Ивонин, Иван Варфоломеевич
| Ивонин Иван Варфоломеевич | |
| Ivonin I. V. | |
 | |
| Место работы: |
Томский государственный университет, Заместитель проректора по научной и инновационной деятельности, Физический факультет, каф. полупроводников, профессор |
|---|---|
| Учёная степень: |
доктор физико-математических наук |
| Учёное звание: |
старший научный сотрудник |
Содержание
Биографическая справка
Полная биографическая справка в Электронной энциклопедии ТГУ
Ивонин Иван Варфоломеевич родился 4.04.1947 в г. Александровске Пермской области в семье учителей. В 1964 г. окончил школу с золотой медалью и поступил на радиофизический факультет Томского государственного университета (ТГУ). Завершив учебу с отличием в 1969 г., поступил на работу в Сибирский физико-технический институт (СФТИ) им. акад. В.Д. Кузнецова при ТГУ.
Научная работа. С 1969 – мл.н.с., с 1980 – ст.н.с., с 1987 – зам. начальника отдела №5, с 1993 – вед.н.с., с 1994 по 1995 и с 1998 по 2002 – зав. лабораторией №51. С 1995 по 1998 – докторант кафедры физики полупроводников ТГУ, докторскую диссертацию защитил в 1998 г. Итогом диссертационного исследования явились новые знания о механизмах процессов, происходящих на границах раздела при эпитаксиальном росте пленок элементарных и бинарных полупроводников в практически важных системах. Были разработаны и внедрены технологии, позволяющие избежать образования неоднородностей в эпитаксиальных слоях и формировать структуры с заданными параметрами. После защиты под его руководством были проведены теоретические и экспериментальные исследования: - по физике контактных явлений в полупроводниковых наноструктурах, - физике процессов формирования радиационностойких сложных полупроводниковых материалов, - физике процессов формирования низкотемпературных керамик с заданными свойствами на основе наноструктурных порошковых материалов. Автор более 200 научных работ в отечественной и зарубежной печати, 1 монографии и 4 патентов. Научный руководитель 2 защищенных (2001, 2010) кандидатских и 1 докторской (2011, научный консультант) диссертации.
Преподавательская работа. С 1.09.1993 г. – доцент, с мая 1999 – профессор физического факультета (ФФ) ТГУ. С 1.09.2002 по 31.08.2017 – зав. кафедрой физики полупроводников ФФ ТГУ. С 2017 – профессор кафедры. Ученое звание ст.н.с. по специальности «Физика твердого тела» присвоено ВАК в 1989. Курсы, читаемые Ивониным И. В. в ТГУ: «Кристаллография», «Дефекты в кристаллах», «Электронная микроскопия», «Основы рентгеноструктурного анализа», «Современные методы исследования структуры и состава твердых тел». С 2001 г. – член 2 диссертационных советов ТГУ (теоретическая физика, физика конденсированного состояния, физика полупроводников), с 2013 по 2020 – член диссовета в ТПУ.
Административная работа. С 2004 по 2014 – начальник НИЧ, затем - Научного управления, создание которого позволило существенно улучшить организацию науки в ТГУ. С 2014 по 2018 гг. – проректор по научной работе ТГУ. В это время результаты научной деятельности Томского государственного университета высоко оценены международными и российскими рейтинговыми агентствами (в пятерке лучших университетов России в 2016 – 2019 гг.). За эти же годы объёмы научных исследований в ТГУ возросли с 1 до 2 млрд. руб.
С 2019 – советник при ректорате, зам. проректора по научной и инновационной деятельности, председатель Научно-аттестационного комитета ТГУ, отвечающего за работу сети собственных диссертационных советов ТГУ.
Общественная работа. С 1972 по 1974 - секретарь бюро ВЛКСМ СФТИ, с 1975 по 1978 – член партбюро СФТИ, с 1979 по 1981 – зам. председателя профкома сотрудников ТГУ, с 1981 по 1984 – председатель профбюро СФТИ. С 2021 – член профкома ТГУ.
Хобби. Хоровое пение – с 1964 по 2002 г. – в хоровой капелле ТГУ.
Общественное признание. Заслуженный работник высшей школы РФ. Награжден нагрудным знаком "Почетный работник высшего профессионального образования", нагрудным знаком "Почетный работник науки и техники РФ", медалью "За заслуги перед Томским государственным университетом", грамотами Минобрнауки России, администрации Томской области и г. Томска, Томского госуниверситета.
Хронологический список работ
1971
• Ивонин И. В. О некоторых особенностях травления монокристаллов арсенида галлия / И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, М. П. Якубеня // Известия высших учебных заведений. Физика. 1971. № 4. С. 141-142.
• Ivonin I. V. Certain characteristics of the etching of gallium arsenide single crystals / I. V. Ivonin, L. M. Krasil'nikova, M. P. Yakubenya // Soviet Physics Journal. 1971. Vol. 14, № 4. P. 547-549.
1972
• Влияние температуры кристаллизации на электрофизические свойства и морфологию эпитаксиального арсенида галлия / Л. Г. Лаврентьева, И. В. Ивонин, Ю. Г. Катаев, Л. М. Красильникова, Ф. А. Кузнецов, Ю. М. Румянцев // III Симпозиум по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок (Новосибирск, 12-17 июня 1972 г.) : тезисы докладов. Новосибирск, 1972. С. 198.
• Влияние условий кристаллизации на свойства переходных слоев в автоэпитаксиальных структурах арсенида галлия / Лаврентьева Л. Г., Пороховниченко Л. П., Ивонин И. В., Красильникова Л. М., Иванова Н. Н. // III симпозиум по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок (Новосибирск, 12-17 июня 1972 г.): тезисы докладов. Новосибирск, 1972. С.97.
• Ивонин И. В. Влияние способа обработки поверхности арсенида галлия на ее микроморфологию / И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова // Известия высших учебных заведений. Физика. 1972. № 11. С. 137-138.
• Исследование микроморфологии и распределения примесей в эпитаксиальном арсениде галлия в зависимости от времени роста / Л. Г. Лаврентьева, М. Д. Вилисова, И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, Ф. А. Кузнецов, Ю. М. Румянцев, М. П. Якубеня // III Симпозиум по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок (Новосибирск, 12-17 июня 1972 г.) : тезисы докладов. Новосибирск, 1972. С. 126.
• Электронномикроскопический метод в технологии эпитаксиального наращивания / И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, В. А. Московкин, Ю. М. Румянцев, М. П. Якубеня // Электронная промышленность. 1972. № 7. С. 92-94.
• Ивонин И. В. Электронномикроскопическое исследование морфологии травленой поверхности арсенида галлия / И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, М. П. Якубеня // Известия высших учебных заведений. Физика. 1972. № 5. С. 116-119.
• Ivonin I. V. Effect of the method of processing the surface of gallium arsenide on its micromorphology / I. V. Ivonin, L. M. Krasil'nikova // Soviet Physics Journal. 1972. Vol. 15, № 11. P. 1665–1667.
• Ivonin I. V. Electron microscope investigation of the morphology of the etched surface of gallium arsenide / I. V. Ivonin, L. M. Krasil'nikova, M. P. Yakubenya // Soviet Physics Journal. 1972. Vol. 15, № 5. P. 722–725.
1973
• Влияние способа обработки подложек на кинетику роста автоэпитаксиальных слоев арсенида галлия и их свойства / Л. Г. Лаврентьева, Л. П. Пороховниченко, И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, Н. Н. Иванова // Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы. 1973. Вып. 3. С. 14-19.
• Влияние температуры кристаллизации на рост и легирование автоэпитаксиальных слоев арсенида галлия. I / Л. Г. Лаврентьева, И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, Ю. М. Румянцев, М. П. Якубеня // Известия высших учебных заведений. Физика. 1973. Т. 16, № 6. С. 68-71.
• Зарождение дефектов при эпитаксии арсенида галлия / Л. Г. Лаврентьева, Л. П. Пороховниченко, И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова // Дефекты структуры в полупроводниках : материалы Всесоюзного совещания по дефектам в полупроводниках (2-4 октября 1973 г.). Новосибирск, 1973. С. 50-53.
• Исследование микроморфологии автоэпитаксиального арсенида галлия. Зависимость от ориентации подложек / Л. Г. Лаврентьева, И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, В. А. Московкин, М. П. Якубеня // Известия высших учебных заведений. Физика. 1973. Т. 16, № 10. С. 148-150.
• Исследование переходных слоев в эпитаксиальном арсениде галлия. Микроморфология и распределение электронов в слоях в зависимости от времени роста в йодидной системе / Л. Г. Лаврентьева, М. Д. Вилисова, И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, Ф. А. Кузнецов, Ю. М. Румянцев, М. П. Якубеня // Известия высших учебных заведений. Физика. 1973. Т. 16, № 2. С. 63-69.
• Особенности анизотропии роста и легирования эпитаксиальных слоев германия в системе Ge – I2 / Л. Г. Лаврентьева, И. С. Захаров, И. В. Ивонин, Н. П. Колодешникова, Т. И. Опрышко // Кристаллография. 1973. Т. 18, вып. 2. С. 369-373.
• Effects of crystallization temperature on the growth and doping of autoepitaxial gallium arsenide films / L. G. Lavrent'eva, I. V. Ivonin, L. M. Krasil'nikova, Yu. M. Rumyantsev, M. P. Yakubenya // Soviet Physics Journal. 1973. Vol. 16, № 6. P. 794-797.
• Investigation of transitional layers in epitaxial gallium arsenide: micromorphology and electron distribution in the layers, in dependence on the growth time in an iodine system / L. G. Lavrent'eva, M. D. Vilisova, I. V. Ivonin, L. M. Krasil'nikova, F. A. Kuznetsov, Yu. M. Rumyantsev, M. P. Yakubenya // Soviet Physics Journal. 1973. Vol. 16, № 2. P. 189–195.
• Micromorphology of autoepitaxial gallium arsenide: effects of substrate orientation / L. G. Lavrent'eva, I. V. Ivonin, L. M. Krasil'nikova, V. A. Moskovkin, M. P. Yakubenya // Soviet Physics Journal. 1973. Vol. 16, № 10. P. 1469–1471.
