Ивонин, Иван Варфоломеевич

Материал из НБ ТГУ
Перейти к: навигация, поиск
Ивонин Иван Варфоломеевич
Ivonin.jpg
Место работы:

Томский государственный университет, Проректор по научной работе

Учёная степень:

доктор физико-математических наук

Учёное звание:

старший научный сотрудник



Биографическая справка

Хронологический список работ

1971

• Ивонин И. В. О некоторых особенностях травления монокристаллов арсенида галлия / И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, М. П. Якубеня // Известия высших учебных заведений. Физика. 1971. № 4. С. 141-142.

• Ivonin I. V. Certain characteristics of the etching of gallium arsenide single crystals / I. V. Ivonin, L. M. Krasil'nikova, M. P. Yakubenya // Soviet Physics Journal. 1971. Vol. 14, № 4. P. 547-549.

1972

• Влияние температуры кристаллизации на электрофизические свойства и морфологию эпитаксиального арсенида галлия / Л. Г. Лаврентьева, И. В. Ивонин, Ю. Г. Катаев, Л. М. Красильникова, Ф. А. Кузнецов, Ю. М. Румянцев // III Симпозиум по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок (Новосибирск, 12-17 июня 1972 г.) : тезисы докладов. Новосибирск, 1972. С. 198.

• Влияние условий кристаллизации на свойства переходных слоев в автоэпитаксиальных структурах арсенида галлия / Лаврентьева Л. Г., Пороховниченко Л. П., Ивонин И. В., Красильникова Л. М., Иванова Н. Н. // III симпозиум по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок (Новосибирск, 12-17 июня 1972 г.): тезисы докладов. Новосибирск, 1972. С.97.

• Ивонин И. В. Влияние способа обработки поверхности арсенида галлия на ее микроморфологию / И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова // Известия высших учебных заведений. Физика. 1972. № 11. С. 137-138.

• Исследование микроморфологии и распределения примесей в эпитаксиальном арсениде галлия в зависимости от времени роста / Л. Г. Лаврентьева, М. Д. Вилисова, И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, Ф. А. Кузнецов, Ю. М. Румянцев, М. П. Якубеня // III Симпозиум по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок (Новосибирск, 12-17 июня 1972 г.) : тезисы докладов. Новосибирск, 1972. С. 126.

• Электронномикроскопический метод в технологии эпитаксиального наращивания / И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, В. А. Московкин, Ю. М. Румянцев, М. П. Якубеня // Электронная промышленность. 1972. № 7. С. 92-94.

• Ивонин И. В. Электронномикроскопическое исследование морфологии травленой поверхности арсенида галлия / И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, М. П. Якубеня // Известия высших учебных заведений. Физика. 1972. № 5. С. 116-119.

• Ivonin I. V. Effect of the method of processing the surface of gallium arsenide on its micromorphology / I. V. Ivonin, L. M. Krasil'nikova // Soviet Physics Journal. 1972. Vol. 15, № 11. P. 1665–1667.

• Ivonin I. V. Electron microscope investigation of the morphology of the etched surface of gallium arsenide / I. V. Ivonin, L. M. Krasil'nikova, M. P. Yakubenya // Soviet Physics Journal. 1972. Vol. 15, № 5. P. 722–725.

1973

• Влияние способа обработки подложек на кинетику роста автоэпитаксиальных слоев арсенида галлия и их свойства / Л. Г. Лаврентьева, Л. П. Пороховниченко, И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, Н. Н. Иванова // Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы. 1973. Вып. 3. С. 14-19.

• Влияние температуры кристаллизации на рост и легирование автоэпитаксиальных слоев арсенида галлия. I / Л. Г. Лаврентьева, И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, Ю. М. Румянцев, М. П. Якубеня // Известия высших учебных заведений. Физика. 1973. Т. 16, № 6. С. 68-71.

• Зарождение дефектов при эпитаксии арсенида галлия / Л. Г. Лаврентьева, Л. П. Пороховниченко, И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова // Дефекты структуры в полупроводниках : материалы Всесоюзного совещания по дефектам в полупроводниках (2-4 октября 1973 г.). Новосибирск, 1973. С. 50-53.

• Исследование микроморфологии автоэпитаксиального арсенида галлия. Зависимость от ориентации подложек / Л. Г. Лаврентьева, И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, В. А. Московкин, М. П. Якубеня // Известия высших учебных заведений. Физика. 1973. Т. 16, № 10. С. 148-150.

• Исследование переходных слоев в эпитаксиальном арсениде галлия. Микроморфология и распределение электронов в слоях в зависимости от времени роста в йодидной системе / Л. Г. Лаврентьева, М. Д. Вилисова, И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, Ф. А. Кузнецов, Ю. М. Румянцев, М. П. Якубеня // Известия высших учебных заведений. Физика. 1973. Т. 16, № 2. С. 63-69.

• Особенности анизотропии роста и легирования эпитаксиальных слоев германия в системе Ge – I2 / Л. Г. Лаврентьева, И. С. Захаров, И. В. Ивонин, Н. П. Колодешникова, Т. И. Опрышко // Кристаллография. 1973. Т. 18, вып. 2. С. 369-373.

• Effects of crystallization temperature on the growth and doping of autoepitaxial gallium arsenide films / L. G. Lavrent'eva, I. V. Ivonin, L. M. Krasil'nikova, Yu. M. Rumyantsev, M. P. Yakubenya // Soviet Physics Journal. 1973. Vol. 16, № 6. P. 794-797.

• Investigation of transitional layers in epitaxial gallium arsenide: micromorphology and electron distribution in the layers, in dependence on the growth time in an iodine system / L. G. Lavrent'eva, M. D. Vilisova, I. V. Ivonin, L. M. Krasil'nikova, F. A. Kuznetsov, Yu. M. Rumyantsev, M. P. Yakubenya // Soviet Physics Journal. 1973. Vol. 16, № 2. P. 189–195.

• Micromorphology of autoepitaxial gallium arsenide: effects of substrate orientation / L. G. Lavrent'eva, I. V. Ivonin, L. M. Krasil'nikova, V. A. Moskovkin, M. P. Yakubenya // Soviet Physics Journal. 1973. Vol. 16, № 10. P. 1469–1471.

1974

• Влияние способа обработки подложек на кинетику роста автоэпитаксиальных слоев арсенида галлия и их свойства / Л. Г. Лаврентьева, Л. П. Пороховниченко, И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, Н. Н. Иванова // Известия высших учебных заведений. Физика. 1974. № 1. С. 20-24.

• Effect of the means of substrate processing on the growth kinetics of autoepitaxial layers of gallium arsenide and their properties / L. G. Lavrent'eva, L. P. Porokhovnichenko, I. V. Ivonin, L. M. Krasil'nikova, N. N. Ivanova // Soviet Physics Journal. 1974. Vol. 17, № 1. P. 12-16.

1975

• Влияние условий кристаллизации на анизотропию роста и легирования эпитаксиального германия / Л. Г. Лаврентьева, И. С. Захаров, И. В. Ивонин, С. Е. Торопов // Рост кристаллов. Ереван, 1975. Т. 11. С. 178-184.

• Исследование микроморфологии автоэпитаксиальных слоев арсенида галлия. I. / Л.Г. Лаврентьева, И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, Л. П. Пороховниченко // Известия высших учебных заведений. Физика. 1975. Т. 18, № 9. С. 58-63.

• Исследование микроморфологии автоэпитаксиальных слоев арсенида галлия. II. Начальные стадии роста / Л. Г. Лаврентьева, И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, Л. П. Пороховниченко // Известия высших учебных заведений. Физика. 1975. Т. 18, № 9. С. 69-74.

• Кинетика роста и легирования эпитаксиального арсенида галлия / Л. Г. Лаврентьева, М. Д. Вилисова, И. В. Ивонин, Ю. Г. Катаев, Л. М. Красильникова, Л. П. Пороховниченко, Ю. М. Румянцев, А. Д. Шумков, М. П. Якубеня // Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск, 1975. Ч. 1. С. 156-163.

• К методике электронно-микроскопических исследований ростовой поверхности эпитаксиальных слоев / Л. М. Красильникова, И. В. Ивонин, Л. В. Масарновский, Л. Н. Сысоева, М. П. Якубеня // Известия высших учебных заведений. Физика. 1975. Т. 18, № 8. С. 19-22.

• Electron microscopy of growth surfaces on epitaxial films / L. M. Krasil'nikova, I. V. Ivonin, L. V. Masarnovskii, L. N. Sysoeva, M. P. Yakubenya // Soviet Physics Journal. 1975. Vol. 18, № 8. P. 1074–1077.

• Krasil'nikova L. M. Investigation of transition layers in epitaxial gallium arsenide detection of layers by decoration / L. M. Krasil'nikova, I. V. Ivonin, M. D. Vilisova // Soviet Physics Journal. 1975. Vol. 18, № 8. P. 1166–1168.

