Гаман, Василий Иванович
| Гаман Василий Иванович | |
 | |
| Место работы: |
Томский государственный университет, Радиофизический факультет, кафедра полупроводниковой электроники, профессор |
|---|---|
| Учёная степень: |
доктор физико-математических наук |
| Учёное звание: |
профессор |
Содержание
Биографическая справка
Полная биографическая справка в Электронной энциклопедии ТГУ
ГАМАН Василий Иванович родился 21 февраля 1929 г. в с. Андреевка Любинского района Омской области. После окончания Омской школы № 19 поступил на физико-математический факультет Томского государственного университета, окончив его в 1952 г. по специальности «физика». С 1952 г. – ассистент, с 1961 г. – доцент кафедры общей физики, с 1 сентября 1964 г. по 1 декабря 2000 г. – заведующий кафедрой полупроводников и диэлектриков (с 1983 г. – кафедра полупроводниковой электроники), с 1 декабря – профессор кафедры. Являлся деканом радиофизического факультета с 1 марта 1970 по 21 ноября 1973 г.
Учебные курсы, читаемые Гаманом В. И. в ТГУ: общая физика, физика твердого тела, физика полупроводников, физика полупроводниковых приборов, твердотельная электроника и спецкурсы «Физика МДП-структур и приборов на их основе», «Избранные главы физики полупроводниковых приборов», «Кинетические явления в полупроводниках».
Научная деятельность Гамана В. И. связана с физикой диэлектриков, полупроводников, полупроводниковой электроникой. Одно из направлений его деятельности − исследование электронных процессов в оксидных и халькогенидных стеклообразных полупроводниках и тонкопленочных структурах металл − стеклообразный полупроводник – германий (кремний, арсенид галлия). Основное внимание уделялось изучению механизмов переноса заряда и природы эффектов переключения и памяти. По результатом научной работы Гаманом В. И. опубликовано более 180 работ в отечественных и зарубежных журналах, в трудах конференций, получено 15 авторских свидетельств и патентов на изобретения.
Гаман В. И., доктор физико-математических наук, профессор, Почетный работник высшего профессионального образования Российской федерации (1997), Заслуженный профессор ТГУ (2004). Награжден орденом «Знак Почета», медалями «За доблестный труд. В ознаменование 100-летия со дня рождения Владимира Ильича Ленина», «Ветеран труда», «За заслуги перед Томским гос. университетом», значком Минвуза СССР «За отличные успехи в работе».
Хронологический список работ
1957
1. Изучение электрических свойств твёрдых диэлектриков в сильных электрических полях : дис. … канд. физ.-мат. наук. − Томск, 1957. − 1, 135 с. : ил. − Библиогр.: с. 127-132 (98 назв.). − (М-во высш. образования СССР. Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева).
2. К вопросу о полиморфных превращениях кремнезема в силикатных стеклах // Доклады АН СССР. 1957. Т. 116, № 5. С. 838-840. Библиогр.: 5 назв. Соавт.: Красильникова Л. М.
3. О зависимости электропроводности стекол от напряженности электрического поля // Журн. техн. физики. 1957. Т. 27, вып. 5. С. 936-939. Библиогр.: 6 назв. Соавт.: Преснов В. А.
4. О связи электрических свойств кристаллов с параметрами кристаллической решетки // Доклады АН СССР. 1957. Т. 114, № 1. С. 67-69. Библиогр.: 10 назв. Соавт.: Преснов В. А.
1958
5. Изучение электрических свойств твёрдых диэлектриков в сильных электрических полях : автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук. − Томск, 1958. −8 с. (М-во высш. образования СССР. Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева).
6. Исследование электропроводности стекол в сильных электрических полях // Известия высших учебных заведений. Физика. 1958. № 4. С. 158-162. Библиогр.: 8 назв.
7. К вопросу об измерении электропроводности стекол в зависимости от напряженности электрического поля // Известия высших учебных заведений. Физика. 1958. № 2. С. 92-94. Соавт.: Преснов В. А.
1960
8. Зависимость коэффициента ударной ионизации от напряженности электрического поля в полупроводниках // Известия высших учебных заведений. Физика. 1960. № 6. С. 157-160. Библиогр.: 5 назв. Соавт.: Перкальскис Б. Ш.
9. Лавинный пробой p-n-переходов // Известия высших учебных заведений. Физика. 1960. № 5. С. 82-87.
10. Температурная зависимость пулевского коэффициента силикатных и боросиликатных стекол // Известия высших учебных заведений. Физика. 1960. № 2. С. 129-133. Библиогр.: 5 назв.
11. Электропроводность стекол в электрических полях высокой напряженности и вопросы строения стекла // Стеклообразное состояние : тр. третьего Всесоюз. совещ. Ленинград, 16-20 ноября 1959 г. М.; Л., 1960. С. 251-254. Соавт.: Преснов В. А., Красильникова Л. М.
12. Эффект сильного поля в германиевых p-n-переходах // Известия высших учебных заведений. Физика. 1960. № 2. С. 3-9. Библиогр.: 9 назв. Соавт.: Перкальский В. А., Каллестинов Г. В.
1961
13. О законе нарастания обратного тока в германиевых p-n-переходах // Известия высших учебных заведений. Физика. 1961. № 2. С. 110-113. Библиогр.: 5 назв.
1962
14. Влияние покрытия из низкоплавких стекол на характеристики кремниевых p-n-переходов // Электронно-дырочные переходы в полупроводниках. Ташкент, 1962. С. 254-258. Соавт.: Преснов В. А., Сироткин А. А.
15. Влияние низкоплавких стекол системы As–S–J на вольтамперные характеристики кремниевых р–п-переходов // Поверхностные свойства полупроводников. М., 1962. С. 207-211. Соавт.: Сироткин А. А., Стенина В. М.
16. Температурная зависимость обратных токов германиевых p-n- переходов // Электронно-дырочные переходы в полупроводниках. Ташкент, 1962. С. 101-105. Соавт.: Калыгина В.М.
