том. ун-та, 1989. − 38,[1] с. : ил. Библиогр.: с. 36-38 (34 назв.).– Соавт.: Тюменцев А. Н., Гончиков В. Ч., Олемской А. И. (Препр. / Том. гос. ун-т им. В.В. Куйбышева; N 5).
 
 
 
130.    Локализация пластического течения и механизм разрушения в высокопрочном ниобиевом сплаве со сверхмелкими частицами неметаллической фазы // Физика металлов и металловедение. 1989. Т. 67, № 3. С. 591-600. Соавт.: Тюменцев А. Н., Гончиков В. Ч., Пинжин Ю. П., Тюменцева С. Ф.
 
 
 
131.    Ориентационная зависимость критических скалывающих напряжений в высокопрочных монокристаллах Cu-10% Ni-6% Sn // Физика металлов и металловедение. 1989. Т. 68, № 1. С. 177-184. Соавт.: Хамитов Ж. Х., Чумляков Ю. И.
 
 
 
132.    Рекристаллизация внутреннеокисленных сплавов на основе ниобия и молибдена // Физика металлов и металловедение. 1989. Т. 68, № 5. С. 985-996. Соавт.: Пинжин Ю. П., Тюменцев А. Н., Гончиков В. Ч., Тюменцева С. Ф.
 
 
 
133.    Ред.: Итин В. И., Найбороденко В. С. Высокотемпературный синтез интерметаллических соединений / Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова при Том. гос. ун-те; НИИ прикл. математики и механики при Том. гос. ун-те. − Томск : Изд-во Том. ун-та, 1989. − 209, [3] с.: ил. − Библиогр.: с. 197-210 (223 назв.).
 
 
 
'''1990'''
 
 
 
134.    Влияние низкоэнергетических границ зерен на свойства аустенитной нержавеющей стали при одноосном растяжении // Физика металлов и металловедение. 1990. № 12. С. 117-121. Соавт.: Ходоренко В. Н., Никитина Н. В., Карманчук И. В., Сафонов В. А., Тюменцев С. Н.
 
 
 
135.    Влияние низкоэнергетических границ зерен на свойства аустенитной нержавеющей стали при одноосном растяжении // Изв. высш. учеб. заведений. Физика.1990. Т. 33, № 5. С. 125. Соавт.: Ходоренко В. Н., Никитина Н. В., Карманчук И. В., Сафонов В. А., Тюменцев С. Н. (Рукопись деп. в ВИНИТИ № 905-В90 от 14.02.90).
 
 
 
136.    Дислокационно-вакансионная модель локализации деформации в высокопрочных ниобиевых сплавах // Новые методы в физике и механике деформируемого твердого тела : тр. междунар. конф. Томск, 1990. Ч. 1. С. 169-174. Библиогр.: 5 назв. Соавт.: Тюменцев А. Н., Гончиков В. Ч., Олемской А. И.
 
 
 
137.    Закономерности изменения механических свойств при внутреннем окислении ванадиевых сплавов / Ред. журн. «Изв. вузов. Физика». − Томск, 1990. − 20 с. : ил. − Бибиогр.: 14 назв. − Деп. в ВИНИТИ 04.06.90, N 2983-В90. Соавт.: Тюменцев А. Н., Пинжин Ю. П., Тюменцева С. Ф., Климачев В. Н., Дементьева А. А., Дружина И. П., Перькова Г. Н.
 
 
 
138.    Механизм пластического течения в зонах концентрации напряжений высокопрочного сплава // Новые методы в физике и механике деформируемого твёрдого тела : тр. междунар. конф. Томск, 1990. Ч. 1. С. 163-168. Библиогр.: 7 назв. Соавт.: Тюменцев А. Н., Гончиков В. Ч.
 
 
 
139.    Структурные и фазовые превращения при импульсной ионной имплантации ОЦК-металлов / Ред. журн. «Изв. вузов. Физика». − Томск. 1990. − 35 с. : ил. − Библиогр.: 36 назв. − Деп. в ВИНИТИ 26.07.90, N 4667-В90. − Соавт.: Бугаев С. П., Савченко А. О., Колобов Ю. Р.
 
 
 
'''1991'''
 
 
 
140.    Закономерности внутреннего окисления в однофазных сплавах на основе Mo и  Mo-Re // Металлофизика. 1991. Т. 13, № 3. С. 85-91. Библиогр.: 16 назв. Соавт.: Тюменцев А. Н., Манако В. В., Фрезе Н. И., Сусло С. Н., Оттенберг Е.В., Мироничева А. Н.
 
 
 
141.    Закономерности формирования субструктуры в высокопрочных дисперсно-упрочненных сплавах // Изв. высш. учеб. заведений. Физика. 1991. № 3. С. 81-92. Библиогр.: 23 назв. Соавт.: Тюменцев А. Н., Гончиков В. Ч., Олемской А. И.
 
 
 
142.    Ориентационная зависимость механизма деформаций и разрушения ОЦК-гетерофазных монокристаллов Fe-Cr-Co-Mo // Металлофизика. 1991. Т. 13, № 4. С. 93-99. Соавт.: Кириллов В. А., Чумляков Ю. И., Почивалов Ю. И., Апарова Л. С.
 
 
 
143.    Поперечный эффект линейных асинхронных двигателей с учетом анизотропии вторичного элемента // Электричество. 1991. № 4. С. 36-40. Библиогр.: 5 назв. Соавт.: Огарков Е. М.
 
 
 
144.    Субструктура деформации и механизм переориентации в высокопрочных сплавах на основе Nb и V с дисперсным упрочнением // Металлофизика. 1991. Т. 13, № 11. С. 14-20. Соавт.: Тюменцев А. Н., Гончиков В. Ч.
 
 
 
'''1992'''
 
 
 
145.    Ориентационная зависимость механизма разрушения высокопрочных монокристаллов [металлов] // Физика металлов и металловедение. 1992. № 9. С. 155-160. Библиогр.: 10 назв. Соавт.: Чумляков Ю. И., Ульянычева В. Ф.
 
 
 
146.    Пластическая деформация монокристаллов аустенитной нержавеющей стали, упрочненной азотом. 1. Ориентационная и температурная зависимость критических скалывающих напряжений // Физика металлов и металловедение. 1992. Т.73, № 4. С. 153-160. Библиогр.: 24 назв. Соавт.: Чумляков Ю. И., Киреева И. В.
 
 
 
147.    Структурно-фазовые превращения в молибдене при совместной имплантации металлических и газовых ионов. 1. Особенности фазовых превращений // Физика металлов и металловедение. 1992. № 9. С. 123-130. Библиогр.: 12 назв. Соавт.: Тюменцев А. Н., Пинжин Ю. П., Бехерт А. Э., Савченко А. О., Колобов Ю. Р., Щанин П. М., Юшков Г. Ю.
 
 
 
148.    Структурно-фазовые превращения в молибдене при совместной имплантации металлических и газовых ионов. II. Закономерности формирования дефектной структуры // Физика металлов и металловедение. 1992. № 9. С. 131-138. Соавт.: Тюменцев А. Н., Пинжин Ю. П., Бехерт А. Э., Тюменцева С. Ф., Савченко А. О., Колобов Ю. Р., Окс Е. М., Бугаев С. П.
 
 
 
149.    Физика пластичности и разрушения высокопрочных кристаллов // Изв. высш. учеб. заведений. Физика.1992. № 9. С. 3-24. Библиогр.: 49 назв. Соавт.: Чумляков Ю. И.
 
 
 
150.    Явление инициируемой диффузией миграции границ зерен // Изв. высш. учеб. заведений. Физика.1992. № 5. С. 34-57. Библиогр.: 98 назв. Соавт.: Почивалов Ю. И.
 
 
 
'''1993'''
 
 
 
151.    Влияние дефектов на закономерности внутреннего окисления в карбидноупрочненном молибденовом сплаве // Изв. высш. учеб. заведений. Физика.1993. № 5. С. 87-95. Библиогр.: 19 назв. Соавт.: Манако В. В., Тюменцев А. Н., Пинжин Ю. П.
 
 
 
152.    Микроструктура и механические свойства внутреннеокисленного сплава на основе Mo-Re. I. Закономерности формирования микроструктуры при внутреннем окислении сплава Mo-Re-Zr / Ред. журн. «Изв. вузов. Физика». − Томск, 1993. − 22 с. : ил. − Библиогр.: 18 назв. − Деп. в ВИНИТИ 09.08.93, № 2224-В93. Соавт.: Манако В. В., Тюменцев А. Н., Пинжин Ю. П., Сохорева В. В., Фрезе Н. И., Ятис А. А.
 
 
 
153.    Микроструктура и механические свойства внутреннеокисленного сплава на основе Mo-Re. II. Особенности пластической деформации, дислокационная структура и механические свойства / Ред. журн. «Изв. вузов. Физика». − Томск, 1993. − 15 с. : ил. − Библиогр.: 15 назв. − Деп. в ВИНИТИ 09.08.93, № 2225-В93. Соавт.: Манако В. В., Тюменцев А. Н.
 
 
 
154.    Пластическая деформация монокристаллов аустенитной нержавеющей стали, упрочненной азотом. 2. Ориентационная зависимость коэффициента деформационного упрочнения // Физика металлов и металловедение. 1993. Т. 75, вып. 2. С. 150-157. Библиогр.: 29 назв. Соавт.: Чумляков Ю. И., Киреева И. В., Апарова Л. С.
 
 
 
155.    Последовательность формирования структурно-фазовых состояний в поверхностных и приповерхностных слоях молибдена при имплантации ионов углерода, меди, молибдена и свинца // Поверхность. Физика, химия, механика. 1993. № 5. С. 141-152. Соавт.: Абдрашитов В. Г., Бехерт А. Э., Гашенко С. А., Диденко А. Н., Козлов Э. В., Окс Е. М., Савченко А. О., Тюменцев А. Н., Шаркеев Ю. П., Щанин П. М
 
 
 
'''1994'''
 
 
 
156.    Аморфизация металлов методами ионной имплантации и ионного перемешивания: [Обзор] // Изв. высш. учеб. заведений. Физика.1994. № 8. С. 3-30. Библиогр.: 160 назв. Соавт.: Тюменцев А. Н.
 
 
 
157.    Влияние температуры и структурного состояния на закономерности пластической деформации в сплавах на основе Mo-Re // Изв. высш. учеб. заведений. Физика.1994. № 12. С. 96-104. Библиогр.: 11 назв. Соавт.: Тюменцев А. Н., Манако В. В.
 
 
 
158.    Закономерности структурно-фазовых превращений в металлических сплавах при высокодозной ионной имплантации // Изв. высш. учеб. заведений.Физика.1994. Т. 37, № 5. С. 59-71. Библиогр.: 46 назв. Соавт.: Тюменцев А. Н., Бугаев С. П.
 
 
 
159.    Микроструктура и механические свойства внутреннеокисленного сплава на основе Mo-Re. 1. Закономерности формирования микроструктуры при внутреннем окислении сплава Mo-Re-Zr // Физика металлов и металловедение. 1994. Т. 78, вып. 1. С. 152-161. Соавт.: Манако В. В., Тюменцев А. Н., Пинжин Ю. П. Сохорева В. В., Ятис А. А., Фрезе Н. И.
 
 
 
160.    Микроструктура и механические свойства внутреннеокисленного сплава на основе Mo-Re. 2. Особенности пластической деформации, дислокационная структура и механические свойства // Физика металлов и металловедение. 1994. Т. 78, вып. 1. С. 162-169. Библиогр.: с. 169. Соавт.: Манако В. В., Тюменцев А. Н.
 
 
 
161.    Последовательность структурно-фазовых состояний при имплантации ионов C⁺, N⁺ и Si⁺ в молибден // Изв. высш. учеб. заведений. Физика. 1994. Т. 37, № 2. С. 3-9. Библиогр.: 18 назв. Соавт.: Бехерт А. Э., Тюменцев А. Н., Бугаев С. П.
 