• Micromorphology of auto-epitaxial layers of gallium arsenide. I. Influence of orientation and alloying admixture (Zn) / L. G. Lavrent'eva, I. V. Ivonin, L. M. Krasil'nikova, L. P. Porokhovnichenko // Soviet Physics Journal. 1975. Vol. 18, № 9. P. 1258–1264.

• Micromorphology of auto-epitaxial layers of gallium arsenide. II. Initial stages of growth / L. G. Lavrent'eva, I. V. Ivonin, L. M. Krasil'nikova, L. P. Porokhovnichenko // Soviet Physics Journal. 1975. Vol. 18, № 9. P. 1270–1275.

1976

• Влияние типа легирующей примеси на формирование ростового рельефа арсенида галлия в хлоридной газотранспортной системе / Л. Г. Лаврентьева, И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, Л. П. Пороховниченко, И. А. Вяткина // Известия высших учебных заведений. Физика. 1976. Т. 19, № 1. С. 44-48.

• Effect of dopant type on the formation of the growth relief of gallium arsenide in a chloride gas-transport system / L. G. Lavrent'eva, I. V. Ivonin, L. M. Krasil'nikova, L. P. Porokhovnichenko, I. A. Vyatkina // Soviet Physics Journal. 1976. Vol. 19, № 1. P. 31–37.

1977

• Ивонин И. В. Электронномикроскопическое исследование механизма роста эпитаксиальных слоев арсенида галлия : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07. - Томск, 1977. - 231 с.

• Лаврентьева Л. Г. Рост арсенида галлия при различных входных пересыщениях в газотранспортной системе GaAs-AsCl3-H2. II. // Известия высших учебных заведений. Физика. 1977. Т. 20, № 12. С. 24-29.

• Скорость роста и структура поверхности АЭС GaAs. I. Зависимость от технологических условий выращивания в газотранспортных системах / Л. Г. Лаврентьева, И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, Л. П. Пороховниченко // Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск, 1977. Ч. 2. С. 84-92.

• Скорость роста и структура поверхности АЭС GaAs. I. Влияние легирующих примесей и пересыщения / Л. Г. Лаврентьева, И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, Л. П. Пороховниченко // Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск, 1977. Ч. 2. С. 92-98.

• Lavrent'eva L. G. Growth of gallium arsenide in a GaAs-AsCl3-H2 gas-transport system. 2. Growth mechanism // L. G. Lavrent'eva, I. V. Ivonin, L. P. Porokhovnichenko // Soviet Physics Journal. 1977. Vol. 20, № 12. P. 1551–1555.

1978

• Ивонин И. В. Дефектообразование при газофазной эпитаксии арсенида галлия / И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, Л. Г. Лаврентьева // Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 г. : тезисы докладов. Томск, 1978. С. 196-197.

• Ивонин И. В. Рельеф поверхности и диффузионные процессы при росте эпитаксиальных слоев арсенида галлия // V Симпозиум по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок, г. Новосибирск, 6-8 июня 1978 г. : тезисы докладов. Новосибирск, 1978. С. 39.

• Ивонин И. В. Электронномикроскопическое исследование механизма роста эпитаксиальных слоев арсенида галлия : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.07. - Харьков : [б. и.], 1978. - 19 с.

1979

• Исследование механизма роста тонких автоэпитаксиальных слоев кремния, выращенных в низкотемпературном хлоридном процессе / И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, Л. Г. Лаврентьева, Б. В. Орион, И. М. Скворцов // Известия высших учебных заведений. Физика. 1979. № 2. С. 59-63.

• Кинетика формирования дефектов типа цтс при газофазовой эпитаксии арсенида галлия / И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, Л. Г. Лаврентьева, Г. Ф. Лымарь // Известия высших учебных заведений. Физика. 1979. № 6. С. 115-117.

• *Effects of Crystallization Conditions on Growth and Doping Anisotropy for Epitaxial Germanium / L. G. Lavrent’eva, I. S. Zakharov, I. V. Ivonin, S. E. Toropov // Growth of Crystals. 1979. Vol. 11. P. 177-182.

• Growth mechanism for thin autoepitaxial silicon layers grown in a low-temperature chloride process / I. V. Ivonin, L. M. Krasil'nikova, L. G. Lavrent'eva, B. V. Orion, I. M. Skvortsov // Soviet Physics Journal. 1979. Vol. 22, № 2. P. 157–161.

• Kinetics of formation of defects of the step stopping center (SSC) type in gas-phase epitaxy of gallium arsenide / I. V. Ivonin, L. M. Krasil'nikova, L. G. Lavrent'eva, G. F. Lymar' // Soviet Physics Journal. 1979. Vol. 22, № 6. P. 672–674.

1980

• Ивонин И. В. Рельеф поверхности и диффузионные процессы при росте эпитаксиальных слоев арсенида галлия // Проблемы роста полупроводниковых кристаллов и пленок : труды V Симпозиума по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок : сб. Новосибирск, 1979. Ч. 1. С. 147-151. (Деп. в ВИНИТИ 9.01.1980, № 158-80).

• Ивонин И. В. Роль поверхностных состояний в начальных стадиях кристаллизации на поверхности (III) GaAs / И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, В. Е. Степанов // Шестая Международная конференция по росту кристаллов : расширенные тезисы. М., 1980. Т. 1 : Рост из газовой фазы. С. 269-271.

• Исследование явлений анизотропии при газофазовой эпитаксии арсенида индия / Г. А. Александрова, И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, Л. Г. Лаврентьева, А. Е. Шубин, М. П. Якубеня // Известия высших учебных заведений. Физика. 1980. Т. 23, № 9. С. 71-75.

• Лаврентьева Л. Г. Кинетика и механизм роста арсенида галлия в газотранспортных средах / Л. Г. Лаврентьева, И. В. Ивонин, Л. П. Пороховниченко // Рост кристаллов. М., 1980. Т. 13. С. 33-44.

• Кинетические и морфологические исследования процессов роста эпитаксиальных слоев арсенида индия / Т. А. Александрова, И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, Н. Н. Криволапов, Л. Г. Лаврентьева, П. Б. Пащенко, М. П. Рузайкин, А. Е. Шубин, М. П. Якубеня // Шестая Международная конференция по росту кристаллов : расширенные тезисы. М., 1980. Т. 1 : Рост из газовой фазы. С. 262-264.

• Formation of submicron growth defects during vapour deposition of GaAs films / L. G. Lavrentieva, I. V. Ivonin, L. M. Krasilnikova, M. D. Vilisova // Kristall und Technik. 1980. Vol. 15, № 6. P. 683-689.

• Investigation of anisotropic effects in vapor epitaxy of indium arsenide. I. Anistropy of growth rate and surface microrelief / G. A. Aleksandrova, I. V. Ivonin, L. M. Krasil'nikova, L. F. Lavrent'eva, A. E. Shubin, M. P. Yakubenya // Soviet Physics Journal. 1980. Vol. 23, № 9. P. 813–817.

1981

• Влияние условий кристаллизации на кинетику роста и дефектообразование при выращивание слоев InAs в хлоридной системе / Г. А. Александрова, И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, Л. Г. Лаврентьева, А. Е. Шубин, М. П. Якубеня // Технология получения и электрические свойства соединений A3B5 : материалы Всесоюзной конференции. Ленинград, 1981. С. 24-26.

• Красильникова Л. М. Ростовые микродефекты в автоэпитаксиальном арсениде галлия / Л. М. Красильникова, И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева // Синтез и рост совершенных кристаллов и пленок полупроводников. Новосибирск, 1981. С. 175-178.

• Лаврентьева Л. Г. Влияние пересыщения на рост слоев арсенида галлия в хлоридной газотранспортной системе / Л. Г. Лаврентьева, В. А. Московкин, И. В. Ивонин // Известия высших учебных заведений. Физика. 1981. Т. 24, № 3. С. 89-93.

• Lavrent'eva L. G. Influence of supersaturation on the growth of gallium arsenide films in chloride gas-transport systems / L. G. Lavrent'eva, V. A. Moskovkin, I. V. Ivonin // Soviet Physics Journal. 1981. Vol. 24, № 3. P. 282–286.

1982

• Влияние пересыщения на рост полярных граней (111) арсенида галлия / Л. Г. Лаврентьева, А. В. Московкин, В. Г. Иванов, И. В. Ивонин // Известия высших учебных заведений. Физика. 1982. Т. 25, № 4. С. 112-113.

• Влияние температуры кристаллизации на скорость роста эпитаксиальных слоев арсенида галлия в системе GaAs -AsCl3 -H2 / Л. Г. Лаврентьева, В. Г. Иванов, И. В. Ивонин, В. А. Московкин // Известия высших учебных заведений. Физика. 1982. Т. 25, № 9. С. 101-104.

