Содержание

1 Биографическая справка
2 Хронологический список работ
3 Литература о трудах и деятельности
4 Ссылки

Биографическая справка

Борисенко Сергей Иванович
	Борисенко Сергей Иванович
Место работы:	Томский государственный университет, Радиофизический факультет, кафедра полупроводниковой электроники, профессор
Учёная степень:	доктор физико-математических наук
Учёное звание:	доцент

Борисенко Сергей Иванович после окончания с золотой медалью средней школы № 6 им. И. З. Шуклина в Горно-Алтайске в 1968 году поступил на физический факультет Томского государственного университета (ТГУ). Окончил университет в 1973 году по специальности «физика» с квалификацией «физик». С 1973 года – мл. научный сотрудник, в 1986-2004 – научный сотрудник лаборатории теоретической физики Сибирского физико-технического института при ТГУ. Одновременно с 2000 года – доцент кафедры полупроводниковой электроники ТГУ, С 2004 года – доцент кафедры теоретической и экспериментальной физики Томского политехнического университета. По совместительству с 2005 года – профессор кафедры полупроводниковой электроники радиофизического факультета ТГУ.

Курсы, читаемые в ТГУ: «Оптические свойства полупроводников», «Основы наноэлектроники».

Научная деятельность связана с изучением электрических и оптических свойств наноразмерных полупроводниковых структур, низкоразмерных полупроводниковых гетероструктур – квантовых ям и сверхрешеток. Автор более 50 научных работ.

Борисенко С. М., доктор физико-математических наук, профессор, награжден Почетной грамотой Минобрнауки Российской Федерации (2011).

Хронологический список работ

1976

• Караваев Г. Ф. Зонный спектр и оптическое поглощение в n-CdSnAs2 / Г. Ф. Караваев, С. И. Борисенко // Всесоюзная конференция «Тройные полупроводники и их применение» : тезисы докладов. Кишинев, 1976. С. 59-62.

1978

• Караваев Г. Ф. Зонный спектр и оптическое поглощение в n-CdSnAs2 / Г. Ф. Караваев, С. И. Борисенко // Известия высших учебных заведений. Физика. 1978. № 6. С. 28

• Karavaev G. F. Band spectrum and optical absorption in n-CdSnAs2 / G. F. Karavaev, S. I. Borisenko // Soviet Physics Journal. 1978. Vol. 21, № 6. P. 712–717.

1979

• Исследование электронного и фононного спектров некоторых тройных полупроводниковых соединений / В. А. Чалдышев, Г. Ф. Караваев, В. Г. Тютерев, С. И. Борисенко, Л. А. Брыснева, Н. А. Захаров, С. И. Скачков // Всесоюзная конференция «Тройные полупроводники и их применение» : тезисы докладов, 8-10 октября 1979 г. Кишинев, 1979. С. 34-36.

1982

• Борисенко С. И. Механизмы рассеяния носителей заряда в полупроводниках с решеткой халькопирита / С. И. Борисенко, Г. Ф. Караваев, В. Г. Тютерев // Физика и техника полупроводников. 1982. Т. 16, № 3. С. 432-439.

• Борисенко С. И. Энергетический спектр и оптическое поглощение в p-CdGeAs2 / С. И. Борисенко, Г. Ф. Караваев // Известия высших учебных заведений. Физика. 1982. № 1. С. 68-72.

• Караваев Г. Ф. Энергетический спектр и внутризонное оптическое поглощение в p-CdGeAs2 / Г. Ф. Караваев, С. И. Борисенко // Методы расчета энергетической структуры и физических свойств кристаллов : материалы 2 Всесоюзной конференции. Киев, Наукова Думка. 1982. С. 220-225.

• Borisenko S. I. Energy spectrum and optical absorption in p-CdGeAs2 / S. I. Borisenko, G. F. Karavaev // Soviet Physics Journal. 1982. Vol. 25, № 1. P. 65–68.

1983

• *Взаимодействие электронов с длинноволновыми оптическими фононами в полупроводниках с решеткой халькопирита / С. И. Борисенко, С. И. Скачков, В. Г. Тютерев // Одиннадцатое совещание по теории полупроводников : тез. докл. Ужгород, 1983. С. 87-88.

• Рассеяние электронов на пьезоэлектрическом потенциале оптических фононов в n -CdGeAs2 / С. И. Борисенко, Г. Ф. Караваев, С. И. Скачков, В. Г. Тютерев // Физика и техника полупроводников. 1983. Т. 17, № 12. С. 2198–2201.