1963
17. Межвузовская научно-техническая конференция по физике полупроводников (поверхностные и контактные явления). [Томск. Сент. 1962 г.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 1963. № 1. С. 176-177. Соавт.: Преснов В. А.
18. Эффект сильного поля и температурная зависимость обратных токов вплавных германиевых переходов // Известия Ленингр. электротехн. ин-та. 1963. Вып. 51 : тр. 3-й межвуз. конф. по современной технике диэлектриков и полупроводников, июнь 1960 г. С. 19-24. Библиогр.: 5 назв. Соавт.: Гительсон Г. М., Перкальскис Б. Ш.
1964
19. Защита полупроводниковых приборов неорганическими стеклами // Поверхностные и контактные явления в полупроводниках. Томск, 1964. С. 131-138. Библиогр.: 11 назв. Соавт.: Сироткин А. А., Михайлова Т. Г., Преснов В. А.
20. К вопросу о природе обратных токов германиевых и кремниевых р–п-переходов // Поверхностные и контактные явления в полупроводниках. Томск, 1964. С. 147-155. Библиогр.: 11 назв. Соавт.: Калыгина В. М.
21. К вопросу о релаксации обратных токов германиевых и кремниевых р–n-переходов // Известия высших учебных заведений. Физика. 1964. № 4. С. 138-142. Библиогр.: 7 назв.
22. Релаксация обратных токов германиевых и кремниевых р–п-переходов // Поверхностные и контактные явления в полупроводниках. Томск, 1964. С. 139-145. Библиогр.: 7 назв. Соавт.: Калыгина В. М.
1965
23. Переходные процессы в плоскостных диодах при прохождении импульса прямого тока // Известия высших учебных заведений. Физика. 1965. № 6. С. 27-34.
24. Переходные процессы в полупроводниковых диодах с тонкой базой // Известия высших учебных заведений. Физика. 1965. № 1. С. 50-56.
25. Переходные процессы в полупроводниковых диодах при наличии электрического поля в базе // Известия высших учебных заведений. Физика. 1965. № 2. С. 73-77.
26. Переходный процесс при мгновенном переключении полупроводникового диода из прямого направления в нейтральное // Известия высших учебных заведений. Физика. 1965. № 5. С. 77-79. Соавт.: Калыгина В. М.
1966
27. Анализ переходных процессов в полупроводниковых диодах методом заряда // Известия высших учебных заведений. Физика. 1966. № 2. С. 119-122.
28. К вопросу о переходных процессах в полупроводниковых диодах на высоких уровнях инъекции // Известия высших учебных заведений. Физика. 1966. № 5. С. 142-146. Библиогр.: 6 назв. Соавт.: Зайдман С. А.
29. Определение эффективного времени жизни неосновых носителей по кривой нарастания напряжения на р–п переходе // Известия высших учебных заведений. Физика. 1966. № 3. С. 29-34. Библиогр.: 6 назв. Соавт.: Калыгина В. М., Агафонников В. Ф.
30. Определение эффективного времени жизни неосновых носителей по кривой нарастания напряжения на р–п переходе // Физика р–п-переходов. Рига, 1966. С. 122-127. Соавт.: Калыгина В. М., Агафонников В. Ф.
31. Переходной процесс при переключении диода с тонкой базой // Известия высших учебных заведений. Физика. 1966. № 1. С. 18-20. Соавт.: Зайдман С. А.
1967
32. Влияние анизотропного давления на обратные токи и время жизни неосновных носителей в германиевых диодах // Известия высших учебных заведений. Физика. 1967. № 6. С. 54-57. Библиогр.: 8 назв. Соавт.: Агафонников В. Ф.
33. Влияние анизотропного давления на параметры германиевых диодов // Известия высших учебных заведений. Физика. 1967. № 8. С. 114-146. Соавт.: Агафонников В. Ф.
34. Влияние рентгеновского излучения на кремний и кремниевые р–п-переходы. III. Эффект Френкеля в кремниевых диодах при рентгеновском облучении // Известия высших учебных заведений. Физика. 1967. № 6. С. 150-152. Соавт.: Кривов М.А., Малянов С.В.
35. Влияние рентгеновского излучения на электрофизические свойства германия и германиевых р–п-переходов. IV. Изменение обратных вольтамперных характеристик германиевых диодов при облучении их рентгеновскими лучами // Известия высших учебных заведений. Физика. 1967. № 1. С. 99-104. Библиогр.: 9 назв. Соавт.: Кривов М. А., Малянов С. В.
36. Влияние скорости поверхностной рекомбинации на величину обратного тока германиевых диодов с тонкой базой // Известия высших учебных заведений. Физика. 1967. № 5. С. 104-109. Библиогр.: 7 назв. Соавт.: Калыгина В. М.
37. Влияние скорости поверхностной рекомбинации на переходные процессы в кремниевых диодах // Известия высших учебных заведений. Физика. 1967. № 2. С. 154-156. Соавт.: Зайдман С. А.
38. Вольтамперные характеристики тонкопленочных систем металл–диэлектрик–металл // Радиотехника и электроника. 1967. Т. 12, вып. 7. С. 1322-1323. Библиогр.: 10 назв. Соавт.: Базаров В. Д.
39. Длительность фазы постоянства обратного тока при переключении полупроводникового диода // Известия высших учебных заведений. Физика. 1967. № 12. С. 129-130.
40. Зависимость скорости поверхностной рекомбинации базы кремниевых диодов от температуры и уровня инъекции // Известия высших учебных заведений. Физика. 1967. № 2. С. 156-157. Соавт.: Зайдман С. А.
41. О причинах изменения времени жизни неосновных носителей в германии под действием анизотропного давления // Известия высших учебных заведений. Физика. 1967. № 12. С. 97-103. Библиогр.: 17 назв. Соавт.: Агафонников В. Ф.
42. Определение скорости поверхностной рекомбинации базы сплавных германиевых триодов // Известия высших учебных заведений. Физика. 1967. № 10. С. 132-136. Библиогр.: 6 назв. Соавт.: Калыгина В. М.