• Влияние температуры кристаллизации на структуру ростовых поверхностей эпитаксиальных слоев арсенида галлия в системе GaAs -AsCl3 -H2 / Л. Г. Лаврентьева, В. Г. Иванов, И. В. Ивонин, В. А. Московкин // Известия высших учебных заведений. Физика. 1982. Т. 25, № 9. С. 105-108.

• Исследование явлений анизотропии при газофазной эпитаксии арсенида индия. II. Анизотропия скорости роста и захвата примеси / Г. А. Александрова, И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева, Г. Ф. Лымарь, М. П. Рузайкин, А. Е. Шубин // Известия высших учебных заведений. Физика. 1982. Т. 25, № 4. С. 36-39.

• Образование субмикронных ямок роста при газофазовой эпитаксии арсенида индия / Г. А. Александрова, И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, Н. Н. Криволапов, Л. Г. Лаврентьева, А. Е. Шубин // Известия высших учебных заведений. Физика. 1982. Т. 25, № 4. С. 110-111.

• Anisotropy during vapor-phase epitaxy of indium arsenide. II. Growth-rate anisotropy and impurity trapping / G. A. Aleksandrova, I. V. Ivonin, L. G. Lavrent'eva, G. F. Lymar', M. P. Ruzaikin, A. E. Shubin // Soviet Physics Journal. 1982. Vol. 25, № 4. P. 322–325.

• Influence of crystallization temperature on the structure of growth surfaces of epitaxial gallium arsenide layers in the system GaAs-AsCl3-H2 / L. G. Lavrent'eva, V. G. Ivanov, I. V. Ivonin, V. A. Moskovkin // Soviet Physics Journal. 1982. Vol. 25, № 9. P. 863–867.

• Influence of crystallization temperature on growth rate of epitaxial gallium arsenide layers in the system GaAs-AsCl3-H2 / L. G. Lavrent'eva, V. G. Ivanov, I. V. Ivonin, V. A. Moskovkin, S. E. Toropov // Soviet Physics Journal. 1982. Vol. 25, № 9. P. 859–862.

1983

• Зависимость скорости роста эпитаксиальных слоев InAs от давления AsCl3 в системе InAs - AsCl3 - H2 / Г. А. Александрова, И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, Л. Г. Лаврентьева, П. Б. Пащенко, А. Е. Шубин // Известия высших учебных заведений. Физика. 1983. Т. 26, № 11. С. 49-52.

• The growth rate of epitaxial InAs layers as a function of AsCl3 in the InAs-AsCl3-H2 system / G. A. Aleksandrova, I. V. Ivonin, L. M. Kasil'nikova, L. G. Lavrent'eva, P. B. Pashchenko, A. E. Shubin // Soviet Physics Journal. 1983. Vol. 26, № 11. P. 1008–1010.

1984

• Зависимость скорости роста эпитаксиальных слоев арсенида индия от температуры осаждения в системе InAs-AsCl3-H2 / Г. А. Александрова, И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, Л. Г. Лаврентьева, П. Б. Пащенко, А. Е. Шубин // Известия высших учебных заведений. Физика. 1984. Т. 27, № 5. С. 32-36.

• Dependence of the rate of growth of epitaxial layers of indium arsenide on the temperature of deposition in the system in As-AsC13-H2 / G. A. Aleksandrova, I. V. Ivonin, L. M. Krasil'nikova, L. G. Lavrent'eva, P. B. Paschenko, A. E. Shubin // Soviet Physics Journal. 1984. Vol. 27, № 5. P. 379–383.

1985

• Phase interaction in GaAs contacts with group I metals and its relationship to the degradation of structures with a Schottky barrier / V. G. Bozhkov, K. V. Soldatenko, M. P. Yakubenya, I. V. Ivonin, V. M. Zavodchikov, A. A. Yatis // Soviet Physics Journal. 1985. Vol. 28, № 9. P. 704–709.

1986

• Боровой А. Г. Метод измерения пространственных неоднородностей оптического излучения по корреляции интенсивности в симметричных точках фурье-спеклов / А. Г. Боровой, А. В. Ивонин, О.А. Реутова // Материалы VIII Всесоюзного симпозиума по распространению лазерного излучения в атмосфере. Томск, 1986. Ч. 3. С. 130-132.

• Измерение параметров аэрозольных частиц методами голографии и спекл-оптики / А. Г. Боровой, В. В. Демин, В. А. Донченко, А. В. Ивонин // Материалы VIII Всесоюзного симпозиума по распространению лазерного излучения в атмосфере. Томск, 1986. Ч. 3. С. 319-322. Библиогр.: 6 назв.

1987

• Ивонин И. В. Электронномикроскопическое исследование поверхности эпитаксиальных слоев GaAs в окрестности грани (III)A / И. В. Ивонин, С. Е. Торопов // Известия высших учебных заведений. Физика. 1987. Т. 30, № 9. С. 8-12.

• *Использование AsH3 для управления анизотропией скорости роста эпитаксиальных слоев арсенида галлия в системе Ga-AsCl-H2 / Г. А. Александрова, И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева, П. Б. Пащенко, М. В. Чеканова // VI Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия : тезисы докладов. Томск, 1987. Т. 1. С. 110-111.

• *Применение физических методов для контроля состояния поверхности подложки арсенида галлия в процессе предэпитаксиальной обработки / H. H. Криволапов, В. И. Кравцов, И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева, С. Е. Торопов // VI Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия. Томск, 1987. Т. 1. С. 112-113.

• Ivonin I. V. Electron-microscope studies of the surface of epitaxial GaAs layers in the proximity of the (111)A face / I. V. Ivonin, S. E. Toropov // Soviet Physics Journal. 1987. Vol. 30, № 9. P. 725–729.

1988

• Влияние входного давления AsH₃ на рост эпитаксиальных слоев арсенида галлия в системе GaC1–AsH₃–H₂. Интервал ориентаций (115)A–(001)–(115)B / Г. А. Александрова, И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева, П. Б. Пащенко, М. В. Чеканова // Известия высших учебных заведений. Физика. 1988. Т. 31, № 9. С. 81-86

• Influence of the AsH3 inlet pressure on the growth of epitaxial gallium arsenide layers in the GaCl-AsH3-H2 system. Range of orientation (115)A-(001)-(115)B / G. A. Aleksandrova, I. V. Ivonin, L. G. Lavrent'eva, P. B. Pashchenko, M. V. Chekanova // Soviet Physics Journal. 1988. Vol. 31, № 9. P. 759–763.

1989

• Процессы твердотельной перекристаллизации в структурах Ni – GaAs, Pd – GaAs / Л. М. Красильникова, И. В. Ивонин, М. П. Якубеня, Н. К. Максимова, Г. К. Арбузова // Известия высших учебных заведений. Физика. 1989. Т. 32, № 3. С. 60-65.

• Solid-state recrystallization processes in Ni-GaAs and Pd-GaAs structures / L. M. Krasil'nikova, I. V. Ivonin, M. P. Yakubenya, N. K. Maksimova, G. K. Arbuzova // Soviet Physics Journal. 1989. Vol. 32, № 3. P. 207–211.

1992

• Использование AB -травителя для выявления структурно-примесных неоднородностей в эпитаксиальных слоях GaAs / И. В. Ивонин, Н. Я. Каримова, H. H. Криволапов, Л. Г. Лаврентьева // Известия высших учебных заведений. Физика. 1992. Т. 35, № 5. С. 111-114.

• О роли подложки в формировании дефектов структуры типа ЦТС в условиях газофазовой эпитаксии арсенида галлия / И. В. Ивонин, H. H. Криволапов, Л. Г. Лаврентьева, Л. П. Пороховниченко // Известия высших учебных заведений. Физика. 1992. Т. 35, № 1. С. 64-65.

• Role of the substrate in the formation of structure defects representing step retardation sites during vapor phase epitaxy of gallium arsenide / I. V. Ivonin, N. N. Krivolapov, L. G. Lavrent'eva, L. P. Porokhovnichenko // Russian Physics Journal. 1992. Vol. 35, № 1. P. 51–52.

• Use of ab etchant for clarifying the structural-impurity inhomogeneties in epitaxial layers of GaAs / I. V. Ivonin, N. Ya. Karimova, N. N. Krivolapov, L. G. Lavrent'eva // Russian Physics Journal. 1992. Vol. 35, № 5. P. 487–489.

1993

• Арсенид галлия, выращенный методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре: кристаллическая структура, свойства, сверхпроводимость / Н. А. Берт, А. И. Вейнгер, М. Д. Вилисова, С. И. Голощапов, И. В. Ивонин, С. В. Козырев, А. Е. Куницын, Л. Г. Лаврентьева, Д. И. Лубышев, В. В. Преображенский, Б. Р. Семягин, В. В. Чалдышев, М. П. Якубеня, В. В. Третьяков // Физика твердого тела. 1993. Т. 35, № 10. С. 2609-2625.

