Коротаев, Александр Григорьевич

Коротаев Александр Григорьевич
Место работы:	Томский государственный университет, Радиофизический факультет, декан, кафедра квантовой электроники и фотоники, доцент
Учёная степень:	кандидат физико-математических наук
Учёное звание:	старший научный сотрудник

Хронологический список работ

1986

• Войцеховский А. А. Кинетика отжига радиационных дефектов в облученных электронами кристаллах теллурида кадмия-ртути / А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко // Тезисы докладов II Всесоюзной конференции «Материаловедение халькогенидных и кислородосодержащих полупроводников». Черновцы, 1986. С.153.

1987 • Войцеховский А. В. Исследование отжига радиационных дефектов в кристаллах HG1-XCDX Te / А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко // Физическая электроника. 1988. Вып.37. С. 53-58.

• Кинетика отжига радиационных дефектов в обученных электронами кристаллах HG1-XCDXTE / А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко, К. Р. Курбанов; редкол. «Известия вузов. Физика». – Томск, 1987. – 22с. – Деп. В ВИНИТИ 9.02.87,. №929 В 87.

• Механизмы отжига радиационных дефектов в облученном электронами HG1-XCDX Te / А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко, К. Р. Курбанов // Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках : материалы Всесоюзного семинара по проблеме «Физика и химия полупроводников». [М.], 1987. С. 64-67.

• Радиационные дефекты в имплантированных кристаллах HG1-XCDX Te / В. С. Куликаускас, Ю. В. Лиленко, К. В. Шастов, А. Г. Коротаев // Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках : материалы Всесоюзного семинара по проблеме «Физика и химия полупроводников». [М.], 1987. С.60-63.

1988

• Войцеховский А. В. Исследование отжига радиационных дефектов в кристаллах HG1-XCDX Te / А. В. Войцеховский, A. П. Коханенко, А. Г. Коpотаев // Физическая электроника. 1988. Вып.37. С.53-58.

• Positron annigilation for defect studies in HG1-XCDX Te crystals / A. V. Voitsekhovskii, A. P. Kokhanenko, A. G. Korotaev et al. // Abstracts of 8 th Conference on positron annigilation. Gent, Belgium, 1988. P.620.

1989

• Войцеховский А. В. Влияние радиационных дефектов вакансионного типа на результрующий профиль n(x) при облучении HgCdTe ионами / А. В. Войцеховский, Е. М. Кирюшкин, А. Г. Коротаев // Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках : материалы II Всесоюзного семинара по проблеме «Физика и химия полупроводников». Павлодар, 1989. С.102-106.

• Войцеховский А. В. Дефектообразование и диффузия радиационных дефектов в кристаллах HG1-XCDX Te при облучении ионами / А. В. Войцеховский, Е. М. Кирюшкин, А. Г. Коротаев // Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках : материалы II Всесоюзного семинара по проблеме «Физика и химия полупроводников». Павлодар, 1989. С.107-110.

• Дефектообразование в HG1-XCDXTE при низких дозах ионизирующей радиации / А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко и др. // Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках : материалы II Всесоюзного семинара по проблеме «Физика и химия полупроводников». Павлодар, 1989. Ч.2. С.136-139.

• Изучение дефектов в узкозонных полупроводниках методом аннигиляции позитронов / А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, А. И. Коханенко, А. Д. Погребняк // Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках : материалы II Всесоюзного семинара по проблеме «Физика и химия полупроводников». Павлодар, 1989. Ч. 2. С. 126-130.

• Определение параметров электрон-позитронной аннигиляции в кристаллах HG1-XCDXTE / А. В. Войцеховский, И. Л. Киселев, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко; редкол. «Известия вузов. Физика». – Томск, 1989. – 16с. – Деп. В ВИНИТИ 5.10.89, рег. № 6132-В89.

1990

• Исследование радиационных нарушений в кристаллах HgCdTe при высокодозной имплантации / А. И. Аксенов, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев и др. // Тезисы докладов XX Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. М., 1990. С.80.

1991

• Коротаев А. Г. Исследование радиационных дефектов в кристаллах HG1-XCDXTE ядернофизическими методами : автореф.дис. ... канд. физико-математических наук. – Томск, 1991. – 16 с.: ил.

• Особенности высокоинтенсивной имплантации в теллуридѳ кадмия-ртути / А. В. Войцеховский, А. Г. Коротнева, А. П. Коханенко,А. Д. Погребняк, А. И. Аксенов // III Всесоюзная конференция «Ионно-лучевая модификация полупроводников и других материалов микроэлектроники» : программа и тезисы докладов. Новосибирск, 4-6 июня 1991 г. Новосибирск, 1991. С. 29.

• Применение пучков медленных позитронов для исследования ионной имплантацией в КРТ / А. В. Войцѳхсвский, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко, A. Д. Погребняк // III Всесоюзная конференция «Ионно-лучевая модификация полупроводников и других материалов микроэлектроники» : программа и тезисы докладов. Новосибирск, 4-6 июня 1991 г. Новосибирск, 1991. С. 85.

1995

• Войцеховский А. В. Электрон-позитронная аннигиляция в узкозонных полупроводниках HG1-XCDXTE / А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко // Известия высших учебных заведений. Физика. 1995. № 10. С. 3 -21.

• Electron—Positron annihilation in the narrow-band semiconductor Hg1−xCdxTe / A. V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, A. P. Kokhanenko // Russian Physics Journal. 1995. Vol. 38, № 10. P. 1007 -1022.

1996

• Войцеховский А. В. Рaдиaциoннoe дeфeктooбpaзoвaниe в кpиcтaллax kpt, облyчeнныx иoнaми вoдopoдa c энepгиeй 10 мэв / А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко // Физика и техника полупроводников. 1996. Т. 30, № 9. С. 1565-1569.

• Voǐtsekhovskiǐ A. V. Radiation defect formation in hg1-xcdxte crystals irradiated by 10-mev hydrogen ions / A. V. Voǐtsekhovskiǐ, A. G. Korotaev, A. P.Kokhanenko // Semiconductors. 1996. Vol. 30, № 9. P. 821-822.

1997

• Поверхностное легирование кремния атомами бора методом ядер отдачи / А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко, И. И. Грушин, М. С. Опекунов, Г. Е. Ремнев // Международная конференция "Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах", 22-25 сентября 1998 г., г. Томск : тезисы докладов. Томск, 1998 . С. 201-202 .

