Филонов, Николай Григорьевич — различия между версиями
Admin (обсуждение | вклад) м (BOT: Changing page text) |
Nikitin (обсуждение | вклад) |
||
| (не показаны 3 промежуточные версии 1 участника) | |||
| Строка 26: | Строка 26: | ||
=<span style="color:#0000FF">Биографическая справка</span>= | =<span style="color:#0000FF">Биографическая справка</span>= | ||
=<span style="color:#0000FF">Хронологический список работ</span>= | =<span style="color:#0000FF">Хронологический список работ</span>= | ||
| + | |||
| + | '''1978''' | ||
| + | |||
| + | • Вяткин А. П. Влияние глубоких центров на свойства диодов с барьером Шоттки на арсениде галлия / А. П. Вяткин, Н. К. Максимова, Н. Г. Филонов // Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 года : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева, Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Э. Н. Мельченко]. Томск : [б. и.], 1978. С.87-88. | ||
| + | |||
| + | '''1982''' | ||
| + | |||
| + | • Влияние связанных с дефектами глубоких центров на свойства контактов металл-арсенид галлия / А. П. Вяткин, Н. К. Максимова, А. М. Мисик, Л. Ю. Потахова, И. Д. Романова, Н. Г. Филонов // Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Гаман В. И.]. Томск, 1982. С. 181-183. | ||
| + | |||
| + | • Вяткин А. П. Резонансное туннелирование в диодах Шоттки, содержащих глубокие центры / А. П. Вяткин, Н. К. Максимова, Н. Г. Филонов // Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Гаман В. И.]. Томск, 1982. С. 179-181. Библиогр.: 4 назв. | ||
| + | |||
| + | • Максимова Н. К. Исследование структур с барьером шоттки на арсениде галлия, ионноимплантированном кислородом / Н. К. Максимова, И. Д. Романовап, Н. Г. Филонов // Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Гаман В. И.]. Томск, 1982. С. 191-193. | ||
| + | |||
=<span style="color:#0000FF">Литература о трудах и деятельности</span>= | =<span style="color:#0000FF">Литература о трудах и деятельности</span>= | ||
=<span style="color:#0000FF">Ссылки</span>= | =<span style="color:#0000FF">Ссылки</span>= | ||
| Строка 31: | Строка 44: | ||
[http://chamo.lib.tsu.ru/search/query?match_1=MUST&field_1=a&term_1=%D0%A4%D0%B8%D0%BB%D0%BE%D0%BD%D0%BE%D0%B2%2C%20%D0%9D%D0%B8%D0%BA%D0%BE%D0%BB%D0%B0%D0%B9%20%D0%93%D1%80%D0%B8%D0%B3%D0%BE%D1%80%D1%8C%D0%B5%D0%B2%D0%B8%D1%87 Электронный каталог НБ ТГУ] | [http://chamo.lib.tsu.ru/search/query?match_1=MUST&field_1=a&term_1=%D0%A4%D0%B8%D0%BB%D0%BE%D0%BD%D0%BE%D0%B2%2C%20%D0%9D%D0%B8%D0%BA%D0%BE%D0%BB%D0%B0%D0%B9%20%D0%93%D1%80%D0%B8%D0%B3%D0%BE%D1%80%D1%8C%D0%B5%D0%B2%D0%B8%D1%87 Электронный каталог НБ ТГУ] | ||
| − | |||
| − | |||
Текущая версия на 10:31, 21 декабря 2023
| Филонов Николай Григорьевич | |
| Место работы: |
Томский государственный университет. Факультет инновационных технологий, кафедра управления качеством, Профессор. |
|---|---|
Содержание
Биографическая справка
Хронологический список работ
1978
• Вяткин А. П. Влияние глубоких центров на свойства диодов с барьером Шоттки на арсениде галлия / А. П. Вяткин, Н. К. Максимова, Н. Г. Филонов // Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 года : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева, Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Э. Н. Мельченко]. Томск : [б. и.], 1978. С.87-88.
1982
• Влияние связанных с дефектами глубоких центров на свойства контактов металл-арсенид галлия / А. П. Вяткин, Н. К. Максимова, А. М. Мисик, Л. Ю. Потахова, И. Д. Романова, Н. Г. Филонов // Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Гаман В. И.]. Томск, 1982. С. 181-183.
• Вяткин А. П. Резонансное туннелирование в диодах Шоттки, содержащих глубокие центры / А. П. Вяткин, Н. К. Максимова, Н. Г. Филонов // Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Гаман В. И.]. Томск, 1982. С. 179-181. Библиогр.: 4 назв.
• Максимова Н. К. Исследование структур с барьером шоттки на арсениде галлия, ионноимплантированном кислородом / Н. К. Максимова, И. Д. Романовап, Н. Г. Филонов // Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Гаман В. И.]. Томск, 1982. С. 191-193.