43. Определение скорости рекомбинации на поверхности германиевых диодов // Электронные процессы на поверхности и в монокристаллических слоях полупроводников : тр. симпозиума. Новосибирск, 1967. С. 25-30. Соавт.: Калыгина В. М.
44. Определение скорости рекомбинации на поверхности кремниевых диодов // Электронные процессы на поверхности и в монокристаллических слоях полупроводников : тр. симпозиума. Новосибирск, 1967. С. 22-24. Соавт.: Зайдман С. А.
45. Определение энергетического положения рекомбинационного уровня в базе диода, полученного из термозакаленного кремния // Известия высших учебных заведений. Физика. 1967. № 8. С. 137-139. Библиогр.: 7 назв. Соавт.: Зайдман С. А., Осиненко В. М., Зайдман Г. И.
46. Письмо в редакцию. [По поводу статьи авт. «Переходные процессы в полупроводниковых диодах при наличии электрического поля в базе», опубл. в «Известия высших учебных заведений. Физика». 1965. № 2] // Известия высших учебных заведений. Физика. 1967. № 5. С. 132.
47. Тонкопленочные диоды на основе халькогенидных стекол // Известия высших учебных заведений. Физика. 1967. № 9. С. 80-85. Библиогр.: 6 назв. Соавт.: Базаров В. Д.
48. Эффект Френкеля в полупроводниковых диодах // Известия высших учебных заведений. Физика. 1967. № 9. С. 92-98. Библиогр.: 10 назв.
1968
49. Влияние анизотропного давления на параметры кремниевых диодов // Известия высших учебных заведений. Физика. 1968. № 10. С. 36-40. Библиогр.: 13 назв. Соавт.: Агафонников В. Ф.
50. Влияние анизотропного давления на скорость поверхностной рекомбинации германия // Известия высших учебных заведений. Физика. 1968. № 6. С. 123-125. Соавт.: Агафонников В. Ф.
51. Динамические вольтамперные характеристики тонкопленочных диодов на основе халькогенидных стекол // Известия высших учебных заведений. Физика. 1968. № 10. С. 7-12. Соавт.: Базаров В. Д.
52. Зависимость скорости поверхностной рекомбинации базы сплавных германиевых диодов от уровня инъекции // Известия высших учебных заведений. Физика. 1968. № 11. С. 124-126. Библиогр.: 7 назв. Соавт.: Калыгина В. М., Балтаков Ф. Н.
1969
53. Влияние давления на характеристики р–п-переходов с радиационными дефектами // Известия высших учебных заведений. Физика. 1969. № 12.. С. 141-143. Библиогр.: 7 назв. Соавт.: Агафонников В. Ф.
54. Влияние магнитного поля на вольтамперные характеристики и переходные процессы в германиевых диодах с полуограниченной базой // Физика и техника полупроводников. 1969. Т. 3, вып. 2. С. 188-193. Библиогр.: 6 назв. Соавт.: Калыгина В. М., Хлестунов А. П.
55. Вольтамперные характеристики системы металл –диэлектрик–полупроводник // Известия высших учебных заведений. Физика. 1969. № 2. С. 15-19. Библиогр.: 9 назв. Соавт.: Базаров В. Д., Резников В. А.
56. Кинетика фотодиода в режиме вентильной фото-э.д.с. // Физика и техника полупроводников. 1969. Т. 3, вып. 2. С. 226-230.
57. Переходные процессы в полупроводниках и диэлектрических диодах : автореф. дис. … д-ра физ.-мат. наук. (049). − Томск : Изд-во Том. ун-та, 1969. −34 с. − Библиогр.: с. 32-34 (53 назв.).
1970
58. Продольный магнитоконцентрационный эффект в полупроводниковых диодах // Физика и техника полупроводников. 1970. Т. 4, вып. 8. С. 1504-1510. Библиогр.: 5 назв. Соавт.: Калыгина В. М.
1971
59. Исследование основных электрических параметров импульсных диодов из электронного и дырочного арсенида галлия // Известия высших учебных заведений. Физика. 1971. № 10. С. 154-156. Библиогр.: 5 назв. Соавт.: Романова И. Д., Хорзов В. Н.
60. Переходные процессы в полупроводниковых диодах и их практическое применеие // Итоги исследований по физике [1917-1967] : тр. межвуз. науч. конф., посвящ. пятидесятилетию Великой Октябрьской соц. революции. Томск, 1971. С. 37-49. Библиогр.: 20 назв.
61. Эффект памяти в системах металл–халькогенидное стекло–металл // Известия высших учебных заведений. Физика. 1971. № 12. С. 140-141. Соавт.: Резников В. А., Галанский В. Л.
1972
62. Переходные процессы в М–Д–М структурах на основе стекла системы V₂O₅–P₂O₅ // Известия высших учебных заведений. Физика. 1972. № 8. С. 31-35. Соавт.: Калыгина В. М.
63. Распределение радиационных дефектов в арсениде галлия при облучении дейтонами // Физика и техника полупроводников. 1972. Т. 6, вып. 5. С. 865-868. Библиогр.: 8 назв. Соавт.: Мамонтов А. И., Окунев В. Д., Захаров Б. Г.
64. .Свойства М–Д–М структур на основе стекла системы V₂O₅–P₂O₅. 1. // Известия высших учебных заведенийФизика. 1972. № 3. С. 45-50. Библиогр.: 18 назв. Соавт.: Калыгина В. М.
65. Свойства М–Д–М структур на основе стекла системы V₂O₅–P₂O₅. 2. // Известия высших учебных заведений. Физика. 1972. № 9. С. 122-124. Библиогр.: 7 назв. Соавт.: Калыгина В. М., Макаров А. А.
66. Свойства систем металл–полупроводник–металл на основе оксидных стекол // Известия высших учебных заведений. Физика. 1972. № 2. С. 57-63. Библиогр.: 17 назв. Соавт.: Резников В. А., Федяйнова Н. И.
67. Эффект памяти в системах металл–свинцовоборосиликатное стекло–металл // Известия высших учебных заведений. Физика. 1972. № 7. С. 57-61. Библиогр.: 13 назв. Соавт.: Резников В. А., Галанский В. Л., Ивлева О. М.