1999

• Voitsekhovskii A. V. Recoil implantation of boron in silicon for modification of parameters of silicon schottky detectors / Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Korotaev A.D. // Progress in Biomedical Optics and Imaging. 1999. Vol. 3881. P. 274.

• Formation of boron heavily-doped nanolayer in silicon by powerful ion irradiation / A. Kokhanenko, A. Korotaev, A. Voitsekhovskii, I. Grushin, M. Opekunov // Microelectronic device technology III. Proceedings of the society of photo-optical instrumentation engineers (SPIE). Santa Clara, 1999. Vol. 3881 P. 274-283.

2000

• Войцеховский А. В. Распределение профилей радиационных дефектов в КРТ после ионной имплантации / А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко // Прикладная физика. 2000. № 6. С. 38-44.

• Войцеховский А. В. Формирование наноразмерных высоколегированных профилей бора в кремнии мощными ионными пучками / А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко // Прикладная физика. 2000. № 6.С.45-50.

• Formation of boron heavily doped nanolayer in silicon by recoil implantation using high-intensive power ion beams / M. S. Opekunov, I. I. Grushin, G. E. Remnev, A. P.Kokhanenko , A. G. Korotaev, A. V. Voitsekhovskii // 2000 13th International Conference on High-Power Particle Beams, BEAMS 2000. 2000. P. 775-779.

2001

• Полупроводниковые сверхрешетки и их свойства : методические указания / Томск. гос. ун-т , Каф. квантовой электроники и фотоники ; [сост. А. В. Войцеховский, С. А. Шульга, А. Г. Коротаев]. – Томск : [б. и.], 2001. – 32 с.: ил.

• Физическая электроника. Измерения в лабораторном практикуме. Приборы для измерения частоты на СВЧ : методическое пособие / сост. А. Г. Коротаев, С. П. Кулаев; Том. гос. ун-т, Каф. квантовой электроники и фотоники. – Томск : [б. и.], 2001. – 34, [1] с.: ил.

• Kokhanenko A. P. Electron-positron annihilation in the narrow gap semiconductor HG1-XCDXTE / A. P. Kokhanenko, A. G. Korotaev, A. V. Voitsekhovskii // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. 5th International Conference on Material Science and Mateial Propoerties for Infrared Optoelectronics. sponsors: SPIE; editors: F.F. Sizov, Institute of Semiconductor Physics, Ukraine. Kiev, 2001. P. 173-177.

• Photoelectric characteristics of ptsi-si schottky barrier with boron heavily-doped nanolayer / A.V. Voitsekhovskii, A. P. Kokhanenko, A. G. Korotaev, S. N. Nesmelov // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. Interantional Conference on Solid State Crystals 2000 Epilayers and Heterostructures in Optoelectronics and Semiconductor Technology. Zakopane, 2001. P. 387-390.

2002

• The energy band diagrams of PTSI-SI barrier with a heavily-doped surface nanolayer formed by recoil implantation / S. N. Nesmelov, A. V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, A. P. Kokhanenko // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. Silicon-based and Hybrid Optoelectronics IV. sponsors: SPIE; editors: D.J. Robbins, G.E. Jabbour. San Jose, CA, 2002.P. 164-173.

• Radiation effects in photoconductive MCT MBE heterostructures / A. V. Voitsekhovskii, A. P. Kokhanenko, A .G. Korotaev, D. V. Grigorev, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, Ju. G. Sidorov, N. N. Mikhailov // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. Solid State Crytals 2002 Crystalline Materials for Optoelectronics. sponsors: European Commission, European Office for Aerospace Research and Development, European Office for Scientific Research (Poland), Institute of Physics, Technical University of Lodz (Poland). Zakopane, 2002. P. 411-415.

2003

• Облучение высокоэнергетическими электронами и гамма-квантами эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев, Д. В. Григорьев, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Ю. Г. Сидоров, Н. Н. Михайлов // Прикладная физика. 2003. № 5. С.99-101 .

• Распределение профилей радиационных дефектов при ионной имплантации варизонных структур КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев, Д. В. Григорьев, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Ю. Г. Сидоров, Н. Х. Талипов // Прикладная физика. 2003. № 5. С. 93-95 .

• Radiation effects in photoconductive MCT MBE heterostructures / A. V. Voitsekhovskii, A. P. Kokhanenko, A .G. Korotaev, D. V. Grigorev, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, Ju. G. Sidorov, N. N. Mikhailov // Progress in Biomedical Optics and Imaging. 2003. Vol. 5136. P. 411-415. https://doi.org/10.1117/12.519767

2004

• Особенности определения электрофизических параметров вариозных структур КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко // Известия высших учебных заведений. Физика. 2004 . N 7 . С. 70-77.

• Особенности формирования профиля распределения электрически активных радиационных дефектов при ионной имплантации эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев, Д. В. Григорьев // Физико-химические процессы в неорганических материалах (ФХП-9). Т. 2 : международная конференция : посвящается 50-летию Кемеровского государственного университета, 22-25 сентября 2004 года : доклады. Кемерово, 2004. Т. 2. С. 380-383.

• Профили распределения дефектов в эпитаксиальных пленках CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, при ионной имплантации аргона и азота / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко, Д. В. Леонтьев, Н. А. Кульчицкий // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2004 . N2. С.60-65.

• Specific features of determining the electrophysical parameters of variband CMT structures grown by molecular-beam epitaxy / A. V. Voitsekhovskii, D.V. Grigor'ev, A. G. Korotaev, A. P. Kokhanenko // Russian Physics Journal. 2004. № 7. P. 764.

2005

• Имплантация ионов бора в варизонные эпитаксиальные пленки МЛЭ КРТ / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко, Н. Х. Талипов // Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства функциональной электроники и нанофотоники) : материалы XI международной научно-технической конференции (Москва, МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2005, 8-10 сентября). Тонкие пленки в электронике : материалы XVII международного симпозиума (Москва, МГТУ им. Н. Э. Баумана 2005, 8-10 сентября). Москва, 2005. С. 171-178.

• Особенности формирования профиля распределения электрически активных радиационных дефектов при ионной имплантации эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев, Д. В. Григорьев // 9 Международная конференция "Физико-химические процессы в неорганических материалах " и Школа молодых ученых, проводившаяся в рамках конференции, Кемерово, 22-25 сент., 2004 ФХП-9 : доклады: Посвящается 50-летию Кемеровского государственного университета. Т. 2 . 2004 . С.280-383.

