Филонов, Николай Григорьевич
| Филонов Николай Григорьевич | |
| Место работы: |
Томский государственный университет. Факультет инновационных технологий, кафедра управления качеством, Профессор. |
|---|---|
Содержание
[убрать]Биографическая справка
Хронологический список работ
1978
• Вяткин А. П. Влияние глубоких центров на свойства диодов с барьером Шоттки на арсениде галлия / А. П. Вяткин, Н. К. Максимова, Н. Г. Филонов // Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 года : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева, Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Э. Н. Мельченко]. Томск : [б. и.], 1978. С.87-88.
1982
• Влияние связанных с дефектами глубоких центров на свойства контактов металл-арсенид галлия / А. П. Вяткин, Н. К. Максимова, А. М. Мисик, Л. Ю. Потахова, И. Д. Романова, Н. Г. Филонов // Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Гаман В. И.]. Томск, 1982. С. 181-183.
• Вяткин А. П. Резонансное туннелирование в диодах Шоттки, содержащих глубокие центры / А. П. Вяткин, Н. К. Максимова, Н. Г. Филонов // Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Гаман В. И.]. Томск, 1982. С. 179-181. Библиогр.: 4 назв.
• Максимова Н. К. Исследование структур с барьером шоттки на арсениде галлия, ионноимплантированном кислородом / Н. К. Максимова, И. Д. Романовап, Н. Г. Филонов // Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. : тезисы докладов / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Гаман В. И.]. Томск, 1982. С. 191-193.