1986

• Анализ температурной зависимости дрейфовой подвижности дырок в CdGeAs2 / С. И. Борисенко, Г. Ф. Караваев, С. И. Скачков, В. Г. Тютерев // Физика и техника полупроводников. 1986. Т.20, №7. С. 1214-1217.

• Борисенко С. И. Анализ некоторых оптических и электрических свойств тройных алмазоподобных полупроводников A2 B4 C52 : автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Борисенко Сергей Иванович ; Том. гос. ун-т. - Томск : [б. и.], 1986. – 14 с.

• Борисенко С. И. Анализ некоторых оптических и электрических свойств тройных алмазоподобных полупроводников A2 B4 C52 : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Борисенко Сергей Иванович ; науч. рук. Караваев Г. Ф. ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова при Том. гос. ун-те им. В. В. Куйбышева. - Томск : [б. и.], 1986. - 136 л.: ил.

1988

• Борисенко С. И. Анизотропия акустического рассеяния дырок в кристаллах А2В4С5 с решеткой халькопирита / С. И. Борисенко, Г. Ф. Караваев // Известия высших учебных заведений. Физика. 1988. № 5. С. 117-119.

• Борисенко С. И. Оценка эффективных масс электронов и дырок в полупроводниках А2В4С5 / С. И. Борисенко, Г. Ф. Караваев // Известия высших учебных заведений. Физика. 1988. № 4. С. 101-103.

1990

• Brudnyi V. N. Electrical and optical properties and fermi level pinning in electron irradiated ZnSnAs2 / V. N. Brudnyi, S. I. Borisenko, A. I. Potapov // Physica status solidi (a). 1990. Vol. 118, iss. 2. P. 505-511.

1998

• Борисенко С. И. Численный анализ продольного электрического тока при резонансном протекании в сверхрешетке n-GaAs/AlXGa1-xAs с легированными квантовыми ямами / С. И. Борисенко, Г. Ф. Караваев // Физика и техника полупроводников. 1998. Т. 32, № 5. С. 607-612.

• Электропроводность полупроводниковых сверхрешеток : методическая разработка / С. И. Борисенко; Томский гос. ун-т. - Томск, 1998. - 36 с.: ил.

• Borisenko S. I. Numerical analysis of the longitudinal electric current during resonance current flow in n-GaAs/AlXGa1-xAs superlattice with doped quantum wells / S. I. Borisenko, G. F. Karavaev // Semiconductors. 1998. Vol. 32, № 5. P. 544-548.

1999

• Борисенко С. И. Анализ механизмов рассеяния электронов в сверхрешетке GaAs/AlxGa1-xAs с легированными квантовыми ямами при продольном резонансном токопереносе в области сильных электрических полей и низких температур / С. И. Борисенко, Г. Ф. Караваев // Физика и техника полупроводников. 1999. Т. 33, № 4. С. 438-444.

• Борисенко С. И. Время релаксации импульса и температурная зависимость подвижности электронов в полупроводниковых сверхрешетках из слабо взаимодействующих квантовых ям // Физика и техника полупроводников. 1999. Т. 33, № 10. С. 1240-1245.

• Борисенко С. И. Численный анализ резонансного значения продольного тока в сверхрешетке типа GaAs/AlxGa1-xAs со слабо взаимодействующими квантовыми ямами / С. И. Борисенко // Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП. Томск, 1999. С. 91-92.

• Интерференционные эффекты при туннелировании электронных волн в квантовых гетероструктурах и перспективы их использования : методическая разработка / сост. С. И. Борисенко; Томский гос. ун-т. - Томск, 1999. - 29 с.: рис.

• Borisenko S. I. Momentum relaxation time and temperature dependence of electron mobility in semiconductor superlattices consisting of weakly interacting quantum wells / S.I. Borisenko, G. F. Karavaev // Semiconductors. 1999. Vol. 33, № 10. P. 1128-1132.

• Borisenko S. I. Low-dimensional systems: analysis of mechanisms for electron scattering in GaAs/AlxGa1-xAs superlattices with doped quantum wells for longitudinal resonant current flow in high electric fields and at low temperatures / S.I. Borisenko, G.F. Karavaev // Semiconductors. 1999. Vol. 33, № 4. P. 423-428.

2001

• Анализ температурной зависимости подвижности электронов в монокристаллах CdGeAs2 / С. И. Борисенко, В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, В. Г. Тютерев // Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35, № 6. С. 720-724.