1974
• Влияние способа обработки подложек на кинетику роста автоэпитаксиальных слоев арсенида галлия и их свойства / Л. Г. Лаврентьева, Л. П. Пороховниченко, И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, Н. Н. Иванова // Известия высших учебных заведений. Физика. 1974. № 1. С. 20-24.
• Effect of the means of substrate processing on the growth kinetics of autoepitaxial layers of gallium arsenide and their properties / L. G. Lavrent'eva, L. P. Porokhovnichenko, I. V. Ivonin, L. M. Krasil'nikova, N. N. Ivanova // Soviet Physics Journal. 1974. Vol. 17, № 1. P. 12-16.
1975
• Влияние условий кристаллизации на анизотропию роста и легирования эпитаксиального германия / Л. Г. Лаврентьева, И. С. Захаров, И. В. Ивонин, С. Е. Торопов // Рост кристаллов. Ереван, 1975. Т. 11. С. 178-184.
• Исследование микроморфологии автоэпитаксиальных слоев арсенида галлия. I. / Л.Г. Лаврентьева, И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, Л. П. Пороховниченко // Известия высших учебных заведений. Физика. 1975. Т. 18, № 9. С. 58-63.
• Исследование микроморфологии автоэпитаксиальных слоев арсенида галлия. II. Начальные стадии роста / Л. Г. Лаврентьева, И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, Л. П. Пороховниченко // Известия высших учебных заведений. Физика. 1975. Т. 18, № 9. С. 69-74.
• Кинетика роста и легирования эпитаксиального арсенида галлия / Л. Г. Лаврентьева, М. Д. Вилисова, И. В. Ивонин, Ю. Г. Катаев, Л. М. Красильникова, Л. П. Пороховниченко, Ю. М. Румянцев, А. Д. Шумков, М. П. Якубеня // Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск, 1975. Ч. 1. С. 156-163.
• К методике электронно-микроскопических исследований ростовой поверхности эпитаксиальных слоев / Л. М. Красильникова, И. В. Ивонин, Л. В. Масарновский, Л. Н. Сысоева, М. П. Якубеня // Известия высших учебных заведений. Физика. 1975. Т. 18, № 8. С. 19-22.
• Electron microscopy of growth surfaces on epitaxial films / L. M. Krasil'nikova, I. V. Ivonin, L. V. Masarnovskii, L. N. Sysoeva, M. P. Yakubenya // Soviet Physics Journal. 1975. Vol. 18, № 8. P. 1074–1077.
• Krasil'nikova L. M. Investigation of transition layers in epitaxial gallium arsenide detection of layers by decoration / L. M. Krasil'nikova, I. V. Ivonin, M. D. Vilisova // Soviet Physics Journal. 1975. Vol. 18, № 8. P. 1166–1168.
• Micromorphology of auto-epitaxial layers of gallium arsenide. I. Influence of orientation and alloying admixture (Zn) / L. G. Lavrent'eva, I. V. Ivonin, L. M. Krasil'nikova, L. P. Porokhovnichenko // Soviet Physics Journal. 1975. Vol. 18, № 9. P. 1258–1264.
• Micromorphology of auto-epitaxial layers of gallium arsenide. II. Initial stages of growth / L. G. Lavrent'eva, I. V. Ivonin, L. M. Krasil'nikova, L. P. Porokhovnichenko // Soviet Physics Journal. 1975. Vol. 18, № 9. P. 1270–1275.
1976
• Влияние типа легирующей примеси на формирование ростового рельефа арсенида галлия в хлоридной газотранспортной системе / Л. Г. Лаврентьева, И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, Л. П. Пороховниченко, И. А. Вяткина // Известия высших учебных заведений. Физика. 1976. Т. 19, № 1. С. 44-48.
• Effect of dopant type on the formation of the growth relief of gallium arsenide in a chloride gas-transport system / L. G. Lavrent'eva, I. V. Ivonin, L. M. Krasil'nikova, L. P. Porokhovnichenko, I. A. Vyatkina // Soviet Physics Journal. 1976. Vol. 19, № 1. P. 31–37.
1977
• Ивонин И. В. Электронномикроскопическое исследование механизма роста эпитаксиальных слоев арсенида галлия : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07. - Томск, 1977. - 231 с.
• Лаврентьева Л. Г. Рост арсенида галлия при различных входных пересыщениях в газотранспортной системе GaAs-AsCl3-H2. II. // Известия высших учебных заведений. Физика. 1977. Т. 20, № 12. С. 24-29.
• Скорость роста и структура поверхности АЭС GaAs. I. Зависимость от технологических условий выращивания в газотранспортных системах / Л. Г. Лаврентьева, И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, Л. П. Пороховниченко // Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск, 1977. Ч. 2. С. 84-92.
• Скорость роста и структура поверхности АЭС GaAs. I. Влияние легирующих примесей и пересыщения / Л. Г. Лаврентьева, И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, Л. П. Пороховниченко // Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск, 1977. Ч. 2. С. 92-98.
• Lavrent'eva L. G. Growth of gallium arsenide in a GaAs-AsCl3-H2 gas-transport system. 2. Growth mechanism // L. G. Lavrent'eva, I. V. Ivonin, L. P. Porokhovnichenko // Soviet Physics Journal. 1977. Vol. 20, № 12. P. 1551–1555.
1978
• Ивонин И. В. Дефектообразование при газофазной эпитаксии арсенида галлия / И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, Л. Г. Лаврентьева // Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 г. : тезисы докладов. Томск, 1978. С. 196-197.
• Ивонин И. В. Рельеф поверхности и диффузионные процессы при росте эпитаксиальных слоев арсенида галлия // V Симпозиум по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок, г. Новосибирск, 6-8 июня 1978 г. : тезисы докладов. Новосибирск, 1978. С. 39.
• Ивонин И. В. Электронномикроскопическое исследование механизма роста эпитаксиальных слоев арсенида галлия : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.07. - Харьков : [б. и.], 1978. - 19 с.
1979
• Исследование механизма роста тонких автоэпитаксиальных слоев кремния, выращенных в низкотемпературном хлоридном процессе / И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, Л. Г. Лаврентьева, Б. В. Орион, И. М. Скворцов // Известия высших учебных заведений. Физика. 1979. № 2. С. 59-63.
• Кинетика формирования дефектов типа цтс при газофазовой эпитаксии арсенида галлия / И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, Л. Г. Лаврентьева, Г. Ф. Лымарь // Известия высших учебных заведений. Физика. 1979. № 6. С. 115-117.
• *Effects of Crystallization Conditions on Growth and Doping Anisotropy for Epitaxial Germanium / L. G. Lavrent’eva, I. S. Zakharov, I. V. Ivonin, S. E. Toropov // Growth of Crystals. 1979. Vol. 11. P. 177-182.
• Growth mechanism for thin autoepitaxial silicon layers grown in a low-temperature chloride process / I. V. Ivonin, L. M. Krasil'nikova, L. G. Lavrent'eva, B. V. Orion, I. M. Skvortsov // Soviet Physics Journal. 1979. Vol. 22, № 2. P. 157–161.
• Kinetics of formation of defects of the step stopping center (SSC) type in gas-phase epitaxy of gallium arsenide / I. V. Ivonin, L. M. Krasil'nikova, L. G. Lavrent'eva, G. F. Lymar' // Soviet Physics Journal. 1979. Vol. 22, № 6. P. 672–674.
1980
• Ивонин И. В. Рельеф поверхности и диффузионные процессы при росте эпитаксиальных слоев арсенида галлия // Проблемы роста полупроводниковых кристаллов и пленок : труды V Симпозиума по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок : сб. Новосибирск, 1979. Ч. 1. С. 147-151. (Деп. в ВИНИТИ 9.01.1980, № 158-80).
• Ивонин И. В. Роль поверхностных состояний в начальных стадиях кристаллизации на поверхности (III) GaAs / И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, В. Е. Степанов // Шестая Международная конференция по росту кристаллов : расширенные тезисы. М., 1980. Т. 1 : Рост из газовой фазы. С. 269-271.
• Исследование явлений анизотропии при газофазовой эпитаксии арсенида индия / Г. А. Александрова, И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, Л. Г. Лаврентьева, А. Е. Шубин, М. П. Якубеня // Известия высших учебных заведений. Физика. 1980. Т. 23, № 9. С. 71-75.
• Лаврентьева Л. Г. Кинетика и механизм роста арсенида галлия в газотранспортных средах / Л. Г. Лаврентьева, И. В. Ивонин, Л. П. Пороховниченко // Рост кристаллов. М., 1980. Т. 13. С. 33-44.
• Кинетические и морфологические исследования процессов роста эпитаксиальных слоев арсенида индия / Т. А. Александрова, И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, Н. Н. Криволапов, Л. Г. Лаврентьева, П. Б. Пащенко, М. П. Рузайкин, А. Е. Шубин, М. П. Якубеня // Шестая Международная конференция по росту кристаллов : расширенные тезисы. М., 1980. Т. 1 : Рост из газовой фазы. С. 262-264.
• Formation of submicron growth defects during vapour deposition of GaAs films / L. G. Lavrentieva, I. V. Ivonin, L. M. Krasilnikova, M. D. Vilisova // Kristall und Technik. 1980. Vol. 15, № 6. P. 683-689.
• Investigation of anisotropic effects in vapor epitaxy of indium arsenide. I. Anistropy of growth rate and surface microrelief / G. A. Aleksandrova, I. V. Ivonin, L. M. Krasil'nikova, L. F. Lavrent'eva, A. E. Shubin, M. P. Yakubenya // Soviet Physics Journal. 1980. Vol. 23, № 9. P. 813–817.
1981
• Влияние условий кристаллизации на кинетику роста и дефектообразование при выращивание слоев InAs в хлоридной системе / Г. А. Александрова, И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, Л. Г. Лаврентьева, А. Е. Шубин, М. П. Якубеня // Технология получения и электрические свойства соединений A3B5 : материалы Всесоюзной конференции. Ленинград, 1981. С. 24-26.
• Красильникова Л. М. Ростовые микродефекты в автоэпитаксиальном арсениде галлия / Л. М. Красильникова, И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева // Синтез и рост совершенных кристаллов и пленок полупроводников. Новосибирск, 1981. С. 175-178.