1973
68. Вольтамперная характеристика контакта металл–диэлектрик с учетом термоэлектроннополевой эмиссии // Известия высших учебных заведений. Физика. 1973. № 4. С. 123-126. Соавт.: Калыгина В. М., Степанов В. Е.
69. Зависимость вентильной э. д. с. и тока короткого замыкания от интегрального потока нейтронов для р–п-переходов из арсенида галлия // Известия высших учебных заведений. Физика. 1973. № 2. С. 149-151. Соавт.: Окунев В. Д., Мамонтов А. П., Нечипуренко Б. А.
70. О контрасте изображения диодов из арсенида галлия в лучах катодолюминесценции // Радиотехника и электроника. 1973. Т. 18, вып. 10. С. 2133-2135. Библиогр.: 7 назв. Соавт.: Окунев В. Д., Захаров Б. Г.
71. Фотоиндуцированный разряд тонких пленок поли-N-винил-карбазола // Доклады юбилейной научно-технической конференции радиофизического факультета / Том. гос. ун-т. Томск, 1973. Ч. 1 : Секция физики полупроводников и диэлектриков. С. 147-151. Библиогр.: 6 назв. Соавт.: Беззубаев В. П.
72. Фоточувствительность сенсибилизированного поли-N-винилкарбазола // Доклады юбилейной научно-технической конференции радиофизического факультета / Том. гос. ун-т. Томск, 1973. Ч. 1 : Секция физики полупроводников и диэлектриков. С. 152-156. Библиогр.: 6 назв. Соавт.: Беззубаев В. П., Горбачев С. Г., Сироткина Е. Е., Филимонов В. Д.
73. Фото-э.д.с., возникающая в р–п-переходах на основе GaAs под действием собственного рекомбинационного излучения // Известия высших учебных заведений. Физика. 1973. № 1. С. 138-139. Соавт.: Окунев В. Д.
74. Электрические характеристики МДМ структур на основе стекла системы V₂O₅–P₂O₅–CaO // Известия высших учебных заведений. Физика. 1973. № 1. С. 133-135. Соавт.: Калыгина В. М., Фатерина Н. А.
75. *[1]Эффект памяти в ванадиево-фосфидных стеклах // Физика диэлектриков и перспективы ее развития : Всесоюз конф. Л., 1973. Т. 3: Сб. рефератов. Соавт.: Калыгина В. М. Реф. в РЖ Физика 1974. 4Е457.
76. Эффект памяти в системах металл–окисел–металл на основе поликристаллической PbO // Известия высших учебных заведений. Физика. 1973. № 2. С. 143-146. Библиогр.: 6 назв. Соавт.: Резников В. А.
77. Эффект памяти в системах платина–TeO₂–платина // Доклады юбилейной научно-технической конференции радиофизического факультета / Том. гос. ун-т. Томск, 1973. Ч. 1 : Секция физики полупроводников и диэлектриков. С. 138-142. Библиогр.: 7 назв. Соавт.: Резников В. А.
78. Эффект переключения в системе металл–CdGeAs2–металл // Известия высших учебных заведений. Физика. 1973. № 6. С. 126-128. Соавт.: Панченко А. Г., Климов В. Н.
79. Эффекты «памяти» и переключения в системах металл-диэлектрик-металл // Доклады юбилейной научно-технической конференции радиофизического факультета / Том. гос. ун-т. Томск, 1973. Ч. 1 : Секция физики полупроводников и диэлектриков. С. 133-137. Библиогр.: 17 назв.
1974
80. Перераспределение точечных дефектов при диффузии цинка в арсенид галлия // Арсенид галлия. Томск, 1974. Вып. 4. С. 91-94. Библиогр.: 8 назв. Соавт.: Окунев В. Д., Захаров Б. Г., Хлудков С. С., Цимберова И. С.
81. Эффект памяти в ванадиево-фосфорных стеклах // Известия высших учебных заведений. Физика. 1974. № 8. С. 59-64. Соавт.: Калыгина В. М., Минаев В. С., Топалова Л. И.
1975
82. Механизм деградации переключателей на основе халькогенидных стекол. 1. Состояние с низкой проводимостью; 2. Состояние с высокой проводимостью // Известия высших учебных заведений. Физика. 1975. № 3. С. 50-60. Соавт.: Бадлуев А. И.
1976
83. Инфракрасные спектры стекол системы CaO–V₂O₅–P₂O₅ и пленок на их основе // Физика и химия стекла. 1976. Т. 2, № 2. С. 109-113. Библиогр.: 9 назв. Соавт.: Ряннель Э.Ф., Калыгина В. М.
84. Механизм токопереноса в системах металл-диэлектрик–металл на основе ванадиево-фосфорных стекол // Известия высших учебных заведений. Физика. 1976. № 2. С. 107-115. Библиогр.: 12 назв. Соавт.: Калыгина В. М., Ряннель Э. Ф.
85. Механизм эффекта переключения в халькогенидных стеклах // Структура и свойства некристаллических полупроводников : тр. 6-й междунар. конф. по аморфным и жидким полупроводникам, Ленинград, 18-24 ноября 1975 г. Л., 1976. С. 495-499. Соавт.: Бадлуев А. И.
86. Оптическое поглощение в пленках V2O5 и ванадиево-фосфатных стекол // Известия высших учебных заведений. Физика. 1976. № 2. С. 102-106. Библиогр.: 18 назв. Соавт.: Ряннель Э. Ф., Калыгина В. М.
1977
87. Термостимулированные токи диэлектрической релаксации в системах металл–ванадиево-фосфатное стекло–металл // Известия высших учебных заведений. Физика. 1977. № 2. С. 92-100. Библиогр.: 6 назв. Соавт.: Ряннель Э. Ф., Косинцев В. И.
1978
88. Влияние температурных режимов на электрические характеристики тонкопленочных структур металл-ванадиево-фосфатное стекло-металл // Известия высших учебных заведений. Физика. 1978. № 2. С. 36- 43. Соавт.: Калыгина В.М., Ряннель Э. Ф.