• Процессы радиационного дефектообразования в варизонных структурах млэ крт при ионной имплантации / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко, Н. X. Талипов // Прикладная физика. 2005. № 3. С. 83-88.

• The boron implantation in the varied zone MBE MCT epilayer / A. V. Voitsekhovskii , D. V. Grigorev, A. P. Kokhanenko, A. G. Korotaev, Y. G. Sidorov, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, N. K. Talipov // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. Infrared Photoelectronics. Сер. "Infrared Photoelectronics" sponsors: NEMO-Network of Excellence on Micro-Optics, European Office of Aerospace Research and Development; editors: A. Rogalski, E.L. Dereniak, F.F. Sizov, Military University of Technology, Poland. Warsaw, 2005. P. 1-5.

2006

• Динамика накопления электрически активных радиационных дефектов при имплантации варизонных эпитаксиальных пленок МЛЭ КРТ / А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев , А. П. Коханенко, Д. В. Григорьев, B. C. Варавин, С. А. Дворецкий, Ю. Г. Сидоров, Н. Н. Михайлов, Н. Х. Талипов // Известия высших учебных заведений. Физика. 2006. Т. 49. № 9. С. 25-28.

• The dynamics of accumulation of electrically active radiation defects on implantation of graded-band-gap hgcdte films grown by MBE / A. V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, A. P. Kokhanenko, D. V. Grigorev, V. S. Varavin, S. A. Dvoretskii, Yu. G. Sidorov, N. N. Mikhailov, N. Kh. Talipov // Russian Physics Journal. 2006. Т. 49. № 9. P. 929-933.

2007

• Легирование ионами бора варизонных эпитаксиальных пленок МЛЭ КРТ / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Ю. Г. Сидоров, Н. Н. Михайлов, Н. Х. Талипов // Прикладная физика. 2007. N 6 . С. 119-124 : 5 ил., 1 табл.

• Радиационное дефектообразование в варизонных эпитаксиальных структурах Cd[x]Hg[1-x]Te при ионной имплантации / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г.Коротаев, А. П. Коханенко, Н. Х. Талипов // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2007. N 2 . 2007 . С. 35-40.

2008

• Исследования влияния ионной имплантации бора и ионно-лучевого травления варизонных структур МЛЭ КРТ при формировании n-p переходов / Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Волков В.С., Средин В.Г., Талипов Н.Х., Ижнин И.И. // Тезисы докладов Российского Совещания «Актуальные проблемы полупроводниковой фотоэлектроники «Фотоника-2008». 19-23 августа 2008. Новосибирск. Новосибирск, 2008. С. 28-28.

• Особенности распределения донорных центров в варизонных слоях МЛЭ КРТ р-типа при ионно-лучевом травлении и ионной имплантации бора / Войцеховский А. В., Григорьев Д.В., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Волков В.С., Средин В.Г., Талипов Н.Х., Ижнин И.И. // Тезисы докладов XX Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. 27-30 мая 2008. Москва, Россия. Москва, 2008. С. 177-177.

• Профили распределения дефектов в варизонных слоях гетероэпитаксиальных структур p-НgСdТе при ионно-лучевом травлении / А. В. Войцеховский, В. С. Волков, Д. В. Григорьев, И. И. Ижнин, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко, М. Посяцк, В. Г. Средин, Н. Х. Талипов // Известия вузов. Физика. 2008 . Т. 51, N 9 . С. 51-56 .

• Радиационные эффекты в фотодетекторах на основе CdHgTe / Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Коротаев А.Г., Коханенко А.П., Мельников А.А., Кульчицкий Н.А. // Известия вузов. Физика. Тематический выпуск. 2008. Т. 51, №9/3. С. 157-159

• Defect profiles in graded band-gap layers of p-НgСdТе heteroepitaxial structures under ion-beam etching / A.V. Voitsekhovskii, V. S. Volkov, D. V. Grigorev, A. G. Korotaev, A. P. Kokhanenko, V.G. Sredin, N. Kh Talipov., I. I. Izhnin, M. Posyatsk // Russian Physics Journal. 2008. Т. 51. № 9. P. 936-942.

2010

• Анализ эффективности преобразования солнечной энергии полупроводниковых структур cdte/cdhgte с варизонным слоем в фотопоглощающей области / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев // Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53. № 9-3. С. 141-142.

• Влияние облучения на характеристики приборов с накоплением заряда / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев и др. // Высокие технологии в промышленности России : (материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники) : материалы XVI Международной научно-технической конференции (Москва, ЦНИТИ "ТЕХНОМАШ", 2010, 9-11 сентября). Тонкие пленки в электронике : материалы XXIII Международного симпозиума (Москва, ЦНИТИ "ТЕХНОМАШ" 2010, 9-11 сентября). М., 2010. С. 185-190.

• Влияние облучения на характеристики приборов с накоплением заряда / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев, Д. В. Григорьев, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников // Нано- и микросистемная техника. 2010. № 7. С. 32-37.

• Влияние облучения на характеристики HgCdTe фотодетекторов / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев, Д. В. Григорьев, А. Н. Кульчицкий, А. А. Мельников // Высокие технологии в промышленности России : (материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники) : материалы XVI Международной научно-технической конференции (Москва, ЦНИТИ "ТЕХНОМАШ", 2010, 9-11 сентября). Тонкие пленки в электронике : материалы XXIII Международного симпозиума (Москва, ЦНИТИ "ТЕХНОМАШ" 2010, 9-11 сентября). М., 2010. С. 191-196.

• Влияние облучения на характеристики фотодетекторов из HgCdTe / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев, Д. В. Григорьев, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников // Нано- и микросистемная техника. 2010. № 9 (122). С. 48-52. • Радиационные эффекты в кристаллах теллурида кадмия-ртути / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев, Д. В. Гpигоpьев, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников // Нано- и микросистемная техника. 2010. № 6. С. 10-17. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000535368

• Физическая электроника. Лабораторный практикум. Электростатическая линза : учебно-методическое пособие / Том. гос. ун-т, РФФ ; [сост.: А. Г. Коротаев, С. П. Кулаев]. - Томск : [б. и.], 2010. - 27 с.: ил.

2011

• Влияние облучения на характеристики hgcdte ик фотодетекторов / Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А. // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. 2011. Т. 11. № 1. С. 143-148.