 
 
162.    Роль активации зернограничного проскальзывания диффузионными потоками примеси в проявлении твердометаллической хрупкости металлов // Физика металлов и металловедение. 1994. Т. 78, вып. 6. С. 132-140. Библиогр.: 17 назв. Соавт.: Колобов Ю. Р., Марвин В. Б., Гликман Е. Э., Игошев В. И.
 
 
 
163.    Структурный механизм активированной рекристаллизации тугоплавких металлов // Физика металлов и металловедение. 1994. Т. 77, вып. 1. С. 131-141. Библиогр.: 38 назв. Соавт.: Почивалов Ю. И.
 
 
 
'''1995'''
 
 
 
164.    Международное сотрудничество СФТИ [сиб. физико-техн. ин-та] в области механизмов деформации и превращения в металлических кристаллах // Вузовская наука на международном рынке научно-технической продукции : тез. докл. междунар. науч.-техн. конф. Барнаул, 1995. С. 97-98. Соавт.: Чумляков Ю. И., Саврасов В. Ф.
 
 
 
165.    Пластическая деформация высокоазотистых монокристаллов аустенитной нержавеющей стали // Доклады АН. 1995. Т. 340, № 4. С. 486-489. Соавт.: Чумляков Ю. И., Киреева И. В., Ефименко С. П., Иванова О. В., Чепель Е. В.
 
 
 
'''1996'''
 
 
 
166.    Влияние газовой среды имплантера на закономерности структурно-фазовых превращений в молибдене при имплантации ионов иттрия // Поверхность. Рентген., синхротрон. и нейтрон. исслед. 1996. № 10. С. 58-66. Библиогр.: 13 назв. Соавт.: Тюменцев А. Н., Панин О. В., Пинжин Ю. П., Бугаев С. П., Николаев А. Г., Щанин П. М., Юшков Г. Ю.
 
 
 
167.    Изменение элементного состава и структурно-фазовые превращения в молибдене при высокодозной имплантации металлических ионов // Изв. высш. учеб. заведений. Физика.1996. Т. 39, № 9. С. 65-74. Библиогр.: 28 назв. Соавт.: Тюменцев А. Н., Панин О. В., Сафаров А. Ф., Пинжин Ю. П., Диамант В. М., Гончиков В. Ч.
 
 
 
168.    Механизмы пластической деформации, упрочнения и разрушения монокристаллов аустенитных нержавеющих сталей с азотом // Изв. высш. учеб. заведений. Физика.1996. Т. 39, № 3. С. 5-32. Библиогр.: 51 назв. Соавт.: Чумляков Ю. И., Киреева И. В., Литвинова Е. И., Зуев Ю. П.
 
 
 
169.    Ориентационная зависимость прочностных и пластических свойств монокристаллов никелида титана // Физика металлов и металловедение. 1996. Т. 82, вып. 1. С. 148-158. Библиогр.: 20 назв. Соавт.: Чумляков Ю. И., Сурикова Н. С.
 
 
 
170.    Фазово-структурное состояние поверхностного слоя металлических мишеней при воздействии мощных ионных пучков // Физика металлов и металловедение. 1996. Т. 81, вып. 5. С. 118-127. Библиогр.: 29 назв. Соавт.: Тюменцев А. Н., Почивалов Ю. И., Овчинников С. В., Ремнев Г. Е., Исаков И. Ф.
 
 
 
171.          *[1]Equipment and methods of surface modification of the microstructure and properties of metals by adsorption assisted ion implantation // Surface and Coating Technology. 1996. V. 96, No. 1. P. 89-94. Соавт.: Tyumentsev A.N., Bugaev S. P.
 
 
 
'''1997'''
 
 
 
172.    Влияние температуры на закономерности структурно-фазовой модификации поверхности молибдена при имплантации ионов циркония и азота // Физика металлов и металловедение. 1997. Т. 83, вып. 2. С. 109-115. Библиогр.: 16 назв. Соавт.: Тюменцев А. Н., Пинжин Ю. П., Сафаров А. Ф., Бугаев С. П., Николаев А. Г., Юшков Г. Ю.
 
 
 
173.    Закономерности аморфизации молибдена при ионной имплантации кремнием // Физика металлов и металловедение. 1997. Т. 83, вып. 5. С. 80-90. Библиогр.: 16 назв. Соавт.: Тюменцев А. Н., Пинжин Ю. П., Сафаров А. Ф., Панин О. В., Бугаев С. П., Щанин П. М
 
 
 
174.    Свойства алмазоподобных пленок, полученных в барьерном разряде при атмосферном давлении // Журн. техн. физики. 1997. Т. 67, вып. 8. С. 100-104. Библиогр.: 25 назв. Соавт.: Бугаев С. П., Оскомов К. В., Сочугов Н. С.
 
 
 
'''1998'''
 
 
 
175.    Активация и характерные типы дефектных субструктур мезоуровня пластического течения высокопрочных материалов // Физ. мезомеханика. 1998. Т. 1, № 1. С. 23-35. Библиогр.: 55 назв. Соавт.: Тюменцев А. Н., Пинжин Ю. П.
 
 
 
176.    Влияние низкоэнергетического ионного облучения на микроструктуру покрытий нитрида титана // Поверхность. Рентген., синхротрон. и нейтрон. исслед. 1998. № 10. С. 92-100. Библиогр.: 18 назв. Соавт.: Тюменцев А. Н., Пинжин Ю. П., Сафаров А. Ф., Бугаев С. П., Коваль Н. Н., Щанин П. М., Борисов Д. П.
 
 
 
177.    Влияние температуры и газовой среды имплантера на мироструктуру и трибологические свойства сталей после высокодозной ионной имплантации // Поверхность. Рентген., синхротрон. и нейтрон. исслед. 1998. № 12. С. 68-76. Библиогр.: 16 назв. Соавт.: Пинжин Ю. П., Сафаров А. Ф., Тюменцев А. Н., Бугаев С. П., Николаев А. Г., Щанин П. М., Юшков Г. Ю.
 
 
 
178.    Дефектная субструктура в металлах на различной глубине от поверхности воздействия мощных ионных пучков // Поверхность. Рентген., синхротрон. и нейтрон. исслед. 1998. № 1. С. 108-117. Библиогр.: 26 назв. Соавт.: Тюменцев А. Н., Почивалов Ю. И., Овчинников С. В., Литовченко И. Ю., Ремнев Г. Е., Исаков И. Ф.
 
 
 
179.    Кафедра физики металлов и развитие физического материаловедения в Томском университете // Физики о физике и физиках: сб. статей / под ред. И. Н. Анохиной. Томск, 1998. С. 34-42. (Томский университет в лицах).
 
 
 
180.    Микроструктуры пластически деформированных оливинов из ультрамафитов офиолитовых комплексов // Проблемы петрологии и минерагении мафит-ультрамафитовых комплексов Сибири : сб. науч. тр. Томск, 1998. Вып. 1. С. 24-29. Соавт.: Чернышов А.И., Тухфатуллин А.А., Почивалов Ю.И., Пугачева Е.Е.
 
 
 
181.    Некоторые актуальные проблемы физики пластичности и прочности моно- и поликристаллов // Изв. высш. учеб. заведений.Физика.1998. Т. 41, № 8. С. 5-15. Библиогр.: 43 назв. Соавт.: Дударев Е. Ф., Елсукова Т. Ф., Колобов Ю. Р., Тюменцев А. Н., Чумляков Ю. И.
 
 
 
182.    Особенности дефектной микроструктуры в субмикрокристаллах нитрида титана // Изв. высш. учеб. заведений.Физика.1998. № 7. С. 3-12. Соавт.: Тюменцев А. Н., Пинжин Ю. П., Сафаров А. Ф., Гончиков В. Ч.
 
 
 
182а.Особенности пластической деформации молибдена при воздействии мощным рентгеновским пучком // Механика летательных аппаратов и современные материалы : докл. 5-й Всерос. науч.-техн. конф. молодежи к 120-летию унив. образ. в Сибири, Томск, 25-27 нояб., 1998 г. Томск, 1998. С. 166-167. Соавт.: Бакшт Т. Ю., Почивалов Ю. И., Федюнин А. В.
 
 
 
183.    От ассистента до академика // Физики о физике и физиках / под ред. И. Н. Анохиной. Томск, 1998. С. 80-81. Соавт.: Левдикова Т. Л.
 
 
 
184.    Физическая мезомеханика материалов // Изв. высш. учеб. заведений.Физика.1998. № 9. С. 8-36. Библиогр.: 83 назв. Соавт.: Панин В. Е., Макаров П. В., Кузнецов В. М.
 
 
 
185.    Электронно-микроскопические исследования границ зерен в ультрамелкозернистом никеле, полученном интенсивной пластической деформацией // Физика металлов и металловедение. 1998. Т. 86, вып. 6. С. 110-120. Библиогр.: 30 назв. Соавт.: Тюменцев А. Н., Пинжин Ю. П., Третьяк М. В., Исламгалиев Р. К., Валиев Р. З.
 
 
 
186.    *Structure-phase states of the metal surface and undersurface layers after the treatment by powerful ion beams // Surface and Coating technology. 1998. Vol. 105, N 1-2. P. 84-90/ Соавт.: Ovchinnikov S. V., Pochivalov Yu. I., Tyumentsev A. N., Shchipakin D. A., Tretjak M. V., Isakov I. F., Remnev G. E.
 
 
 
187.    Ред.: Колобов Ю. Р. Диффузионно-контролируемые процессы на границах зерен и пластичность металлических поликристаллов / Рос. акад. наук; Сиб. отд-ние; Ин-т физики прочности и материаловедения. − Новосибирск : Наука : Сиб. предприятие, 1998. − 181, [2] с.: ил. − Соред. : Зуев Л. Б.
 
 
 
'''1999'''
 
 
 
188.    Закономерности формирования и особенности дефектной микроструктуры кратеров в сплавах на основе ванадия и молибдена после облучения мощным ионным пучком // Поверхность: Рентген., синхротрон. и нейтрон. исслед. 1999. № 9. С. 36-44. Соавт.: Тюменцев А. Н., Третьяк М. В., Почивалов Ю. И., Овчинников С. В., Ремнев Г. Е., Исаков И. Ф., Панин О. В.
 
 
 
189.    Субструктура с высокой плотностью дисклинаций в зонах активации мезоуровня деформации в условиях воздействия мощных ионных пучков // Докл. РАН. 1999. Т. 366, № 2. С. 196-198. Библиогр.: 8 назв. Соавт.: Тюменцев А. Н., Третьяк М. В., Пинжин Ю. П., Почивалов Ю. И., Ремнев Г. Е., Щипакин Д. А.
 
 
 
190.    Структура с высокой плотностью дисклинации в зонах активации мезоуровня деформации в условиях воздействия мощных ионных пучков // Доклады АН. 1999. Т. 366, № 2. С. 196-198. Библиогр.: 8 назв. Соавт.: Тюменцев А. Н., Третьяк М. В., Пинжин Ю. П., Почивалов Ю. И., Ремнев Г. Е., Щипакин Д. А.
 
2000
 
 
 
191.    Закономерности релаксации механических напряжений в монокристаллах Ni₃Al при облучении мощными ионными пучками // Физика металлов и металловедение. 2000. Т. 90, № 6. С. 97-104. Библиогр.: 19 назв. Соавт.: Тюменцев А. Н., Третьяк М. В., Пинжин Ю. П., Щипакин Д. А., Ремнев Г. Е., Исаков И. Ф.
 
 
 
192.    Особенности морфологии и дефектной субструктуры поверхностного слоя сплава Ni3Al после обработки мощным ионным пучком // Физика металлов и металловедение. 2000. Т. 89, № 1. С. 54-61. Библиогр.: 15 назв. Соавт.: Тюменцев А. Н., Третьяк М. В., Пинжин Ю. П., Ремнев Г. Е., Щипакин Д. А.
 
 
 
193.    Особенности релаксации механических напряжений, генерируемых мощными ионными пучками в ванадиевом сплаве // Физика металлов и металловедение. 2000. Т. 89, № 4. С. 78-85. Библиогр.: 18 назв. Соавт.: Третьяк М. В., Тюменцев А. Н., Ремнев Г. Е., Исаков И. Ф.
 