• *Clusters and the nature of superconductivity in LTMBE-GaAs / N. A. Bert, V. V. Chaldyshev, S.I. Goloshchapov, S. V. Kozyrev, A. E. Kunitsyn, V. V. Tret'yakov, A. I. Veinger, I. V. Ivonin, L. G. Lavrentieva, M. D. Vilisova, M. P. Yakubenya, D. I. Lubyshev, V. V. Preobrazhenskii, B. R. Semyagin // Materials research society symposium proceedings. 1993. Vol. 325: Symposium L – Physics and Applications of Defects in Advanced Semiconductors. P. 401-406.

• Gallium arsenide grown by molecular beam epitaxy at low temperatures: crystal structure, properties, superconductivity / N. A. Bert, A. I. Veinger, M. D. Vilisova, S. I. Goloshchapov, I. V. Ivonin, S. V. Kozyrev, A. E. Kunitsyn, L. G. Lavrent'eva, D. I. Lubyshev, V. V. Preobrazhenskii, B. R. Semyagin, V. V. Tret'yakov, V. V. Chaldyshev, M. P. Yakubenya // Physics of the Solid State. 1993. Vol. 35, № 10. P. 1289-1297.

1995

• Кинетика кристаллизации GaAs при латеральной эпитаксии в хлоридной газотранспортной системе / С. Ю. Владимирова, И. В. Ивонин, Ю. Г. Катаев, Л. Г. Лаврентьева, Л. П. Пороховниченко // Кристаллография. 1995. Т. 40, № 5. С. 916-919.

• *CR-39 nuclear track detector application for the diagnostics of low energy high power ion beams / M. S. Opecunov, G. E. Remnev, A. N. Grishin, I. V. Ivonin // Radiation Measurements. 1995. Vol. 25. № 1-4. P. 739-740.

• Growth kinetics of GaAs in the lateral vapor-phase epitaxy in a chloride system / S. Yu. Vladimirova, I. V. Ivonin, Yu. G. Kataev, L. G. Lavrent'eva, L. P. Porokhovnichenko // Crystallography Reports. 1995. Vol. 40, № 5. P. 849-852.

1996

• Влияние ориентации подложки на анизотропию скорости латерального роста арсенида галлия в хлоридной газотранспортной системе / С. Ю. Владимирова, И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева, Л. П. Пороховниченко, В. В. Черкасов // Кристаллография. 1996. Т. 41, № 5. С. 932-934.

• Начальные стадии роста и образование переходных слоев при гетероэпитаксии InP на GaAs / И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева, В. С. Лукаш, С. В. Субач, Е. В. Черников, А. Н. Тарзимянов // Известия высших учебных заведений. Физика. 1996. Т. 39, № 6. С. 85-90.

• Effect of substrate orientation on the anisotropy lateral growth rate of GaAs in a chloride transport system / S. Yu. Vladimirova, I. V. Ivonin, L. G. Lavrent'eva, L. P. Porokhovnichenko, V. V. Cherkasov // Crystallography Reports. 1996. Vol. 41, № 5. P. 889-891.

• Initial stages in the growth and development of junctions in heteroepitaxy of InP on GaAs / I. V. Ivonin, L. G. Lavrent'eva, V. S. Lukash, S. V. Subach, E. V. Chernikov, A. N. Tarzimyanov // Russian Physics Journal. 1996. Vol. 39, № 6. P. 571–575.

• *Magnetic field-dependent microwave absorption due to superconducting In-Ga clusters in gallium arsenide grown by molecular-beam epitaxy / A. I. Veǐnger, S. V. Kozyrev, V. V. Chaldyshev, M. D. Vilisova, L. G. Lavrent'eva, I. V. Ivonin, D. I. Lubyshev, V. V. Preobrazhesnkiǐ, B. R. Semyagin // Physics of the Solid State. 1996. Vol. 38, № 10. P. 1585–1588.

1997

• Chemical vapor deposition of GaAs containing nanometer size clusters / V. V. Chaldyshev, I. V. Ivonin, A. E. Kunitsyn, L. G. Lavrentieva, A. I. Veinger, M. D. Vilisova // Compound Semiconductors 1996 : Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996. Institute of Physics Publishing, 1997. P. 251-254. (Institute of Physics Conference Series, № 155).

1998

• Ивонин И. В. Ступени роста и процессы на фронте кристаллизации при газофазовой эпитаксии полупроводников А3В5 : автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. 01.04.07. - Новосибирск, 1998. - 33 с.: ил.

• Ивонин И. В. Ступени роста и процессы на фронте кристаллизации при газофазовой эпитаксии полупроводников А3 В5 : диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. 01.04.07. – Томск, 1998. – 350 с.

• Структура и свойства эпитаксиальных слоев GaAs и InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах / И. А. Бобровникова, А. И. Вейнгер, М. Д. Вилисова, И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева, Д. И. Лубышев, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, С. В. Субач, В. В. Чалдышев, М. П. Якубеня // Известия высших учебных заведений. Физика. 1998. Т. 41, № 9. С. 37-45.

• Физика сложных полупроводниковых кристаллов и структур / B. H. Брудный, O. B. Воеводина, В. Г. Воеводин, С. Н. Гриняев, И. В. Ивонин, Г. Ф. Караваев, Л. Г. Лаврентьева // Известия высших учебных заведений. Физика. 1998. Т. 41, № 8. С. 26-38.

• Physics of complex semiconductor crystals and their structure / V. N. Brudnyi, O. V. Voevodina, V. G. Voevodin, S. N. Grinyaev, I. V. Ivonin, G. F. Karavaev, L. G. Lavrent'eva // Russian Physics Journal. 1998. Vol. 41, № 8. P. 754–767.

• Structure and properties of epitaxial GaAs and InGaAs films grown by low-temperature molecular-beam epitaxy / I. A. Bobrovnikova, A. I. Veinger, M. D. Vilisova, I. V. Ivonin, L. G. Lavrent'eva, D. I. Lubyshev, V. V. Preobrazhenskii, M. A. Putyato, B. R. Semyagin, S. V. Subach, V. V. Chaldyshev, M. P. Yakubenya // Russian Physics Journal. 1998. Vol. 41, № 9. P. 885–893.

1999

• Образование переходных слоев при гетероэпитаксии полупроводниковых соединений Α₃B₅ в системах газофазовой эпитаксии / М. Д. Вилисова, И. В. Ивонин, Т. В. Кораблева, Л. Г. Лаврентьева, В. С. Лукаш, С. В. Субач, И. Т. Шулепов, М. П. Якубеня // Известия высших учебных заведений. Физика. 1999. Т. 42, № 1. С. 18-21.

• Структура и свойства слоев InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре / М. Д. Вилисова, И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева, С. В. Субач, М. П. Якубеня, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, Н. А. Берт, Ю. Г. Мусихин, В. В. Чалдышев // Физика и техника полупроводников. 1999. Т. 33, № 8. С. 900-906.

• Formation of a transition layer during heteroepitaxy of III–V compound semiconductors in gas-phase epitaxy systems / M. D. Vilisova, I. V. Ivonin, T. V. Korableva, L. G. Lavrent'eva, V. S. Lukash, S. V. Subach, I. T. Shulepov, M. P. Yakubenya // Russian Physics Journal. 1999. Vol. 42, № 1. P. 17-21.

• Structure and properties of InGaAs layers grown by low-temperature molecular-beam epitaxy / M. D. Vilisova, I. V. Ivonin, L. G. Lavrentieva, S. V. Subach, M. P. Yakubenya, V. V. Preobrazhenskii, M. A. Putyato, B. R. Semyagin, N. A. Bert, Yu. G. Musikhin, V. V. Chaldyshev // Semiconductors. 1999. Vol. 33, № 8. P. 824–829.

2000

• The Effect of Flow Ratio between Elements of Groups III and V on the Structure and Properties of InGaAs Layers Grown by Low-Temperature Molecular-Beam Epitaxy / B. Bobrovnikova, M. D. Vilisova, I. V. Ivonin, L. G. Lavrent'yeva, V. V. Preobrazhenskii, M. A. Putyato, B. R. Semyagin, S. V. Subach // Russian Physics Journal. 2000. Vol. 43, № 10. P. 816–820.

2001

• Эволюция рельефа поверхности тонких диэлектрических пленок при термическом отжиге. Фрактальный анализ / А. В. Панин, А. Р. Шугуров, М. Б. Иванов, И. В. Ивонин // Физическая мезомеханика. 2001. Т. 4, № 2. С. 65-75.

• Науч. рук.: Субач С. В. Особенности формирования фазовых неоднородностей в гетероэпитаксиальных слоях InP и InGaAs : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10 / Науч. рук. Ивонин И. В. ; Сибирский физико-технический ин-т им. В. Д. Кузнецова при Том. гос. ун-те. - Томск : б. и., 2001. - 184 л.: ил.