• Лаврентьева Л. Г. Влияние пересыщения на рост слоев арсенида галлия в хлоридной газотранспортной системе / Л. Г. Лаврентьева, В. А. Московкин, И. В. Ивонин // Известия высших учебных заведений. Физика. 1981. Т. 24, № 3. С. 89-93.
• Lavrent'eva L. G. Influence of supersaturation on the growth of gallium arsenide films in chloride gas-transport systems / L. G. Lavrent'eva, V. A. Moskovkin, I. V. Ivonin // Soviet Physics Journal. 1981. Vol. 24, № 3. P. 282–286.
1982
• Влияние пересыщения на рост полярных граней (111) арсенида галлия / Л. Г. Лаврентьева, А. В. Московкин, В. Г. Иванов, И. В. Ивонин // Известия высших учебных заведений. Физика. 1982. Т. 25, № 4. С. 112-113.
• Влияние температуры кристаллизации на скорость роста эпитаксиальных слоев арсенида галлия в системе GaAs -AsCl3 -H2 / Л. Г. Лаврентьева, В. Г. Иванов, И. В. Ивонин, В. А. Московкин // Известия высших учебных заведений. Физика. 1982. Т. 25, № 9. С. 101-104.
• Влияние температуры кристаллизации на структуру ростовых поверхностей эпитаксиальных слоев арсенида галлия в системе GaAs -AsCl3 -H2 / Л. Г. Лаврентьева, В. Г. Иванов, И. В. Ивонин, В. А. Московкин // Известия высших учебных заведений. Физика. 1982. Т. 25, № 9. С. 105-108.
• Исследование явлений анизотропии при газофазной эпитаксии арсенида индия. II. Анизотропия скорости роста и захвата примеси / Г. А. Александрова, И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева, Г. Ф. Лымарь, М. П. Рузайкин, А. Е. Шубин // Известия высших учебных заведений. Физика. 1982. Т. 25, № 4. С. 36-39.
• Образование субмикронных ямок роста при газофазовой эпитаксии арсенида индия / Г. А. Александрова, И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, Н. Н. Криволапов, Л. Г. Лаврентьева, А. Е. Шубин // Известия высших учебных заведений. Физика. 1982. Т. 25, № 4. С. 110-111.
• Anisotropy during vapor-phase epitaxy of indium arsenide. II. Growth-rate anisotropy and impurity trapping / G. A. Aleksandrova, I. V. Ivonin, L. G. Lavrent'eva, G. F. Lymar', M. P. Ruzaikin, A. E. Shubin // Soviet Physics Journal. 1982. Vol. 25, № 4. P. 322–325.
• Influence of crystallization temperature on the structure of growth surfaces of epitaxial gallium arsenide layers in the system GaAs-AsCl3-H2 / L. G. Lavrent'eva, V. G. Ivanov, I. V. Ivonin, V. A. Moskovkin // Soviet Physics Journal. 1982. Vol. 25, № 9. P. 863–867.
• Influence of crystallization temperature on growth rate of epitaxial gallium arsenide layers in the system GaAs-AsCl3-H2 / L. G. Lavrent'eva, V. G. Ivanov, I. V. Ivonin, V. A. Moskovkin, S. E. Toropov // Soviet Physics Journal. 1982. Vol. 25, № 9. P. 859–862.
1983
• Зависимость скорости роста эпитаксиальных слоев InAs от давления AsCl3 в системе InAs - AsCl3 - H2 / Г. А. Александрова, И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, Л. Г. Лаврентьева, П. Б. Пащенко, А. Е. Шубин // Известия высших учебных заведений. Физика. 1983. Т. 26, № 11. С. 49-52.
• The growth rate of epitaxial InAs layers as a function of AsCl3 in the InAs-AsCl3-H2 system / G. A. Aleksandrova, I. V. Ivonin, L. M. Kasil'nikova, L. G. Lavrent'eva, P. B. Pashchenko, A. E. Shubin // Soviet Physics Journal. 1983. Vol. 26, № 11. P. 1008–1010.
1984
• Зависимость скорости роста эпитаксиальных слоев арсенида индия от температуры осаждения в системе InAs-AsCl3-H2 / Г. А. Александрова, И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, Л. Г. Лаврентьева, П. Б. Пащенко, А. Е. Шубин // Известия высших учебных заведений. Физика. 1984. Т. 27, № 5. С. 32-36.
• Dependence of the rate of growth of epitaxial layers of indium arsenide on the temperature of deposition in the system in As-AsC13-H2 / G. A. Aleksandrova, I. V. Ivonin, L. M. Krasil'nikova, L. G. Lavrent'eva, P. B. Paschenko, A. E. Shubin // Soviet Physics Journal. 1984. Vol. 27, № 5. P. 379–383.
1985
• Phase interaction in GaAs contacts with group I metals and its relationship to the degradation of structures with a Schottky barrier / V. G. Bozhkov, K. V. Soldatenko, M. P. Yakubenya, I. V. Ivonin, V. M. Zavodchikov, A. A. Yatis // Soviet Physics Journal. 1985. Vol. 28, № 9. P. 704–709.
1986
• Боровой А. Г. Метод измерения пространственных неоднородностей оптического излучения по корреляции интенсивности в симметричных точках фурье-спеклов / А. Г. Боровой, А. В. Ивонин, О.А. Реутова // Материалы VIII Всесоюзного симпозиума по распространению лазерного излучения в атмосфере. Томск, 1986. Ч. 3. С. 130-132.
• Измерение параметров аэрозольных частиц методами голографии и спекл-оптики / А. Г. Боровой, В. В. Демин, В. А. Донченко, А. В. Ивонин // Материалы VIII Всесоюзного симпозиума по распространению лазерного излучения в атмосфере. Томск, 1986. Ч. 3. С. 319-322. Библиогр.: 6 назв.
1987
• Ивонин И. В. Электронномикроскопическое исследование поверхности эпитаксиальных слоев GaAs в окрестности грани (III)A / И. В. Ивонин, С. Е. Торопов // Известия высших учебных заведений. Физика. 1987. Т. 30, № 9. С. 8-12.
• *Использование AsH3 для управления анизотропией скорости роста эпитаксиальных слоев арсенида галлия в системе Ga-AsCl-H2 / Г. А. Александрова, И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева, П. Б. Пащенко, М. В. Чеканова // VI Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия : тезисы докладов. Томск, 1987. Т. 1. С. 110-111.
• *Применение физических методов для контроля состояния поверхности подложки арсенида галлия в процессе предэпитаксиальной обработки / H. H. Криволапов, В. И. Кравцов, И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева, С. Е. Торопов // VI Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия. Томск, 1987. Т. 1. С. 112-113.
• Ivonin I. V. Electron-microscope studies of the surface of epitaxial GaAs layers in the proximity of the (111)A face / I. V. Ivonin, S. E. Toropov // Soviet Physics Journal. 1987. Vol. 30, № 9. P. 725–729.
1988
• Влияние входного давления AsH₃ на рост эпитаксиальных слоев арсенида галлия в системе GaC1–AsH₃–H₂. Интервал ориентаций (115)A–(001)–(115)B / Г. А. Александрова, И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева, П. Б. Пащенко, М. В. Чеканова // Известия высших учебных заведений. Физика. 1988. Т. 31, № 9. С. 81-86
• Influence of the AsH3 inlet pressure on the growth of epitaxial gallium arsenide layers in the GaCl-AsH3-H2 system. Range of orientation (115)A-(001)-(115)B / G. A. Aleksandrova, I. V. Ivonin, L. G. Lavrent'eva, P. B. Pashchenko, M. V. Chekanova // Soviet Physics Journal. 1988. Vol. 31, № 9. P. 759–763.
1989
• Процессы твердотельной перекристаллизации в структурах Ni – GaAs, Pd – GaAs / Л. М. Красильникова, И. В. Ивонин, М. П. Якубеня, Н. К. Максимова, Г. К. Арбузова // Известия высших учебных заведений. Физика. 1989. Т. 32, № 3. С. 60-65.
• Solid-state recrystallization processes in Ni-GaAs and Pd-GaAs structures / L. M. Krasil'nikova, I. V. Ivonin, M. P. Yakubenya, N. K. Maksimova, G. K. Arbuzova // Soviet Physics Journal. 1989. Vol. 32, № 3. P. 207–211.
1992
• Использование AB -травителя для выявления структурно-примесных неоднородностей в эпитаксиальных слоях GaAs / И. В. Ивонин, Н. Я. Каримова, H. H. Криволапов, Л. Г. Лаврентьева // Известия высших учебных заведений. Физика. 1992. Т. 35, № 5. С. 111-114.
• О роли подложки в формировании дефектов структуры типа ЦТС в условиях газофазовой эпитаксии арсенида галлия / И. В. Ивонин, H. H. Криволапов, Л. Г. Лаврентьева, Л. П. Пороховниченко // Известия высших учебных заведений. Физика. 1992. Т. 35, № 1. С. 64-65.
• Role of the substrate in the formation of structure defects representing step retardation sites during vapor phase epitaxy of gallium arsenide / I. V. Ivonin, N. N. Krivolapov, L. G. Lavrent'eva, L. P. Porokhovnichenko // Russian Physics Journal. 1992. Vol. 35, № 1. P. 51–52.
• Use of ab etchant for clarifying the structural-impurity inhomogeneties in epitaxial layers of GaAs / I. V. Ivonin, N. Ya. Karimova, N. N. Krivolapov, L. G. Lavrent'eva // Russian Physics Journal. 1992. Vol. 35, № 5. P. 487–489.
1993
• Арсенид галлия, выращенный методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре: кристаллическая структура, свойства, сверхпроводимость / Н. А. Берт, А. И. Вейнгер, М. Д. Вилисова, С. И. Голощапов, И. В. Ивонин, С. В. Козырев, А. Е. Куницын, Л. Г. Лаврентьева, Д. И. Лубышев, В. В. Преображенский, Б. Р. Семягин, В. В. Чалдышев, М. П. Якубеня, В. В. Третьяков // Физика твердого тела. 1993. Т. 35, № 10. С. 2609-2625.
• *Clusters and the nature of superconductivity in LTMBE-GaAs / N. A. Bert, V. V. Chaldyshev, S.I. Goloshchapov, S. V. Kozyrev, A. E. Kunitsyn, V. V. Tret'yakov, A. I. Veinger, I. V. Ivonin, L. G. Lavrentieva, M. D. Vilisova, M. P. Yakubenya, D. I. Lubyshev, V. V. Preobrazhenskii, B. R. Semyagin // Materials research society symposium proceedings. 1993. Vol. 325: Symposium L – Physics and Applications of Defects in Advanced Semiconductors. P. 401-406.