• Изменение электрофизических свойств узкозонных твердых растворов CdHgTe под воздействием объемного разряда, инициируемого пучком электронов лавин в воздухе атмосферного давления / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2011. Т. 54, № 10. С. 88-90. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000444849

• Турапин А.М., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Войцеховский А.В. Молекулярно-лучевая эпитаксия Ge/Si наногетероструктур с квантовыми точками //Сборник тезисов V Украинской научной конференции физики полупроводников УНКФН-5. Украина, г. Ужгород, 2011. С. 382.

2012

• Влияние объемного наносекундного разряда в газовых средах атмосферного давления на электрофизические свойства эпитаксиального материала HgCdTe / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев, А .С. Петерс, В. Ф. Тарасенко, М. А. Шулепов // Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 65-66. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000444340

• Влияние объемного наносекундного рзряда в атмосферах воздуха, аргона и азота на электрофизические свойства узкозонных твердых растворов CdHgTe / А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, А. С. Петерс и др. // XXII Международная научно-техническая конференция, школа молодых специалистов и выставка по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 22-25 мая 2012, Москва, Россия : труды конференции. Москва, 2012. С. 197-199

• Радиационные эффекты в HgCdTe / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев и др. // Прикладная физика. 2012. № 1. С. 82-89. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000432574

• A change in the electro-physical properties of narrow-band cdhgte solid solutions acted upon by a volume discharge induced by an avalanche electron beam in the air at atmospheric pressure / Voitsekhovskii A.V., Grigorev D.V., Korotaev A.G., Kokhanenko A.P., Tarasenko V.F., Shulepov M.A. // Russian Physics Journal. 2012. Vol. 54, № 10. P. 1152-1155.

2013

• Влияние облучения на характеристики HGCDTE ИК фотодетекторов / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев, Н. А .Кульчицкий, А. А. Мельников // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. 2013. Т. 13. № 1. С. 222-227.

• Влияние объемного наносекудного разряда в атмосфере воздуха, аргона и азота на электрофизические свойства узкозонных твердых растворов CdHgTe / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев и др. // Успехи прикладной физики. 2013. Т. 1, № 3. С. 333-337. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000507335

• Влияние комплексного воздействия электронного пучка пикосекундной длительности и объёмного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства эпитаксиального материала CdHgTe / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 137-139. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000472650

• Дёмин В.В. О развитии студенческого научно-исследовательского инкубатора на радиофизическом факультете Томского государственного университета / В. В. Дёмин, Н. Г. Кушик, А. Г. Коротаев // Труды / Томский государственный университет. Серия физико-математическая. 2013. Т. 289 : Труды десятой региональной конференции студенческого научно-исследовательского инкубатора. С. 3-13.

• Радиофизический лирический : сборник стихов преподавателей радиофизического факультета Томского государственного университета / [сост. Т. Д. Кочеткова] ; Нац. исслед. Том. гос. ун-т. – Томск : STT, 2013. – 113 с. – Из содерж. : А. Г. Коротаев : «Я дышу непогашенным светом». С.87; «Вот уже седина подступает». С.88; «Здесь бесплатной любви не бывает». С. 89; «»Борясь с рефракцией жестоко». С.90; «Пускай таланта нет». С. 91.

• Background donor concentration in HgCdTe / M. Pociask-Bialy, I. I. Izhnin, A. V. Voytsekhovskiy [et.al.] // Opto-electronics review. 2013. Vol. 23, № 3. P. 200-207. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000519835

2014

• Влияние диффузионного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства узкозонных полупроводников CdHgTe / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев, И. В. Романов, В. Ф. Тарасенко, М. А. Шулепов // Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 10/3. С. 126-130. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000501350

• Донорный фон в эпитаксиальных структурах CdHgTe / И. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, С. А. Дворецкий, В. С. Варавин, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, К. Д. Мынбаев // Конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур (с участием иностранных ученых) : тезисы докладов. Новосибирск, 2014. С. 64.

• Радиофизический лирический : сборник стихов выпускников и сотрудников радиофизического факультета Томского государственного университета / [сост. Т. Д. Кочеткова] ; Нац. исслед. Том. гос. ун-т. – Изд. 2-е, испр. и доп. – Томск : STT, 2014. – 269 с. Из содерж. : Коротаев А. Г. : «Не дрейфь Серёга…». С.13; Патриотический марш. С.48; Марш оптимистов. С.49; «Я, прямо скажем не балбес». С.50; Исторические зарисовки. С.51.; «Жизнь моя ценой в копейку». С.52; «Здесь бесплатной любви не бывает». С. 53; «Бабочка к глади припала речной…». С. 112; «Пускай таланта нет». С.114; «Я дышу непогашенным светом». С.115; «Вот уже седина подступает». С.150; «Борясь с рефракцией жестоко». С.151.

• The Influence of a Diffusion Discharge in the Air at Atmospheric Pressure on the Electro-Physical Properties of Narrow-Gap Semicondurtors CdHgTe / A. V. Voitsekhovskii, D. V. Grigoryev, A. G. Korotaev, A. P. Kokhanenko, I. V. Romanov, V. F. Tarasenko, M. A. Shulepov // International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects: Abstracts. Tomsk: Publishing House of IAO SB RAS, 2014. P. 332.

• Background donor concentration in HgCdTe / M. Pociask-Bialy, I. I. Izhnin, A.V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, O. I. Fitsych, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, M.V. Yakushev, K. D. Mynbaev //Abstracts of E-MRS 2014 Fall Meeting. Warsaw, Poland, 2014. URL::http://www.emrsstrasbourg.com/index.php?option=com_abstract&task=view&id=283&year=2014&Itemid=&id_season=12(date of access: 10.03.2015. ; http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000519835

2015

• Влияние импульсного наносекудного объемного разряда в воздухе атмосферного давления на магнитополевые зависимости электрофизических параметров эпитаксиальных пленок КРТ / Д. В. Григорьев, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, В. Ф. Тарасенко, М. А. Шулепов // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 10/3. С. 144-146. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000535780

• Долговременная стабильность p-n переходов в МЛЭ гетероструктурах CdxHg1-xTe, сформированных ионным травлением / И. И. Ижнин, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев , Е. И. Фицич, А. Ю. Бончик, Г. В. Савицкий, К. Д. Мынбаев, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев // Сборник научных трудов VIII Международной научной конференции "Функциональная база наноэлектроники", 28 сентября - 2 октября 2015 г. Харьков ; Одесса, 2015. С. 171-175. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000525154

• Долговременная стабильность CdHgTe n+-n-структур, сформированных ионным травлением / И. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, А. В. Войцеховский , А. Г. Коротаев, К. Д. Мынбаев, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, А. Ю. Бончик, Г. В. Савицкий // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 222-226. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000522406

• Жуков А. А. Методическое и информационное обеспечение курса “основы работы в СДО MOODLE” / А. А. Жуков, А. Г. Коротаев // Инновации на основе информационных и коммуникационных технологий. 2015. Т. 1. С. 46-49.