2002

• Взаимодействие ступеней роста на поверхности эпитаксиальных слоев InAs при газофазовой эпитаксии / И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева, Г. А. Александрова, Л. Л. Девятьярова // Известия высших учебных заведений. Физика. 2002. Т. 45, № 6. С. 90-93

• Влияние концентрации мышьяка на характеристики эшелона ступеней роста при газофазовой эпитаксии GaAs / И. В. Ивонин, Л. Л. Девятьярова, Л. Г. Лаврентьева, Г. А. Александрова // Известия высших учебных заведений. Физика. 2002. Т. 45, № 10. С. 67-69.

• Влияние отношения потоков As и Ga и примеси Si на рост слоев GaAs при низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии / М. Д. Вилисова, И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, С. В. Субач, С. Е. Торопов // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2002. № 4. С. 44-47.

• Исследование поверхностных процессов при газофазовой эпитаксии GaAs: асимметричный захват атомов в ступень / И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, Л. Г. Лаврентьева, Л. П. Пороховниченко // Известия высших учебных заведений. Физика. 2002. Т. 45, № 5. С. 58-61.

• Торхов Н. А. Аморфизация приповерхностной области эпитаксиального N-GaAs под воздействием атомарного водорода / Н. А. Торхов, И. В. Ивонин, Е. В. Черников // Физика и техника полупроводников. 2002. Т. 36, № 7. С. 885-889.

• Effect of the Arsenic Concentration on the Characteristics of the Growth Step Echelon in GaAs Epitaxy / I. V. Ivonin, L. G. Lavrent'eva, G. A. Aleksandrova, L. L. Devyat'yarova // Russian Physics Journal. Vol. 45, № 10. 2002. P. 997–1000.

• Influence of the Substrate Orientation on the Silicon Capture into A- and B- Sublattices of Gallium Arsenide in Molecular Beam Epitaxy / I. A. Bobrovnikova, M. D. Vilisova, I. V. Ivonin, L. G. Lavrent'eva, V. V. Preobrazhenskii, M. A. Putyato, B. R. Semyagin, S. V. Subach, S. E. Toropov // Russian Physics Journal. 2002. Vol. 45, № 4. P. 414–418.

• Interaction of Growth Steps on the Surface of InAs Epitaxial Layers in Vapor-Phase Epitaxy / I. V. Ivonin, L. L. Devyat'yarova, L. G. Lavrent'eva, G. A. Aleksandrova // Russian Physics Journal. 2002. Vol. 45, № 6. P. 638–642.

• *I. V. Ivonin. Lateral Epitaxy of Gallium Arsenide by Chloride Vapor Transport / I. V. Ivonin, L. G. Lavrent’eva, L. P. Porokhovnichenko // Growth of Crystals. 2002. Vol. 21. P. 25-35.

• Study of the Surface Processes in Vapor-Phase Epitaxial GaAs: Asymmetric Trapping of Atoms at the Step / I. V. Ivonin, L. M. Krasil'nikova, L. G. Lavrent'eva, L. P. Porokhovnichenko // Russian Physics Journal. 2002. Vol. 45, № 5. P. 493–497.

• Torkhov N. A. Amorphization of the surface region in epitaxial n-GaAs treated with atomic hydrogen / N. A. Torkhov, I. V. Ivonin, E. V. Chernikov // Semiconductors. 2002. Vol. 36, № 7. P. 832–836.

2003

• Влияние микроструктуры на механические свойства тонких пленок меди / А. В. Панин, А. Р. Шугуров, И. В. Ивонин, Л. Л. Анисимова, К. В. Оскомов, Т. И. Лисковская, И. К. Игуменов // Физическая мезомеханика. 2003. Т. 6, № 2. С. 91-98.

• Влияние условий молекулярно-лучевой эпитаксии на захват кремния в подрешетки А и В арсенида галлия / И. А. Бобровникова, М. Д. Вилисова, И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, С. В. Субач, С. Е. Торопов // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37, № 9. С. 1072-1077.

• Effect of growth conditions on incorporation of Si into Ga and As sublattices of GaAs during molecular-beam epitaxy / I. A. Bobrovnikova, M. D. Vilisova, I. V. Ivonin, L. G. Lavrent’eva, V. V. Preobrazhenskii, M. A. Putyato, B. R. Semyagin, S. V. Subach, S. E. Toropov // Semiconductors. 2003. Vol. 37, № 9. P. 1047–1052.

• Ivonin I. V. Study of the Elementary Growth Processes During Vapor-Phase Epitaxy of Semiconducting III–V Compounds / I. V. Ivonin, I. A. Bobrovnikova // Russian Physics Journal. 2003. Vol. 46, № 10. P. 577–584.

2004

• Бобровникова И. А. Элементарные процессы роста при газофазной эпитаксии полупроводниковых соединений III-IV / И. А. Бобровникова, И. В. Ивонин // Физико-химические процессы в неорганических материалах (ФХП-9) : доклады международной конференции, посвященной 50-летию Кемеровского государственного университета, 22-25 сентября 2004 г. Кемерово, 2004. Т. 1. С. 484-488.

• Defect formation in LT MBE InGaAs and GaAs / L. L. Anisimova, A. K. Gutakovskii, I. V. Ivonin, V. V. Preobrazhenskii, M. A. Putyato, B. R. Semyagin, S. V. Subach // Journal of Structural Chemistry. 2004. Vol. 45. Supplement 1. P. S96–S102.

2005

• Лаврентьева Л. Г. Газофазовая эпитаксия арсенида галлия / Л. Г. Лаврентьева, М. Д. Вилисова, И. В. Ивонин // Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285 : Серия "Физика". С. 74-83. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000381114

• Лаврентьева Л. Г. Основные этапы развития научного направления по эпитаксии полупроводников в СФТИ / Л. Г. Лаврентьева, И. В. Ивонин // Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285 : Серия "Физика". С. 17-23. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000328904

• Научно-исследовательский институт университета как обособленное структурное подразделение / Г. В. Майер, Г. Е. Дунаевский, И. В. Ивонин, И. А. Котляр // Образовательная среда сегодня и завтра : материалы II Всероссийской научно-практической конференции (Москва, 28.09-01.10.2005). Москва, 2005. С. 340-342.

• Подготовка специалистов в области физики и техники полупроводников в Томском университете / А. В. Войцеховский, В. И. Гаман, В. П. Гермогенов, И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева, Г. М. Мокроусов // Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285 : Серия "Физика". С. 47-52. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000328929

2006

• Бобровникова И. А. Теоретическое и экспериментальное исследование поверхностных процессов при газофазовой эпитаксии соединений III-V / И. А. Бобровникова, И. В. Ивонин, С. Е. Торопов // Известия высших учебных заведений. Физика. 2006. Т. 49, № 5. С. 3-7.

• Дефекты в слоях GaAs и InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах / Лаврентьева Л.Г., Вилисова М.Д., Бобровникова И.А., Ивонин И.В., Преображенский В.В., Чалдышев В.В. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2006. Т. 49, № 12. С. 63-72.

• Ивонин И. В. Роль адсорбционного слоя при формировании фазовой неоднородности на границе раздела InP/GaAs / И. В. Ивонин, С. В. Субач // Известия высших учебных заведений. Физика. 2006. Т. 49, № 6. С. 15-21.

• Поверхностные процессы при молекулярно-лучевой эпитаксии нитрида галлия / И. А. Бобровникова, И. В. Ивонин, В. А. Новиков // Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции. Томск, 2006. С. 241-244.

• Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка / Ли Цзень Фень, Г. Е. Ремнев, М. С. Салтымаков, И. В. Ивонин // Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции. Томск, 2006. С. 277-280.

• Bobrovnikova I. A. Physics of semiconductors and dielectrics theoretical and experimental study of surface Processes during vapor-phase epitaxy of III–V compounds / I. A. Bobrovnikova, I. V. Ivonin, S. E. Toropov // Russian Physics Journal. 2006. Vol. 49, № 5. P. 455–460.

• Defects in the GaAs and InGaAs layers grown by low-temperature molecular-beam epitaxy / L. G. Lavrentieva, M. D. Vilisova, I. A. Bobrovnikova, I. V. Ivonin, V. V. Preobrazhenskii, V. V. Chaldyshev // Russian Physics Journal. 2006. Vol. 49, № 12. P. 1334–1343.

• Ivonin I. V. The role of the adsortption layer in the formation of phase inhomogeneity at the InP/GaAs interface / I. V. Ivonin, S. V. Subach // Russian Physics Journal. 2006. Vol. 49, № 6. P. 580–588.

2007

• Ивонин И. В. Развитие исследований по приоритетному направлению "Индустрия наносистем и материалов" в Томском государственном университете // Исследовательский университет : опыт реализации инновационной образовательной программы : сборник статей. Томск, 2007. Вып. 2. С. 35-40.