• Gallium arsenide grown by molecular beam epitaxy at low temperatures: crystal structure, properties, superconductivity / N. A. Bert, A. I. Veinger, M. D. Vilisova, S. I. Goloshchapov, I. V. Ivonin, S. V. Kozyrev, A. E. Kunitsyn, L. G. Lavrent'eva, D. I. Lubyshev, V. V. Preobrazhenskii, B. R. Semyagin, V. V. Tret'yakov, V. V. Chaldyshev, M. P. Yakubenya // Physics of the Solid State. 1993. Vol. 35, № 10. P. 1289-1297.
1995
• Кинетика кристаллизации GaAs при латеральной эпитаксии в хлоридной газотранспортной системе / С. Ю. Владимирова, И. В. Ивонин, Ю. Г. Катаев, Л. Г. Лаврентьева, Л. П. Пороховниченко // Кристаллография. 1995. Т. 40, № 5. С. 916-919.
• *CR-39 nuclear track detector application for the diagnostics of low energy high power ion beams / M. S. Opecunov, G. E. Remnev, A. N. Grishin, I. V. Ivonin // Radiation Measurements. 1995. Vol. 25. № 1-4. P. 739-740.
• Growth kinetics of GaAs in the lateral vapor-phase epitaxy in a chloride system / S. Yu. Vladimirova, I. V. Ivonin, Yu. G. Kataev, L. G. Lavrent'eva, L. P. Porokhovnichenko // Crystallography Reports. 1995. Vol. 40, № 5. P. 849-852.
1996
• Влияние ориентации подложки на анизотропию скорости латерального роста арсенида галлия в хлоридной газотранспортной системе / С. Ю. Владимирова, И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева, Л. П. Пороховниченко, В. В. Черкасов // Кристаллография. 1996. Т. 41, № 5. С. 932-934.
• Начальные стадии роста и образование переходных слоев при гетероэпитаксии InP на GaAs / И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева, В. С. Лукаш, С. В. Субач, Е. В. Черников, А. Н. Тарзимянов // Известия высших учебных заведений. Физика. 1996. Т. 39, № 6. С. 85-90.
• Effect of substrate orientation on the anisotropy lateral growth rate of GaAs in a chloride transport system / S. Yu. Vladimirova, I. V. Ivonin, L. G. Lavrent'eva, L. P. Porokhovnichenko, V. V. Cherkasov // Crystallography Reports. 1996. Vol. 41, № 5. P. 889-891.
• Initial stages in the growth and development of junctions in heteroepitaxy of InP on GaAs / I. V. Ivonin, L. G. Lavrent'eva, V. S. Lukash, S. V. Subach, E. V. Chernikov, A. N. Tarzimyanov // Russian Physics Journal. 1996. Vol. 39, № 6. P. 571–575.
• *Magnetic field-dependent microwave absorption due to superconducting In-Ga clusters in gallium arsenide grown by molecular-beam epitaxy / A. I. Veǐnger, S. V. Kozyrev, V. V. Chaldyshev, M. D. Vilisova, L. G. Lavrent'eva, I. V. Ivonin, D. I. Lubyshev, V. V. Preobrazhesnkiǐ, B. R. Semyagin // Physics of the Solid State. 1996. Vol. 38, № 10. P. 1585–1588.
1997
• Chemical vapor deposition of GaAs containing nanometer size clusters / V. V. Chaldyshev, I. V. Ivonin, A. E. Kunitsyn, L. G. Lavrentieva, A. I. Veinger, M. D. Vilisova // Compound Semiconductors 1996 : Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996. Institute of Physics Publishing, 1997. P. 251-254. (Institute of Physics Conference Series, № 155).
1998
• Ивонин И. В. Ступени роста и процессы на фронте кристаллизации при газофазовой эпитаксии полупроводников А3В5 : автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. 01.04.07. - Новосибирск, 1998. - 33 с.: ил.
• Ивонин И. В. Ступени роста и процессы на фронте кристаллизации при газофазовой эпитаксии полупроводников А3 В5 : диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. 01.04.07. – Томск, 1998. – 350 с.
• Структура и свойства эпитаксиальных слоев GaAs и InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах / И. А. Бобровникова, А. И. Вейнгер, М. Д. Вилисова, И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева, Д. И. Лубышев, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, С. В. Субач, В. В. Чалдышев, М. П. Якубеня // Известия высших учебных заведений. Физика. 1998. Т. 41, № 9. С. 37-45.
• Физика сложных полупроводниковых кристаллов и структур / B. H. Брудный, O. B. Воеводина, В. Г. Воеводин, С. Н. Гриняев, И. В. Ивонин, Г. Ф. Караваев, Л. Г. Лаврентьева // Известия высших учебных заведений. Физика. 1998. Т. 41, № 8. С. 26-38.
• Physics of complex semiconductor crystals and their structure / V. N. Brudnyi, O. V. Voevodina, V. G. Voevodin, S. N. Grinyaev, I. V. Ivonin, G. F. Karavaev, L. G. Lavrent'eva // Russian Physics Journal. 1998. Vol. 41, № 8. P. 754–767.
• Structure and properties of epitaxial GaAs and InGaAs films grown by low-temperature molecular-beam epitaxy / I. A. Bobrovnikova, A. I. Veinger, M. D. Vilisova, I. V. Ivonin, L. G. Lavrent'eva, D. I. Lubyshev, V. V. Preobrazhenskii, M. A. Putyato, B. R. Semyagin, S. V. Subach, V. V. Chaldyshev, M. P. Yakubenya // Russian Physics Journal. 1998. Vol. 41, № 9. P. 885–893.
1999
• Образование переходных слоев при гетероэпитаксии полупроводниковых соединений Α₃B₅ в системах газофазовой эпитаксии / М. Д. Вилисова, И. В. Ивонин, Т. В. Кораблева, Л. Г. Лаврентьева, В. С. Лукаш, С. В. Субач, И. Т. Шулепов, М. П. Якубеня // Известия высших учебных заведений. Физика. 1999. Т. 42, № 1. С. 18-21.
• Структура и свойства слоев InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре / М. Д. Вилисова, И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева, С. В. Субач, М. П. Якубеня, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, Н. А. Берт, Ю. Г. Мусихин, В. В. Чалдышев // Физика и техника полупроводников. 1999. Т. 33, № 8. С. 900-906.
• Formation of a transition layer during heteroepitaxy of III–V compound semiconductors in gas-phase epitaxy systems / M. D. Vilisova, I. V. Ivonin, T. V. Korableva, L. G. Lavrent'eva, V. S. Lukash, S. V. Subach, I. T. Shulepov, M. P. Yakubenya // Russian Physics Journal. 1999. Vol. 42, № 1. P. 17-21.
• Structure and properties of InGaAs layers grown by low-temperature molecular-beam epitaxy / M. D. Vilisova, I. V. Ivonin, L. G. Lavrentieva, S. V. Subach, M. P. Yakubenya, V. V. Preobrazhenskii, M. A. Putyato, B. R. Semyagin, N. A. Bert, Yu. G. Musikhin, V. V. Chaldyshev // Semiconductors. 1999. Vol. 33, № 8. P. 824–829.
2000
• The Effect of Flow Ratio between Elements of Groups III and V on the Structure and Properties of InGaAs Layers Grown by Low-Temperature Molecular-Beam Epitaxy / B. Bobrovnikova, M. D. Vilisova, I. V. Ivonin, L. G. Lavrent'yeva, V. V. Preobrazhenskii, M. A. Putyato, B. R. Semyagin, S. V. Subach // Russian Physics Journal. 2000. Vol. 43, № 10. P. 816–820.
2001
• Эволюция рельефа поверхности тонких диэлектрических пленок при термическом отжиге. Фрактальный анализ / А. В. Панин, А. Р. Шугуров, М. Б. Иванов, И. В. Ивонин // Физическая мезомеханика. 2001. Т. 4, № 2. С. 65-75.
• Науч. рук.: Субач С. В. Особенности формирования фазовых неоднородностей в гетероэпитаксиальных слоях InP и InGaAs : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10 / Науч. рук. Ивонин И. В. ; Сибирский физико-технический ин-т им. В. Д. Кузнецова при Том. гос. ун-те. - Томск : б. и., 2001. - 184 л.: ил.
2002
• Взаимодействие ступеней роста на поверхности эпитаксиальных слоев InAs при газофазовой эпитаксии / И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева, Г. А. Александрова, Л. Л. Девятьярова // Известия высших учебных заведений. Физика. 2002. Т. 45, № 6. С. 90-93
• Влияние концентрации мышьяка на характеристики эшелона ступеней роста при газофазовой эпитаксии GaAs / И. В. Ивонин, Л. Л. Девятьярова, Л. Г. Лаврентьева, Г. А. Александрова // Известия высших учебных заведений. Физика. 2002. Т. 45, № 10. С. 67-69.
• Влияние отношения потоков As и Ga и примеси Si на рост слоев GaAs при низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии / М. Д. Вилисова, И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, С. В. Субач, С. Е. Торопов // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2002. № 4. С. 44-47.
• Исследование поверхностных процессов при газофазовой эпитаксии GaAs: асимметричный захват атомов в ступень / И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, Л. Г. Лаврентьева, Л. П. Пороховниченко // Известия высших учебных заведений. Физика. 2002. Т. 45, № 5. С. 58-61.
• Торхов Н. А. Аморфизация приповерхностной области эпитаксиального N-GaAs под воздействием атомарного водорода / Н. А. Торхов, И. В. Ивонин, Е. В. Черников // Физика и техника полупроводников. 2002. Т. 36, № 7. С. 885-889.
• Effect of the Arsenic Concentration on the Characteristics of the Growth Step Echelon in GaAs Epitaxy / I. V. Ivonin, L. G. Lavrent'eva, G. A. Aleksandrova, L. L. Devyat'yarova // Russian Physics Journal. Vol. 45, № 10. 2002. P. 997–1000.