• Борисенко С. И. Анализ температурной зависимости концентрации электронов в монокристаллах CdGeAs2 // Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35, № 10. С. 1175-1177.

• Борисенко С. И. Особенности неравновесной функции распределения при рассеянии электронов на полярных оптических фононах в полупроводниках AIIIBV // Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35, № 3. С. 313-316.

• Borisenko S.I. An analysis of the temperature dependence of the electron mobility in the CdGeAs2 single crystals / S. I. Borisenko, V. G. Tyuterev, V. Yu. Rud', Yu. V. Rud' // Semiconductors. 2001. Vol. 35, № 6. P. 690-694.

• Borisenko S.I. Analysis of the temperature dependence of electron concentration in CdGeAs2 single crystals // Semiconductors. 2001. Vol. 35, № 10. P. 1123-1125.

• Borisenko S.I. Specific features of the nonequilibrium distribution function for electron scattering by polar optical phonons in III - V semiconductors // Semiconductors. 2001. Vol. 35, № 3. P. 298-301.

2002

• Борисенко С. И. Анализ неупругого рассеяния квазидвумерных электронов сверхрешетки на акустических фононах с учетом дисперсии минизоны // Физика и техника полупроводников. 2002. Т. 36, № 12. С. 1445-1448.

• Борисенко С. И. Влияние параметров сверхрешетки типа GaAs/AlxGa1-xAs на акустическое рассеяние квазидвумерных электронов / С. И. Борисенко // Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции. Томск, 2002. С. 137-139.

• Борисенко С. И. Зависимость акустического рассеяния квазидвумерных электронов от параметров сверхрешетки типа GaAs/AlxGa1-xAs // Физика и техника полупроводников. 2002. Т. 36, № 10. С. 1237-1240.

• Борисенко С. И. Расчет низкополевой подвижности квазидвумерных электронов сверхрешетки GaAs/Al0.36Ga0.64As в области температуры 77 K // Физика и техника полупроводников. 2002. Т. 36. № 7. С. 861-868.

• Analysis of the temperature dependence of electron mobility in CdGeAs2 single crystals / S. I. Borisenko, V. G. Tyuterev, V. Yu. Rud, Yu. V. Rud // Semiconductor Science and Technology. 2002. Vol. 17, № 10. P. 1128-1132.

• Borisenko S. I. Analysis of inelastic scattering of quasi-two-dimensional electrons of a superlattice by acoustic phonons with allowance made for the miniband dispersion / Semiconductors. 2002. Vol. 36, № 12. P. 1360-1363.

• Borisenko S. I. Calculation of the low-field mobility of quasi-two-dimensional electrons in a GaAs/Al0.36Ga0.64As superlattice at temperatures in the region of 77 K // Semiconductors. 2002. Vol. 36, № 7. P. 808-815.

• Borisenko S. I. Dependence of scattering of quasi-two-dimensional electrons by acoustic phonons on the parameters of a GaAs/AlxGa1-xAs superlattice // Semiconductors. 2002. Vol. 36, № 10. P. 1159-1162.

2003

• Борисенко С. И. Влияние дисперсии минизоны на неупругое рассеяние электронов сверхрешетки акустическими фононами // Известия высших учебных заведений. Физика. 2003. Т. 46, № 3. С. 41-47.

• Борисенко С. И. Влияние ширины минизоны на время релаксации электронов сверхрешетки при рассеянии на ионах примеси // Известия высших учебных заведений. Физика. 2003. Т. 46, № 5. С. 84-89.

• Борисенко С. И. Дисперсия времени релаксации квазидвумерных электронов при рассеянии на ионах примеси в сверхрешетке с легированными квантовыми ямами // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37, № 5. С. 588-591.

• Борисенко С. И. Зависимость ширины основной ширины минизоны сверхрешетки с прямоугольными квантовыми ямами от конструктивных параметров // Известия высших учебных заведений. Физика. 2003. Т. 46, № 10. С. 67-70.

• Борисенко С. И. Рассеяние квазидвумерных электронов сверхрешетки GaAs/AlxGa1-xAs на полярных оптических фононах в модели диэлектрического континуума // Известия высших учебных заведений. Физика. 2003. Т. 46, № 12. С. 40-47.

• Борисенко С. И. Рассеяние квазидвумерных электронов на фононах в сверхрешетке // Современные проблемы физики и высокие технологии. Томск : Изд-во НТЛ, 2003. С. 60-61.

• Борисенко С. И. Рассеяние электронов на ионах примеси при низких температурах в сверхрешетке с легированными квантовыми ямами // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37, № 9. P. 1117-1122.