• Жуков А. А. Методическое и информационное обеспечение курса Основы работы в СДО MOODLE / А. А. Жуков, А. Г.Коротаев // Инновации на основе информационных и коммуникативных технологий. ИНФО-2015 : материалы XII Международной научно-практической конференции, 1-10 окт. 2015 г., г. Сочи. М., 2015. С. 46-49.

• Радиационные эффекты в кристаллах теллурида кадмия-ртути / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев, Д. В. Григорьев, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников // Нано- и микросистемная техника. 2015. № 6. С. 10-17.

• Релаксация и долговременная стабильность МЛЭ CdHgTe n+-n-структур, сформированных ионным травлением / И. И. Ижнин, Е. И. Фицич, А. В. Войцеховский А. Г. коротаев, А. Ю. Бончик, Г. В. Савицкий, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, К. Д. Мынбаев // Фотоника-2015 : Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 12-16 октября 2015 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2015. С. 42. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000519746

• Электрофизические и оптические исследования нейтральных дефектов в эпитаксиальных пленках CdxHg1-xTe / И. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, К. Д. Мынбаев, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, А. Ю. Бончик, Г. В. Савицкий, Z. Swiatek, P. Ozga // Полупроводники 2015 : XII Российская конференция по физике полупроводников, Ершово, 21-25 сентября 2015 г. : тезисы докладов. М., 2015. С. 333. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000586727

• Background donor concentration in HGCDTE / I. I. Izhnin, A.V. Voitsekhovsky, A. G. Korotaev, S. A. Dvoretsky, K. D. Mynbaev, O. I. Fitsych, M. Pociask-Bialy // Opto-electronics Review. 2015. Vol. 23. № 3. P. 200-207. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000535381

• Investigation of SI/GE P-I-N structures with ge quantum dots by admittance spectroscopy methods / A. G. Korotaev, A. A. Pishchagin, A. P. Kokhanenko, A. I. Nikiforov // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии - КрыМиКо2015 : материалы докладов 25-ой Международной Крымской конференции: в 2 т. Т. 2. М., 2015. С. 707-708. 1 CD-ROM. System requirements: PC Pentium 1 или выше; OC Microsoft Windows; CD-ROM 16-х или выше; мышка URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000520589

• Long-term stability of electron concentration in HGCDTE-based P-N junctions fabricated with ion etching / I. I. Izhnin, A.V. Voitsekhovsky, A. G. Korotaev, S. A. Dvoretsky, K. D. Mynbaev, V. S. Varavin , N. N. Mikhailov, M. V. Yakushev, A. Y. Bonchyk, H.V. Savytskyy, O. I. Fitsych // Infrared Physics & Technology. 2015. Т. 73. P. 158-165. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000547568

2016

• Дефектная структура имплантированных As МЛЭ пленок CdHgTe / И. И. Ижнин, Е. И. Фицич, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, К. Д. Мынбаев, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, А. Ю. Бончик, Г. В. Савицкий, P Ozga, Z. Swiatek // Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. М: АО "НПО "Орион", 2016. С. 80-82.

• Коротаев А.Г.Опыт подготовки инженерных кадров в классическом университете // Управление качеством инженерного образования. Возможности ВУЗов и потребности промышленности : тезисы докладов второй международной научно-практической конференции. Москва, 23-25 июня 2016 г. Москва, 2016. С. 238-239.

• Особливост мплантац As в МПЕ плвках CdхHg1-хTe / О. І. Фіцич, І. І. Іжнін, О. В. Войцеховський, О. Г. Коротаєв, В. С. Варавін, С. О. Дворецький, М. М. Михайлов, М. В. Якушев, О. Ю. Бончик, Г. В. Савицький, R. Jakiela, К. Минбаєв // 7-ма Українська наукова конференція з фізики напівпровідників : матеріали конференції. Кременчук, 2016. C. 332-333.

• Радиационное дефектообразование при ионной имплантации бора в эпитаксиальные пленки HG1-XCDX TE различного состава / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев, И. И. Ижнин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов // Прикладная физика. 2016. № 5. С. 27-31.

• Радиационное дефектообразование при ионной имплантации бора в эпитаксиальные пленки Hg1-xCdxTe различного состава / Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Коротаев А.Г., Коханенко А.П., Ижнин И.И., Савицкий Г.В., Бончик А.Ю., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н. // Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. М., 2016. С. 419-421.

• Электрофизические и оптические исследования дефектной структуры методом молекулярно-лучевой эпитаксии пленок CdHgTe / З. Свёнтек, П. Озга, И. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, К. Д. Мынбаев, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, А. Ю. Бончик, Г. В. Савицкий // Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59. № 3. С. 110-113.

• Effect of a boron implantation on the electrical properties of epitaxial HgCdTe with different material composition / Lyapunov D.V., Pishchagin A.A., Grigoryev D.V., Korotaev A.G., Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Iznin I.I., Dvoretskii S.A., Savytskyy H.V., Bonchik A.U., Mikhailov N.N. // Journal of Physics: Conference Series. 2016. Vol. 741. № 1. P. 012097. http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000622058

• Effect of a boron implantation on the electrical properties of epitaxial HgCdTe with different material composition / D.V. Lyapunov, A.G. Korotaev, D.V. Grigoryev //Saint-Petersburg OPEN 2016: Book of abstracts 3rd International School and Conference. St. Petersburg, Russia, 2016. P. 231-232.

• Electrical characteristics of epitaxial CMT after As+ implantation / D. V. Lyapunov, A.V. Voitsekhovskii, I. I. Iznin, A. G. Korotaev, S. A. Dvoretskii, P.L. Smirnov. // International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects: Abstracts. Tomsk, 2016. P. 276.

• Electrical and Optical Studies of Defect Structure of HgCdTe Films Grown by Molecular Beam Epitaxy / Z. Świątek, P. Ozga, I.I. Izhnin, E.I. Fitsych, A.V. Voitsekhovskii, A.G. Korotaev, K. D. Mynbaev, V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, M.V. Yakushev, A.Yu. Bonchyk, H.V. Savytsky // Russian Physics Journal. 2016. Vol. 59, № 3. P. 442-445.