• Полупроводниковые плёнки InP полученные методом импульсного ионного осаждения / М. С. Салтымаков, Г. Е. Ремнëв, И. В. Ивонин, Е. П. Найден, В. И. Юрченко // Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства функциональной электроники и микроэлектроники) : материалы XIII Международной научно-технической конференции, Москва, 6-8 сентября 2007 г. М. : Изд-во ЦНИТИ Техномаш , 2007. С. 427-429.

• *Характерные величины поверхностных процессов при газофазовой эпитаксии соединений III-V / Бобровникова И. А., Ивонин И. В., Торопов С. Е. // Международная конференция "Физико-химические процессы в неорганических материалах" (ФХП-10), Кемерово, 10-12 окт., 2007 : доклады. Кемерово, 2007. Т. 2. С. 14-17.

• Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка / Ли Цзень Фень, Г. Е. Ремнев, М. С. Салтымаков, И. В. Ивонин и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2007. Т. 50, № 1. С. 66-70. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000502363

• Erosion of the GaAs target under irradiation by a high-power pulsed ion beam / Li Tszen’ Fen’, G. E. Remnev, M. S. Saltymakov, V. I. Gusel’nikov, V. A. Makeev, I. V. Ivonin, E. P. Naiden, V. I. Yurchenko // Russian Physics Journal. 2007. Vol. 50, № 1. P. 66–70.

2008

• Исследование рельефа и поверхностного потенциала эпитаксиальных пленок GaAs методом атомно-силовой микроскопии / В. А. Новиков, И. В. Ивонин, В. Г. Божков, Н. А. Торхов // Физика твердого тела : сборник материалов XI Российской научной студенческой конференции, 13-15 мая 2008 г., Томск, Россия. Томск, 2008. С. 199-202.

• Исследование свойств поверхности арсенида галлия методом сканирующей атомно-силовой микроскопии / В. Г. Божков, Н. А. Торхов, И. В. Ивонин, В. А. Новиков // Физика и техника полупроводников. 2008. Т. 42, № 5. С. 546-554.

• Исследование условий получения наноструктурированных металлокерамических материалов / С. А. Афанасьева, Н. Н. Белова, Ю. А. Бирюков, Г. Е. Дунаевский, И. В. Ивонин, А. Б. Скосырский, А. Н. Табаченко, О. Ю. Федосов, Н. Т. Югов // Фундаментальные и прикладные проблемы современной механики : материалы VI Всероссийской научной конференции, посвященной 130-летию Томского государственного университета и 40-летию НИИ прикладной математики и механики Томского государственного университета, Томск, 30 сентября-2 октября 2008 г. Томск, 2008. С. 189-190.

• Исследование физических основ технологий получения наноструктурированных металлокерамических материалов для условий высокоскоростного соударения / С. А. Афанасьева, Н. Н. Белов, Ю. А. Бирюков, Г. Е. Дунаевский, И. В. Ивонин, А. Б. Скосырский, А. Н. Табаченко, Н. Т. Югов // XXXIII Дальневосточная математическая школа-семинар имени академика Е.В. Золотова : тезисы докладов. Владивосток : Дальнаука, 2008. С. 183-184.

• Опыт Томского государственного университета в области разработки и внедрения субмикронных и наноразмерных порошков новых материалов в аспекте развития инновационной системы высшего учебного заведения / Ю. А. Бирюков, И. В. Ивонин, А. Н. Ищенко, А. М. Лымарь // Инноватика и экспертиза : научные труды. 2008. Вып. 1. С. 35-41.

• Организационные и финансово-экономические аспекты функционирования центров коллективного пользования Томского государственного университета / О. В. Бабкина, И. В. Ивонин, В. М. Кузнецов, Г. Е. Дунаевский // Развитие сети центров коллективного пользования научным оборудованием : всероссийская конференция, Краснодар, 12-18 октября 2008 г. Краснодар, 2008. С. 71-73.

• Study of the properties of the surface of gallium arsenide by scanning atomic force microscopy / V. G. Bozhkov, N. A. Torkhov, I. V. Ivonin, V. A. Novikov // Semiconductors. 2008. Vol. 42, № 5. P. 531-539.

2009

• *Исследование процесса токопрохождения в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки методами атомно-силовой микроскопии / В. Г. Божков, Н. А. Торхов, И. В. Ивонин, В. А. Новиков // Международная Крымская конференция "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии" (КрыМиКо‘2009) : материалы конф. : в 2 т. / Севастоп. нац. техн. ун-т, Белорус. гос. ун-т информатики и радиоэлектроники, Крым. науч.-технолог. центр им. проф. А. С. Попова, Тавр. нац. ун-т им. проф. В. И. Вернадского и др. Севастополь : Вебер, 2009. Т. 2, секция 5а/1 : Технология полупроводниковых материалов. Ст. 5а.1. С. 535-536.

• Исследование распределения потенциала на локально металлизированной поверхности N-GaAs методом атомно-силовой микроскопии / Н. А. Торхов, В. Г. Божков, И. В. Ивонин, В. А. Новиков // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2009. № 11. С. 57-66.

• Определение фрактальной размерности поверхности эпитаксиального N-GaAs в локальном пределе / Н. А. Торхов, В. Г. Божков, И. В. Ивонин, В. А. Новиков // Физика и техника полупроводников. 2009. Т. 43, № 1. С. 38-47.

• *Проблемы и некоторые решения вопросов порошковой технологии при производстве и применении неорганических и органических наночастиц / Ю. А. Бирюков, И. В. Ивонин, А. Ю. Объедков // Rusnanotech 09 : сборник тезисов докладов участников II Международного форума по нанотехнологиям. 2009. С. 601-603.

• Теоретическое и экспериментальное исследование поверхностных процессов при молекулярно-лучевой эпитаксии нитрида галлия / Бобровникова И. А., Ивонин И. В., Новиков В. А., Преображенский В. В. // Физика и техника полупроводников. 2009. Т. 43, № 3. С. 422-428.

• Ультрадисперсные и наноразмерные порошки: создание, строение, производство и применение / С. Г. Псахье, А. Ю. Объедков, М. И. Лернер, А. Н. Ищенко, И. В. Ивонин, Ю. А. Бирюков, В. М. Бузник, Г. Е. Дунаевский; под ред. В. М. Бузника. – Томск, 2009. – 190 c.

• *Фрактальная геометрия рельефов и потенциалов поверхностей эпитаксиального арсенида галлия и барьерной металлизации / Н. А. Торхов, В. Г. Божков, В. А. Новиков, И. В. Ивонин // Международная Крымская конференция "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии" (КрыМиКо‘2009) : материалы конф. : в 2 т. / Севастоп. нац. техн. ун-т, Белорус. гос. ун-т информатики и радиоэлектроники, Крым. науч.-технолог. центр им. проф. А. С. Попова, Тавр. нац. ун-т им. проф. В. И. Вернадского и др. Севастополь : Вебер, 2009. Т. 2, секция 5а/1 : Технология полупроводниковых материалов. Ст. 5а.8. С. 550-551.

• Atomic force microscopy study of the potential distribution over a locally metallized n-GaAs surface / N. A. Torkhov, V. G. Bozhkov, I. V. Ivonin, V. A. Novikov // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2009. Vol. 3, № 6. P. 888–896.

• Determination of the fractal dimension for the epitaxial n-GaAs surface in the local limit / N. A. Torkhov, V. G. Bozhkova, I. V. Ivonin, V. A. Novikov // Semiconductors. 2009. Vol. 43, № 1. P. 33–41.

• *Investigation of circuit diagram in metal-semiconductor contacts with Schottki barrier using the method of atomic force / V. G. Bozhkov, N. A. Torkhov, V. A. Novikov, I. V. Ivonin // CriMiCo - 2009 : 19th International Crimean Conference Microwave and Telecommunication Technology : conference proceedings. 2009. P. 535-536.

• Fractal geometry of reliefs and surface potentials in epitaxial gallium arsenide and barrier metallization / N. A. Torkhov, V. G. Bozhkov, V. A. Novikov, I. V. Ivonin // CriMiCo - 2009 : 19th International Crimean Conference Microwave and Telecommunication Technology : conference proceedings. Sevastopol, 2009. P. 550-551.

• Theoretical and experimental studies of surface processes in the course of molecular-beam epitaxy of gallium nitride / I. A. Bobrovnikova, I. V. Ivonin, V. A. Novikov, V. V. Preobrazhenskii // Semiconductors. 2009. Vol. 43, № 3. P. 403–409.

2010

• Бабкина О. В. Инфраструктурное сопровождение разработок в области наноиндустрии в Томском государственном университете / О. В. Бабкина, К. В. Алексеенко, И. В. Ивонин // Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 11-3. С. 6-7.

