Гаман, Василий Иванович — различия между версиями
Dolgina (обсуждение | вклад) |
Dolgina (обсуждение | вклад) (→Биографическая справка) |
||
| Строка 26: | Строка 26: | ||
=<span style="color:#0000FF">Биографическая справка</span>= | =<span style="color:#0000FF">Биографическая справка</span>= | ||
| + | |||
| + | ГАМАН Василий Иванович родился 21 февраля 1929 г. в с. Андреевка Любинского района Омской области. После окончания Омской школы № 19 поступил на физико-математический факультет Томского государственного университета, окончив его в 1952 г. по специальности «физика». С 1952 г. – ассистент, с 1961 г. – доцент кафедры общей физики, с 1 сентября 1964 г. по 1 декабря 2000 г. – заведующий кафедрой полупроводников и диэлектриков (с 1983 г. – кафедра полупроводниковой электроники), с 1 декабря – профессор кафедры. Являлся деканом радиофизического факультета с 1 марта 1970 по 21 ноября 1973 г. | ||
| + | |||
| + | Учебные курсы, читаемые Гаманом В. И. в ТГУ: общая физика, физика твердого тела, физика полупроводников, физика полупроводниковых приборов, твердотельная электроника и спецкурсы «Физика МДП-структур и приборов на их основе», «Избранные главы физики полупроводниковых приборов», «Кинетические явления в полупроводниках». | ||
| + | |||
| + | Научная деятельность Гамана В. И. связана с физикой диэлектриков, полупроводников, полупроводниковой электроникой. Одно из направлений его деятельности − исследование электронных процессов в оксидных и халькогенидных стеклообразных полупроводниках и тонкопленочных структурах металл − стеклообразный полупроводник – германий (кремний, арсенид галлия). Основное внимание уделялось изучению механизмов переноса заряда и природы эффектов переключения и памяти. По результатом научной работы Гаманом В. И. опубликовано более 180 работ в отечественных и зарубежных журналах, в трудах конференций, получено 15 авторских свидетельств и патентов на изобретения. | ||
| + | |||
| + | Гаман В. И., доктор физико-математических наук, профессор, Почетный работник высшего профессионального образования Российской федерации (1997), Заслуженный профессор ТГУ (2004). Награжден орденом «Знак Почета», медалями «За доблестный труд. В ознаменование 100-летия со дня рождения Владимира Ильича Ленина», «Ветеран труда», «За заслуги перед Томским гос. университетом», значком Минвуза СССР «За отличные успехи в работе». | ||
| + | |||
=<span style="color:#0000FF">Хронологический список работ</span>= | =<span style="color:#0000FF">Хронологический список работ</span>= | ||
=<span style="color:#0000FF">Литература о трудах и деятельности</span>= | =<span style="color:#0000FF">Литература о трудах и деятельности</span>= | ||
Версия 18:49, 2 ноября 2012
| Гаман Василий Иванович | |
| Место работы: |
Томский государственный университет, Радиофизический факультет, кафедра полупроводниковой электроники, профессор |
|---|---|
| Учёная степень: |
доктор физико-математических наук |
| Учёное звание: |
профессор |
Содержание
[убрать]Биографическая справка
ГАМАН Василий Иванович родился 21 февраля 1929 г. в с. Андреевка Любинского района Омской области. После окончания Омской школы № 19 поступил на физико-математический факультет Томского государственного университета, окончив его в 1952 г. по специальности «физика». С 1952 г. – ассистент, с 1961 г. – доцент кафедры общей физики, с 1 сентября 1964 г. по 1 декабря 2000 г. – заведующий кафедрой полупроводников и диэлектриков (с 1983 г. – кафедра полупроводниковой электроники), с 1 декабря – профессор кафедры. Являлся деканом радиофизического факультета с 1 марта 1970 по 21 ноября 1973 г.
Учебные курсы, читаемые Гаманом В. И. в ТГУ: общая физика, физика твердого тела, физика полупроводников, физика полупроводниковых приборов, твердотельная электроника и спецкурсы «Физика МДП-структур и приборов на их основе», «Избранные главы физики полупроводниковых приборов», «Кинетические явления в полупроводниках».
Научная деятельность Гамана В. И. связана с физикой диэлектриков, полупроводников, полупроводниковой электроникой. Одно из направлений его деятельности − исследование электронных процессов в оксидных и халькогенидных стеклообразных полупроводниках и тонкопленочных структурах металл − стеклообразный полупроводник – германий (кремний, арсенид галлия). Основное внимание уделялось изучению механизмов переноса заряда и природы эффектов переключения и памяти. По результатом научной работы Гаманом В. И. опубликовано более 180 работ в отечественных и зарубежных журналах, в трудах конференций, получено 15 авторских свидетельств и патентов на изобретения.
Гаман В. И., доктор физико-математических наук, профессор, Почетный работник высшего профессионального образования Российской федерации (1997), Заслуженный профессор ТГУ (2004). Награжден орденом «Знак Почета», медалями «За доблестный труд. В ознаменование 100-летия со дня рождения Владимира Ильича Ленина», «Ветеран труда», «За заслуги перед Томским гос. университетом», значком Минвуза СССР «За отличные успехи в работе».