• Influence of a high-frequency pulsed nanosecond diffusion discharGe in the nitrogen atmosphere on the electrical characteristics of a CdHgTe epitaxial films / Denis V. Grigoryev, Alexander Voitsekhovskii, Alexandr G. Korotaev, Dmitry V. Lyapunov, Victor F. Tarasenko, Michail A. Shulepov, Michail V. Erofeev, Vasiliiy S. Ripenko, Kirill A. Lozovoy. //International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects: Abstracts. Tomsk, 2016. P. 273.

• The features of a radiation defect formation at boron implantation in HgCdTe epitaxial films / Denis V. Grigoryev, Alexander Voitsekhovskii, Alexandr G. Korotaev, Andrey P. Kokhanenko, Igor I. Iznin, Kirill A. Lozovoy, Sergey A. Dvoretskii, Nikolay N. Mikhailov. //International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects: Abstracts. Tomsk, 2016. P. 274.

• Physics of semiconductors and dielectrics: electrical and optical studies of defect structure of CdHgTe films grown by molecular beam epitaxy / Z. Świątek, P. Ozga, I. I. Izhnin, E. I. Fitsych, A. V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, S. A. Dvoretsky, K. D. Mynbaev, V. S. Varavin, N. N Mikhailov. , M. V. Yakushev, Bonchyk, H. V. Savytsky // Russian Physics Journal. 2016. Т. 59. № 3. С. 442-445.

• Properties of arsenid-implanted CdxHg1-xTe MBE films / I. I. Izhnin, A. V. Voitseckhovskii, A. G. Korotaev, O. I. Fitsych, O. Yu. Bonchyk, H.V. Savytskyy, K. D. Mynbaev, V. S. Varavin, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, M.V. Yakushev, R. Jakiela, M. Trzyna // International Conference on Semiconductor Nanostructures for Optoelectronics and Biosensors (IC SeNOB 2016) 22-25 May 2016 : Abstract Book. 2016. P. 84.

• Properties of arsenic-implanted CdxHg1-xTe MBE structures / O. I. Fitsych, I. I. Izhnin, A. V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, O. Yu. Bonchyk, H. V. Savytskyy, K. D. Mynbaev, V.S. Varavin, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, M. V. Yakushev, Z.Swiatek , P. Ozga // 7th International scientific and technical conference «Sensor Electronics and Microsystem Technologies» (SEMST-7). Ukraine, Odessa, 2016. P. 129.

'2017

• Дефектная структура в AS имплантированных пленках CdHgTe, полученных методом МЛЭ / И. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, К. Д. Мынбаев, Ф. Ю. Бончик, Г. В. Савицкий, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев. // Фотоника 2017 : рос. конф. и шк. мол. ученых по актуальным проблемам полупродниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 11-15 сент. 2017 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2017. С. 65.

• Дефекты в имплантированных мышьяком р+n- и n+p-структурах на основе пленок CdHgTe, выращенных МЛЭ / И. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, К. Д Мынбаев. , В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, А. Ю. Бончик, Г. В. Савицкий // Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 10. С. 92-97. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000623454

• Дефекты в имплантированных AS МЛЭ структурах CdHgTe / И. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, К. Д Мынбаев. , В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, А. Ю. Бончик, Г. В. Савицкий // XIII Российская конференция по физике полупроводников : тезисы докладов. Институт физики металлов имени М.Н. Михеева УрО РАН. 2017. С. 301.

• Пат 2 609 222 С1 Российская Федерация, U1 Российская Федерация, МПК H01L31/18 . Способ определения концентрации донорного фона в структурах CdxHg1-xTe / А. В. Войцеховский, И. И. Ижнин, Д. И. Горн, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, В. С. Варавин, К. Д. Мынбаев, А. Г. Коротаев, Е. И. Фицыч , заявитель и патентообладатель Национальный исследовательский Томский государственный университет. – опубл. 31.01.2017, Бюл. № 4. – 13с.

• Defect Structure of Arsenic Implanted HgCdTe Layers by HRTEM / O. Yu. Bonchyk, H. V. Savytskyy, Z. Swiatek, Y. Morgiel, I. I. Izhnin, A.V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, O. I. Fitsych, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, M. V. Yakushev // XVI International Conference Physics and Technology of Thin Films and Nanosystems (dedicated to memory Professor Dmytro Freik) : materials. Ivano-Frankivsk, 2017. P. 270.

• Electrical characteristics of epitaxial MCT after As+ implantation / A. Voitsekhovskii, I. Izhnin, A. Korotaev, D. Lyapunov, S. Dvoretskii, P. Smirnov // Journal of Physics: Conference Series 2017. Vol. 830. № 1. P. 012083. http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000584056

• Electrical characteristics of epitaxial MCT after As+ implantation / A. Voitsekhovskii, I. Izhnin, A. Korotaev [et.al.] // Journal of Physics: Conference Series. 2017. Vol. 830. P. 012083 (1-6). URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000583442

• Influence of a high-frequency pulsed nanosecond diffusion discharge in the nitrogen atmosphere on the electrical characteristics of a CdHgTe epitaxial films./ D. Grigoryev, A. Voitsekhovskii, A. Korotaev, D. Lyapunov, K. Lozovoy, V. Tarasenko, M. Shulepov, M. Erofeev, V. Ripenko, S. Dvoretskii, N. Mikhailov // Journal of Physics: Conference. 2017.Vol. 830. № 1. P. 012082 http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000584056

• Ion etching of CdHgTe: properties, patterns and use as a method for defect studies / I. I. Izhnin, A. V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, K. D. Mynbaev, O. I. Fitsych, M. Pociask-Bialy // Opto-electronics Review. 2017. Vol. 25. № 2. P. 148-170. https://doi.org/10.1016/j.opelre.2017.03.007 ; URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000582329

• Nanosize defects in arsenic implanted HgCdTe epitaxial films / O. Yu. Bonchyk, H. V. Savytskyy , Z. Swiatek, Y. Morgiel, I. I. Izhnin, A. V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, O. I. Fitsych, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, M. V. Yakushev //International research and practice conference "Nanotechnology and nanomaterials" (NANO-2017), 23-26 august 2017 Chernivtsi : book of abstracts. Kiev, 2017. P. 544.