• Borisenko S. I. A Ground Miniband Width of a Superlattice with Rectangular Quantum Wells versus Constructive Parameters // Russian Physics Journal. 2003. Vol. 46, № 10. P. 1034–1036.

• Borisenko S. I. Dispersion of the relaxation time of quasi-two-dimensional electrons under conditions of ionized-impurity scattering in a superlattice with doped quantum wells // Semiconductors. 2003. Vol. 37, № 5. P. 569-572.

• Borisenko S. I. Effect of Miniband Dispersion on Inelastic Scattering of Superlattice Electrons by Acoustic Phonons // Russian Physics Journal. 2003. Vol. 46, № 3. P. 262–269.

• Borisenko S. I. Influence of the Miniband Width on the Relaxation Time of Superlattice Electrons Scattered by Impurity Ions // Russian Physics Journal. 2003. Vol. 46, № 5. P. 526–531.

• Borisenko S. I. Scattering of electrons at impurity ions at low temperatures in a superlattice with doped quantum wells // Semiconductors. 2003. Vol. 37, № 9. P. 1093-1099.

• Borisenko S. I. Scattering of Quasi-Two-Dimentional Electrons of the GaAs/Al x Ga1–x As Superlattice by Polar Optical Phonons in the Dielectric Continuum Model // Russian Physics Journal. 2003. Vol. 46, № 12. P. 1227–1236.

2004

• Борисенко С. И. Анализ особенностей оптических и электрических свойств сложных алмазоподобных полупроводников и гетероструктур на их основе : автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. 01.04.10 / Том. гос. ун-т. - Томск, 2004. - 32 с.: ил.. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000189130

• Борисенко С. И. Анализ особенностей оптических и электрических свойств сложных алмазоподобных полупроводников и гетероструктур на их основе : диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических структур. 01.04.10 / Борисенко Сергей Иванович ; науч. конс. Г. Ф. Караваев ; Том. гос. ун-т, Сиб. физ. -техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова. - Томск : б. и., 2004. - 192 л.: ил.

• Борисенко С. И. Рассеяние квазидвумерных электронов сверхрешетки GaAs/AlxGa1-xAs на фононах // Физика и техника полупроводников. 2004. Vol. 38, № 2. С. 207-212.

• Борисенко С. И. Влияние размерного квантования спектра акустических фононов на рассеяние электронов в сверхрешетке GaAs/AlxGa1-xAs // Физика и техника полупроводников. 2004. Т. 38, № 7. С. 858-863.

• Borisenko S. I. Phonon scattering of quasi-two-dimensional electrons in GaAs/AlxGa1-xAs superlattices // Semiconductors. 2004. Vol. 38, № 2. P. 202-208.

• Borisenko S. I. The effect of acoustic phonon confinement on electron scattering in GaAs/AlxGa1-xAs superlattices // Semiconductors. 2004. Vol. 38, № 7. P. 824-829.

2006

• Борисенко С. И. Анализ рассеяния электронов на ионах примеси в сверхрешетке типа GaAs/AlxGa1-xAs / С. И. Борисенко // Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции. Томск, 2006. С. 314-317

2011

• Борисенко С. И. Физика полупроводниковых наноструктур : учебно-методический комплекс / C. И. Борисенко, Ю. В. Вячистая ; Том. гос. ун-т, [Ин-т дистанционного образования]. - Томск : [ИДО ТГУ], 2011. - . URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000427308

2012

• Ревинская О. Г. Методика экспериментального изучения аномальной дисперсии света в полупроводниках в курсе общей физики и ее реализация на компьютере / О. Г. Ревинская, С. И. Борисенко, Н. С. Кравченко // Фундаментальные исследования. 2012. № 6-2. С. 382-387.

• Ревинская О. Г. Модель экспериментального изучения аномальной дисперсии в полупроводниках и ее реализация на компьютере / О. Г. Ревинская, С. И. Борисенко, Н. С. Кравченко // Учебная физика. 2012. № 1. С. 22-31.

2016

• Борисенко С. И. Зависимость подвижности от концентрации электронов при рассеянии на полярных оптических фононах в нитридах AIIIN // Физика и техника полупроводников. 2016. Т. 50, № 4. С. 438-440.

• Borisenko S. I. Dependence of mobility on the electron concentration upon scattering at polar optical phonons in AIII–N nitrides // Semiconductors. 2016. Vol. 50, № 4. P. 432-434.