 
 
194.    Эволюция дефектной субструктуры в сплаве Ni3Al в ходе интенсивной пластической деформации кручением под давлением // Физика металлов и металловедение. 2000. Т. 90, № 5. С. 44-54. Соавт.: Тюменцев А. Н., Третьяк М. В., Пинжин Ю. П., Валиев Р. З., Исламгалиев Р. К., Корзников А. В.
 
 
 
195.    Defect substructures and local internal stresses in TiN coatings after ion-plasma deposition and irradiation by low energy ions // 1st International Congress on Radiation Physics, High Current Electronics and Modification of Materials, Tomsk, 24-29 Sept., 2000: Proc. Vol. 3 : 5th Conference on Modification of Materials with Particle Beams and Plasma Flows. Томск, 2000. С. 442-446. Соавт.: Tyumentsev A. N., Pinzhin Yu. P., Koval N. N., Schanin P. M.
 
 
 
196.    Defect Substructure and Stress Fields in thr Zones of Deformation Localization in High-Strength Metallic Alloys // The Physics of Metals and Metallography. 2000. V. 90, suppl. N 1. P. 36-47. Соавт. : Tyumentsev an, Litovchenko I. Yu.
 
 
 
197.    Modification of the elastic-stress and phase-structure states of the TiN coatings by ion-assisted deposition // 1st International Congress on Radiation Physics, High Current Electronics and Modification of Materials, Tomsk, 24-29 Sept., 2000: Proc. Vol. 3: 5th Conference on Modification of Materials with Particle Beams and Plasma Flows. Томск, 2000. С. 418-423. Библиогр.: 18 назв. Соавт.: Tyumentsev A. N., Pinzhin Yu. P., Bugaev S. P., Koval N. N., Schanin P. M.
 
 
 
198.          исключен.
 
 
 
'''2001'''
 
 
 
199.    Закономерности локализации деформации в аустенитных сталях механизмами неравновесных мартенситных превращений в полях напряжений // 6 Всероссийская конференция "Структура и свойства аустенитных сталей и сплавов", посвященная 100-летию со дня рождения К. А. Малышева : тез. докл., Екатеринбург, 10-14 сент., 2001. Екатеринбург, 2001 С. 37 Соавт.: Тюменцев А. Н., Литовченко И. Ю., Пинжин Ю. П., Гирсова С. Л.
 
 
 
200.    Особенности пластической деформации ультрамелкозернистой меди при разных температурах // Физ. мезомеханика. 2001. № 6. С. 77-85. Соавт.: Панин В. Е., Тюменцев А. Н., Дитенберг И. А., Пинжин Ю. П., Деревягина Л. С., Шуба Я. В., Валиев Р. З.
 
 
 
201.    *Defect substructure and local internal stresses inherent in plastic flow at mesolevel // Theoretical and Applied Fracture Mechanics. 2001. V. 35, N 2. P. 163–169. Соавт.: Tyumentsev A. N., Pinzhin Yu. P.
 
 
 
'''2002'''
 
 
 
202.    Закономерности формирования вторичных фаз и дефектной субструктуры в ионно-легированном слое сталей и сплавов при различных условиях ионной имплантации // 6 International Conference on Modification of Materials with Particle Beams and Plasma Flows, Tomsk, 23-28 Sept.,2002: In Memory of Academician of Russian Academy of Sciences Sergey P. Bugaev: Proceedings. Томск, 2002. С. 228-229. Соавт.: Бугаев С. П.
 
 
 
203.    *Закономерности формирования субмикро-нанокристаллических и аморфных структур в условиях ионной имплантации и ионного миксинга // Физикохимия ультрадисперсных (нано-) систем : материалы VI всерос. (междунар.) конф. 19-23 авг. 2002 г., Томск. М., 2002. С. 170-171. Соавт.: Бугаев С. П., Тюменцев А. Н.
 
 
 
204.    *Механизмы формирования и структурные модели ультрамелкозернистых металлических материалов, получаемых методами интенсивной пластической деформации. // 1 Евразийская научно-практическая конференция "Прочность неоднородных структур". М., 2002. Соавт.: Пинжин Ю. П., Тюменцев А. Н.
 
 
 
205.    *Механизмы формирования и структурные модели ультрамелкозернистых металлических материалов, получаемых методами интенсивной пластической деформации // Актуальные проблемы нанокристаллических материалов: наука и технология : тез. докл. IX Междунар. сем. «Дислокационная структура и механические свойства металлов и сплавов ДСМСМС-2002». Екатеринбург, 2002. Соавт.: Тюменцев А. Н.
 
 
 
206.    Модификация дефектной субструктуры молибдена при высокодозной ионной имплантации в глубоком вакууме // Физика металлов и металловедения. 2002. Т. 93, № 5. С. 60-67. Соавт.: Дитенберг И. А., Литовченко. И. Ю., Лупачев М. В., Николаев А. Г., Овчинников С. В., Пинжин Ю. П., Тюменцев А. Н., Юшков Г. Ю.
 
 
 
207.    Модификация поверхности молибдена мощным пучком мягкого рентгеновского излучения // 6 International Conference on Modification of Materials with Particle Beams and Plasma Flows, Tomsk, 23-28 Sept.,2002: In Memory of Academician of Russian Academy of Sciences Sergey P. Bugaev: Proceedings. Томск, 2002. С. 424-427. Библиогр.: 13 назв. Соавт.: Почивалов Ю. И., Бакшт Т. Ю., Федюнин А. В.
 
 
 
208.    *Новая мода деформации - пластическая дилатация путем локальных фазовых превращений в полях напряжений // 1 Евразийская научно-практическая конференция "Прочность неоднородных структур". М., 2002. Соавт.: Тюменцев А. Н., Литовченко И. Ю., Пинжин Ю. П., Сурикова Н. С.
 
 
 
209.    Новая мода мезуровня деформации и переориентации кристаллической решетки механизмами локальных фазовых превращений в полях напряжений // Вопросы материаловедения. 2002. № 1 (29). С. 314-334. Соавт.: Тюменцев А. Н., Литовченко И. Ю., Пинжин Ю. П., Сурикова Н. С., Гирсова Л. С., Лысенко О. В.
 
 
 
210.    *Особенности локализации деформации в процессе активного растяжения ультрамелкозернистой меди при комнатной температуре // Физикохимия ультрадисперсных (нано-) систем : материалы VI всерос. (междунар.) конф. 19-23 авг. 2002 г., Томск. М., 2002. С. 169. Соавт.: Дитенберг И. А., Шуба Я. В., Тюменцев А. Н., Валиев Р. З., Пижин Ю. П., Панин В. Е.
 
 
 
211.    *Особенности пластической деформации ультрамелкозернистой меди при разных температурах // Актуальные проблемы нанокристаллических материалов: наука и технология : тез. докл. IX Междунар. сем. «Дислокационная структура и механические свойства металлов и сплавов ДСМСМС-2002». Екатеринбург, 2002. Соавт.: Дитенберг И. А., Тюменцев А. Н., Пинжин Ю. П., Валиев Р. З., Панин В. Е., Шуба Я. В.
 
 
 
212.    *Особенности структурного состояния субмикрокристаллических и нанокомпозитных покрытий на основе TiN, полученных комбинированными методами вакуумно-дугового синтеза // Физикохимия ультрадисперсных (нано-) систем : материалы VI всерос. (междунар.) конф. 19-23 авг. 2002 г., Томск. М., 2002. С. 246-247. Соавт.: Нестеренков В. А., Пинжин Ю. П., Тухватуллин А. А., Тюменцев А. Н., Коваль Н. Н., Гончаренко И. М.
 
 
 
213.    *Структурные модели и механизмы формирования высокоэнергетических наноструктур, полученных в металлах и интерметаллидах методами интенсивной деформации // Физикохимия ультрадисперсных (нано-) систем : материалы VI всерос. (междунар.) конф. 19-23 авг. 2002 г., Томск. М., 2002. С. 152-153. Соавт.: Тюменцев А. Н.
 
 
 
214.    *Формирование нанокристаллических и наноком-позитных покрытий на основе TiN комбинированными методами вакуумно-дугового синтеза // Дефекты структуры и прочность кристаллов : тез. докл Всерос. конф. Черноголовка, 2002. С. 55. Соавт.: Нестеренко В. А., Пинжин Ю. П., Тухватуллин А. А., Тюменцев А. Н., Коваль Н. Н., Гончаренко И. М.
 
 
 
'''2003'''
 
 
 
215.    *Влияние режимов термомеханической обработки на закономерности формирования гетерофазной и зеренной структуры сплавов V-4Ti-4Cr // Материалы ядерной техники : тез. докл. Российской науч. конф. «Материалы ядерной техники. Радиационная повреждаемость и свойства – теория, моделирование, эксперимент (МАЯТ-ТЕМЭК), (Агой, Краснодарский край, 22-26 сентября 2003 г). М., 2003. Соавт.: Тюменцев А. Н., Пинжин Ю. П., Дитенберг И. А. и др.
 
 
 
216.    *К вопросу о создании радиационно-стойких наноструктурных материалов // Материалы ядерной техники : тез. докл. Российской науч. конф. «Материалы ядерной техники. Радиационная повреждаемость и свойства – теория, моделирование, эксперимент (МАЯТ-ТЕМЭК), (Агой, Краснодарский край, 22-26 сентября 2003 г). М., 2003. Соавт.: Тюменцев А. Н., Пинжин Ю. П., Овчинников С. В.
 
 
 
217.    Механизмы пластической деформации и переориентации кристаллической решетки при глубоких пластических деформациях сплавов Mo-47%Re и V-4Ti-4Cr. // Физика прочности и пластичности материалов, Тольятти, 30 сент. – 3 окт. 2003 г. : сб. тез. 15-й Междунар. конф. Тольятти, 2003. С. 1-30. Соавт.: Тюменцев А. Н., Пинжин Ю. П., Дитенберг И. А., Шуба Я. В., Дробышев В. А., , Потапенко М. М., Чернов В. М.
 
 
 
218.    Новая мода мезоуровня деформации механизмами динамических фазовых превращений в полях напряжений // Физ. мезомеханика. 2003. Т. 6, № 2. С. 15-36. Соавт.: Тюменцев А. Н., Литовченко И. Ю., Пинжин Ю. П., Сурикова Н. С., Лысенко О. В.
 
 
 
219.    Новый механизм локализации деформации в аустенитных сталях. 1. Модель неравновесных фазовых (мартенситных) превращений в полях высоких локальных напряжений // Физика металлов и металловедение. 2003. Т. 95, № 2 С. 86-95. Соавт.: Тюменцев А. Н., Литовченко И. Ю., Пинжин Ю. П., Нестеренков В. А.
 
 
 
220.    Новый механизм локализации деформации в аустенитных сталях. II. Влияние двойникования на закономерности переориентации кристаллической решетки в полосах локализации деформации // Физика металлов и металловедение. 2003. Т. 9, № 3. С. 88-96. Соавт.: Тюменцев А. Н., Литовченко И. Ю., Пинжин Ю. П., Гирсова С. Л., Нестеренков В. А.
 
 
 
221.    Новый механизм пластического течения в полосах локализации и двойниках деформации В2 фазы никелида титана путем неравновесных мартенситных превращений в полях напряжений // Физика металлов и металловедение. 2003. Т. 95, № 1. С. 97-106. Соавт.: Тюменцев А. Н., Сурикова Н. С., Литовченко. И. Ю., Пинжин Ю. П., Лысенко О. В.
 
 
 
222.    Особенности микроструктуры и механизмы формирования субмикрокристаллической меди, полученной методами интенсивной пластической деформации // Физика металлов и металловедение. 2003. Т. 96, № 4. С. 33-43. Соавт.: Тюменцев А. Н., Дитенберг И. А., Пинжин Ю. П., Валиев Р. З.
 
 
 
'''2004'''
 
 
 
223.    *Влияние режимов термомеханической обработки на закономерности формирования гетерофазной и зеренной структуры сплавов V-4Ti-4Cr // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Материаловедение и новые материалы. 2004. № 2(63). С. 5-10. Соавт.: Тюменцев А. Н., Пинжин Ю. П., Дитенберг И. А.
 