89. Диэлектрические свойства тонких пленок ванадиево-фосфатного стекла // Известия высших учебных заведений. Физика. 1978. № 11. С. 61-69. Соавт.: Калыгина В. М., Косинцев В. И.
90. Изучение процессов деградации излучающих р–п-переходов на основе твердого раствора GaAsInP // Четвертое Всесоюз. совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сент. 1978 г. : тез. докл. Томск, 1978. С. 42. Соавт.: Ковалев И. К., Рыженко О. Н., Цимберова И. С.
91. Исследование прямой ветви вольт-амперной характеристики р-π-п-структур на основе GaAs (Fe) // Четвертое Всесоюз. совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сент. 1978 г. : тез. докл. Томск, 1978. С. 74. Соавт.: Виллисов А. А., Диамант В. М., Фукс Г. М.
92. Механизм срыва обратной вольт-амперной характеристики р-π-п-структур на основе GaAs (Fe) // Четвертое Всесоюз. совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сент. 1978 г. : тез. докл. Томск, 1978. С. 72. Соавт.: Диамант В. М., Фукс Г. М.
93. Практикум по физике полупроводниковых приборов. − Томск : Изд-во Том. ун-та, 1978. − 72 с.: ил.
94. Фотоэлектрические характеристики р-π-п-структур на основе GaAs(Fe) // Четвертое Всесоюз. совещание по исследованию арсенида галлия. 19-21 сент. 1978 г. : тез. докл. Томск, 1978. С. 73. Соавт.: Вилисов А. А., Диамант В. М., Фукс Г. М.
95. Элементы памяти на основе тонких пленок ванадиево-фосфатного стекла // Известия высших учебных заведений. Физика. 1978. № 8. С. 80-85. Соавт.: Калыгина В. М., Ряннель Э. Ф., Бояринцев А. И.
1979
96. Практикум по физике полупроводниковых приборов.− Томск : Изд-во Том. ун-та, 1979. − 72 с.
97. Эффект переключения в обратно смещенных π-v-n-структурах на основе GaAs // Физика и техника полупроводников. 1979. Т. 13, № 12. С. 2302-2307. Библиогр.: 9 назв. Соавт.: Диамант В. М., Фукс Г. М.
98. Эффекты сильного электрического поля в тонкопленочных структурах металл-халькогенидное стекло-металл // Известия высших учебных заведений. Физика. 1979. № 8. С. 64-71. Соавт.: Бадлуев А. И., Минаев В. С.
1980
99. Диэлектрические свойства тонких пленок халькогенидных стекол // Известия высших учебных заведений. Физика. 1980. № 9. С. 35-39. Соавт.: Калыгина В. М., Бадлуев А. И.
100. Диэлектрические свойства тонких пленок халькогенидных стекол // Физические явления в некристаллических полупроводниках : материалы конф. «Аморфные полупроводники-80», Кишинев, 1980 г. Кишинев, 1980. С. 41-44. Соавт.: Калыгина В.М., Бадлуев А.И
101. Практикум по оптическим и фотоэлектрическим свойствам полупроводников.− Томск : Изд-во Том. ун-та, 1980.−65 с. Соавт.: Потахова Г. И.
102. Фотопроводимость тонкопленочной структуры металл-халькогенидное стекло-металл в слабых и сильных электрических полях // Известия высших учебных заведений. Физика. 1980. № 9. С. 116-118. Соавт.: Бадлуев А. И.
103. Фотоэлектрические характеристики p-π-v-n-структур на основе GaAs<Fe> // Физика и техника полупроводников. 1980. Т. 14, № 4. С. 625-628. Соавт.: Виллисов А. А., Диамант В. М., Фукс Г. М.
1981
104. Генерационные свойства структур металл-GeS2-n-Ge / Редкол. журн «Изв. вузов. Физика». − Томск, 1981. − 10 с. − Библиогр.: 2 назв. − Деп. в ВИНИТИ 21 сентября 1981 г., № 4536-81Деп. − Соавт.: Агафонников В. Ф., Глущук С. Ф., Терехина Л. И.
105. Гистерезис порогового электрического поля в германиевом осциллисторе // Журн. техн. физики. 1981. Т. 51, № 2. С. 380-383. Соавт.: Караваев Г. Ф., Карлова Г. Ф.
106. Механизм токопереноса в структуре металл-Tb2GeS5Ge // Известия высших учебных заведений. Физика. 1981. № 1. С. 3-7. Соавт.: Агафонников В. Ф., Глущук С. Ф., Терехина Л. И.
107. Переключающие свойства мдм структур на основе боратно-ванадатного стекла // Известия высших учебных заведений. Физика. С. 123-125. Библиогр.: 11 назв. Соавт.: Калыгина В. М., Косинцев В. И., Модебадзе О. Е.
108. Прямая ветвь вольтамперной характеристики p-π-v-n-структур на основе Ga-As(Fe) // Физика и техника полупроводников. 1981. Т. 15, № 2. С. 414-418. Соавт.: Виллисов А. А., Диамант В. М., Фукс Г. М.
109. Физика полупроводников и диэлектриков в Томском университете // Развитие физических наук в Томском университете : [сб. статей] : к 100-летию со дня основания (1880-1980). Томск, 1981. С. 29-51. Библиогр.: 130 назв. Соавт.: Вяткин А. П., Кривов М. А.
110. Экспериментальная проверка нелинейной теории поверхностно-винтовой неустойчивости полупроводниковой плазмы // Известия высших учебных заведений. Физика. 1981. № 5. С. 111-113. Соавт.: Караваев Г.Ф., Карлова Г.Ф.
111. Экспериментальное исследование нелинейных свойств поверхностно-винтовой неустойчивости в германии // Известия высших учебных заведений. Физика. 1981. № 5. С. 18-21. Соавт.: Караваев Г. Ф., Карлова Г. Ф.
112. Электрические свойства ванадиево-боратного стекла на постоянном и переменном токах // Известия высших учебных заведений. Физика. 1981. № 3. С. 35-38. Соавт.: Калыгина В. М., Косинцев В. И., Евстигнеев С. М., Модебадзе О. Е., Николаев А. И.
