Вилисова, Мария Дмитриевна

Материал из НБ ТГУ
Версия от 10:25, 9 апреля 2020; Polovtseva (обсуждение | вклад) (Ссылки)
(разн.) ← Предыдущая | Текущая версия (разн.) | Следующая → (разн.)
Перейти к: навигация, поиск
Вилисова Мария Дмитриевна
Место работы:

Томский государственный университет. Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", лаборатория физики полупроводников, старший научный сотрудник.



Биографическая справка

Хронологический список работ

1978

Локальные примесные неоднородности в автоэпитаксиальных слоях арсенида галлия / М. Д. Вилисова, Л. Г. Лаврентьева, Л. П. Пороховниченко, А. Н. Дорохов, А. И. Сапрыкин // V Симпозиум по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок, г. Новосибирск, 6-8 июня 1978 года : тезисы докладов / Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние Акад. наук СССР, Ин-т неогран. химии, Ин-т физики полупроводников [и др. ; отв. за вып. Ф. А. Кузнецов]. Новосибирск, 1978. С. 201.

1982

• Исследование S - диодов на основе эпитаксиальных структур GaAs:Fe / О. П. Толбанов, С. С. Хлудков, М. Д. Вилисова, Г. М. Иконникова // Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Гаман В. И.]. Томск, 1982. С. 150-151.

• Лаврентьева Л. Г. Физико-химические закономерности легирования арсенида галлия при газофазовой эпитаксии / Л. Г. Лаврентьева, М. Д. Вилисова // Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Гаман В. И.]. Томск, 1982. С. 81.

• Определение положения π -ν перехода в эпитаксиальных структурах арсенида галлия, легированных железом / Н. А. Чернов, М. Д. Вилисова, Н. Н. Бакин, О. М. Асанов // Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Гаман В. И.]. Томск, 1982. С. 91-92. Библиогр.: 3 назв.

• Электрофизические свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия, легированных железом / М. Д. Вилисова, Г. М. Иконникова, Л. Г. Лаврентьева, В. А. Московкин, А. К. Серикова, В. Б. Ябжанов // Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Гаман В. И.]. Томск, 1982. С. 83-84.

• Ябжанов В. Б. Термодинамический анализ переноса хрома при легировании из Cr (CO)6 эпитаксиальных слоев GaAs в системе Ga-AsCl3-H2 / В. Б. Ябжанов, М. Д. Вилисова, М. П. Рузайкин // Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Гаман В. И.]. Томск, 1982. С. 90-91.

Литература о трудах и деятельности

Ссылки

Электронная библиотека НБ ТГУ

Электронный каталог НБ ТГУ