 
 
224.    Влияние режимов термомеханической обработки на микроструктуру и механические свойства сплавов V-4Ti-4Cr : докл. [Междунар. конф. по физической мезомеханике, компьютерному конструированию и разработке новых материалов, Томск, 23-28 авг., 2004] // Физ. мезомеханика. 2004. Спец. вып. Ч. 2. С. 223-226. Соавт.: Тюменцев А. Н., Пинжин Ю. П., Литовченко И. Ю., Дитенберг И. А., Овчинников С. В., Шевченко Н. В., Потапаенко М. М., Чернов В. М.
 
 
 
225.    Высокодефектные структурные состояния, поля локальных внутренних напряжений и кооперативные механизмы мезоуровня деформации и переориентации кристалла в наноструктурных металлических материалах : докл. [Междунар. конф. по физической мезомеханике, компьютерному конструированию и разработке новых материалов, Томск, 23-28 авг., 2004] // Физ. мезомеханика. 2004. Т. 7, № 4. С. 35-54. Библиогр.: 45 назв. Соавт.: Тюменцев А. Н., Пижин Ю. П.
 
 
 
226.    Высокоэнергетические структурные состояния сплава Ni3(AlCr) после интенсивной пластической деформации и ионной имплантации // Физика металлов и металловедение. 2004. Т. 97, № 3. С. 89-95. Соавт.: Овчинников С. В., Тюменцев А. Н., Пинжин Ю. П., Шевченко Н. В., Николаев А. Г., Юшков Г. Ю., Савкин К. П.
 
 
 
227.    *Закономерности двойникования и механического поведения монокристаллов никелида титана в температурном интервале инициированного нагрузкой мартенситного превращения // Фазовые превращения и прочность кристаллов : сб. тез. III Междунар. конф. Черноголовка, 2004. Соавт.: Тюменцев А. Н., Сурикова Н. С., Лысенко О. В., Литовченко. И. Ю., Пинжин Ю. П.
 
 
 
228.    Закономерности пластического течения : упрочнения и формирования дефектных субструктур в высокопрочных сплавах // Структурно-фазовые состояния и свойства металлических систем (К 70—летию проф. Э. В. Козлова). Томск, 2004. Гл. 2. С. 31-61. Библиогр.: 76 назв.
 
 
 
229.    Ионное азотирование феррито-перлитной и аустенитной сталей в газовых разрядах низкого давления // Физика и химия обработки материалов. 2004. № 1. С. 24-27. Соавт.: Овчинников С. В., Тюменцев А. Н., Пинжин Ю. П., Гончаренко И. М., Щанин П. М.
 
 
 
230.    К вопросу о создании радиационно-стойких мелкокристаллических материалов с высокой термической стабильностью: Докл. [1 Российская науч. конф. "Материалы ядерной техники. Радиационная повреждаемость и свойства - теория, моделирование, эксперимент" (МАЯТ-ТЕМЭК-1), пос. Агой, Краснодар. край, 22-26 сент., 2003] // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Материаловедение и новые материалы / ФГУП «Всерос. науч-исслед. ин-т неорган. материалов им. акад. А. А. Бочвара. 2004. Вып. 1, ч. 1. С. 163-171. Соавт.: Тюменцев А.Н., Пинжин Ю.П., Овчинников С.В.
 
 
 
231.    Комбинированные методы вакуумно-дугового синтеза твердых и нанокомпозитных сверхтвердых покрытий на основе TiN // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2004. № 12. С. 15-21. Соавт.: Тюменцев А. Н., Пинжин Ю. П., Коваль Н. Н., Гончаренко И. М., Тухфатуллин А. А., Нестеренко В. А., Мошков В. Ю.
 
 
 
232.    Механизмы локализации деформации и механического двойникования в условиях фазовой нестабильности кристалла в полях напряжений // Изв. высш. учеб. заведений. Физика. 2004. № 8. С. 28-48. Соавт.: Тюменцев А. Н., Пинжин Ю. П., Литовченко И. Ю., Сурикова Н. С.
 
 
 
233.    О влиянии условий ионной имплантации на природу структурно-фазового состояния ионно-легированного слоя в металлах и сплавах // Поверхность. Рентген., синхротрон. и нейтрон. исследования. 2004. № 1. С. 46-55. Соавт.: Овчинников С. В., Тюменцев А. Н, Пинжин Ю. П., Юшков Г. Ю., Николаев А. Г., Савкин К. П.
 
 
 
234.    Особенности механического двойникования в В2 фазе монокристаллов никелида титана : Докл. [Междунар. конф. по физической мезомеханике, компьютерному конструированию и разработке новых материалов, Томск, 23-28 авг., 2004] // Физ. мезомеханика. 2004. Спец. вып. Ч. 1. С. 245-248. Соавт.: Сурикова Н. С., Тюменцев А. Н., Литовченко И. Ю., Лысенко О. В.
 
 
 
235.    Сверхтвердые нанокристаллические покрытия // Физ. мезомеханика. 2004. Спец. вып. Ч. 2. С. 3-7. Соавт.: Тюменцев А. Н., Пинжин Ю. П., Овчинников С. В., Гончаренко И. М. Коваль Н. Н.
 
236.    Mechanism of the formation of high-energy phase-structure states under various conditions of ion implantation // 7 International Conference on Modification of Materials with Particle Beams and Plasma Flows, Tomsk, 25-30 July, 2004: Proceedings. Tomsk, 2004. С. 121-127. Библ. 21. Соавт.: Tyumentsev A. N., Bugaev S. P.
 
 
 
[1] издания, не просмотрены de visu
 
  
 
=<span style="color:#0000FF">Литература о трудах и деятельности</span>=
 
=<span style="color:#0000FF">Литература о трудах и деятельности</span>=
Строка 603: Строка 375:
 
=<span style="color:#0000FF">Ссылки</span>=
 
=<span style="color:#0000FF">Ссылки</span>=
  
==[http://elibrary.ru/author_profile.asp?id=20297 Анализ публикационной активности (РИНЦ)]==
+
==[http://elibrary.ru/author_profile.asp?id=130015  Анализ публикационной активности (РИНЦ)]==
 +
 
 +
==[http://www.scopus.com/authid/detail.url?authorId=7005199145 Цитирование в Scopus]==
  
==Ссылки==
+
==[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/Person/%D0%9A%D0%BE%D1%80%D0%BE%D1%82%D0%B0%D0%B5%D0%B2%2C%20%D0%90%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%81%D0%B0%D0%BD%D0%B4%D1%80%20%D0%93%D1%80%D0%B8%D0%B3%D0%BE%D1%80%D1%8C%D0%B5%D0%B2%D0%B8%D1%87 Электронная библиотека ТГУ]==
[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/Person/%D0%9A%D0%BE%D1%80%D0%BE%D1%82%D0%B0%D0%B5%D0%B2%2C%20%D0%90%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%81%D0%B0%D0%BD%D0%B4%D1%80%20%D0%93%D1%80%D0%B8%D0%B3%D0%BE%D1%80%D1%8C%D0%B5%D0%B2%D0%B8%D1%87 Электронная библиотека НБ ТГУ]
 
  
[http://virtua.lib.tsu.ru:8000/cgi-bin/gw/chameleon?u1=1003&host=vr.lib.tsu.ru+1111+DEFAULT&search=SCAN&lng=ru&function=INITREQ&t1=%D0%9A%D0%BE%D1%80%D0%BE%D1%82%D0%B0%D0%B5%D0%B2%2C%20%D0%90%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%81%D0%B0%D0%BD%D0%B4%D1%80%20%D0%93%D1%80%D0%B8%D0%B3%D0%BE%D1%80%D1%8C%D0%B5%D0%B2%D0%B8%D1%87 Электронный каталог НБ ТГУ]
+
==[http://virtua.lib.tsu.ru:8000/cgi-bin/gw/chameleon?u1=1003&host=vr.lib.tsu.ru+1111+DEFAULT&search=SCAN&lng=ru&function=INITREQ&t1=%D0%9A%D0%BE%D1%80%D0%BE%D1%82%D0%B0%D0%B5%D0%B2%2C%20%D0%90%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%81%D0%B0%D0%BD%D0%B4%D1%80%20%D0%93%D1%80%D0%B8%D0%B3%D0%BE%D1%80%D1%8C%D0%B5%D0%B2%D0%B8%D1%87 Электронный каталог ТГУ]==
  
[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/Bibliography/%D0%9A%D0%BE%D1%80%D0%BE%D1%82%D0%B0%D0%B5%D0%B2%2C%20%D0%90%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%81%D0%B0%D0%BD%D0%B4%D1%80%20%D0%93%D1%80%D0%B8%D0%B3%D0%BE%D1%80%D1%8C%D0%B5%D0%B2%D0%B8%D1%87/Include Библиография]
+
==[http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/Bibliography/%D0%9A%D0%BE%D1%80%D0%BE%D1%82%D0%B0%D0%B5%D0%B2%2C%20%D0%90%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%81%D0%B0%D0%BD%D0%B4%D1%80%20%D0%93%D1%80%D0%B8%D0%B3%D0%BE%D1%80%D1%8C%D0%B5%D0%B2%D0%B8%D1%87/Include Библиография]==
  
  

Текущая версия на 15:01, 28 января 2020

Коротаев Александр Григорьевич
Korotaev.jpg
Место работы:

Томский государственный университет, Радиофизический факультет, декан, кафедра квантовой электроники и фотоники, доцент

Учёная степень:

кандидат физико-математических наук

Учёное звание:

старший научный сотрудник



Биографическая справка

Хронологический список работ

1986

• Войцеховский А. А. Кинетика отжига радиационных дефектов в облученных электронами кристаллах теллурида кадмия-ртути / А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко // Тезисы докладов II Всесоюзной конференции «Материаловедение халькогенидных и кислородосодержащих полупроводников». Черновцы, 1986. С.153.

1987 • Войцеховский А. В. Исследование отжига радиационных дефектов в кристаллах HG1-XCDX Te / А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко // Физическая электроника. 1988. Вып.37. С. 53-58.

• Кинетика отжига радиационных дефектов в обученных электронами кристаллах HG1-XCDXTE / А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко, К. Р. Курбанов; редкол. «Известия вузов. Физика». – Томск, 1987. – 22с. – Деп. В ВИНИТИ 9.02.87,. №929 В 87.

• Механизмы отжига радиационных дефектов в облученном электронами HG1-XCDX Te / А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко, К. Р. Курбанов // Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках : материалы Всесоюзного семинара по проблеме «Физика и химия полупроводников». [М.], 1987. С. 64-67.

• Радиационные дефекты в имплантированных кристаллах HG1-XCDX Te / В. С. Куликаускас, Ю. В. Лиленко, К. В. Шастов, А. Г. Коротаев // Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках : материалы Всесоюзного семинара по проблеме «Физика и химия полупроводников». [М.], 1987. С.60-63.

1988

• Войцеховский А. В. Исследование отжига радиационных дефектов в кристаллах HG1-XCDX Te / А. В. Войцеховский, A. П. Коханенко, А. Г. Коpотаев // Физическая электроника. 1988. Вып.37. С.53-58.

• Positron annigilation for defect studies in HG1-XCDX Te crystals / A. V. Voitsekhovskii, A. P. Kokhanenko, A. G. Korotaev et al. // Abstracts of 8 th Conference on positron annigilation. Gent, Belgium, 1988. P.620.

1989

• Войцеховский А. В. Влияние радиационных дефектов вакансионного типа на результрующий профиль n(x) при облучении HgCdTe ионами / А. В. Войцеховский, Е. М. Кирюшкин, А. Г. Коротаев // Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках : материалы II Всесоюзного семинара по проблеме «Физика и химия полупроводников». Павлодар, 1989. С.102-106.

• Войцеховский А. В. Дефектообразование и диффузия радиационных дефектов в кристаллах HG1-XCDX Te при облучении ионами / А. В. Войцеховский, Е. М. Кирюшкин, А. Г. Коротаев // Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках : материалы II Всесоюзного семинара по проблеме «Физика и химия полупроводников». Павлодар, 1989. С.107-110.