113. Электрические свойства МДМ структур на основе ванадиево-боратного стекла // Известия высших учебных заведений. Физика. 1981. № 3. С. 68-73. Соавт.: Калыгина В. М., Косинцев В. И., Модебадзе О. Е., Николаев А. И
114. Электрофизические свойства стекол системы Ga-Pb-Te // Физика и химия стекла. 1981. Т. 7, № 1. С. 79-82. Соавт.: Калыгина В. М., Минаев В. С., Куприянова Р. М., Соловьева В. И.
115. Эффект переключения и механизм токопереноса в тонких пленках дисульфида германия / Редкол. журню «Изв. вузов. Физика». − Томск, 1981. − 13 с. − Библиогр.: 10 назв. − Деп. в ВИНИТИ 21 сентября 1981, № 4535-81Деп. − Соавт.: Агафонников В.Ф., Глущук С.Ф., Терехина Л.И.
116. Ред.: Развитие физических наук в Томском университете : [сб. статей]. К 100 -летию со дня основания (1880-1980). − Томск : Изд-во Том. ун-та, 1981. −127 с. − Соред.: Кривов М. А.
117. Ред.: Сироткин А. А. Практикум по физике полупроводников. − Томск : Изд-во Том. ун-та, 1981. − 54, [1] с.: ил.
1982
118. Влияние гидростатического давления на вольт-амперные характеристики π-v-n структур из GaAs:Fe // Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. : тез. докл. Томск, 1982. С. 138-140. Соавт.: Виллисов А. А., Диамант В. М.
119. Генерационные свойства мдп-структур Al-Tb2GeS5-Ge // Известия высших учебных заведений. Физика. 1982. № 7. С. 28-31. Библиогр.: 5 назв. Соавт.: Агафонников В. Ф., Глущук С. Ф., Терехина Л. И.
120. Германиевый осциллистор в импульсном магнитном поле // Известия высших учебных заведений. Физика. 1982. № 7. С. 38-41. Библиогр.: 14 назв. Соавт.: Караваев Г. Ф., Карлова Г. Ф.
121. Диэлектрические потери и электропроводность ванадиево-боратного стекла на переменном токе // Известия высших учебных заведений. Физика. 1982. № 5. С. 85-89. Соавт.: Косинцев В. И., Калыгина В. М., Модебадзе О. Е.
122. Особенности вольт-амперных характеристик диодных структур на основе арсенида галлия, компенсированного примесями с глубокими уровнями // Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. : тез. докл. Томск, 1982. С. 128-130. Соавт.: Фукс Г. М.
123. Осцилляции напряжения на p-π-v-n-структурах на основе GaAs(Fe) при прямом смещении // Известия высших учебных заведений. Физика. 1982. № 7. С. 115-116. Библиогр.: 8 назв. Соавт.: Фукс Г. М.
124. Переключающие свойства стекол системы Si-Sb-Te // Известия высших учебных заведений. Физика. 1982. № 1. С. 115-116. Библиогр.: 4 назв. Соавт.: Калыгина В. М., Евстигнеев С. М.
125. Свойства стекол системы Si-Sb-Te // Физика и химия стекла. 1982. Т. 8, № 5. С. 618-621. Библиогр.: 6 назв. Соавт.: Калыгина В. М., Евстигнеев С. М., Минаев В. С., Куприянова Р. М.
126. Фотопроводимость p-π-v-n-структур на основе GaAs(Fe) при прямом смещении // Физика и техника полупроводников. 1982. Т. 16, вып. 6. С. 1133-1135. Библиогр.: 4 назв. Соавт.: Фукс Г. М.
127. Электропроводность ванадиево-боратного стекла на постоянном токе в слабых и сильных электрических полях // Известия высших учебных заведений. Физика. 1982. № 5. С. 90-94. Библиогр.: 23 назв. Соавт.: Косинцев В. И., Калыгина В. М., Модебадзе О. Е.
128. Отв. ред.: Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. : тез. докл. − Томск, 1982. − 228 с.
1983
129. Вольт-амперные характеристики диодных структур на основе арсенида галлия, компенсированного марганцем или железом // Известия высших учебных заведений. Физика. 1983. № 10. С. 79-95.
130. Гистерезис порогового магнитного поля винтовой неустойчивости // Физика и техника полупроводников. 1983. Т. 17, № 3. С. 508-510. Соавт.: Караваев Г. Ф., Карлова Г. Ф.
131. Журнал "Физика" за 25 лет // За советскую науку (ТГУ). Томск, 1983. 8 дек.
132. Свойства стекол системы Bi lin3 2O lin3 3-V lin3 2O lin3 5-CaO // Известия высших учебных заведений. Физика. 1983. № 6. С. 31-35. Соавт.: Калыгина В. М., Косинцев В. И., Богомолова Л. Д., Модебадзе О. Е.
133. Тензоэлектрические явления в --n-структурах // Физика и техника полупроводников. 1983. Т. 17, № 2. С. 312-315. Соавт.: Вилисов А. А., Диамант В. М.
134. Electron bombardment effect on the reverse I-V characteristics and tensosensibility of p+-nGaAs diodes // Solid-State Electronics. 1983. Vol. 26, N 7. P. 699-703. Соавт.: Brudnyi V. N., Vilisov A. A., Diamond V. M.
1984
135. Влияние гидростатического давления на прямую ветвь вольтамперной характеристики π-v-n-структур на основе GaAs<Fe> // Физика и техника полупроводников. 1984. Т. 18, № 5. С. 933-936. Соавт.: Вилисов А. А., Диамант В. М.
136. Влияние термообработки на электрические свойства висмутованадиевого стекла // Физика и химия стекла. 1984. Т. 10, № 5. С. 555-559. Соавт.: Калыгина В. М., Богомолова Л. Д., Косинцев В. И., Модебадзе О. Е.
137. Пороговые характеристики поверхностно-винтовой неустойчивости полупроводникой плазмы в германиевых пластинках // Известия высших учебных заведений. Физика. 1984. № 7. С. 66-72. Соавт.: Караваев Г. Ф., Карлова Г. Ф., Шумская Е. Г.