• Брудный В. Н. Кремний с квантовыми точками германия: электронные и оптические свойства, фотоприемные устройства / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев, И. В. Ивонин // Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 9-3. С. 190-191.

• Исследование процесса распада пересыщенного твердого раствора GaAs : Fe методом сканирующей зондовой микроскопии / С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, В. А. Новиков, О. П. Толбанов, И. В. Ивонин // Физика и техника полупроводников. 2010. Т. 44, № 8. С. 1009-1011.

• Роль распределения напряжений на границе раздела пленка-(барьерный подслой) в формировании силицидов меди / А. В. Панин, А. Р. Шугуров, И. В. Ивонин, Е. В. Шестериков // Физика и техника полупроводников. 2010. Т. 44, № 1. С. 118-125.

• *ТРЦКП Томского государственного университета / Г. В. Майер, Г. Е. Дунаевский, И. В. Ивонин, О. В. Бабкина // Нанотехнологии. Экология. Производство. 2010. № 3. С. 52-53.

• Fractal mode of distribution of surface potential of gate layer in gallium arsenide structure of field-effect transistor / N. A. Torkhov, V. G. Bozhkov, V. A. Novikov, I. V. Ivonin // CriMiCo 2010 : 20th International Crimean Conference : Microwave & Telecommunication Technology : conference proceedings : September 13-17, 2010, Sevastopol, Crimea, Ukraine. 2010. P. 717-718.

• A study of the process of decomposition of supersaturated GaAs:Fe solid solution by scanning probe microscopy / S. S. Khludkov, I. A. Prudaev, V. V. Novikov, O. P. Tolbanov, I. V. Ivonin // Semiconductors. 2010. Vol. 44, № 8. P. 975–977.

• The role of stress distribution at the film/barrier interface in formation of copper silicides / A. V. Panin, A. R. Shugurov, I. V. Ivonin, Ye. V. Shesterikov // Semiconductors. 2010. Vol. 44, № 1. P. 116–122.

• Науч. рук.: Новиков В. А. Исследование морфологии и электронных свойств поверхности пленок AIII BV и контактов металл/AIII BV методом атомно-силовой микроскопии : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Новиков Вадим Александрович ; науч. рук. Ивонин И. В., Торхов Н. А. ; Том. гос. ун-т. - Томск : [б. и.], 2010. - 133 л.: ил.

2011

• Использование методов АСМ для контроля технологических операций при изготовлении фосфидиндиевых гетеробиполярных транзисторов / В. Г. Божков, Н. А. Торхов, И. В. Ивонин, В. А. Новиков, А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан // 21-я Международная Крымская конференция "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии", 12-16 сент., 2011 г. : материалы конф. : в 2-х т. / Севастоп. нац. техн. ун-т, Белорус. гос. ун-т информатики и радиоэлектроники, Крым. науч.-технолог. центр им. проф. А. С. Попова, Тавр. нац. ун-т им. проф. В. И. Вернадского, Харьк. нац. ун-т радиоэлектроники. Севастополь : Вебер, 2011. Т. 2, секция 5а/2 : Технология структур, элементов и приборов СВЧ. Ст. 5a.16. С. 691-692.

• Исследование фрактальной морфологии поверхности HEMT GAN гетероструктур на чужеродных подложках / Н. А. Торхов, В. Г. Божков, В. А. Новиков, И. В. Ивонин, Ю. Н. Свешников, И. Н. Цыпленков // 21-я Международная Крымская конференция "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии", 12-16 сент., 2011 г. : материалы конф. : в 2-х т. / Севастоп. нац. техн. ун-т, Белорус. гос. ун-т информатики и радиоэлектроники, Крым. науч.-технолог. центр им. проф. А. С. Попова, Тавр. нац. ун-т им. проф. В. И. Вернадского, Харьк. нац. ун-т радиоэлектроники. Севастополь : Вебер, 2011. Т. 2, секция 5а/1 : Физические основы, методы контроля элементов и структур СВЧ. Ст. 5a.13p. С. 682-683.

• Прудаев И. А. Ограничение тока в светодиодах на основе нитридов A3B5 при прямом смещении / И. А. Прудаев, И. В. Ивонин, О. П. Толбанов // Известия высших учебных заведений. Физика. 2011. Т. 54, № 12. С. 66-68. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000444868

• Светодиодные гетероструктуры на основе соединений GaN, AlN, InN, полученные методом МОСГФЭ-технологии / В. Н. Брудный, С. М. Гущин, И. В. Ивонин, А. В. Мазалов, В. А. Курешов, А. А. Мармалюк, И. С. Романов, Д. Р. Сабитов, Н. А. Чернов / Известия высших учебных заведений. Физика. 2011. Т. 54, № 9-2. С. 3-8.

• ТРЦКП: исследования и подготовка кадров для наноиндустрии / О. В. Бабкина, Г. Е. Дунаевский, И. В. Ивонин, П. П. Каминский // Российские нанотехнологии. 2011. Т. 6, № 1-2. С. 27-30.

2012

• Распад пересыщенного твердого раствора железа в GaAs / И. А. Прудаев, С. С. Хлудков, А. К. Гутаковский, И. В. Ивонин и др.// Неорганические материалы. 2012. Т. 48, № 2. С. 133-135. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000432573

• Decomposition of a supersaturated solid solution of Fe in GaAs / I. A. Prudaev, S. S. Khludkov, A. K. Gutakovskii, V. A. Novikov, O. P. Tolbanov, I. V. Ivonin // Inorganic Materials. 2012. Vol. 48, № 2. P. 93–95.

• Prudaev I. A. Current limitation in A 3 B 5 nitride light-emitting diodes under forward bias / I. A. Prudaev, I. V. Ivonin, O. P. Tolbanov // Russian Physics Journal. 2012. Vol. 54, № 12. P. 1372–1374.

2014

• Диссертация и автореферат диссертации : [СТО ТГУ 123–2014] : общие положения, структура и правила оформления / [руков. И. В. Ивонин ; отв. испол. Нагаев А. Ю. ; испол.: Соколенко Е. Н., Бурова Н. Ю., Кичигина Е. Ю.]. - Томск : Томский государственный университет, 2014. - 59 с.- (Стандарт организации) . URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000497489

• Исследования особенностей процессов получения микронных, субмикронных и наноразмерных порошков пневматическим циркуляционным методом / Ю. А. Бирюков, В. А. Полюшко, А. Ю. Объедков, И. В. Ивонин, А. А. Глазунов, А. Н. Ищенко, С. В. Пономарев // Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 8/2. С. 33-37. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000515845

• Новиков В. А. Влияние температуры роста на статистические параметры морфологии поверхности GaN / В. А. Новиков, В. В. Преображенский, И. В. Ивонин // Физика и техника полупроводников. 2014. Т. 48, вып. 7. С. 898-901. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000493276

• Система менеджмента качества. Документированная процедура ДП СМК НУ ТГУ 05.10.06.2010 "Процесс подготовки, разработки, написания и оформления выпускных квалификационных работ (ВКР)" : уровни подготовки: бакалавр, магистр, специалист : по разным направлениям подготовки / Том. гос. ун-т, Науч. упр., Отдел стандартизации, метрологии и контроля качества НИОКР ; [руков. А. С. Ревушкин ; отв. исполнитель И. В. Ивонин]. - Томск : [б. и.], 2014. - 53 с. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000506706

• Становление и развитие научного и образовательного направлений по физике полупроводников в Томском государственном университете / В. Н. Брудный, А. В. Войцеховский, И. В. Ивонин, О. П. Толбанов // Электронная промышленность. 2014. № 1. С. 7-15. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000493301

• Томский университет в 2014 г. Состояние и результаты. Проблемы и задачи на 2015 г. : отчетный доклад ректората ТГУ на заседании Ученого совета университета 24 декабря 2014 г. / [Нац. исслед.Том. гос. ун-т ; докл.: В. В. Демин, Г. В. Можаева, И. В. Ивонин и др.]. - Томск : [б. и.], 2014. - 83, [1] с.: табл.

• Экспериментальные исследования процессов измельчения порошков вольфрама / Ю. А. Бирюков, В. А. Полюшко, А. Ю. Объедков, И. В. Ивонин // Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 8/2. С. 38-42. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000515857

• Novikov V. A. Effect of the growth temperature on the statistical parameters of GaN surface morphology / V. A. Novikov, V. V. Preobrazhenskii, I. V. Ivonin // Semiconductors. 2014. Vol. 48, № 7. P. 872–874.

2015

• *Влияние размерных эффектов на контактное сопротивление омических контактов / Торхов Н. А., Новиков В. А., Ивонин И. В. // 25 Международная Крымская конференция "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии" (КрыМиКо'2015), Севастополь, 6-12 сент., 2015 : материалы конференции. 2015. Т. 2. С. 609-610.