• Дефектообразование в HG1-XCDXTE при низких дозах ионизирующей радиации / А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко и др. // Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках : материалы II Всесоюзного семинара по проблеме «Физика и химия полупроводников». Павлодар, 1989. Ч.2. С.136-139.

• Изучение дефектов в узкозонных полупроводниках методом аннигиляции позитронов / А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, А. И. Коханенко, А. Д. Погребняк // Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках : материалы II Всесоюзного семинара по проблеме «Физика и химия полупроводников». Павлодар, 1989. Ч. 2. С. 126-130.

• Определение параметров электрон-позитронной аннигиляции в кристаллах HG1-XCDXTE / А. В. Войцеховский, И. Л. Киселев, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко; редкол. «Известия вузов. Физика». – Томск, 1989. – 16с. – Деп. В ВИНИТИ 5.10.89, рег. № 6132-В89.

1990

• Исследование радиационных нарушений в кристаллах HgCdTe при высокодозной имплантации / А. И. Аксенов, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев и др. // Тезисы докладов XX Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. М., 1990. С.80.

1991

• Коротаев А. Г. Исследование радиационных дефектов в кристаллах HG1-XCDXTE ядернофизическими методами : автореф.дис. ... канд. физико-математических наук. – Томск, 1991. – 16 с.: ил.

• Особенности высокоинтенсивной имплантации в теллуридѳ кадмия-ртути / А. В. Войцеховский, А. Г. Коротнева, А. П. Коханенко,А. Д. Погребняк, А. И. Аксенов // III Всесоюзная конференция «Ионно-лучевая модификация полупроводников и других материалов микроэлектроники» : программа и тезисы докладов. Новосибирск, 4-6 июня 1991 г. Новосибирск, 1991. С. 29.

• Применение пучков медленных позитронов для исследования ионной имплантацией в КРТ / А. В. Войцѳхсвский, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко, A. Д. Погребняк // III Всесоюзная конференция «Ионно-лучевая модификация полупроводников и других материалов микроэлектроники» : программа и тезисы докладов. Новосибирск, 4-6 июня 1991 г. Новосибирск, 1991. С. 85.

1995

• Войцеховский А. В. Электрон-позитронная аннигиляция в узкозонных полупроводниках HG1-XCDXTE / А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко // Известия высших учебных заведений. Физика. 1995. № 10. С. 3 -21.

• Electron—Positron annihilation in the narrow-band semiconductor Hg1−xCdxTe / A. V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, A. P. Kokhanenko // Russian Physics Journal. 1995. Vol. 38, № 10. P. 1007 -1022.

1996

• Войцеховский А. В. Рaдиaциoннoe дeфeктooбpaзoвaниe в кpиcтaллax kpt, облyчeнныx иoнaми вoдopoдa c энepгиeй 10 мэв / А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко // Физика и техника полупроводников. 1996. Т. 30, № 9. С. 1565-1569.

• Voǐtsekhovskiǐ A. V. Radiation defect formation in hg1-xcdxte crystals irradiated by 10-mev hydrogen ions / A. V. Voǐtsekhovskiǐ, A. G. Korotaev, A. P.Kokhanenko // Semiconductors. 1996. Vol. 30, № 9. P. 821-822.

1997

• Поверхностное легирование кремния атомами бора методом ядер отдачи / А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко, И. И. Грушин, М. С. Опекунов, Г. Е. Ремнев // Международная конференция "Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах", 22-25 сентября 1998 г., г. Томск : тезисы докладов. Томск, 1998 . С. 201-202 .

1999

• Voitsekhovskii A. V. Recoil implantation of boron in silicon for modification of parameters of silicon schottky detectors / Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Korotaev A.D. // Progress in Biomedical Optics and Imaging. 1999. Vol. 3881. P. 274.

• Formation of boron heavily-doped nanolayer in silicon by powerful ion irradiation / A. Kokhanenko, A. Korotaev, A. Voitsekhovskii, I. Grushin, M. Opekunov // Microelectronic device technology III. Proceedings of the society of photo-optical instrumentation engineers (SPIE). Santa Clara, 1999. Vol. 3881 P. 274-283.

2000

• Войцеховский А. В. Распределение профилей радиационных дефектов в КРТ после ионной имплантации / А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко // Прикладная физика. 2000. № 6. С. 38-44.

• Войцеховский А. В. Формирование наноразмерных высоколегированных профилей бора в кремнии мощными ионными пучками / А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко // Прикладная физика. 2000. № 6.С.45-50.

• Formation of boron heavily doped nanolayer in silicon by recoil implantation using high-intensive power ion beams / M. S. Opekunov, I. I. Grushin, G. E. Remnev, A. P.Kokhanenko , A. G. Korotaev, A. V. Voitsekhovskii // 2000 13th International Conference on High-Power Particle Beams, BEAMS 2000. 2000. P. 775-779.

2001

• Полупроводниковые сверхрешетки и их свойства : методические указания / Томск. гос. ун-т , Каф. квантовой электроники и фотоники ; [сост. А. В. Войцеховский, С. А. Шульга, А. Г. Коротаев]. – Томск : [б. и.], 2001. – 32 с.: ил.

• Физическая электроника. Измерения в лабораторном практикуме. Приборы для измерения частоты на СВЧ : методическое пособие / сост. А. Г. Коротаев, С. П. Кулаев; Том. гос. ун-т, Каф. квантовой электроники и фотоники. – Томск : [б. и.], 2001. – 34, [1] с.: ил.

• Kokhanenko A. P. Electron-positron annihilation in the narrow gap semiconductor HG1-XCDXTE / A. P. Kokhanenko, A. G. Korotaev, A. V. Voitsekhovskii // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. 5th International Conference on Material Science and Mateial Propoerties for Infrared Optoelectronics. sponsors: SPIE; editors: F.F. Sizov, Institute of Semiconductor Physics, Ukraine. Kiev, 2001. P. 173-177.

• Photoelectric characteristics of ptsi-si schottky barrier with boron heavily-doped nanolayer / A.V. Voitsekhovskii, A. P. Kokhanenko, A. G. Korotaev, S. N. Nesmelov // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. Interantional Conference on Solid State Crystals 2000 Epilayers and Heterostructures in Optoelectronics and Semiconductor Technology. Zakopane, 2001. P. 387-390.

2002

• The energy band diagrams of PTSI-SI barrier with a heavily-doped surface nanolayer formed by recoil implantation / S. N. Nesmelov, A. V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, A. P. Kokhanenko // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. Silicon-based and Hybrid Optoelectronics IV. sponsors: SPIE; editors: D.J. Robbins, G.E. Jabbour. San Jose, CA, 2002.P. 164-173.

• Radiation effects in photoconductive MCT MBE heterostructures / A. V. Voitsekhovskii, A. P. Kokhanenko, A .G. Korotaev, D. V. Grigorev, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, Ju. G. Sidorov, N. N. Mikhailov // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. Solid State Crytals 2002 Crystalline Materials for Optoelectronics. sponsors: European Commission, European Office for Aerospace Research and Development, European Office for Scientific Research (Poland), Institute of Physics, Technical University of Lodz (Poland). Zakopane, 2002. P. 411-415.

2003

• Облучение высокоэнергетическими электронами и гамма-квантами эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев, Д. В. Григорьев, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Ю. Г. Сидоров, Н. Н. Михайлов // Прикладная физика. 2003. № 5. С.99-101 .

• Распределение профилей радиационных дефектов при ионной имплантации варизонных структур КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев, Д. В. Григорьев, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Ю. Г. Сидоров, Н. Х. Талипов // Прикладная физика. 2003. № 5. С. 93-95 .

• Radiation effects in photoconductive MCT MBE heterostructures / A. V. Voitsekhovskii, A. P. Kokhanenko, A .G. Korotaev, D. V. Grigorev, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, Ju. G. Sidorov, N. N. Mikhailov // Progress in Biomedical Optics and Imaging. 2003. Vol. 5136. P. 411-415. https://doi.org/10.1117/12.519767

2004

• Особенности определения электрофизических параметров вариозных структур КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко // Известия высших учебных заведений. Физика. 2004 . N 7 . С. 70-77.

• Особенности формирования профиля распределения электрически активных радиационных дефектов при ионной имплантации эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев, Д. В. Григорьев // Физико-химические процессы в неорганических материалах (ФХП-9). Т. 2 : международная конференция : посвящается 50-летию Кемеровского государственного университета, 22-25 сентября 2004 года : доклады. Кемерово, 2004. Т. 2. С. 380-383.

• Профили распределения дефектов в эпитаксиальных пленках CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, при ионной имплантации аргона и азота / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко, Д. В. Леонтьев, Н. А. Кульчицкий // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2004 . N2. С.60-65.

• Specific features of determining the electrophysical parameters of variband CMT structures grown by molecular-beam epitaxy / A. V. Voitsekhovskii, D.V. Grigor'ev, A. G. Korotaev, A. P. Kokhanenko // Russian Physics Journal. 2004. № 7. P. 764.

2005

• Имплантация ионов бора в варизонные эпитаксиальные пленки МЛЭ КРТ / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко, Н. Х. Талипов // Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства функциональной электроники и нанофотоники) : материалы XI международной научно-технической конференции (Москва, МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2005, 8-10 сентября). Тонкие пленки в электронике : материалы XVII международного симпозиума (Москва, МГТУ им. Н. Э. Баумана 2005, 8-10 сентября). Москва, 2005. С. 171-178.

• Особенности формирования профиля распределения электрически активных радиационных дефектов при ионной имплантации эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев, Д. В. Григорьев // 9 Международная конференция "Физико-химические процессы в неорганических материалах " и Школа молодых ученых, проводившаяся в рамках конференции, Кемерово, 22-25 сент., 2004 ФХП-9 : доклады: Посвящается 50-летию Кемеровского государственного университета. Т. 2 . 2004 . С.280-383.

• Процессы радиационного дефектообразования в варизонных структурах млэ крт при ионной имплантации / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко, Н. X. Талипов // Прикладная физика. 2005. № 3. С. 83-88.

• The boron implantation in the varied zone MBE MCT epilayer / A. V. Voitsekhovskii , D. V. Grigorev, A. P. Kokhanenko, A. G. Korotaev, Y. G. Sidorov, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, N. K. Talipov // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. Infrared Photoelectronics. Сер. "Infrared Photoelectronics" sponsors: NEMO-Network of Excellence on Micro-Optics, European Office of Aerospace Research and Development; editors: A. Rogalski, E.L. Dereniak, F.F. Sizov, Military University of Technology, Poland. Warsaw, 2005. P. 1-5.

2006

• Динамика накопления электрически активных радиационных дефектов при имплантации варизонных эпитаксиальных пленок МЛЭ КРТ / А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев , А. П. Коханенко, Д. В. Григорьев, B. C. Варавин, С. А. Дворецкий, Ю. Г. Сидоров, Н. Н. Михайлов, Н. Х. Талипов // Известия высших учебных заведений. Физика. 2006. Т. 49. № 9. С. 25-28.

• The dynamics of accumulation of electrically active radiation defects on implantation of graded-band-gap hgcdte films grown by MBE / A. V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, A. P. Kokhanenko, D. V. Grigorev, V. S. Varavin, S. A. Dvoretskii, Yu. G. Sidorov, N. N. Mikhailov, N. Kh. Talipov // Russian Physics Journal. 2006. Т. 49. № 9. P. 929-933.

2007

• Легирование ионами бора варизонных эпитаксиальных пленок МЛЭ КРТ / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Ю. Г. Сидоров, Н. Н. Михайлов, Н. Х. Талипов // Прикладная физика. 2007. N 6 . С. 119-124 : 5 ил., 1 табл.

• Радиационное дефектообразование в варизонных эпитаксиальных структурах Cd[x]Hg[1-x]Te при ионной имплантации / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г.Коротаев, А. П. Коханенко, Н. Х. Талипов // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2007. N 2 . 2007 . С. 35-40.