• Influence of the Substrate Orientation on the Silicon Capture into A- and B- Sublattices of Gallium Arsenide in Molecular Beam Epitaxy / I. A. Bobrovnikova, M. D. Vilisova, I. V. Ivonin, L. G. Lavrent'eva, V. V. Preobrazhenskii, M. A. Putyato, B. R. Semyagin, S. V. Subach, S. E. Toropov // Russian Physics Journal. 2002. Vol. 45, № 4. P. 414–418.
• Interaction of Growth Steps on the Surface of InAs Epitaxial Layers in Vapor-Phase Epitaxy / I. V. Ivonin, L. L. Devyat'yarova, L. G. Lavrent'eva, G. A. Aleksandrova // Russian Physics Journal. 2002. Vol. 45, № 6. P. 638–642.
• *I. V. Ivonin. Lateral Epitaxy of Gallium Arsenide by Chloride Vapor Transport / I. V. Ivonin, L. G. Lavrent’eva, L. P. Porokhovnichenko // Growth of Crystals. 2002. Vol. 21. P. 25-35.
• Study of the Surface Processes in Vapor-Phase Epitaxial GaAs: Asymmetric Trapping of Atoms at the Step / I. V. Ivonin, L. M. Krasil'nikova, L. G. Lavrent'eva, L. P. Porokhovnichenko // Russian Physics Journal. 2002. Vol. 45, № 5. P. 493–497.
• Torkhov N. A. Amorphization of the surface region in epitaxial n-GaAs treated with atomic hydrogen / N. A. Torkhov, I. V. Ivonin, E. V. Chernikov // Semiconductors. 2002. Vol. 36, № 7. P. 832–836.
2003
• Влияние микроструктуры на механические свойства тонких пленок меди / А. В. Панин, А. Р. Шугуров, И. В. Ивонин, Л. Л. Анисимова, К. В. Оскомов, Т. И. Лисковская, И. К. Игуменов // Физическая мезомеханика. 2003. Т. 6, № 2. С. 91-98.
• Влияние условий молекулярно-лучевой эпитаксии на захват кремния в подрешетки А и В арсенида галлия / И. А. Бобровникова, М. Д. Вилисова, И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, С. В. Субач, С. Е. Торопов // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37, № 9. С. 1072-1077.
• Effect of growth conditions on incorporation of Si into Ga and As sublattices of GaAs during molecular-beam epitaxy / I. A. Bobrovnikova, M. D. Vilisova, I. V. Ivonin, L. G. Lavrent’eva, V. V. Preobrazhenskii, M. A. Putyato, B. R. Semyagin, S. V. Subach, S. E. Toropov // Semiconductors. 2003. Vol. 37, № 9. P. 1047–1052.
• Ivonin I. V. Study of the Elementary Growth Processes During Vapor-Phase Epitaxy of Semiconducting III–V Compounds / I. V. Ivonin, I. A. Bobrovnikova // Russian Physics Journal. 2003. Vol. 46, № 10. P. 577–584.
2004
• Бобровникова И. А. Элементарные процессы роста при газофазной эпитаксии полупроводниковых соединений III-IV / И. А. Бобровникова, И. В. Ивонин // Физико-химические процессы в неорганических материалах (ФХП-9) : доклады международной конференции, посвященной 50-летию Кемеровского государственного университета, 22-25 сентября 2004 г. Кемерово, 2004. Т. 1. С. 484-488.
• Defect formation in LT MBE InGaAs and GaAs / L. L. Anisimova, A. K. Gutakovskii, I. V. Ivonin, V. V. Preobrazhenskii, M. A. Putyato, B. R. Semyagin, S. V. Subach // Journal of Structural Chemistry. 2004. Vol. 45. Supplement 1. P. S96–S102.
2005
• Лаврентьева Л. Г. Газофазовая эпитаксия арсенида галлия / Л. Г. Лаврентьева, М. Д. Вилисова, И. В. Ивонин // Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285 : Серия "Физика". С. 74-83. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000381114
• Лаврентьева Л. Г. Основные этапы развития научного направления по эпитаксии полупроводников в СФТИ / Л. Г. Лаврентьева, И. В. Ивонин // Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285 : Серия "Физика". С. 17-23. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000328904
• Научно-исследовательский институт университета как обособленное структурное подразделение / Г. В. Майер, Г. Е. Дунаевский, И. В. Ивонин, И. А. Котляр // Образовательная среда сегодня и завтра : материалы II Всероссийской научно-практической конференции (Москва, 28.09-01.10.2005). Москва, 2005. С. 340-342.
• Подготовка специалистов в области физики и техники полупроводников в Томском университете / А. В. Войцеховский, В. И. Гаман, В. П. Гермогенов, И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева, Г. М. Мокроусов // Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285 : Серия "Физика". С. 47-52. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000328929
2006
• Бобровникова И. А. Теоретическое и экспериментальное исследование поверхностных процессов при газофазовой эпитаксии соединений III-V / И. А. Бобровникова, И. В. Ивонин, С. Е. Торопов // Известия высших учебных заведений. Физика. 2006. Т. 49, № 5. С. 3-7.
• Дефекты в слоях GaAs и InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах / Лаврентьева Л.Г., Вилисова М.Д., Бобровникова И.А., Ивонин И.В., Преображенский В.В., Чалдышев В.В. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2006. Т. 49, № 12. С. 63-72.
• Ивонин И. В. Роль адсорбционного слоя при формировании фазовой неоднородности на границе раздела InP/GaAs / И. В. Ивонин, С. В. Субач // Известия высших учебных заведений. Физика. 2006. Т. 49, № 6. С. 15-21.
• Поверхностные процессы при молекулярно-лучевой эпитаксии нитрида галлия / И. А. Бобровникова, И. В. Ивонин, В. А. Новиков // Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции. Томск, 2006. С. 241-244.
• Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка / Ли Цзень Фень, Г. Е. Ремнев, М. С. Салтымаков, И. В. Ивонин // Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции. Томск, 2006. С. 277-280.
• Bobrovnikova I. A. Physics of semiconductors and dielectrics theoretical and experimental study of surface Processes during vapor-phase epitaxy of III–V compounds / I. A. Bobrovnikova, I. V. Ivonin, S. E. Toropov // Russian Physics Journal. 2006. Vol. 49, № 5. P. 455–460.
• Defects in the GaAs and InGaAs layers grown by low-temperature molecular-beam epitaxy / L. G. Lavrentieva, M. D. Vilisova, I. A. Bobrovnikova, I. V. Ivonin, V. V. Preobrazhenskii, V. V. Chaldyshev // Russian Physics Journal. 2006. Vol. 49, № 12. P. 1334–1343.
• Ivonin I. V. The role of the adsortption layer in the formation of phase inhomogeneity at the InP/GaAs interface / I. V. Ivonin, S. V. Subach // Russian Physics Journal. 2006. Vol. 49, № 6. P. 580–588.
2007
• Ивонин И. В. Развитие исследований по приоритетному направлению "Индустрия наносистем и материалов" в Томском государственном университете // Исследовательский университет : опыт реализации инновационной образовательной программы : сборник статей. Томск, 2007. Вып. 2. С. 35-40.
• Полупроводниковые плёнки InP полученные методом импульсного ионного осаждения / М. С. Салтымаков, Г. Е. Ремнëв, И. В. Ивонин, Е. П. Найден, В. И. Юрченко // Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства функциональной электроники и микроэлектроники) : материалы XIII Международной научно-технической конференции, Москва, 6-8 сентября 2007 г. М. : Изд-во ЦНИТИ Техномаш , 2007. С. 427-429.
• *Характерные величины поверхностных процессов при газофазовой эпитаксии соединений III-V / Бобровникова И. А., Ивонин И. В., Торопов С. Е. // Международная конференция "Физико-химические процессы в неорганических материалах" (ФХП-10), Кемерово, 10-12 окт., 2007 : доклады. Кемерово, 2007. Т. 2. С. 14-17.
• Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка / Ли Цзень Фень, Г. Е. Ремнев, М. С. Салтымаков, И. В. Ивонин и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2007. Т. 50, № 1. С. 66-70. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000502363
• Erosion of the GaAs target under irradiation by a high-power pulsed ion beam / Li Tszen’ Fen’, G. E. Remnev, M. S. Saltymakov, V. I. Gusel’nikov, V. A. Makeev, I. V. Ivonin, E. P. Naiden, V. I. Yurchenko // Russian Physics Journal. 2007. Vol. 50, № 1. P. 66–70.
2008
• Исследование рельефа и поверхностного потенциала эпитаксиальных пленок GaAs методом атомно-силовой микроскопии / В. А. Новиков, И. В. Ивонин, В. Г. Божков, Н. А. Торхов // Физика твердого тела : сборник материалов XI Российской научной студенческой конференции, 13-15 мая 2008 г., Томск, Россия. Томск, 2008. С. 199-202.
• Исследование свойств поверхности арсенида галлия методом сканирующей атомно-силовой микроскопии / В. Г. Божков, Н. А. Торхов, И. В. Ивонин, В. А. Новиков // Физика и техника полупроводников. 2008. Т. 42, № 5. С. 546-554.
• Исследование условий получения наноструктурированных металлокерамических материалов / С. А. Афанасьева, Н. Н. Белова, Ю. А. Бирюков, Г. Е. Дунаевский, И. В. Ивонин, А. Б. Скосырский, А. Н. Табаченко, О. Ю. Федосов, Н. Т. Югов // Фундаментальные и прикладные проблемы современной механики : материалы VI Всероссийской научной конференции, посвященной 130-летию Томского государственного университета и 40-летию НИИ прикладной математики и механики Томского государственного университета, Томск, 30 сентября-2 октября 2008 г. Томск, 2008. С. 189-190.
• Исследование физических основ технологий получения наноструктурированных металлокерамических материалов для условий высокоскоростного соударения / С. А. Афанасьева, Н. Н. Белов, Ю. А. Бирюков, Г. Е. Дунаевский, И. В. Ивонин, А. Б. Скосырский, А. Н. Табаченко, Н. Т. Югов // XXXIII Дальневосточная математическая школа-семинар имени академика Е.В. Золотова : тезисы докладов. Владивосток : Дальнаука, 2008. С. 183-184.