138. Экспериментальное исследование нелинейных свойств поверхностно-винтовой неустойчивости полупроводниковой плазмы в германиевых пластинках // Известия высших учебных заведений. Физика. 1984. № 7. С. 72-75. Соавт.: Караваев Г. Ф., Карлова Г. Ф., Шумская Е. Г.
1985
139. Измерение концентрации свободных носителей заряда в сильнолегированном арсениде галлия с помощью контакта электролит-полупроводник // Известия высших учебных заведений. Физика. 1985. № 2. С. 101-103. Соавт.: Асанов О. М., Пороховниченко Л. П.
140. Осциллисторный эффект в кремнии // Физика и техника полупроводников. 1985. Т. 19, № 2. С. 343-345. Соавт.: Карлова Г. Ф., Караваев Г. Ф., Шумская Е. Г.
1986
141. Поляризационные процессы в оксидных стеклообразных полупроводниках системы Bi2O3-V2O5-CaO // Физика и химия стекла. 1986. Т. 12, № 1. С. 86-91. Соавт.: Калыгина В. М., Косинцев В. И., Модебадзе О. Е.
1987
142. Измерение концентрации носителей заряда в фосфиде индия с помощью контакта электролит-полупроводник // Известия высших учебных заведений. Физика. 1987. № 5. С. 71-74. Соавт.: Асанов О. М., Зоркальцева Н. Н., Кораблева Т. В., Петрова Н. Г.
143. Электронные процессы в оксидных стеклообразных полупроводниках и тонкопленочных структурах на их основе // Известия высших учебных заведений. Физика. 1987. № 6. С. 18-33. Соавт.: Косинцев В. И., Калыгина В. М.
1988
144. Высокочувствительный датчик давления // Электронная промышленность. 1988. Вып. 4. С. 96. Соавт.: Агафонников В. Ф., Агафонникова Е. В.
145. Effect of deep levels induced by electron irradiation upon the charge transport mechanism and the pressure-dependent electrical properties of forward-biased p+-n-n+ GaAs diodes // Solid-State Electron. 1988. Vol. 31, N 6. P. 1093-1099. Соавт.: Brudnyi V. N., Diamond V. M.
1989
146. Физика полупроводниковых приборов : учеб. пособие для вузов. − Томск : Изд-во Том. ун-та, 1989. − 337, [4] с. : ил. − Библиогр.: с. 331-333 (43 назв.)
147. Эффект переключения с памятью в структурах металл-ванадиево-молибденовое стекло-металл // Известия высших учебных заведений. Физика. 1989. № 1. С. 83-87. Соавт.: Калыгина В. М., Модебадзе О. Е.
1990
148. Электропроводность стекол системы V2 О5-Pbo на постоянном и переменном токе // Физика и химия стекла. 1990. Т. 16, № 3. С. 392-396. Библиогр.: 10 назв. Соавт.: Калыгина В. М., Филатова И. В., Бабченко Г. А., Колтун В. И.
1991
149. Винтовая неустойчивость полупроводниковой плазмы в пластинках кремния при 77 К // Известия высших учебных заведений. Физика. 1991. № 8. С. 54-60. Библиогр.: 12 назв. Соавт.: Карлова Г. Ф., Шумская Е. Г.
150. Линейные параметры винтовой неустойчивости в толстых пластинах кремния при 300 К // Известия высших учебных заведений. Физика. 1991. № 8. С. 49-53. Соавт.: Карлова Г. Ф., Шумская Е. Г.
1992
151. Винтовая неустойчивость полупроводниковой плазмы в кремниевых образцах, имеющих форму параллелепипеда // Известия высших учебных заведений. Физика. 1992. № 5. С. 103-110. Соавт.: Дробот П. Н., Карлова Г. Ф.
152. Электрические свойства структур металл-ванадиево-боратное стекло–арсенид галлия // Известия высших учебных заведений. Физика. 1992. № 11. С. 99-108. Соавт.: Иванова Н. Н., Калыгина В. М., Судакова Е. Б.
153. Энергонезависимые элементы памяти на основе структур металл–PbO–полупроводник // Известия высших учебных заведений. Физика. 1992. № 7. С. 116-121. Библиогр.: 7 назв. Соавт.: Калыгина В. М., Николаев А. И.
1995
154. Влияние термического отжига на электрические характеристики структур металл–диэлектрик–арсенид галлия // Поверхность: Физика, химия, механика. 1995. № 5. С. 18-26. Соавт.: Калыгина В. М., Панин А. В., Смирнова Т. П.
155. Структуры металл-SiO2-Si, чувствительные к аммиаку // Поверхность: Физика, химия, механика. 1995. № 2. С. 35-40. Соавт.: Воронков В. П., Дученко М. И., Калыгина В. М.
156. Термочувствительный элемент с частотным выходом на основе кремниевого осциллистора // Известия высших учебных заведений. Физика. 1995. № 2. С. 48-53. Библиогр.: 10 назв. Соавт.: Дробот П. Н.
1996
157. Влияние водорода на электрические характеристики МОП-структур с туннельно тонким диэлектриком // Поверхность: Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 1996. № 11. С. 64-73. Соавт.: Дробот П. Н., Дученко М. О., Калыгина В. М.
158. Влияние импульсного лазерного отжига на электрические характеристики МДП-структур на основе GaAs с подслоями серы, селена и теллура / Ред. журн. «Изв. вузов. Физика». − Томск, 1996. − 35 с. : ил. − Библиогр.: 16 назв.− Деп. в ВИНИТИ 31.12.96, № 3862-В96. − Соавт.: Калыгина В. М., Панин А. В.
159. Влияние халькогенидных элементов на электрические характеристики границы раздела диэлектрик-GaAs / Ред. журн. «Изв. вузов. Физика». Томск, 1996. − 27 с. − Библиогр.: 12 назв. − Деп. в ВИНИТИ 27.11.96, № 3435-В96. − Соавт.: Калыгина В. М., Панин А. В.