2008

• Исследования влияния ионной имплантации бора и ионно-лучевого травления варизонных структур МЛЭ КРТ при формировании n-p переходов / Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Волков В.С., Средин В.Г., Талипов Н.Х., Ижнин И.И. // Тезисы докладов Российского Совещания «Актуальные проблемы полупроводниковой фотоэлектроники «Фотоника-2008». 19-23 августа 2008. Новосибирск. Новосибирск, 2008. С. 28-28.

• Особенности распределения донорных центров в варизонных слоях МЛЭ КРТ р-типа при ионно-лучевом травлении и ионной имплантации бора / Войцеховский А. В., Григорьев Д.В., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Волков В.С., Средин В.Г., Талипов Н.Х., Ижнин И.И. // Тезисы докладов XX Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. 27-30 мая 2008. Москва, Россия. Москва, 2008. С. 177-177.

• Профили распределения дефектов в варизонных слоях гетероэпитаксиальных структур p-НgСdТе при ионно-лучевом травлении / А. В. Войцеховский, В. С. Волков, Д. В. Григорьев, И. И. Ижнин, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко, М. Посяцк, В. Г. Средин, Н. Х. Талипов // Известия вузов. Физика. 2008 . Т. 51, N 9 . С. 51-56 .

• Радиационные эффекты в фотодетекторах на основе CdHgTe / Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Коротаев А.Г., Коханенко А.П., Мельников А.А., Кульчицкий Н.А. // Известия вузов. Физика. Тематический выпуск. 2008. Т. 51, №9/3. С. 157-159


• Defect profiles in graded band-gap layers of p-НgСdТе heteroepitaxial structures under ion-beam etching / A.V. Voitsekhovskii, V. S. Volkov, D. V. Grigorev, A. G. Korotaev, A. P. Kokhanenko, V.G. Sredin, N. Kh Talipov., I. I. Izhnin, M. Posyatsk // Russian Physics Journal. 2008. Т. 51. № 9. P. 936-942.

2010

• Анализ эффективности преобразования солнечной энергии полупроводниковых структур cdte/cdhgte с варизонным слоем в фотопоглощающей области / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев // Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53. № 9-3. С. 141-142.

• Влияние облучения на характеристики приборов с накоплением заряда / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев и др. // Высокие технологии в промышленности России : (материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники) : материалы XVI Международной научно-технической конференции (Москва, ЦНИТИ "ТЕХНОМАШ", 2010, 9-11 сентября). Тонкие пленки в электронике : материалы XXIII Международного симпозиума (Москва, ЦНИТИ "ТЕХНОМАШ" 2010, 9-11 сентября). М., 2010. С. 185-190.

• Влияние облучения на характеристики приборов с накоплением заряда / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев, Д. В. Григорьев, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников // Нано- и микросистемная техника. 2010. № 7. С. 32-37.

• Влияние облучения на характеристики HgCdTe фотодетекторов / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев, Д. В. Григорьев, А. Н. Кульчицкий, А. А. Мельников // Высокие технологии в промышленности России : (материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники) : материалы XVI Международной научно-технической конференции (Москва, ЦНИТИ "ТЕХНОМАШ", 2010, 9-11 сентября). Тонкие пленки в электронике : материалы XXIII Международного симпозиума (Москва, ЦНИТИ "ТЕХНОМАШ" 2010, 9-11 сентября). М., 2010. С. 191-196.

• Влияние облучения на характеристики фотодетекторов из HgCdTe / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев, Д. В. Григорьев, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников // Нано- и микросистемная техника. 2010. № 9 (122). С. 48-52. • Радиационные эффекты в кристаллах теллурида кадмия-ртути / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев, Д. В. Гpигоpьев, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников // Нано- и микросистемная техника. 2010. № 6. С. 10-17. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000535368

• Физическая электроника. Лабораторный практикум. Электростатическая линза : учебно-методическое пособие / Том. гос. ун-т, РФФ ; [сост.: А. Г. Коротаев, С. П. Кулаев]. - Томск : [б. и.], 2010. - 27 с.: ил.

2011

• Влияние облучения на характеристики hgcdte ик фотодетекторов / Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А. // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. 2011. Т. 11. № 1. С. 143-148.

• Изменение электрофизических свойств узкозонных твердых растворов CdHgTe под воздействием объемного разряда, инициируемого пучком электронов лавин в воздухе атмосферного давления / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2011. Т. 54, № 10. С. 88-90. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000444849

• Турапин А.М., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Войцеховский А.В. Молекулярно-лучевая эпитаксия Ge/Si наногетероструктур с квантовыми точками //Сборник тезисов V Украинской научной конференции физики полупроводников УНКФН-5. Украина, г. Ужгород, 2011. С. 382.

2012

• Влияние объемного наносекундного разряда в газовых средах атмосферного давления на электрофизические свойства эпитаксиального материала HgCdTe / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев, А .С. Петерс, В. Ф. Тарасенко, М. А. Шулепов // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 65-66. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000444340

• Влияние объемного наносекундного рзряда в атмосферах воздуха, аргона и азота на электрофизические свойства узкозонных твердых растворов CdHgTe / А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, А. С. Петерс и др. // XXII Международная научно-техническая конференция, школа молодых специалистов и выставка по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 22-25 мая 2012, Москва, Россия : труды конференции. Москва, 2012. С. 197-199

• Радиационные эффекты в HgCdTe / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев и др. // Прикладная физика. 2012. № 1. С. 82-89. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000432574

• A change in the electro-physical properties of narrow-band cdhgte solid solutions acted upon by a volume discharge induced by an avalanche electron beam in the air at atmospheric pressure / Voitsekhovskii A.V., Grigorev D.V., Korotaev A.G., Kokhanenko A.P., Tarasenko V.F., Shulepov M.A. // Russian Physics Journal. 2012. Vol. 54, № 10. P. 1152-1155.

2013

• Влияние облучения на характеристики HGCDTE ИК фотодетекторов / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев, Н. А .Кульчицкий, А. А. Мельников // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. 2013. Т. 13. № 1. С. 222-227.

• Влияние объемного наносекудного разряда в атмосфере воздуха, аргона и азота на электрофизические свойства узкозонных твердых растворов CdHgTe / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев и др. // Успехи прикладной физики. 2013. Т. 1, № 3. С. 333-337. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000507335

• Влияние комплексного воздействия электронного пучка пикосекундной длительности и объёмного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства эпитаксиального материала CdHgTe / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 137-139. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000472650

• Дёмин В.В. О развитии студенческого научно-исследовательского инкубатора на радиофизическом факультете Томского государственного университета / В. В. Дёмин, Н. Г. Кушик, А. Г. Коротаев // Труды / Томский государственный университет. Серия физико-математическая. 2013. Т. 289 : Труды десятой региональной конференции студенческого научно-исследовательского инкубатора. С. 3-13.

• Радиофизический лирический : сборник стихов преподавателей радиофизического факультета Томского государственного университета / [сост. Т. Д. Кочеткова] ; Нац. исслед. Том. гос. ун-т. – Томск : STT, 2013. – 113 с. – Из содерж. : А. Г. Коротаев : «Я дышу непогашенным светом». С.87; «Вот уже седина подступает». С.88; «Здесь бесплатной любви не бывает». С. 89; «»Борясь с рефракцией жестоко». С.90; «Пускай таланта нет». С. 91.

• Background donor concentration in HgCdTe / M. Pociask-Bialy, I. I. Izhnin, A. V. Voytsekhovskiy [et.al.] // Opto-electronics review. 2013. Vol. 23, № 3. P. 200-207. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000519835

2014

• Влияние диффузионного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства узкозонных полупроводников CdHgTe / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев, И. В. Романов, В. Ф. Тарасенко, М. А. Шулепов // Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 10/3. С. 126-130. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000501350

• Донорный фон в эпитаксиальных структурах CdHgTe / И. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, С. А. Дворецкий, В. С. Варавин, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, К. Д. Мынбаев // Конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур (с участием иностранных ученых) : тезисы докладов. Новосибирск, 2014. С. 64.

• Радиофизический лирический : сборник стихов выпускников и сотрудников радиофизического факультета Томского государственного университета / [сост. Т. Д. Кочеткова] ; Нац. исслед. Том. гос. ун-т. – Изд. 2-е, испр. и доп. – Томск : STT, 2014. – 269 с. Из содерж. : Коротаев А. Г. : «Не дрейфь Серёга…». С.13; Патриотический марш. С.48; Марш оптимистов. С.49; «Я, прямо скажем не балбес». С.50; Исторические зарисовки. С.51.; «Жизнь моя ценой в копейку». С.52; «Здесь бесплатной любви не бывает». С. 53; «Бабочка к глади припала речной…». С. 112; «Пускай таланта нет». С.114; «Я дышу непогашенным светом». С.115; «Вот уже седина подступает». С.150; «Борясь с рефракцией жестоко». С.151.

• The Influence of a Diffusion Discharge in the Air at Atmospheric Pressure on the Electro-Physical Properties of Narrow-Gap Semicondurtors CdHgTe / A. V. Voitsekhovskii, D. V. Grigoryev, A. G. Korotaev, A. P. Kokhanenko, I. V. Romanov, V. F. Tarasenko, M. A. Shulepov // International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects: Abstracts. Tomsk: Publishing House of IAO SB RAS, 2014. P. 332.

• Background donor concentration in HgCdTe / M. Pociask-Bialy, I. I. Izhnin, A.V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, O. I. Fitsych, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, M.V. Yakushev, K. D. Mynbaev //Abstracts of E-MRS 2014 Fall Meeting. Warsaw, Poland, 2014. URL::http://www.emrsstrasbourg.com/index.php?option=com_abstract&task=view&id=283&year=2014&Itemid=&id_season=12(date of access: 10.03.2015. ; http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000519835

2015

• Влияние импульсного наносекудного объемного разряда в воздухе атмосферного давления на магнитополевые зависимости электрофизических параметров эпитаксиальных пленок КРТ / Д. В. Григорьев, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, В. Ф. Тарасенко, М. А. Шулепов // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 10/3. С. 144-146. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000535780

• Долговременная стабильность p-n переходов в МЛЭ гетероструктурах CdxHg1-xTe, сформированных ионным травлением / И. И. Ижнин, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев , Е. И. Фицич, А. Ю. Бончик, Г. В. Савицкий, К. Д. Мынбаев, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев // Сборник научных трудов VIII Международной научной конференции "Функциональная база наноэлектроники", 28 сентября - 2 октября 2015 г. Харьков ; Одесса, 2015. С. 171-175. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000525154

• Долговременная стабильность CdHgTe n+-n-структур, сформированных ионным травлением / И. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, А. В. Войцеховский , А. Г. Коротаев, К. Д. Мынбаев, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, А. Ю. Бончик, Г. В. Савицкий // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 222-226. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000522406

• Жуков А. А. Методическое и информационное обеспечение курса “основы работы в СДО MOODLE” / А. А. Жуков, А. Г. Коротаев // Инновации на основе информационных и коммуникационных технологий. 2015. Т. 1. С. 46-49.

• Жуков А. А. Методическое и информационное обеспечение курса Основы работы в СДО MOODLE / А. А. Жуков, А. Г.Коротаев // Инновации на основе информационных и коммуникативных технологий. ИНФО-2015 : материалы XII Международной научно-практической конференции, 1-10 окт. 2015 г., г. Сочи. М., 2015. С. 46-49.

• Радиационные эффекты в кристаллах теллурида кадмия-ртути / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев, Д. В. Григорьев, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников // Нано- и микросистемная техника. 2015. № 6. С. 10-17.