• Опыт Томского государственного университета в области разработки и внедрения субмикронных и наноразмерных порошков новых материалов в аспекте развития инновационной системы высшего учебного заведения / Ю. А. Бирюков, И. В. Ивонин, А. Н. Ищенко, А. М. Лымарь // Инноватика и экспертиза : научные труды. 2008. Вып. 1. С. 35-41.
• Организационные и финансово-экономические аспекты функционирования центров коллективного пользования Томского государственного университета / О. В. Бабкина, И. В. Ивонин, В. М. Кузнецов, Г. Е. Дунаевский // Развитие сети центров коллективного пользования научным оборудованием : всероссийская конференция, Краснодар, 12-18 октября 2008 г. Краснодар, 2008. С. 71-73.
• Study of the properties of the surface of gallium arsenide by scanning atomic force microscopy / V. G. Bozhkov, N. A. Torkhov, I. V. Ivonin, V. A. Novikov // Semiconductors. 2008. Vol. 42, № 5. P. 531-539.
2009
• *Исследование процесса токопрохождения в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки методами атомно-силовой микроскопии / В. Г. Божков, Н. А. Торхов, И. В. Ивонин, В. А. Новиков // Международная Крымская конференция "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии" (КрыМиКо‘2009) : материалы конф. : в 2 т. / Севастоп. нац. техн. ун-т, Белорус. гос. ун-т информатики и радиоэлектроники, Крым. науч.-технолог. центр им. проф. А. С. Попова, Тавр. нац. ун-т им. проф. В. И. Вернадского и др. Севастополь : Вебер, 2009. Т. 2, секция 5а/1 : Технология полупроводниковых материалов. Ст. 5а.1. С. 535-536.
• Исследование распределения потенциала на локально металлизированной поверхности N-GaAs методом атомно-силовой микроскопии / Н. А. Торхов, В. Г. Божков, И. В. Ивонин, В. А. Новиков // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2009. № 11. С. 57-66.
• Определение фрактальной размерности поверхности эпитаксиального N-GaAs в локальном пределе / Н. А. Торхов, В. Г. Божков, И. В. Ивонин, В. А. Новиков // Физика и техника полупроводников. 2009. Т. 43, № 1. С. 38-47.
• Пат. № 2371284 Российская Федерация, МПК B22F 1/00 (2006.01), B22F 9/04 (2006.01), B02C 23/12 (2006.01), B02C 25/00 (2006.01), G05D 16/00 (2006.01). Порошок активированного алюминия, способ его получения, устройство для реализации способа и блок управления устройством : № 2007147748/02 : заявл. 20.10.2007 : опубл. 27.10.2009, Бюл. № 30 / Бирюков Ю. А., Богданов Л. Н., Дунаевский Г. Е., Евстафьев В. Ф., Ивонин И. В., Ищенко А. Н., Лымарь А. М. ; патентообладатель ГОУ ВПО ТГУ. – 14 с.
• *Проблемы и некоторые решения вопросов порошковой технологии при производстве и применении неорганических и органических наночастиц / Ю. А. Бирюков, И. В. Ивонин, А. Ю. Объедков // Rusnanotech 09 : сборник тезисов докладов участников II Международного форума по нанотехнологиям. 2009. С. 601-603.
• Теоретическое и экспериментальное исследование поверхностных процессов при молекулярно-лучевой эпитаксии нитрида галлия / Бобровникова И. А., Ивонин И. В., Новиков В. А., Преображенский В. В. // Физика и техника полупроводников. 2009. Т. 43, № 3. С. 422-428.
• Ультрадисперсные и наноразмерные порошки: создание, строение, производство и применение / С. Г. Псахье, А. Ю. Объедков, М. И. Лернер, А. Н. Ищенко, И. В. Ивонин, Ю. А. Бирюков, В. М. Бузник, Г. Е. Дунаевский; под ред. В. М. Бузника. – Томск, 2009. – 190 c.
• *Фрактальная геометрия рельефов и потенциалов поверхностей эпитаксиального арсенида галлия и барьерной металлизации / Н. А. Торхов, В. Г. Божков, В. А. Новиков, И. В. Ивонин // Международная Крымская конференция "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии" (КрыМиКо‘2009) : материалы конф. : в 2 т. / Севастоп. нац. техн. ун-т, Белорус. гос. ун-т информатики и радиоэлектроники, Крым. науч.-технолог. центр им. проф. А. С. Попова, Тавр. нац. ун-т им. проф. В. И. Вернадского и др. Севастополь : Вебер, 2009. Т. 2, секция 5а/1 : Технология полупроводниковых материалов. Ст. 5а.8. С. 550-551.
• Atomic force microscopy study of the potential distribution over a locally metallized n-GaAs surface / N. A. Torkhov, V. G. Bozhkov, I. V. Ivonin, V. A. Novikov // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2009. Vol. 3, № 6. P. 888–896.
• Determination of the fractal dimension for the epitaxial n-GaAs surface in the local limit / N. A. Torkhov, V. G. Bozhkova, I. V. Ivonin, V. A. Novikov // Semiconductors. 2009. Vol. 43, № 1. P. 33–41.
• *Investigation of circuit diagram in metal-semiconductor contacts with Schottki barrier using the method of atomic force / V. G. Bozhkov, N. A. Torkhov, V. A. Novikov, I. V. Ivonin // CriMiCo - 2009 : 19th International Crimean Conference Microwave and Telecommunication Technology : conference proceedings. 2009. P. 535-536.
• Fractal geometry of reliefs and surface potentials in epitaxial gallium arsenide and barrier metallization / N. A. Torkhov, V. G. Bozhkov, V. A. Novikov, I. V. Ivonin // CriMiCo - 2009 : 19th International Crimean Conference Microwave and Telecommunication Technology : conference proceedings. Sevastopol, 2009. P. 550-551.
• Theoretical and experimental studies of surface processes in the course of molecular-beam epitaxy of gallium nitride / I. A. Bobrovnikova, I. V. Ivonin, V. A. Novikov, V. V. Preobrazhenskii // Semiconductors. 2009. Vol. 43, № 3. P. 403–409.
2010
• Бабкина О. В. Инфраструктурное сопровождение разработок в области наноиндустрии в Томском государственном университете / О. В. Бабкина, К. В. Алексеенко, И. В. Ивонин // Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 11-3. С. 6-7.
• Брудный В. Н. Кремний с квантовыми точками германия: электронные и оптические свойства, фотоприемные устройства / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев, И. В. Ивонин // Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 9-3. С. 190-191.
• Исследование процесса распада пересыщенного твердого раствора GaAs : Fe методом сканирующей зондовой микроскопии / С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, В. А. Новиков, О. П. Толбанов, И. В. Ивонин // Физика и техника полупроводников. 2010. Т. 44, № 8. С. 1009-1011.
• Роль распределения напряжений на границе раздела пленка-(барьерный подслой) в формировании силицидов меди / А. В. Панин, А. Р. Шугуров, И. В. Ивонин, Е. В. Шестериков // Физика и техника полупроводников. 2010. Т. 44, № 1. С. 118-125.
• *ТРЦКП Томского государственного университета / Г. В. Майер, Г. Е. Дунаевский, И. В. Ивонин, О. В. Бабкина // Нанотехнологии. Экология. Производство. 2010. № 3. С. 52-53.
• Fractal mode of distribution of surface potential of gate layer in gallium arsenide structure of field-effect transistor / N. A. Torkhov, V. G. Bozhkov, V. A. Novikov, I. V. Ivonin // CriMiCo 2010 : 20th International Crimean Conference : Microwave & Telecommunication Technology : conference proceedings : September 13-17, 2010, Sevastopol, Crimea, Ukraine. 2010. P. 717-718.
• A study of the process of decomposition of supersaturated GaAs:Fe solid solution by scanning probe microscopy / S. S. Khludkov, I. A. Prudaev, V. V. Novikov, O. P. Tolbanov, I. V. Ivonin // Semiconductors. 2010. Vol. 44, № 8. P. 975–977.
• The role of stress distribution at the film/barrier interface in formation of copper silicides / A. V. Panin, A. R. Shugurov, I. V. Ivonin, Ye. V. Shesterikov // Semiconductors. 2010. Vol. 44, № 1. P. 116–122.
• Науч. рук.: Новиков В. А. Исследование морфологии и электронных свойств поверхности пленок AIII BV и контактов металл/AIII BV методом атомно-силовой микроскопии : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Новиков Вадим Александрович ; науч. рук. Ивонин И. В., Торхов Н. А. ; Том. гос. ун-т. - Томск : [б. и.], 2010. - 133 л.: ил.
2011
• Использование методов АСМ для контроля технологических операций при изготовлении фосфидиндиевых гетеробиполярных транзисторов / В. Г. Божков, Н. А. Торхов, И. В. Ивонин, В. А. Новиков, А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан // 21-я Международная Крымская конференция "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии", 12-16 сент., 2011 г. : материалы конф. : в 2-х т. / Севастоп. нац. техн. ун-т, Белорус. гос. ун-т информатики и радиоэлектроники, Крым. науч.-технолог. центр им. проф. А. С. Попова, Тавр. нац. ун-т им. проф. В. И. Вернадского, Харьк. нац. ун-т радиоэлектроники. Севастополь : Вебер, 2011. Т. 2, секция 5а/2 : Технология структур, элементов и приборов СВЧ. Ст. 5a.16. С. 691-692.
• Исследование фрактальной морфологии поверхности HEMT GAN гетероструктур на чужеродных подложках / Н. А. Торхов, В. Г. Божков, В. А. Новиков, И. В. Ивонин, Ю. Н. Свешников, И. Н. Цыпленков // 21-я Международная Крымская конференция "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии", 12-16 сент., 2011 г. : материалы конф. : в 2-х т. / Севастоп. нац. техн. ун-т, Белорус. гос. ун-т информатики и радиоэлектроники, Крым. науч.-технолог. центр им. проф. А. С. Попова, Тавр. нац. ун-т им. проф. В. И. Вернадского, Харьк. нац. ун-т радиоэлектроники. Севастополь : Вебер, 2011. Т. 2, секция 5а/1 : Физические основы, методы контроля элементов и структур СВЧ. Ст. 5a.13p. С. 682-683.