• Optical and electrical studies of arsenic-implanted HgCdTe films grown with molecular beam epitaxy on GaAs and Si substrates / I. I. Izhnin, A.V. Voitsekhovsky, A. G. Korotaev, О. I. Fitsych, A. Yu. Bonchyk, H. V. Savytskyy, K. D. Mynbaev, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, M. V. Yakushev, R. Jakiela. // Infrared Physics and Technology. 2017. Vol. 81. P. 52-58. https://doi.org/10.1016/j.infrared.2016.12.006 ; URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000577381

• Properties of Arsenic–Implanted HG 1-XCD XTE MBE films / I. I. Izhnin, F. V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, O. I. Fitsych, O. Yu. Bonchyk, H. V. Savytskyy, K. D. Mynbaev, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, M.V. Yakushev, R. Jakiela, M. Trzyna // EPJ Web of Conferences. 2017. Vol. 133. P. 01001 (1-4). URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000577241

2018

• Профили структурных дефектов в имплатированных мышьяком эпитаксиальных пленках CdHgTe по данным оптического отражения / А. В. Войцеховский, И. И. Ижнин, А. Г. Коротаев, К. Д. Мынбаев, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, В. Г. Ремесник, М. В. Якушев // Сборник трудов X Международной конференции "Фундаментальные проблемы оптики – 2018", Санкт-Петербург, 15-19 октября 2018. СПб., 2018. С. 389-390. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000666768

• Радиационные донорные дефекты в имплантированных As МЛЭ пленках CdHgTe / И. И. Ижнин, И. И. Сыворотка, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, К. Д. Мынбаев, В. С Варавин. , С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, В. Г. Ремесник, М. В. Якушев, Z. Świątek // XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва, Россия : труды конференции : в 2 т. М., 2018. Т. 1 : Пленарные и устные доклады. С. 241-244. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000658540

• Defects in arsenic implanted Р + –N- AND N + –P- structures based on MBE grown cdhgte films / I. I. Izhnin, E. I. Fitsych, A.V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, S. A. Dvoretsky, K. D Mynbaev. , V. S. Varavin, Mikhailov, M. V. Yakushev, A. Y. Bonchyk, H.V. Savytskyy, Z. Świątek // Russian Physics N. N. Journal. 2018. Vol. 60. № 10. P. 1752-1757. http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000634710

• Distribution profiles of radiation donor defects in arsenic-implanted HgCdTe films / A. V. Voitsekhovskii, I. I. Izhnin, I. I. Syvorotka, A. G. Korotaev, K. D. My'nbaev, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, D. V. Marin, N. N. Mikhailov, V. G. Remesnik, M. V. Yakushev // JPCS. 2018. Vol. 1115. P. 032063-1-032063-5.

• Distribution profiles of radiation donor defects in arsenic-implanted HgCdTe films / A. V. Voitsekhovskii, I. I. Izhnin, I. I. Syvorotka, A. G. Korotaev, K. D. My'nbaev, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, V. G. Remesnik, M. V. Yakushev // 6th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE 2018), 16-22 september 2018, Tomsk : abstracts. Tomsk: TPU Publishing House, 2018. P. 354. http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000659459

• Nano-size defects in arsenic-implanted HgCdTe films: a HRTEM study / A. Y. Bonchik, H. V. Savytskyy, Z. Swiatek, Y. Morgiel, I. I. Izhnin, A. V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, K. D. Mynbaev, O. I Fitsych. , V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, D. V. Marin, M. V. Yakushev //Appl. Nanosci. 2018. № in press. P. 1-6. URL: https://link.springer.com/content/pdf/10.1007%2Fs13204-018-0679-y.pdf (date of access: 12.10.2018).

• Profiles of radiation donor defects distribution in HgCdTe epitaxial films implanted with arsenic / I. I. Izhnin, K. D. My'nbaev, O. I. Fitsych, A.V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, O. Yu. Bonchyk, H. V. Savytskyy, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, V. G. Remesnik, V. S. Varavin, M. V. Yakushev // 8-ма Украiнска наукова конференцiя з фiзики напiвпровiдникiв : матерiали конференцii (УНКФН-8), Ужгород, 2-4 жовтня 2018. Кн. 2. Ужгород: ТОВ "Piк-У", 2018. P. 327-328.

• Radiation donor defect profiles in arsenic-implanted HgCdTe film / O. I. Fitsych, I. I. Izhnin, A. V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, O. Yu. Bonchyk, H.V. Savytskyy, K. D. My'nbaev, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, V. G. Remesnik, M. V. Yakushev //Сенсорна елелктронiка та мiлросистемнi технологii (CEMCT-8) (з виставкою разборок та промислових зразкiв сенсорiв), 8-ма Мiжнародна науково-технiчна конференцiя : тези доповiдей. Oдеса: Астропринт, 2018. P. 174.

• Transmission Electron Microscopy Study of HgTe/CdHgTe Quantum Wells / I. I. Izhnin, O. Yu. Bonchyk, H. V. Savytskyy, Z. Swiatek, Y.Morgiel , A. V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, N. N. Mikhailov, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, K. D. Mynbaev, O. I. Fitsych //Proceedings of the 2018 IEEE 8th International Conference on Nanomaterials: Applications & Properties (NAP-2018) Part 2. Sumy: Sumy State University, 2018. P. 02PN05-1-02PN05-4.

• Srucrural defects study of HgTe/CdHgTe quantum wells / O. Yu. Bonchyk, H. V. Savytskyy, Z. Swiatek, Y. Morgiel, I. I. Izhnin, A. V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, O. I. Fitsych, K. D. My'nbaev, N. N. Mikhailov, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky //International research and practice conference "Nanotechnology and nanomatherials" (NANO-2018), 27-30 august 2018, Kyiv : abstract book. Kiev: SME Burlaka, 2018. P. 710.

2019

• Активационный отжиг имплантированных As МЛЭ структур CdHgTe / И. И. Ижнин, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, К. Д. Мынбаев, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, А. Ю. Бончик, Г. В. Савицкий // XIV Российская конференция по физике полупроводников "Полупроводники-19", 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Ч. 2. М.: Перо, 2019. С. 324.

• Локализация и природа радиационных донорных дефектов в имплантированных мышьяком МЛЭ пленках CdHgTe / И. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, К. Д. Мынбаев, К. Р. Курбанов, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, В. Г. Ремесник, М. В. Якушев, А. Ю. Бончик, Г. В. Савицкий, Z. Swiatek, J. Morgiel //Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 1-4 октября 2019 г. : сборник трудов конференции. Томск, 2019. С. 375-377.