• Релаксация и долговременная стабильность МЛЭ CdHgTe n+-n-структур, сформированных ионным травлением / И. И. Ижнин, Е. И. Фицич, А. В. Войцеховский А. Г. коротаев, А. Ю. Бончик, Г. В. Савицкий, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, К. Д. Мынбаев // Фотоника-2015 : Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 12-16 октября 2015 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2015. С. 42. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000519746

• Электрофизические и оптические исследования нейтральных дефектов в эпитаксиальных пленках CdxHg1-xTe / И. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, К. Д. Мынбаев, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, А. Ю. Бончик, Г. В. Савицкий, Z. Swiatek, P. Ozga // Полупроводники 2015 : XII Российская конференция по физике полупроводников, Ершово, 21-25 сентября 2015 г. : тезисы докладов. М., 2015. С. 333. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000586727

• Background donor concentration in HGCDTE / I. I. Izhnin, A.V. Voitsekhovsky, A. G. Korotaev, S. A. Dvoretsky, K. D. Mynbaev, O. I. Fitsych, M. Pociask-Bialy // Opto-electronics Review. 2015. Vol. 23. № 3. P. 200-207. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000535381

• Investigation of SI/GE P-I-N structures with ge quantum dots by admittance spectroscopy methods / A. G. Korotaev, A. A. Pishchagin, A. P. Kokhanenko, A. I. Nikiforov // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии - КрыМиКо2015 : материалы докладов 25-ой Международной Крымской конференции: в 2 т. Т. 2. М., 2015. С. 707-708. 1 CD-ROM. System requirements: PC Pentium 1 или выше; OC Microsoft Windows; CD-ROM 16-х или выше; мышка URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000520589

• Long-term stability of electron concentration in HGCDTE-based P-N junctions fabricated with ion etching / I. I. Izhnin, A.V. Voitsekhovsky, A. G. Korotaev, S. A. Dvoretsky, K. D. Mynbaev, V. S. Varavin , N. N. Mikhailov, M. V. Yakushev, A. Y. Bonchyk, H.V. Savytskyy, O. I. Fitsych // Infrared Physics & Technology. 2015. Т. 73. P. 158-165. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000547568

2016

• Дефектная структура имплантированных As МЛЭ пленок CdHgTe / И. И. Ижнин, Е. И. Фицич, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, К. Д. Мынбаев, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, А. Ю. Бончик, Г. В. Савицкий, P Ozga, Z. Swiatek // Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. М: АО "НПО "Орион", 2016. С. 80-82.

• Коротаев А.Г.Опыт подготовки инженерных кадров в классическом университете // Управление качеством инженерного образования. Возможности ВУЗов и потребности промышленности : тезисы докладов второй международной научно-практической конференции. Москва, 23-25 июня 2016 г. Москва, 2016. С. 238-239.

• Особливост мплантац As в МПЕ плвках CdхHg1-хTe / О. І. Фіцич, І. І. Іжнін, О. В. Войцеховський, О. Г. Коротаєв, В. С. Варавін, С. О. Дворецький, М. М. Михайлов, М. В. Якушев, О. Ю. Бончик, Г. В. Савицький, R. Jakiela, К. Минбаєв // 7-ма Українська наукова конференція з фізики напівпровідників : матеріали конференції. Кременчук, 2016. C. 332-333.

• Радиационное дефектообразование при ионной имплантации бора в эпитаксиальные пленки HG1-XCDX TE различного состава / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев, И. И. Ижнин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов // Прикладная физика. 2016. № 5. С. 27-31.

• Радиационное дефектообразование при ионной имплантации бора в эпитаксиальные пленки Hg1-xCdxTe различного состава / Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Коротаев А.Г., Коханенко А.П., Ижнин И.И., Савицкий Г.В., Бончик А.Ю., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н. // Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. М., 2016. С. 419-421.

• Электрофизические и оптические исследования дефектной структуры методом молекулярно-лучевой эпитаксии пленок CdHgTe / З. Свёнтек, П. Озга, И. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, К. Д. Мынбаев, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, А. Ю. Бончик, Г. В. Савицкий // Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59. № 3. С. 110-113.

• Effect of a boron implantation on the electrical properties of epitaxial HgCdTe with different material composition / Lyapunov D.V., Pishchagin A.A., Grigoryev D.V., Korotaev A.G., Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Iznin I.I., Dvoretskii S.A., Savytskyy H.V., Bonchik A.U., Mikhailov N.N. // Journal of Physics: Conference Series. 2016. Vol. 741. № 1. P. 012097. http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000622058

• Effect of a boron implantation on the electrical properties of epitaxial HgCdTe with different material composition / D.V. Lyapunov, A.G. Korotaev, D.V. Grigoryev //Saint-Petersburg OPEN 2016: Book of abstracts 3rd International School and Conference. St. Petersburg, Russia, 2016. P. 231-232.

• Electrical characteristics of epitaxial CMT after As+ implantation / D. V. Lyapunov, A.V. Voitsekhovskii, I. I. Iznin, A. G. Korotaev, S. A. Dvoretskii, P.L. Smirnov. // International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects: Abstracts. Tomsk, 2016. P. 276.

• Electrical and Optical Studies of Defect Structure of HgCdTe Films Grown by Molecular Beam Epitaxy / Z. Świątek, P. Ozga, I.I. Izhnin, E.I. Fitsych, A.V. Voitsekhovskii, A.G. Korotaev, K. D. Mynbaev, V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, M.V. Yakushev, A.Yu. Bonchyk, H.V. Savytsky // Russian Physics Journal. 2016. Vol. 59, № 3. P. 442-445.

• Influence of a high-frequency pulsed nanosecond diffusion discharGe in the nitrogen atmosphere on the electrical characteristics of a CdHgTe epitaxial films / Denis V. Grigoryev, Alexander Voitsekhovskii, Alexandr G. Korotaev, Dmitry V. Lyapunov, Victor F. Tarasenko, Michail A. Shulepov, Michail V. Erofeev, Vasiliiy S. Ripenko, Kirill A. Lozovoy. //International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects: Abstracts. Tomsk, 2016. P. 273.

• The features of a radiation defect formation at boron implantation in HgCdTe epitaxial films / Denis V. Grigoryev, Alexander Voitsekhovskii, Alexandr G. Korotaev, Andrey P. Kokhanenko, Igor I. Iznin, Kirill A. Lozovoy, Sergey A. Dvoretskii, Nikolay N. Mikhailov. //International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects: Abstracts. Tomsk, 2016. P. 274.

• Physics of semiconductors and dielectrics: electrical and optical studies of defect structure of CdHgTe films grown by molecular beam epitaxy / Z. Świątek, P. Ozga, I. I. Izhnin, E. I. Fitsych, A. V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, S. A. Dvoretsky, K. D. Mynbaev, V. S. Varavin, N. N Mikhailov. , M. V. Yakushev, Bonchyk, H. V. Savytsky // Russian Physics Journal. 2016. Т. 59. № 3. С. 442-445.

• Properties of arsenid-implanted CdxHg1-xTe MBE films / I. I. Izhnin, A. V. Voitseckhovskii, A. G. Korotaev, O. I. Fitsych, O. Yu. Bonchyk, H.V. Savytskyy, K. D. Mynbaev, V. S. Varavin, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, M.V. Yakushev, R. Jakiela, M. Trzyna // International Conference on Semiconductor Nanostructures for Optoelectronics and Biosensors (IC SeNOB 2016) 22-25 May 2016 : Abstract Book. 2016. P. 84.

• Properties of arsenic-implanted CdxHg1-xTe MBE structures / O. I. Fitsych, I. I. Izhnin, A. V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, O. Yu. Bonchyk, H. V. Savytskyy, K. D. Mynbaev, V.S. Varavin, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, M. V. Yakushev, Z.Swiatek , P. Ozga // 7th International scientific and technical conference «Sensor Electronics and Microsystem Technologies» (SEMST-7). Ukraine, Odessa, 2016. P. 129.

'2017

• Дефектная структура в AS имплантированных пленках CdHgTe, полученных методом МЛЭ / И. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, К. Д. Мынбаев, Ф. Ю. Бончик, Г. В. Савицкий, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев. // Фотоника 2017 : рос. конф. и шк. мол. ученых по актуальным проблемам полупродниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 11-15 сент. 2017 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2017. С. 65.

• Дефекты в имплантированных мышьяком р+n- и n+p-структурах на основе пленок CdHgTe, выращенных МЛЭ / И. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, К. Д Мынбаев. , В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, А. Ю. Бончик, Г. В. Савицкий // Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 10. С. 92-97. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000623454

• Дефекты в имплантированных AS МЛЭ структурах CdHgTe / И. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, К. Д Мынбаев. , В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, А. Ю. Бончик, Г. В. Савицкий // XIII Российская конференция по физике полупроводников : тезисы докладов. Институт физики металлов имени М.Н. Михеева УрО РАН. 2017. С. 301.

• Пат 2 609 222 С1 Российская Федерация, U1 Российская Федерация, МПК H01L31/18 . Способ определения концентрации донорного фона в структурах CdxHg1-xTe / А. В. Войцеховский, И. И. Ижнин, Д. И. Горн, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, В. С. Варавин, К. Д. Мынбаев, А. Г. Коротаев, Е. И. Фицыч , заявитель и патентообладатель Национальный исследовательский Томский государственный университет. – опубл. 31.01.2017, Бюл. № 4. – 13с.

• Defect Structure of Arsenic Implanted HgCdTe Layers by HRTEM / O. Yu. Bonchyk, H. V. Savytskyy, Z. Swiatek, Y. Morgiel, I. I. Izhnin, A.V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, O. I. Fitsych, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, M. V. Yakushev // XVI International Conference Physics and Technology of Thin Films and Nanosystems (dedicated to memory Professor Dmytro Freik) : materials. Ivano-Frankivsk, 2017. P. 270.

• Electrical characteristics of epitaxial MCT after As+ implantation / A. Voitsekhovskii, I. Izhnin, A. Korotaev, D. Lyapunov, S. Dvoretskii, P. Smirnov // Journal of Physics: Conference Series 2017. Vol. 830. № 1. P. 012083. http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000584056

• Electrical characteristics of epitaxial MCT after As+ implantation / A. Voitsekhovskii, I. Izhnin, A. Korotaev [et.al.] // Journal of Physics: Conference Series. 2017. Vol. 830. P. 012083 (1-6). URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000583442

• Influence of a high-frequency pulsed nanosecond diffusion discharge in the nitrogen atmosphere on the electrical characteristics of a CdHgTe epitaxial films./ D. Grigoryev, A. Voitsekhovskii, A. Korotaev, D. Lyapunov, K. Lozovoy, V. Tarasenko, M. Shulepov, M. Erofeev, V. Ripenko, S. Dvoretskii, N. Mikhailov // Journal of Physics: Conference. 2017.Vol. 830. № 1. P. 012082 http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000584056

• Ion etching of CdHgTe: properties, patterns and use as a method for defect studies / I. I. Izhnin, A. V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, K. D. Mynbaev, O. I. Fitsych, M. Pociask-Bialy // Opto-electronics Review. 2017. Vol. 25. № 2. P. 148-170. https://doi.org/10.1016/j.opelre.2017.03.007 ; URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000582329

• Nanosize defects in arsenic implanted HgCdTe epitaxial films / O. Yu. Bonchyk, H. V. Savytskyy , Z. Swiatek, Y. Morgiel, I. I. Izhnin, A. V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, O. I. Fitsych, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, M. V. Yakushev //International research and practice conference "Nanotechnology and nanomaterials" (NANO-2017), 23-26 august 2017 Chernivtsi : book of abstracts. Kiev, 2017. P. 544.