• Прудаев И. А. Ограничение тока в светодиодах на основе нитридов A3B5 при прямом смещении / И. А. Прудаев, И. В. Ивонин, О. П. Толбанов // Известия высших учебных заведений. Физика. 2011. Т. 54, № 12. С. 66-68. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000444868
• Светодиодные гетероструктуры на основе соединений GaN, AlN, InN, полученные методом МОСГФЭ-технологии / В. Н. Брудный, С. М. Гущин, И. В. Ивонин, А. В. Мазалов, В. А. Курешов, А. А. Мармалюк, И. С. Романов, Д. Р. Сабитов, Н. А. Чернов / Известия высших учебных заведений. Физика. 2011. Т. 54, № 9-2. С. 3-8.
• ТРЦКП: исследования и подготовка кадров для наноиндустрии / О. В. Бабкина, Г. Е. Дунаевский, И. В. Ивонин, П. П. Каминский // Российские нанотехнологии. 2011. Т. 6, № 1-2. С. 27-30.
2012
• Распад пересыщенного твердого раствора железа в GaAs / И. А. Прудаев, С. С. Хлудков, А. К. Гутаковский, И. В. Ивонин и др.// Неорганические материалы. 2012. Т. 48, № 2. С. 133-135. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000432573
• Decomposition of a supersaturated solid solution of Fe in GaAs / I. A. Prudaev, S. S. Khludkov, A. K. Gutakovskii, V. A. Novikov, O. P. Tolbanov, I. V. Ivonin // Inorganic Materials. 2012. Vol. 48, № 2. P. 93–95.
• Prudaev I. A. Current limitation in A 3 B 5 nitride light-emitting diodes under forward bias / I. A. Prudaev, I. V. Ivonin, O. P. Tolbanov // Russian Physics Journal. 2012. Vol. 54, № 12. P. 1372–1374.
2013
• Пат. № 2503024 Российская Федерация, МПК G01R 31/26 (2006.01), H01J 37/04 (2006.01), H01S 5/00 (2006.01). Способ контроля внутреннего квантового выхода полупроводниковых светодиодных гетероструктур на основе GaN : № 2012112682/28 : заявл. 03.04.2012 : опубл. 10.10.2013, Бюл. № 28 / Прудаев И. А., Олешко В. И., Корепанов В. И., Лисицын В. М., Толбанов О. П., Ивонин И. В. ; патентообладатель ФГБОУ ВПО НИ ТГУ. – 7 с.
2014
• Диссертация и автореферат диссертации : [СТО ТГУ 123–2014] : общие положения, структура и правила оформления / [руков. И. В. Ивонин ; отв. испол. Нагаев А. Ю. ; испол.: Соколенко Е. Н., Бурова Н. Ю., Кичигина Е. Ю.]. - Томск : Томский государственный университет, 2014. - 59 с.- (Стандарт организации) . URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000497489
• Исследования особенностей процессов получения микронных, субмикронных и наноразмерных порошков пневматическим циркуляционным методом / Ю. А. Бирюков, В. А. Полюшко, А. Ю. Объедков, И. В. Ивонин, А. А. Глазунов, А. Н. Ищенко, С. В. Пономарев // Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 8/2. С. 33-37. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000515845
• Новиков В. А. Влияние температуры роста на статистические параметры морфологии поверхности GaN / В. А. Новиков, В. В. Преображенский, И. В. Ивонин // Физика и техника полупроводников. 2014. Т. 48, вып. 7. С. 898-901. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000493276
• Система менеджмента качества. Документированная процедура ДП СМК НУ ТГУ 05.10.06.2010 "Процесс подготовки, разработки, написания и оформления выпускных квалификационных работ (ВКР)" : уровни подготовки: бакалавр, магистр, специалист : по разным направлениям подготовки / Том. гос. ун-т, Науч. упр., Отдел стандартизации, метрологии и контроля качества НИОКР ; [руков. А. С. Ревушкин ; отв. исполнитель И. В. Ивонин]. - Томск : [б. и.], 2014. - 53 с. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000506706
• Становление и развитие научного и образовательного направлений по физике полупроводников в Томском государственном университете / В. Н. Брудный, А. В. Войцеховский, И. В. Ивонин, О. П. Толбанов // Электронная промышленность. 2014. № 1. С. 7-15. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000493301
• Томский университет в 2014 г. Состояние и результаты. Проблемы и задачи на 2015 г. : отчетный доклад ректората ТГУ на заседании Ученого совета университета 24 декабря 2014 г. / [Нац. исслед.Том. гос. ун-т ; докл.: В. В. Демин, Г. В. Можаева, И. В. Ивонин и др.]. - Томск : [б. и.], 2014. - 83, [1] с.: табл.
• Экспериментальные исследования процессов измельчения порошков вольфрама / Ю. А. Бирюков, В. А. Полюшко, А. Ю. Объедков, И. В. Ивонин // Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 8/2. С. 38-42. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000515857
• Novikov V. A. Effect of the growth temperature on the statistical parameters of GaN surface morphology / V. A. Novikov, V. V. Preobrazhenskii, I. V. Ivonin // Semiconductors. 2014. Vol. 48, № 7. P. 872–874.
2015
• *Влияние размерных эффектов на контактное сопротивление омических контактов / Торхов Н. А., Новиков В. А., Ивонин И. В. // 25 Международная Крымская конференция "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии" (КрыМиКо'2015), Севастополь, 6-12 сент., 2015 : материалы конференции. 2015. Т. 2. С. 609-610.
• *Исследование электрических полей Ni/GaN контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки методами атомно-силовой микроскопии / Н. А. Торхов, В. Г. Божков, В. А. Новиков, И. В. Ивонин // 25 Международная Крымская конференция "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии" (КрыМиКо'2015), Севастополь, 6-12 сент., 2015 : материалы конференции. Севастополь, 2015. Т. 2. С. 611-612.
• Итоги научно-исследовательской деятельности в 2014 году / Том. гос. ун-т ; [ред. сов.: И. В. Ивонин, Борило Л. П., Краснова Т. С. ; сост.: Н. Ю. Бурова, О. В. Бабкина, Л. Н. Спивакова и др.]. - Томск : [б. и.], 2015. - 148 с.: табл. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000503426
2016
• Моделирование процесса спекания изделий из низкотемпературной керамики, формируемых аддитивными технологиями / В. Н. Лейцин, С. В. Пономарев, М. А. Дмитриева, И. В. Ивонин, И. М. Тырышкин // Физическая мезомеханика. 2016. Т. 19, № 4. С. 21-27.
• Получение порошков нитрида алюминия с использованием пневмоциркуляционного метода и определение их значимых характеристик / В. А. Полюшко, Ю. А. Бирюков, И. В. Ивонин, А. Ю. Объедков // Известия высших учебных заведений. Порошковая металлургия и функциональные покрытия. 2016. № 1. С. 12-19.
• Прогноз геометрических характеристик низкотемпературной керамики с многоуровневой иерархической поровой структурой / В. Н. Лейцин, М. А. Дмитриева, И. В. Ивонин и др. // Перспективные материалы с иерархической структурой для новых технологий и надежных конструкций : международная конференция, 19-23 сентября 2016 г., Томск, Россия : тезисы докладов. Томск, 2016. С. 299-300. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000575185
• Физика твердого тела : сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, 18-20 мая 2016 г., г. Томск, Россия / [редкол.: В. А. Новиков, И. В. Ивонин, И. А. Дитенберг и др.] ; Том. гос. ун-т, Сиб. отд-ние Рос. акад. наук. - Томск : Издательский Дом Томского государственного университета, 2016. - 273 с.: ил., табл. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000551498
• Чайковская О. Н. IT в геодезии, картографии и создании умных материалов / О. Н. Чайковская, Н. Г. Брянцева, И. В. Ивонин // Управление качеством инженерного образования. Возможности вузов и потребности промышленности : Вторая международная научно-методическая конференция в рамках Международного научного конгресса “Наука и инженерное образование. SEE-2016” : сборник тезисов. М.: Изд-во НУК ИУ МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2016. С. 78-79.
• Analysis of the low temperature ceramics structure with consideration for polydispersity of initial refractory components / V. N. Leytsin, M. A. Dmitrieva, A. O. Tovpinets, I. V. Ivonin, S. V. Ponomarev // AIP Conference Proceedings. 2016. Vol. 1783, № 1. P. 020132-1 - 020132-4.
• Forecast of geometric characteristics of low-temperature ceramics with multilevel hierarchical pore structure / V. N. Leytsin, M. A. Dmitrieva, I. V. Ivonin, S. V. Ponomarev, V. A. Polyushko // AIP Conference Proceedings. 2016. Vol. 1783, № 1. P. 020131-1 - 020131-4.
• Nature of size effects in compact models of field effect transistors / N. A. Torkhov, V. A. Novikov, I. V. Ivonin, L. I. Babak, A. A. Kokolov, A. S. Salnikov, I. M. Dobush // Journal of Applied Physics. 2016. Vol. 119. P. 094505-1 - 094505-13.
2017
• Итоги научно-исследовательской деятельности в 2016 году / Том. гос. ун-т ; [ред. сов.: Ивонин И. В., Краснова Т. С., Борило Л. П. ; сост.: Л. Н. Нехорошева, О. В. Бабкина, Л. Н. Спивакова и др.]. - Томск : [б. и.], 2017. - 164 с.: табл.
• Итоги научно-исследовательской деятельности в 2017 году / Том. гос. ун-т ; [ред. сов.: Ивонин И. В., Краснова Т. С., Борило Л. П. ; сост.: Л. Н. Нехорошева, О. В. Бабкина, Л. Н. Спивакова и др.]. - Томск : [б. и.], 2018. - 167 с.: табл.
• Методы атомно-силовой микроскопии для контроля качества P++-N -GaAs переходов / Н. А. Торхов, Е. В. Никульникова, И. В. Ивонин // Мокеровские чтения : 8-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники. 2017. С. 128-129.
• Методы атомно-силовой микроскопии для контроля системы электростатических полей кремниевых варикапов / Н. А. Торхов, Ю. В. Янковская, В. А. Новиков, И. В. Ивонин // 27-я Международная Крымская конференция "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии" (КрыМиКо'2017) : материалы конференции : в 9 т. Севастополь, 2017. Т. 4. С. 854-860.
• Определяющие факторы формирования структуры низкотемпературной керамики / В. Н. Лейцин, М. А. Дмитриева, И. В. Ивонин, С. В. Пономарев, В. А. Полюшко, А. О. Товпинец, А. С. Нарикович // Физическая мезомеханика. 2017. Т. 20, № 6. С. 77-85.