• Радиационные донорные дефекты в имплантированных As пленках МЛЭ CdHgTe: пространственное распределение и природа / А. Г. Коротаев, И. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, А. В. Войцеховский, К. Д. Мынбаев, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, В. Г. Ремесник, М. В. Якушев, А. Ю. Бончик, Г. В. Савицкий, Y. Morgiel, Z. Swiatek // Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2019. С. 57.

• Термические отжиги имплантированных мышьяком МЛЭ пленок CdHgTe / И. И. Ижнин, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, К. Д. Мынбаев, А. Ю. Бончик, Г. В. Савицкий, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, В. Г. Ремесник, М. В. Якушев, Y. Morgiel, Z. Swiatek // Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2019. С. 177.

• Arsenic-ion implantation-induced defects in HgCdTe films studied with Hall-effect measurements and mobility spectrum analysis / I. I. Izhnin, K. D. Mynbaev, A. V. Voitsekhovsky, A. G. Korotaev, I. I. Syvorotka, O. I. Fitsych, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, V. G. Remesnik, M. V. Yakushev, Z. Swiatek, J. Morgiel, O. Yu. Bonchyk, H. V. Savytskyy // Infrared Physics and Technology. 2019. Vol. 98. P. 230-235. https://doi.org/10.1016/j.infrared.2019.03.019

• Admittance studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing / A. G. Korotaev, A. V. Voitsekhovskii, I. I. Izhnin, K. D. Mynbaev, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, M.V. Yakushev, G. Yu. Sidorov // The 21st international conference on surface modification of materials by lon beams. SMMIB-2019, 25-30 august 2019, Tomsk : abstract book. Tomsk, 2019. P. 147.

• Effect of annealing on the structural properties of arsenic-implanted mercurycadmium telluride / I. I. Izhnin, O. I. Fitsych, Z. Swiatek, Y. Morgiel, O. Yu. Bonchyk, H. V. Savytskyy, K. D. Mynbaev, A. V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, M. V. Yakushev, D. V. Marin, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky //Opto-Electronics Review. 2019. Vol. 27, № 1. P. 14-17. https://doi.org/10.1016/j.opelre.2019.01.002

• Electrical profiling of arsenic-implanted HgCdTe films performed with discrete mobility spectrum analysis / I. I. Izhnin, I. I. Syvorotka, O. I. Fitsych, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, D. V. Marin, N. N. Mikhailov, V. G. Remesnik, M. V. Yakushev, K. D. Mynbaev, A. V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev // Semiconductor Science and Technology. 2019. Vol. 34, № 3. P. 035009-1-035009-7. http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000659942

•	Influence of composition of Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.57) epitaxial film on dynamics of accumulation and spatial distribution of electrically active radiation defects after boron implantation / A. V. Voitsekhovskii, D. V. Grigoryev, A. G. Korotaev, A. P. Kokhanenko, K. A. Lozovoy, I. I. Izhnin, H. V. Savytskyy, O. Yu. Bonchyk, S. A. Dvoreckij, N. N. Mikhailov, V. S. Varavin, M. V. Yakushev  // Materials Research Express. 2019. Vol. 6, № 7. P. 075912-1-075912-8. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000659946

• Hall effect studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing / A. G. Korotaev, I. I. Izhnin, A.V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh, O. I. Fitsych, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, M. V. Yakushev, O.Yu. Bonchyk, H.V. Savytskyy, Z. Swiatek, J. Morgiel // The 21st international conference on surface modification of materials by lon beams. SMMIB-2019, 25-30 august 2019, Tomsk : abstract book. Tomsk, 2019. P. 148.

• Kinetics of formation of nanostructures by Frank-van der Merwe, Volmer-Weber and Stranski-Krastanow growth modes / A. G. Korotaev, K. A. Lozovoy, A. P. Kokhanenko, A. V. Voitsekhovskii // The 21st international conference on surface modification of materials by lon beams. SMMIB-2019, 25-30 august 2019, Tomsk : abstract book. Tomsk, 2019. P. 149.

• Nano-size defect layers in arsenic-implanted and annealed HgCdTe epitaxial films studied with transmission electron microscopy / O. Yu. Bonchyk, H. V. Savytskyy, I. I. Izhnin, K. D. Mynbaev, I. I. Syvorotka, A. G. Korotaev, A. V. Voitsekhovsky, O. I. Fitsych, V. S. Varavin, D. V. Marin, N. N. Mikhailov, M. V. Yakushev, Z. Swiatek, J. Morgiel, R. Jakiela // Applied Nanoscience. 2019. №9. P.725-730. doi:10.1007/s13204-018-0679-y

• Nanosize defect layers in arsenic-implanted and annealed HgCdTe epitaxial films studied with TEM / O.Yu. Bonchyk, H. V. Savytskyy, I. I. Izhnin, K. D. Mynbaev, A. G. Korotaev, A. V. Voitsekhovskii, O. I. Fitsych, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, M.V. Yakushev, Y. Morgiel, Z. Swiatek // International research and practice conference "Nanotechnology and nanomaterials" (NANO-2019) : abstract book, 27-30 august 2019, Lviv. Kiev: LLC "Computer-publishing, information center", 2019. P. 493.

• TEM studies of structural defects in HgTe/HgCdTe quantum wells. / Bonchyk, O.Y., Savytskyy, H.V., Swiatek, Z. , Y. Morgiel , I. I. Izhnin, A. V. Voitsekhovskii, A. G. Korotaev, K. D. Mynbaev, O. I. Fitsych, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, M. V. Yakushev // Applied Nanoscience. 2019. 10 September. doi:10.1007/s13204-019-01142-x

• The relaxation of electrophysical properties HgCdTeepitaxial films affected by plasma of high frequency nanosecond volume discharge in atmospheric-pressure air / A. G. Korotaev, D. V. Grigoryev, A. V. Voitsekhovskii, K. A. Lozovoy, V. F. Tarasenko, V. S. Ripenko, M. A. Shulepov, M. V. Erofeev, M. V. Yakushev, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov // The 21st international conference on surface modification of materials by lon beams. SMMIB-2019, 25-30 august 2019, Tomsk : abstract book. Tomsk, 2019. P. 150.

2020

• Kinetics of epitaxial formation of nanostructures by Frank-van der Merwe, Volmer-Weber and Stranski-Krastanow growth modes / A. G. Korotaev, K. А. Lozovoy, A. P. Kokhanenko, V. V. Dirko, A. V. Voitsekhovskii // Surface and Coatings Technology. 2020. Vol. 384. P. 125289-1-125289-5. https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2019.125289