• Optical and electrical studies of arsenic-implanted HgCdTe films grown with molecular beam epitaxy on GaAs and Si substrates / I. I. Izhnin, A.V. Voitsekhovsky, A. G. Korotaev, О. I. Fitsych, A. Yu. Bonchyk, H. V. Savytskyy, K. D. Mynbaev, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, M. V. Yakushev, R. Jakiela. // Infrared Physics and Technology. 2017. Vol. 81. P. 52-58. https://doi.org/10.1016/j.infrared.2016.12.006 ; URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000577381

• Properties of Arsenic–Implanted HG 1-XCD XTE MBE films / I. I. Izhnin, F. V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, O. I. Fitsych, O. Yu. Bonchyk, H. V. Savytskyy, K. D. Mynbaev, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, M.V. Yakushev, R. Jakiela, M. Trzyna // EPJ Web of Conferences. 2017. Vol. 133. P. 01001 (1-4). URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000577241

2018

• Профили структурных дефектов в имплатированных мышьяком эпитаксиальных пленках CdHgTe по данным оптического отражения / А. В. Войцеховский, И. И. Ижнин, А. Г. Коротаев, К. Д. Мынбаев, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, В. Г. Ремесник, М. В. Якушев // Сборник трудов X Международной конференции "Фундаментальные проблемы оптики – 2018", Санкт-Петербург, 15-19 октября 2018. СПб., 2018. С. 389-390. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000666768

• Радиационные донорные дефекты в имплантированных As МЛЭ пленках CdHgTe / И. И. Ижнин, И. И. Сыворотка, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, К. Д. Мынбаев, В. С Варавин. , С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, В. Г. Ремесник, М. В. Якушев, Z. Świątek // XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва, Россия : труды конференции : в 2 т. М., 2018. Т. 1 : Пленарные и устные доклады. С. 241-244. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000658540

• Defects in arsenic implanted Р + –N- AND N + –P- structures based on MBE grown cdhgte films / I. I. Izhnin, E. I. Fitsych, A.V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, S. A. Dvoretsky, K. D Mynbaev. , V. S. Varavin, Mikhailov, M. V. Yakushev, A. Y. Bonchyk, H.V. Savytskyy, Z. Świątek // Russian Physics N. N. Journal. 2018. Vol. 60. № 10. P. 1752-1757. http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000634710

• Distribution profiles of radiation donor defects in arsenic-implanted HgCdTe films / A. V. Voitsekhovskii, I. I. Izhnin, I. I. Syvorotka, A. G. Korotaev, K. D. My'nbaev, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, D. V. Marin, N. N. Mikhailov, V. G. Remesnik, M. V. Yakushev // JPCS. 2018. Vol. 1115. P. 032063-1-032063-5.

• Distribution profiles of radiation donor defects in arsenic-implanted HgCdTe films / A. V. Voitsekhovskii, I. I. Izhnin, I. I. Syvorotka, A. G. Korotaev, K. D. My'nbaev, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, V. G. Remesnik, M. V. Yakushev // 6th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE 2018), 16-22 september 2018, Tomsk : abstracts. Tomsk: TPU Publishing House, 2018. P. 354. http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000659459

• Nano-size defects in arsenic-implanted HgCdTe films: a HRTEM study / A. Y. Bonchik, H. V. Savytskyy, Z. Swiatek, Y. Morgiel, I. I. Izhnin, A. V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, K. D. Mynbaev, O. I Fitsych. , V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, D. V. Marin, M. V. Yakushev //Appl. Nanosci. 2018. № in press. P. 1-6. URL: https://link.springer.com/content/pdf/10.1007%2Fs13204-018-0679-y.pdf (date of access: 12.10.2018).

• Profiles of radiation donor defects distribution in HgCdTe epitaxial films implanted with arsenic / I. I. Izhnin, K. D. My'nbaev, O. I. Fitsych, A.V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, O. Yu. Bonchyk, H. V. Savytskyy, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, V. G. Remesnik, V. S. Varavin, M. V. Yakushev // 8-ма Украiнска наукова конференцiя з фiзики напiвпровiдникiв : матерiали конференцii (УНКФН-8), Ужгород, 2-4 жовтня 2018. Кн. 2. Ужгород: ТОВ "Piк-У", 2018. P. 327-328.

• Radiation donor defect profiles in arsenic-implanted HgCdTe film / O. I. Fitsych, I. I. Izhnin, A. V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, O. Yu. Bonchyk, H.V. Savytskyy, K. D. My'nbaev, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, V. G. Remesnik, M. V. Yakushev //Сенсорна елелктронiка та мiлросистемнi технологii (CEMCT-8) (з виставкою разборок та промислових зразкiв сенсорiв), 8-ма Мiжнародна науково-технiчна конференцiя : тези доповiдей. Oдеса: Астропринт, 2018. P. 174.

• Transmission Electron Microscopy Study of HgTe/CdHgTe Quantum Wells / I. I. Izhnin, O. Yu. Bonchyk, H. V. Savytskyy, Z. Swiatek, Y.Morgiel , A. V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, N. N. Mikhailov, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, K. D. Mynbaev, O. I. Fitsych //Proceedings of the 2018 IEEE 8th International Conference on Nanomaterials: Applications & Properties (NAP-2018) Part 2. Sumy: Sumy State University, 2018. P. 02PN05-1-02PN05-4.

• Srucrural defects study of HgTe/CdHgTe quantum wells / O. Yu. Bonchyk, H. V. Savytskyy, Z. Swiatek, Y. Morgiel, I. I. Izhnin, A. V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, O. I. Fitsych, K. D. My'nbaev, N. N. Mikhailov, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky //International research and practice conference "Nanotechnology and nanomatherials" (NANO-2018), 27-30 august 2018, Kyiv : abstract book. Kiev: SME Burlaka, 2018. P. 710.

2019

• Активационный отжиг имплантированных As МЛЭ структур CdHgTe / И. И. Ижнин, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, К. Д. Мынбаев, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, А. Ю. Бончик, Г. В. Савицкий // XIV Российская конференция по физике полупроводников "Полупроводники-19", 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Ч. 2. М.: Перо, 2019. С. 324.

• Локализация и природа радиационных донорных дефектов в имплантированных мышьяком МЛЭ пленках CdHgTe / И. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, К. Д. Мынбаев, К. Р. Курбанов, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, В. Г. Ремесник, М. В. Якушев, А. Ю. Бончик, Г. В. Савицкий, Z. Swiatek, J. Morgiel //Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 1-4 октября 2019 г. : сборник трудов конференции. Томск, 2019. С. 375-377.

• Радиационные донорные дефекты в имплантированных As пленках МЛЭ CdHgTe: пространственное распределение и природа / А. Г. Коротаев, И. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, А. В. Войцеховский, К. Д. Мынбаев, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, В. Г. Ремесник, М. В. Якушев, А. Ю. Бончик, Г. В. Савицкий, Y. Morgiel, Z. Swiatek // Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2019. С. 57.

• Термические отжиги имплантированных мышьяком МЛЭ пленок CdHgTe / И. И. Ижнин, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, К. Д. Мынбаев, А. Ю. Бончик, Г. В. Савицкий, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, В. Г. Ремесник, М. В. Якушев, Y. Morgiel, Z. Swiatek // Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2019. С. 177.

• Arsenic-ion implantation-induced defects in HgCdTe films studied with Hall-effect measurements and mobility spectrum analysis / I. I. Izhnin, K. D. Mynbaev, A. V. Voitsekhovsky, A. G. Korotaev, I. I. Syvorotka, O. I. Fitsych, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, V. G. Remesnik, M. V. Yakushev, Z. Swiatek, J. Morgiel, O. Yu. Bonchyk, H. V. Savytskyy // Infrared Physics and Technology. 2019. Vol. 98. P. 230-235. https://doi.org/10.1016/j.infrared.2019.03.019

• Admittance studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing / A. G. Korotaev, A. V. Voitsekhovskii, I. I. Izhnin, K. D. Mynbaev, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, M.V. Yakushev, G. Yu. Sidorov // The 21st international conference on surface modification of materials by lon beams. SMMIB-2019, 25-30 august 2019, Tomsk : abstract book. Tomsk, 2019. P. 147.

• Effect of annealing on the structural properties of arsenic-implanted mercurycadmium telluride / I. I. Izhnin, O. I. Fitsych, Z. Swiatek, Y. Morgiel, O. Yu. Bonchyk, H. V. Savytskyy, K. D. Mynbaev, A. V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, M. V. Yakushev, D. V. Marin, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky //Opto-Electronics Review. 2019. Vol. 27, № 1. P. 14-17. https://doi.org/10.1016/j.opelre.2019.01.002

• Electrical profiling of arsenic-implanted HgCdTe films performed with discrete mobility spectrum analysis / I. I. Izhnin, I. I. Syvorotka, O. I. Fitsych, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, D. V. Marin, N. N. Mikhailov, V. G. Remesnik, M. V. Yakushev, K. D. Mynbaev, A. V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev // Semiconductor Science and Technology. 2019. Vol. 34, № 3. P. 035009-1-035009-7. http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000659942

•	Influence of composition of Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.57) epitaxial film on dynamics of accumulation and spatial distribution of electrically active radiation defects after boron implantation / A. V. Voitsekhovskii, D. V. Grigoryev, A. G. Korotaev, A. P. Kokhanenko, K. A. Lozovoy, I. I. Izhnin, H. V. Savytskyy, O. Yu. Bonchyk, S. A. Dvoreckij, N. N. Mikhailov, V. S. Varavin, M. V. Yakushev  // Materials Research Express. 2019. Vol. 6, № 7. P. 075912-1-075912-8. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000659946

• Hall effect studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing / A. G. Korotaev, I. I. Izhnin, A.V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh, O. I. Fitsych, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, M. V. Yakushev, O.Yu. Bonchyk, H.V. Savytskyy, Z. Swiatek, J. Morgiel // The 21st international conference on surface modification of materials by lon beams. SMMIB-2019, 25-30 august 2019, Tomsk : abstract book. Tomsk, 2019. P. 148.

• Kinetics of formation of nanostructures by Frank-van der Merwe, Volmer-Weber and Stranski-Krastanow growth modes / A. G. Korotaev, K. A. Lozovoy, A. P. Kokhanenko, A. V. Voitsekhovskii // The 21st international conference on surface modification of materials by lon beams. SMMIB-2019, 25-30 august 2019, Tomsk : abstract book. Tomsk, 2019. P. 149.

• Nano-size defect layers in arsenic-implanted and annealed HgCdTe epitaxial films studied with transmission electron microscopy / O. Yu. Bonchyk, H. V. Savytskyy, I. I. Izhnin, K. D. Mynbaev, I. I. Syvorotka, A. G. Korotaev, A. V. Voitsekhovsky, O. I. Fitsych, V. S. Varavin, D. V. Marin, N. N. Mikhailov, M. V. Yakushev, Z. Swiatek, J. Morgiel, R. Jakiela // Applied Nanoscience. 2019. №9. P.725-730. doi:10.1007/s13204-018-0679-y

• Nanosize defect layers in arsenic-implanted and annealed HgCdTe epitaxial films studied with TEM / O.Yu. Bonchyk, H. V. Savytskyy, I. I. Izhnin, K. D. Mynbaev, A. G. Korotaev, A. V. Voitsekhovskii, O. I. Fitsych, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, M.V. Yakushev, Y. Morgiel, Z. Swiatek // International research and practice conference "Nanotechnology and nanomaterials" (NANO-2019) : abstract book, 27-30 august 2019, Lviv. Kiev: LLC "Computer-publishing, information center", 2019. P. 493.

• TEM studies of structural defects in HgTe/HgCdTe quantum wells. / Bonchyk, O.Y., Savytskyy, H.V., Swiatek, Z. , Y. Morgiel , I. I. Izhnin, A. V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, K. D. Mynbaev, O. I. Fitsych, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, M. V. Yakushev // Applied Nanoscience. 2019. 10 September. doi:10.1007/s13204-019-01142-x

• The relaxation of electrophysical properties HgCdTeepitaxial films affected by plasma of high frequency nanosecond volume discharge in atmospheric-pressure air / A. G. Korotaev, D. V. Grigoryev, A. V. Voitsekhovskii, K. A. Lozovoy, V. F. Tarasenko, V. S. Ripenko, M. A. Shulepov, M. V. Erofeev, M. V. Yakushev, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov // The 21st international conference on surface modification of materials by lon beams. SMMIB-2019, 25-30 august 2019, Tomsk : abstract book. Tomsk, 2019. P. 150.

2020

• Kinetics of epitaxial formation of nanostructures by Frank-van der Merwe, Volmer-Weber and Stranski-Krastanow growth modes / A. G. Korotaev, K. А. Lozovoy, A. P. Kokhanenko, V. V. Dirko, A. V. Voitsekhovskii // Surface and Coatings Technology. 2020. Vol. 384. P. 125289-1-125289-5. https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2019.125289

Литература о трудах и деятельности

Ссылки

Анализ публикационной активности (РИНЦ)

Цитирование в Scopus

Электронная библиотека ТГУ

Электронный каталог ТГУ

Библиография