• *Исследование электрических полей Ni/GaN контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки методами атомно-силовой микроскопии / Н. А. Торхов, В. Г. Божков, В. А. Новиков, И. В. Ивонин // 25 Международная Крымская конференция "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии" (КрыМиКо'2015), Севастополь, 6-12 сент., 2015 : материалы конференции. Севастополь, 2015. Т. 2. С. 611-612.

• Итоги научно-исследовательской деятельности в 2014 году / Том. гос. ун-т ; [ред. сов.: И. В. Ивонин, Борило Л. П., Краснова Т. С. ; сост.: Н. Ю. Бурова, О. В. Бабкина, Л. Н. Спивакова и др.]. - Томск : [б. и.], 2015. - 148 с.: табл. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000503426

2016

• Моделирование процесса спекания изделий из низкотемпературной керамики, формируемых аддитивными технологиями / В. Н. Лейцин, С. В. Пономарев, М. А. Дмитриева, И. В. Ивонин, И. М. Тырышкин // Физическая мезомеханика. 2016. Т. 19, № 4. С. 21-27.

• Получение порошков нитрида алюминия с использованием пневмоциркуляционного метода и определение их значимых характеристик / В. А. Полюшко, Ю. А. Бирюков, И. В. Ивонин, А. Ю. Объедков // Известия высших учебных заведений. Порошковая металлургия и функциональные покрытия. 2016. № 1. С. 12-19.

• Прогноз геометрических характеристик низкотемпературной керамики с многоуровневой иерархической поровой структурой / В. Н. Лейцин, М. А. Дмитриева, И. В. Ивонин и др. // Перспективные материалы с иерархической структурой для новых технологий и надежных конструкций : международная конференция, 19-23 сентября 2016 г., Томск, Россия : тезисы докладов. Томск, 2016. С. 299-300. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000575185

• Физика твердого тела : сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, 18-20 мая 2016 г., г. Томск, Россия / [редкол.: В. А. Новиков, И. В. Ивонин, И. А. Дитенберг и др.] ; Том. гос. ун-т, Сиб. отд-ние Рос. акад. наук. - Томск : Издательский Дом Томского государственного университета, 2016. - 273 с.: ил., табл. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000551498

• Чайковская О. Н. IT в геодезии, картографии и создании умных материалов / О. Н. Чайковская, Н. Г. Брянцева, И. В. Ивонин // Управление качеством инженерного образования. Возможности вузов и потребности промышленности : Вторая международная научно-методическая конференция в рамках Международного научного конгресса “Наука и инженерное образование. SEE-2016” : сборник тезисов. М.: Изд-во НУК ИУ МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2016. С. 78-79.

• Analysis of the low temperature ceramics structure with consideration for polydispersity of initial refractory components / V. N. Leytsin, M. A. Dmitrieva, A. O. Tovpinets, I. V. Ivonin, S. V. Ponomarev // AIP Conference Proceedings. 2016. Vol. 1783, № 1. P. 020132-1 - 020132-4.

• Forecast of geometric characteristics of low-temperature ceramics with multilevel hierarchical pore structure / V. N. Leytsin, M. A. Dmitrieva, I. V. Ivonin, S. V. Ponomarev, V. A. Polyushko // AIP Conference Proceedings. 2016. Vol. 1783, № 1. P. 020131-1 - 020131-4.

• Nature of size effects in compact models of field effect transistors / N. A. Torkhov, V. A. Novikov, I. V. Ivonin, L. I. Babak, A. A. Kokolov, A. S. Salnikov, I. M. Dobush // Journal of Applied Physics. 2016. Vol. 119. P. 094505-1 - 094505-13.

2017

• Итоги научно-исследовательской деятельности в 2016 году / Том. гос. ун-т ; [ред. сов.: Ивонин И. В., Краснова Т. С., Борило Л. П. ; сост.: Л. Н. Нехорошева, О. В. Бабкина, Л. Н. Спивакова и др.]. - Томск : [б. и.], 2017. - 164 с.: табл.

• Итоги научно-исследовательской деятельности в 2017 году / Том. гос. ун-т ; [ред. сов.: Ивонин И. В., Краснова Т. С., Борило Л. П. ; сост.: Л. Н. Нехорошева, О. В. Бабкина, Л. Н. Спивакова и др.]. - Томск : [б. и.], 2018. - 167 с.: табл.

• Методы атомно-силовой микроскопии для контроля качества P++-N -GaAs переходов / Н. А. Торхов, Е. В. Никульникова, И. В. Ивонин // Мокеровские чтения : 8-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники. 2017. С. 128-129.

• Методы атомно-силовой микроскопии для контроля системы электростатических полей кремниевых варикапов / Н. А. Торхов, Ю. В. Янковская, В. А. Новиков, И. В. Ивонин // 27-я Международная Крымская конференция "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии" (КрыМиКо'2017) : материалы конференции : в 9 т. Севастополь, 2017. Т. 4. С. 854-860.

• Определяющие факторы формирования структуры низкотемпературной керамики / В. Н. Лейцин, М. А. Дмитриева, И. В. Ивонин, С. В. Пономарев, В. А. Полюшко, А. О. Товпинец, А. С. Нарикович // Физическая мезомеханика. 2017. Т. 20, № 6. С. 77-85.

• Формирование структуры Green компакта низкотемпературной керамики с учетом термодеструкции связующего / А. О. Товпинец, В. Н. Лейцин, М. А. Дмитриева, И. В. Ивонин, С. В. Пономарев // Перспективные материалы с иерархической структурой для новых технологий и надежных конструкций : международная конференция, 9-13 октября 2017 года, Томск, Россия : тезисы докладов. Томск, 2017. С. 211-213. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000632481

• Formation of Green compact structure of low-temperature ceramics with taking into account the thermal degradation of the binder / A. O. Tovpinets, V. N. Leytsin, M. A. Dmitrieva, I. V. Ivonin, S. V. Ponomarev // AIP Conference Proceedings. 2017. Vol. 1909, № 1. P. 020220-1 - 020220-4.

• Simulation of sintering of low-temperature ceramic products formed by additive technology / V. N. Leitsin, S. V. Ponomarev, M. A. Dmitrieva, I. V. Ivonin, I. M. Tyryshkin // Physical Mesomechanics. 2017. Vol. 20, № 4. P. 465–471.

2018

• Лопасов В. П. Генерация лазерного излучения нового типа для решения наукоемких прикладных задач. Часть 1 / В. П. Лопасов, И. В. Ивонин // Фотоника. 2018. № 1. С. 44-54.

• Лопасов В. П. Генерация лазерного излучения нового типа для решения наукоемких прикладных задач. Часть 2 / В. П. Лопасов, И. В. Ивонин // Фотоника. 2018. № 4. С. 418-435.

• Филонов Н. Г. Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на основе арсенида галлия : [монография] / Н. Г. Филонов, И. В. Ивонин ; Нац. исслед. Том. гос. ун-т, Том. гос. пед. ун-т ; [под ред. Н. Г. Филонова]. - Томск : Издательский Дом Томского государственного университета, 2018. - 362 с.: ил., табл. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000644762

• Determining Factors in the Formation of Low-Temperature Ceramics Structure / V. N. Leitsin, M. A. Dmitrieva, I. V. Ivonin, S. V. Ponomarev, V. A. Polyushko, A. O. Tovpinets, A. S. Narikovich // Physical Mesomechanics. 2018. Vol. 21, № 6. P. 529–537.

2019

• Изменение морфологии поверхности кристаллов антрацена при отжиге / В.А. Новиков, Р.М. Гадиров, Т.Н. Копылова, Т.А. Солодова, И.А. Бобровникова, И.В. Ивонин, Терещенко Е.В. // Известия вузов. Физика. 2019. Т. 62, № 6. С. 135-138.

• Admittance characterization of pentacene metal-insulator-semiconductor capacitorswith SiO2 and SiO2/Ga2O3 insulators in temperature range of 9-300 K / A.V. Voitsekhovskii, S.N. Nesmelov, V.A. Novikov, S.M. Dzyadukh, T.N. Kopylova, I.V. Ivonin, K.M. Degtyarenko, E.V. Tereshhenko // Thin Solid Films. 2019. Vol. 692. P. 137622 (1-7).

• Evolution of Surface Morphology of Anthracene Single Crystals Under Annealing / V.A. Novikov, R.M. Gadirov, T.N. Kopylova, T.A. Solodova, I.A. Bobrovnikova, I.V. Ivonin, E.V. Tereshhenko // Russian Physics Journal. 2019. Vol. 62, № 6. P. 1073-1076.

Литература о трудах и деятельности

Иван Ивонин: «У ТГУ есть своя стратегия развития, и мы следуем ей, принимая решения» // Alma Mater. 2017. 27 сентября.

Ссылки

Анализ публикационной активности (РИНЦ)

Цитирование в Scopus

ResearcherID (Публикации с Web of Science)

Электронная библиотека ТГУ

Электронный каталог НБ ТГУ