1997
160. Влияние лазерного излучения на плотность электронных состояний границы раздела диэлектрик-арсенид галлия // Физика и техника полупроводников. 1997. Т. 31, № 4. С. 492-497. Библиогр.: 24 назв. Соавт.: Возмилова Л. Н., Калыгина В. М., Панин А. В., Смирнова Т. П.
1998
161. Влияние водорода на вольт-амперные характеристики туннельных МДП-диодов на основе арсенида галлия // Известия высших учебных заведений. Физика. 1998. № 1. С. 69-83. Соавт.: Дученко М. О., Калыгина В. М.
162. Чувствительный элемент для обнаружения природного газа на основе структур Pd-Si // Поверхность: Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 1998. № 10. С. 112-115. Соавт.: Давыдова Т. А., Дученко М. О., Калыгина В. М.
163. *Oscillistor sensors with a frequency output based on a silicon structures // Актуальные проблемы электронного приборостроения : тр. IV Междунар. конф. (АПЭП-98), Новосибирск, 23-26 сент., 1998 : В 16 т. ( 4th Intern. conf. on actual problems of electronic instrument engineering proc. (APEIE-98), Novosibirsk, Sept. 23-26, 1998). Новосибирск, 1998. T. 1 : Избранные труды на английском языке. Соавт.: Drobot P.N.
1999
164. Влияние водорода на вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики туннельных МДП-диодов на основе кремния // Известия высших учебных заведений. Физика. 1999. № 9. С. 3-11. Соавт.: Дученко М. О., Калыгина В. М.
165. Effect of chalcogenide elements on the electrical characteristics of GaAs MIS structures // Solid-State Electronics. 1999. Vol. 43, N 3. P. 583-588. Соавт.: Kalygina V. M., Panin A. V.
2000
166. Газовые сенсоры на основе полупроводниковых структур // Проблемы региональной экологии. Новосибирск, 2000. Вып. 6 : Материалы 1-й регион. науч.-практ. конф. молодежи "Проблемы региональной экологии", Томск, 10-12 ноября 1998 года. С. 109-110. Соавт.: Грицык В. Ю., Калыгина В. М., Романов А. А.
167. Механизм переноса заряда в n+-р-p+-структурах на основе высокочистого кремния // Известия высших учебных заведений. Физика. 2000. № 7. С. 35-45. Библиогр.: 16 назв. Соавт.: Дробот П. Н.
168. Особенности влияния монооксида углерода и метана на электрические характеристики кремниевых МДП-диодов // Актуальные проблемы электронного приборостроения, АПЭП-2000 : тр. V междунар. конф., Новосибирск, 26-29 сентября 2000: в 7 т. Новосибирск, 2000. Т.2. С. 129-133. Библиогр.: 12 назв. Соавт.: Калыгина В. М., Романов А. А.
169. Физика полупроводниковых приборов : [учеб. пособие для вузов по специальности «Радиофизика и электроника», «Оптоэлектронные приборы и системы»]. − 2-е изд., доп. и перераб. − Томск : Изд-во науч.-техн. лит., 2000. − 425 с. : ил. − Библиогр.: c. 407-411.
2001
170. Влияние термического отжига на электрические и газочувствительные свойства туннельных МОП-диодов на основе кремния // Известия высших учебных заведений. Физика. 2001. № 11. С. 3-7. Соавт.: Балюба В. И., Грицык В. Ю., Давыдова Т. А., Калыгина В. М., Хлудкова Л. С.
171. Пороговая частота винтовой неустойчивости электронно-дырочной плазмы в кремниевых осциллисторах // Известия высших учебных заведений. Физика. 2001. № 11. С. 39-44. Соавт.: Дробот П. Н.
172. Пороговые характеристики кремниевых осциллисторов // Известия высших учебных заведений. Физика. 2001. № 1. С. 44-49. Соавт.: Дробот П. Н.
2002
173. Сенсоры восстановительных газов на основе МДП-диодов // Электронная промышленность. 2002. № 2/3. С.82-84. Соавт.: Балюба В. И., Давыдова Т. А., Калыгина В. М., Малаховский О. Ю., Хлудкова Л. С.
2003
174. Временная зависимость емкости кремниевого туннельного МОП-диода при воздействии водорода // Известия высших учебных заведений. Физика. 2003. № 4. С. 3-13. Соавт.: Калыгина В.М.
175. *Газочувствительные элементы на основе кремниевых МОП-диодов // Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы междунар. конф. (Томск, 29 сентября - 4 октября 2003 г.). Томск, 2003. С. Томск, 2003. С. 122-125. Соавт.: Калыгина В. М.
176. *Пороговые характеристики кремниевого осциллистора // Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы междунар. конф. (Томск, 29 сентября - 4 октября 2003 г.). Томск, 2003. С. 135-138. Соавт.: Дробот П. Н.
177. *Физика сложных полупроводников и полупроводниковых структур // Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы междунар. конф. (Томск, 29 сентября - 4 октября 2003 г.). Томск, 2003. С. 3-9. Соавт.: Лаврентьева Л. Г., Вяткин А. П., Брудный В. Н., Воеводин В. Г., Гермогенов В. П., Ивонин И. В., Караваев Г. Ф., Толбанов О. П., Хлудков С. С.
2004
178. Исследование характеристик полевого транзистора с p - n переходом в качестве затвора : метод. пособие.− Томск, 2004. −15 с.: ил. Библиогр.: с. 14.
2005
179. Подготовка специалистов в области физики и техники полупроводников в Томском госуниверситете // Вестник Том. гос. ун-та. Сер. Физика. 2005. Т. 285. С. 47-52. Соавт.: Войцеховский А. В., Гермогенов В. П., Ивонин И. В., Лаврентьева Л. Г., Мокроусов Г. М.
180. Электронные процессы в полупроводниковых диодах и структурах металл – диэлектрик - полупроводник // Вестник Том. гос. ун-та. Сер. Физика. 2005. Т. 285. С. 112-120. Библиогр.: с. 119-120.
[1] издания не просмотрены de visu