• Формирование структуры Green компакта низкотемпературной керамики с учетом термодеструкции связующего / А. О. Товпинец, В. Н. Лейцин, М. А. Дмитриева, И. В. Ивонин, С. В. Пономарев // Перспективные материалы с иерархической структурой для новых технологий и надежных конструкций : международная конференция, 9-13 октября 2017 года, Томск, Россия : тезисы докладов. Томск, 2017. С. 211-213. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000632481
• Facile method for fabrication of surfactant-free concentrated CeO2 SOLS / A. B. Shcherbakov, M. A. Teplonogova, T. O. Shekunova, A. Y. Baranchikov, V. K. Ivanov, O. S. Ivanova, I. V. Ivonin // Materials Research Express. 2017. Vol. 4, № 5. P. 055008.
• Formation of Green compact structure of low-temperature ceramics with taking into account the thermal degradation of the binder / A. O. Tovpinets, V. N. Leytsin, M. A. Dmitrieva, I. V. Ivonin, S. V. Ponomarev // AIP Conference Proceedings. 2017. Vol. 1909, № 1. P. 020220-1 - 020220-4.
• Simulation of sintering of low-temperature ceramic products formed by additive technology / V. N. Leitsin, S. V. Ponomarev, M. A. Dmitrieva, I. V. Ivonin, I. M. Tyryshkin // Physical Mesomechanics. 2017. Vol. 20, № 4. P. 465–471.
2018
• Лопасов В. П. Генерация лазерного излучения нового типа для решения наукоемких прикладных задач. Часть 1 / В. П. Лопасов, И. В. Ивонин // Фотоника. 2018. № 1. С. 44-54.
• Лопасов В. П. Генерация лазерного излучения нового типа для решения наукоемких прикладных задач. Часть 2 / В. П. Лопасов, И. В. Ивонин // Фотоника. 2018. № 4. С. 418-435.
• Филонов Н. Г. Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на основе арсенида галлия : [монография] / Н. Г. Филонов, И. В. Ивонин ; Нац. исслед. Том. гос. ун-т, Том. гос. пед. ун-т ; [под ред. Н. Г. Филонова]. - Томск : Издательский Дом Томского государственного университета, 2018. - 362 с.: ил., табл. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000644762
• Determining Factors in the Formation of Low-Temperature Ceramics Structure / V. N. Leitsin, M. A. Dmitrieva, I. V. Ivonin, S. V. Ponomarev, V. A. Polyushko, A. O. Tovpinets, A. S. Narikovich // Physical Mesomechanics. 2018. Vol. 21, № 6. P. 529–537.
2019
• Изменение морфологии поверхности кристаллов антрацена при отжиге / В.А. Новиков, Р.М. Гадиров, Т.Н. Копылова, Т.А. Солодова, И.А. Бобровникова, И.В. Ивонин, Терещенко Е.В. // Известия вузов. Физика. 2019. Т. 62, № 6. С. 135-138.
• Пат. № 188894 Российская Федерация, МПК G01V 3/11 (2006.01). Портативный индукционный металлоискатель : № 2018132940 : заявл. 18.09.2018 : опубл. 29.04.2019, Бюл. № 13 / Донченко В. А., Замбалов С. Д., Ивонин И. В., Потекаев А. И., Парватов Г. Н., Светличный В. А., Якубов В. П., Яковлев И. А., Яковлева С. В. ; патентообладатель НИ ТГУ. – 8 с.
• Пат. № 189033 Российская Федерация, МПК G01V 3/00 (2006.01), G01V 3/10 (2006.01). Универсальный индукционный металлоискатель : № 2018137833 : заявл. 26.10.2018 : опубл. 07.05.2019, Бюл. № 13 / Винтоняк Н.П., Донченко В.А., Замбалов С.Д., Ивонин И.В., Потекаев А.И., Парватов Г.Н., Светличный В.А., Якубов В.П., Яковлев И.А., Яковлева С.В. ; патентообладатель НИ ТГУ. – 10 с.
• Admittance characterization of pentacene metal-insulator-semiconductor capacitorswith SiO2 and SiO2/Ga2O3 insulators in temperature range of 9-300 K / A.V. Voitsekhovskii, S.N. Nesmelov, V.A. Novikov, S.M. Dzyadukh, T.N. Kopylova, I.V. Ivonin, K.M. Degtyarenko, E.V. Tereshhenko // Thin Solid Films. 2019. Vol. 692. P. 137622 (1-7).
• Evolution of Surface Morphology of Anthracene Single Crystals Under Annealing / V.A. Novikov, R.M. Gadirov, T.N. Kopylova, T.A. Solodova, I.A. Bobrovnikova, I.V. Ivonin, E.V. Tereshhenko // Russian Physics Journal. 2019. Vol. 62, № 6. P. 1073-1076.
2020
• Влияние УФ-излучения на поверхностные процессы монокристаллов антрацена / В. А. Новиков, Т. Н. Копылова, И. В. Ивонин, Р. М. Гадиров, Е. В. Терещенко, Т. А. Солодова, К. В. Карева // Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 4 (748). С. 62-68.
• Майер Г. В. К 60-летию профессоров И. В. Минина и О. В. Минина / Г. В. Майер, И. В. Ивонин // Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 3. С. 164.
• Нитрид алюминия, легированный переходными металлами, в качестве материала для спинтроники / С. С. Хлудков, И. А. Прудаев И.А., Л. О. Роот, О. П. Толбанов, И. В. Ивонин // Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 11. С. 162-172.
• Торхов Н. А. Наблюдение интерференционных эффектов между нелокальными квантовыми электронными состояниями на поверхности SI{111} при комнатной температуре / Н. А. Торхов, В. А. Новиков, И. В. Ивонин // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии. 2020. № 1-2. С. 317-318.
• Effect of low-temperature plasma barrier discharge on elemental composition and wettability of polylactic acid surface / O. A. Laput, Ch. Yan, U. V. Goroshkina, I. V. Ivonin, A. N. Ochered'ko, I. V. Vasenina // AIP Conference Proceedings. 2020. Vol. 2310. P. 020179-1 - 020179-4.
• Influence of UV radiation on the processes proceeding on the anthracene single crystal surface / V. A. Novikov, T. N. Kopylova, I. V. Ivonin, R. M. Gadirov, E. V. Tereshchenko, T. A. Solodova, K. V. Kareva // Russian Physics Journal. 2020. Vol. 63, № 4. P. 599-606.
• The effect of the air environment and prolonged illumination on conductivity and photoconductivity of organic-inorganic perovskite CH3NH3PbI3 films / D. V. Amasev, E. V. Krivogina, S. A. Kozyukhin, O. S. Khalipova, A. V. Zabolotskaya, V. V. Kozik, I. V. Ivonin, A. G. Kazanskii // Journal of Physics: Conference Series. 2020. Vol. 1611. P. 012043 (1-6)
2021
• Образование дислокаций в процессе диффузии примесей в GaAs / С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов, И. В. Ивонин // Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 12. С. 160-165.
• Aluminum nitride doped with transition metal group atoms as a material for spintronics / S. S. Khludkov, I. A. Prudaev, L. O. Root, O. P. Tolbanov, I. V. Ivonin // Russian Physics Journal. 2021. Vol. 63, № 11. P. 2013-2024.
Литература о трудах и деятельности
О награждении государственными наградами Российской Федерации : Указ Президента РФ от 28.02.2011 N 245 // Собрание законодательства РФ. 07.03.2011. № 10. Ст. 1352. О присвоении почетного звания "Заслуженный работник высшей школы Российской Федерации.
О награждении знаком отличия «За заслуги в сфере образования» : Закон Томской области от 14.11.2019 № 125-ОЗ (принят постановлением Законодательной Думы Томской области от 31.10.2019 № 1930) // Собрание законодательства Томской области. 27.11.2019. № 11/2(231).
Иван Ивонин: «У ТГУ есть своя стратегия развития, и мы следуем ей, принимая решения» // Alma Mater. 2017. 27 сент.
Ивонин Иван Варфоломеевич // Профессора Томского университета : биогр. словарь. Томск, 2003. Т. 4, ч. 1. С. 331-334.
Ивонин И. Инновации, спасающие жизни : О том, как их воплотить, обсуждали на научных конференциях ТГУ / И. Ивонин, Я. Коверников ; [беседовала] Е. Тайлашева // Томский вестник. 2006. 25 окт. С. 7.
Ивонин И. В. Нанотехнологии ТГУ выходят на рынок / И. В. Ивонин ; [беседовала] Н. Шарапова // Alma Mater : газета Томского государственного университета. 2010. №4 (11 марта). С. 6 : фото.
Ивонин И. В. Окно в будущее / И. В. Ивонин, О. П. Толбанов ; [беседовала] Т. Нараева // Реальный сектор : промышленно-экономический журнал. 2019. № 6 (109). С. 16-18 : ил.
Ивонин И. Пусть всегда будет солнце / И. Ивонин ; [беседовал] И. Юшковский // Томский вестник. 2011. 15 июня. С. 7 : ил.
Ивонин И. В. Реальные черты наноиндустрии : Уникальные разработки ученых Томского государственного университета уже сегодня пользуются большим спросом / И. В. Ивонин ; [беседовала] С. Сырова // ТОМСК magazine. 2007. № 4 (23) : сентябрь. С. 38-39.
Ивонин И. В. Что движет обществом и прогрессом. Физика полупроводников в Томске отметила 50-летие / И. В. Ивонин ; [Беседовала] Н. Шеремет // Бизнес. Consulting Organization Marketing : Томская обл. газ. "Красное знамя". Спец. ежемес. вып. 2005. 26 февр. С. 12.
Настоящее и будущее нанотехнологий в Томске / И. Ивонин [и др.] ; [беседовал] П. Каминский // Инновации : журнал об инновационной деятельности. СПб., 2009. № 2 (124). С. 15-22.
Национальный исследовательский Томский государственный университет : новый этап развития / И. Ивонин [и др.] // Первый экономический : деловой журнал Томской торгово-промышленной палаты. 2011. № 15 (апрель-май). С. 18-21 : фот.
Ссылки
Анализ публикационной активности (РИНЦ)
